JPS6195512A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPS6195512A JPS6195512A JP21617884A JP21617884A JPS6195512A JP S6195512 A JPS6195512 A JP S6195512A JP 21617884 A JP21617884 A JP 21617884A JP 21617884 A JP21617884 A JP 21617884A JP S6195512 A JPS6195512 A JP S6195512A
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- reaction
- wafer
- gas curtain
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02518—Deposited layers
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- H01L21/02576—N-type
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- H—ELECTRICITY
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野１
本発明は、ＣＶＤ技術、特に半導体装置の製造において
ウェハの表面に薄膜を形成させる工程に用いられるＣＶ
Ｄ技術に適用して効果のある技術に関する。
ウェハの表面に薄膜を形成させる工程に用いられるＣＶ
Ｄ技術に適用して効果のある技術に関する。
〔背景技術］
半導体装置の製造において、たとえばソリコンなどから
なる円盤状の着板、すなわちウェハに半導体素子を形成
する過程で、ウェハ上にたとえばシリコン酸化膜などの
薄膜を形成するためＣＶＤ装置を用いることが考えられ
る。
なる円盤状の着板、すなわちウェハに半導体素子を形成
する過程で、ウェハ上にたとえばシリコン酸化膜などの
薄膜を形成するためＣＶＤ装置を用いることが考えられ
る。
すなわち、密閉された反応容器内にウェハを位置させ、
所定の温度に加熱し所定の組成の反応ガスを反応容器内
に供給しつつ所定の時間この状態を保持することにより
、ウェハに所定の薄膜を形成させるものである。
所定の温度に加熱し所定の組成の反応ガスを反応容器内
に供給しつつ所定の時間この状態を保持することにより
、ウェハに所定の薄膜を形成させるものである。
通常、膜形成に用いられる反応ガスは反応性が強く、た
とえばモノソラン（Ｓ ｉ Ｈａ ）は空気中の酸素と
反応して容易に発火し、またフォスフイン（ＰＨｚ）な
どは人体に極めてを毒である。
とえばモノソラン（Ｓ ｉ Ｈａ ）は空気中の酸素と
反応して容易に発火し、またフォスフイン（ＰＨｚ）な
どは人体に極めてを毒である。
このため、反応容器内へのウェハの挿入あるいは取り出
し操作のため反応容器が開放される際に反応容器内に残
留する反応ガスが空気中の酸素と反応して火災を起こし
たり、反応容器内の有毒なガスなどが外気中に散逸され
ることを防止するため、膜形成反応の前後に反応容器内
を、たとえば窒素ガスなどの不活性ガスによって置換す
ることが行われる。
し操作のため反応容器が開放される際に反応容器内に残
留する反応ガスが空気中の酸素と反応して火災を起こし
たり、反応容器内の有毒なガスなどが外気中に散逸され
ることを防止するため、膜形成反応の前後に反応容器内
を、たとえば窒素ガスなどの不活性ガスによって置換す
ることが行われる。
しかしながら、上記のようなｃｖｏｇ置においは、反応
容器内を窒素ガスによって置換する操作に長時間を要し
、ＣＶＤ装置の生産性を向上させる上で障害となってい
ることを本発明者は見いだした。
容器内を窒素ガスによって置換する操作に長時間を要し
、ＣＶＤ装置の生産性を向上させる上で障害となってい
ることを本発明者は見いだした。
さらに、置換操作によって中断された反応ガスの供給が
、膜形成反応の初期に、反応容器内に再び供給されると
き、反応容器内に充満され一様な濃度となるまでの時間
が不安定であり、ウェハに形成されるＷＡＩｙ、が不均
一となる不都合もあることも本発明者は見いだした。
、膜形成反応の初期に、反応容器内に再び供給されると
き、反応容器内に充満され一様な濃度となるまでの時間
が不安定であり、ウェハに形成されるＷＡＩｙ、が不均
一となる不都合もあることも本発明者は見いだした。
なお、ＣＶＤ技術について詳しく述べである特許の例と
しては、特公昭５０−７８５７８号がある。
しては、特公昭５０−７８５７８号がある。
「発明の目的」
本発明の目的は、生産性の良好なＣＶＤ技術を提供する
ことにある。
ことにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、反応容器の一端に反応容器開口部と平行にガ
スカーテンを設けることによって反応容器内部を外気か
ら遮断し、このガスカーテンのガスの流れと平行に被処
理物を設置し挿入および取り出し操作を行うことによっ
