JPS6196697A - 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルのエ−ジング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜ＥＬ　（エレクトロルミネッセンス）パネ
ルの工〜ジ／グ方法に関するものでろる。

薄膜ＥＬパネルの製造に際してに、ＥＬ累子の輝度−電
圧の関係が変化しないよりに輝度−電圧の関係を安定化
するエージングが必要である。

〔従来の技術〕

従来、このエージングはＥＬ素子に交流電力を印加する
ことによシストレスを与えて行っているが、この場合、
処理時間ｔ−短縮するためにはＭＬ素子に与える電力を
大きくして加速エージングを行うことが必要である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、この電力を大きくすると、ＥＬ素子の発熱や
電極の抵抗による発熱が大きくなシ、その結果絶縁破壊
が発生しやすくなる。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は上述の問題点を解決できる薄膜ＥＬパネルのエ
ージング方法を提供することを目的としたもので、その
ための手段として、薄膜ＥＬパネルを加速エージング中
に冷却し、これにより絶縁破壊を抑えている。

〔作用〕

加速エージフグ時に薄膜ＥＬ素子に与える電力を大きく
しても、それによる発熱が冷却により奪われて温度上昇
が抑えられ、絶縁破壊は防止される。

〔実施例〕

以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の方法による薄膜ＥＬパネルのエージン
グ要領説明図で、１は薄膜ＥＬパネル、２は低温槽でめ
る。薄膜ＥＬパネル１は、ガラス等の透光性前面基板３
上に１ｉｊＬ素子４ｔ−形成してなｔ）、ＥＬ素子４は
、基板３上に頴次形成された透明電極５．絶縁層６１発
光層７．絶縁層８．及び対向電極９を備えている。

ところで、ＥＬ素子４のエージング特性は、入力電力１
０によって変化する。第２図はその一例を示したもので
、入力電力の周波数とエージング完了時間（ＮＺ、素子
の輝度−電圧の変化が止まゐまでの時間）の関係を表わ
して―る。本図に明らかなように、周波数が大きくなる
程エージ／グ完了時間が短かくなる。しかし、入力電力
が大きくなる程、第３図に示すようにエージング中の基
板温度が上昇し、　ＥＬ素子各層の熱膨張率等の相違に
よりて素子膜のストレスが大きくなシ絶縁耐圧が第４図
に示すように低下する。

この問題を解決するため、本発明では、薄膜ＥＬパネル
１ｔ″冷蔵庫等の低温槽２の中で冷却しながら加速エー
ジングを行うものである。このよ５な状態で処理を行う
ことによって、加速エージング時におけるＥＬ素子の温
度上昇を抑九ることができ、絶縁耐圧の低下を防止する
ことが可能である。

第５図に本発明の他の例を示す。

本例の場合は、加速エージング中のＥＬ素子４の温度上
昇を抑えるためにパネルの表裏に放熱板１１．１２ｔ−
取シ付けて放熱特性を上げたもので、前例と同様の効果
゛が得られる。但し、ＥＬＭ側に金属の放熱板を取シ付
ける場合、　ＩＩＬ層と放熱板（第５図の放熱板１２）
の間に絶縁層１３’ｊ−設ける必要がらる。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、加速エージング時
におけるＥＬ１ｇ子の温度を低く抑えることができるた
め、絶縁耐圧の低下、それに基因する絶縁破壊の発生を
防止することが可能である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明に係る薄膜ＥＬパネルのエージング方法の
実施例を示すもので、第１図は薄膜ＦＩＬパネルのエー
ジング要領説明図、第２図は二−ジノグ周波数とエージ
ング完了時間の関係を示すグラフ、第５図は入力電力と
基板温度との関係を示すグラフ、第４図は絶縁耐圧と温
度との関係を示すグラフ、第５図は薄膜ＭＬパネルの他
のエージング要領説明図である。 図中、１は薄膜ＭＬパネル、２は低温槽、３は透光性前
面基板、４はｘＬ素子、１１．１２は放熱板、１３は絶
縁層をそれぞれ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　薄膜エレクトロルミネッセンスパネルに、エージング
   完了時間を短縮し得る交流電力を印加しながらエージン
   グを行う加速エージング方法において、該エージング中
   に該薄膜エレクトロルミネッセンスパネルを冷却して熱
   による絶縁破壊を抑えることを特徴とする薄膜エレクト
   ロルミネッセンスパネルのエージング方法。