て、被処理物の挿入および取り出し操作に伴う反応容器
内の不活性ガスによる置換操作を不要に、また、反応ガ
スが外気に散逸されないようにしたＣＶＤ技術を提供す
ることにより、前記目的を達成するものである。
スカーテンを設けることによって反応容器内部を外気か
ら遮断し、このガスカーテンのガスの流れと平行に被処
理物を設置し挿入および取り出し操作を行うことによっ
て、被処理物の挿入および取り出し操作に伴う反応容器
内の不活性ガスによる置換操作を不要に、また、反応ガ
スが外気に散逸されないようにしたＣＶＤ技術を提供す
ることにより、前記目的を達成するものである。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例であるＣＶＤ装置の略断面回
であり、第２図は第１図において綿■−■で示される°
部分の断面図である。
であり、第２図は第１図において綿■−■で示される°
部分の断面図である。
下端面が開放された円筒形のヘルジャｌ （反応容器）
の下端部には、断面が矩形のガスカーテン筒２が位置さ
れている。
の下端部には、断面が矩形のガスカーテン筒２が位置さ
れている。
ベルジャ１の上部端面の偏心した位置には反応ガス供給
管１ａが形成され、所定の反応ガスがベルジャｌ内に供
給される構造とされている。
管１ａが形成され、所定の反応ガスがベルジャｌ内に供
給される構造とされている。
ガスカーテン筒２のベルジャ１の開放端に当たる部分は
、ベルツヤｌの内径にほぼ等しい大きさに開口され、開
口部３および開口部４が形成されている。
、ベルツヤｌの内径にほぼ等しい大きさに開口され、開
口部３および開口部４が形成されている。
ベルジャｌの下方には、上下方向に移動自在な昇降アー
ム５が設けられ、この昇降アーム５の先端部にはウェハ
台６が水平に取りつけられている。
ム５が設けられ、この昇降アーム５の先端部にはウェハ
台６が水平に取りつけられている。
このウェハ台６の直下にはヒータ７が設けられ、ウェハ
台６の上に位置されるウェハ８ （被処理′１１１１）
が所定の温度に加熱される構造とされている。
台６の上に位置されるウェハ８ （被処理′１１１１）
が所定の温度に加熱される構造とされている。
昇降アーム５は昇降アーム駆動機構（図示せず）によっ
て適時に上下方向に移動され、昇降アーム５と共に移動
されるウェハ台６に位置されるウェハ８が、図中におい
て二点鎖線で示されるようにガスカーテン筒２に形成さ
れた開口部３および開口部４を通過してベルジャｌ内の
所定の位置に挿入され、あるいはベルジャ１の外部に取
り出される構造とされている。
て適時に上下方向に移動され、昇降アーム５と共に移動
されるウェハ台６に位置されるウェハ８が、図中におい
て二点鎖線で示されるようにガスカーテン筒２に形成さ
れた開口部３および開口部４を通過してベルジャｌ内の
所定の位置に挿入され、あるいはベルジャ１の外部に取
り出される構造とされている。
ヒータ７の下方にはフランジ９ （ｈｉ助Ｊ！！蔽体）
が昇降アーム５に対して回転自在に嵌合され、ウェハ台
６と共に昇降されて、ウェハ台６がベルジャｌ内の所定
の位置に達して停止された時、ガスカーテン筒２の開口
部４が形成された側面に密着され、ベルジャ１内が膜形
成時に外気と遮断される構造とされている。
が昇降アーム５に対して回転自在に嵌合され、ウェハ台
６と共に昇降されて、ウェハ台６がベルジャｌ内の所定
の位置に達して停止された時、ガスカーテン筒２の開口
部４が形成された側面に密着され、ベルジャ１内が膜形
成時に外気と遮断される構造とされている。
昇降アーム５はモータ（図示せず）に接続されており適
時に昇降アーム５の先端部に固定されたウェハ台６およ
びこのウェハ台６に位置されるウェハ８が適時に回転さ
れる構造とされている。
時に昇降アーム５の先端部に固定されたウェハ台６およ
びこのウェハ台６に位置されるウェハ８が適時に回転さ
れる構造とされている。
ガスカーテン筒２の一端からは窒素ガスが供給され、他
端部に設けられた排気ファン（図示せず）によって排気
が行われ、ガスカーテン筒２内には水平方向の窒素ガス
流によるガスカーテン１０が形成され、ガスカーテン筒
２に形成された開口部３および開口部４を通過して外気
がベルジャ１内に侵入したり、反応ガス供給管１ａによ
ってベルジャ１内に供給される反応ガスが外気中に散逸
することが阻止される構造とされている。
端部に設けられた排気ファン（図示せず）によって排気
が行われ、ガスカーテン筒２内には水平方向の窒素ガス
流によるガスカーテン１０が形成され、ガスカーテン筒
２に形成された開口部３および開口部４を通過して外気
がベルジャ１内に侵入したり、反応ガス供給管１ａによ
ってベルジャ１内に供給される反応ガスが外気中に散逸
することが阻止される構造とされている。
次に、本実施例の作用について説明する。
ガスカーテン筒２の一端からは窒素ガスが常に供給され
他端を排気することによって窒素ガス流によるガスカー
テン１０が形成され、ベルジャｌの内部は外気と遮断さ
れた状態とされる。
他端を排気することによって窒素ガス流によるガスカー
テン１０が形成され、ベルジャｌの内部は外気と遮断さ
れた状態とされる。
次に、ベルジャ１内に反応ガス供給管１ａを通じて所定
の反応ガスがベルジャ１内に連続的に供給される。
の反応ガスがベルジャ１内に連続的に供給される。
ベルツヤｌ内に供給される反応ガスは、ベルジャ１の底
部の開放端に形成されたガスカーテンＩＯを形成する窒
素ガスと共に排気されるため外気ｉ
中に散逸することが防止される。
部の開放端に形成されたガスカーテンＩＯを形成する窒
素ガスと共に排気されるため外気ｉ
中に散逸することが防止される。
ガスカーテン筒２の下方に位置され、ヒータ７によって
所定の温度に加熱された状態にあるつエバ台６にウェハ
８が位置される。
所定の温度に加熱された状態にあるつエバ台６にウェハ
８が位置される。
次に、ウェハ８が位置されたウェハ台６は昇降アーム５
によって所定の回転数で回転されつつ上昇され、開口部
３および４の間に形成されたガスカーテン１０を通過し
てベルジャ１内の所定の位置に挿入されて停止され、す
でにベルジャ１内に形成されている一様な濃度の反応ガ
ス雰囲気によって直ちにウェハ８への膜形成反応が行わ
れる。
によって所定の回転数で回転されつつ上昇され、開口部
３および４の間に形成されたガスカーテン１０を通過し
てベルジャ１内の所定の位置に挿入されて停止され、す
でにベルジャ１内に形成されている一様な濃度の反応ガ
ス雰囲気によって直ちにウェハ８への膜形成反応が行わ
れる。
この時、フランジ９はガスカーテン筒２の下部に形成さ
れた開口部４の周辺部に密着された状態とされ、ガスカ
ーテンｌＯの遮蔽効果とあいまってベルジャ１およびガ
スカーテン筒２は外気とさらに完全に遮断された状態と
される。
れた開口部４の周辺部に密着された状態とされ、ガスカ
ーテンｌＯの遮蔽効果とあいまってベルジャ１およびガ
スカーテン筒２は外気とさらに完全に遮断された状態と
される。
この場合、ウェハ８がベルジャ１に挿入された時にはベ
ルジャ１内にすでに所定の反応ガスが一様に充満されて
いるため、膜形成反応の初期における反応ガスの供給む
らがなくウェハ８の全体に一様な厚さの膜が形成される
。
ルジャ１内にすでに所定の反応ガスが一様に充満されて
いるため、膜形成反応の初期における反応ガスの供給む
らがなくウェハ８の全体に一様な厚さの膜が形成される
。
さらに膜形成時にウェハ８が回転され、反応ガス供給管
１ａがウェハ８の回転中心部から偏心した位置に設けら
れているため、ウェハ８に形成されるｙｔ膜はウェハ８
の半径方向の反応ガスの濃度勾配の影響が相殺され、均
一な厚さで形成される。
１ａがウェハ８の回転中心部から偏心した位置に設けら
れているため、ウェハ８に形成されるｙｔ膜はウェハ８
の半径方向の反応ガスの濃度勾配の影響が相殺され、均
一な厚さで形成される。
所定の時間上記の状態にウェハ８を保持して所定のｉ厚
の膜を形成させた後、ウェハ８はウェハ台６と共に直ち
に降下され、ガスカーテン筒２の下方の所定の位置で停
止され、所定の薄膜が均一に形成されたウェハ８はウェ
ハ台６から取り除かれる。
の膜を形成させた後、ウェハ８はウェハ台６と共に直ち
に降下され、ガスカーテン筒２の下方の所定の位置で停
止され、所定の薄膜が均一に形成されたウェハ８はウェ
ハ台６から取り除かれる。
このように、ベルジャ１の開放端が窒素ガスのガスカー
テンによって外気と遮断されているため、ベルジャ１内
へのウェハ８の挿入および取り出し操作に伴うベルジャ
ｌ内への外気の侵入や反応ガスの外気への漏洩が防止さ
れ、ベルツヤｌ内の窒素ガスによる置換操作が不要とな
る。
テンによって外気と遮断されているため、ベルジャ１内
へのウェハ８の挿入および取り出し操作に伴うベルジャ
ｌ内への外気の侵入や反応ガスの外気への漏洩が防止さ
れ、ベルツヤｌ内の窒素ガスによる置換操作が不要とな
る。
この結果、−回毎の膜形成作業に要する時間が短縮され
、ＣＶＤ装置の生産性が向上する。
、ＣＶＤ装置の生産性が向上する。
上記の一連の操作を繰り返すことによって多数のウェハ
８に順次膜形成が行われる。
８に順次膜形成が行われる。
［効果］
（１）、被処理物に膜形成反応が行われる反応容器の一
端にガスカーテンを形成することにより−で、反応容器
と外気とを遮断し、このガスカーテンを通して被処理物
の反応容器内への挿入および取り出しを行うため、膜形
成前後の反応容器内のガス置換操作が不要となり、膜形
成作業に要する時間を短縮することができる。
端にガスカーテンを形成することにより−で、反応容器
と外気とを遮断し、このガスカーテンを通して被処理物
の反応容器内への挿入および取り出しを行うため、膜形
成前後の反応容器内のガス置換操作が不要となり、膜形
成作業に要する時間を短縮することができる。
（２）、前記（１）の結果、反応容器内における反応ガ
スの供給を中断することなく、反応容器内の反応ガス濃
度を常に一定に保つことができるため、膜形成の初期に
おける反応ガスの７層度のむらがなく、被処理物全体に
均一な膜が形成される。
スの供給を中断することなく、反応容器内の反応ガス濃
度を常に一定に保つことができるため、膜形成の初期に
おける反応ガスの７層度のむらがなく、被処理物全体に
均一な膜が形成される。
（３）被処理物を回転させ、さらに被処理物の回転中心
から偏心した位置に反応ガスを供給するため、被処理物
の径方向の反応ガスの濃度勾配によるＲダ厚の不均一が
相殺され、被処理物に均一な厚さの膜が形成される。
から偏心した位置に反応ガスを供給するため、被処理物
の径方向の反応ガスの濃度勾配によるＲダ厚の不均一が
相殺され、被処理物に均一な厚さの膜が形成される。
（４）、前記（２）および（３）の結果、膜形成作業に
おける歩留りが向上する。
おける歩留りが向上する。
（５）、前記＋１１および（４）の結果、ＣＶＯ装置の
生産性が向上する。
生産性が向上する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない節回で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない節回で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、反応容器を横型とすることも可能である。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＣＶＤ技術に通用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
な（、常圧で行われる反応技術などに適用できる。
をその背景となった利用分野であるＣＶＤ技術に通用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
な（、常圧で行われる反応技術などに適用できる。
第１図は本発明の一実施例であるＣＶＤ装置の略断面図
、 第２図は第１図において締■−■で示される部分の断面
図である。 ｌ・・・ベルジャ（反応容器）、１ａ・・・反応ガス供
給管、２・・・ガスカーテン筒、３．４・・・開口部、
５・・・昇降アーム、６・・・ウェハ台、７・・・ヒー
タ、８・・・ウェハ（被処理物）、９・・・フランジ（
補助遮蔽体）、１０・・・ガスカーテン。
、 第２図は第１図において締■−■で示される部分の断面
図である。 ｌ・・・ベルジャ（反応容器）、１ａ・・・反応ガス供
給管、２・・・ガスカーテン筒、３．４・・・開口部、
５・・・昇降アーム、６・・・ウェハ台、７・・・ヒー
タ、８・・・ウェハ（被処理物）、９・・・フランジ（
補助遮蔽体）、１０・・・ガスカーテン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応容器内に位置される被処理物に反応ガスを供給
することによって該被処理物に膜を形成するＣＶＤ装置
であって、前記反応容器の一端にガスカーテンを有する
ことを特徴とするＣＶＤ装置。 ２、ガスカーテンのガスの流れと平行に被処理物面を設
置して被処理物を反応容器に出し入れすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置。 ３、被処理物が回転され、反応ガスが反応容器の偏心し
た位置において反応容器内に供給されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置。 ４、補助遮蔽体を設けたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21617884A JPS6195512A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21617884A JPS6195512A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195512A true JPS6195512A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16684506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21617884A Pending JPS6195512A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111334861A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-06-26 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种用于制备PVT法AlN籽晶的化学气相沉积外延装置及方法 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21617884A patent/JPS6195512A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111334861A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-06-26 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种用于制备PVT法AlN籽晶的化学气相沉积外延装置及方法 |
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