JPS6195027A - 感光性耐熱材料の製造方法 - Google Patents
感光性耐熱材料の製造方法Info
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- JPS6195027A JPS6195027A JP21535484A JP21535484A JPS6195027A JP S6195027 A JPS6195027 A JP S6195027A JP 21535484 A JP21535484 A JP 21535484A JP 21535484 A JP21535484 A JP 21535484A JP S6195027 A JPS6195027 A JP S6195027A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、新規な感光性耐熱材料に関する。
半導体工業において固体素子の絶縁層やパッシベーショ
ン層として有機材料を用いた場合、低応力性および平滑
性などの優れた性質が得られるため、一部の半導体素子
に実用化されている。
ン層として有機材料を用いた場合、低応力性および平滑
性などの優れた性質が得られるため、一部の半導体素子
に実用化されている。
固体素子の製造にかいてはダイボンデング工程等のよう
に加熱作業が多数台まれるため、耐熱性の有機材料を使
用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れたポリ
イミドが広く検討されている〇 ポリイミドを固体素子の絶縁層やパッシベーション層と
して利用する場合、上下導体層の導通部子外部リード線
との接続のためのスルーホール孔など微細加工を施す工
程では、一般に、フォトレジストを使用するポリイミド
の化学エツチング処理が行われ’ｃ’ｚ槁し力シ″′”
ら・３ｏ化学”′ さ・。
に加熱作業が多数台まれるため、耐熱性の有機材料を使
用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れたポリ
イミドが広く検討されている〇 ポリイミドを固体素子の絶縁層やパッシベーション層と
して利用する場合、上下導体層の導通部子外部リード線
との接続のためのスルーホール孔など微細加工を施す工
程では、一般に、フォトレジストを使用するポリイミド
の化学エツチング処理が行われ’ｃ’ｚ槁し力シ″′”
ら・３ｏ化学”′ さ・。
チング処理ではフォトレジストの塗布や剥離の工程を含
むため全体として煩雑なプロセス工程となる。また、レ
リーフパターンをレジストを介して転写することによる
寸法精度の低下が起る。そのため、微細加工工程の簡略
化や高精度化を図るため、直接光でパターニング可能な
耐熱材料の開発が望まれていた。
むため全体として煩雑なプロセス工程となる。また、レ
リーフパターンをレジストを介して転写することによる
寸法精度の低下が起る。そのため、微細加工工程の簡略
化や高精度化を図るため、直接光でパターニング可能な
耐熱材料の開発が望まれていた。
上記目的のための一つとして特公昭４９−１７３７４号
公報に、ポリアミド酸と重クロム酸塩とからなる感光性
耐熱材料が提案された。
公報に、ポリアミド酸と重クロム酸塩とからなる感光性
耐熱材料が提案された。
また、特開昭４９−１１５５４１号公報にはピロメリッ
ト酸誘導体から誘導される感光性ポリアミド酸が提案さ
れている。
ト酸誘導体から誘導される感光性ポリアミド酸が提案さ
れている。
さらに、特開昭５５−４５７４６号公報にポリアミド酸
と不飽和エポキシの反応による感光性ポリアミド酸が提
案されている。
と不飽和エポキシの反応による感光性ポリアミド酸が提
案されている。
上記のような従来のポリアミド酸と重クロム酸塩とから
なる場合には、該材料は暗反応を伴うため保存安定性に
乏しいという問題点を有している。
なる場合には、該材料は暗反応を伴うため保存安定性に
乏しいという問題点を有している。
また、ピロメリット酸誘導体は粘稠で、しかも精製が困
難であることから、仮に精製できても高価になるという
問題点を有している。
難であることから、仮に精製できても高価になるという
問題点を有している。
さらに、ポリアミド酸と不飽和エポキシの反応は、反応
促進剤が必要であシ、反応後の保存安定性も極めて悪い
という問題点を有している。
促進剤が必要であシ、反応後の保存安定性も極めて悪い
という問題点を有している。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、保存安定性に優れ、製造工程が簡単で、新規な感
光性耐熱材料を得ることを目的とする。
ので、保存安定性に優れ、製造工程が簡単で、新規な感
光性耐熱材料を得ることを目的とする。
ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明の感光性耐熱材料は、一般式
Ｃ式中、Ｒは２価の有機基、Ｒ２は１価の有機基、！
Ｒ３は４価の有機基を示し、ｎは任意の自然数を示す。
）
で示されるジアミノ化合物と、一般式
０式％
（式中、Ｒ４は４価の有機基を示す。）で示されるテト
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａ）に、一般式 ｃ式中、Ｒ５は光又は放射線で２量化又は重合可能な二
重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させたものを
含有するものである。
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａ）に、一般式 ｃ式中、Ｒ５は光又は放射線で２量化又は重合可能な二
重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させたものを
含有するものである。
上記組成物を含有するこの発明の感光性耐熱材料を用い
ることによシ、上記目的を達成することができる。
ることによシ、上記目的を達成することができる。
この発明に係わるジアミノ化合物は、一般式（１）で示
される構造を持ったものであり、一般式Ｃ式中、Ｒ２は
１価の有機基、Ｒ３は４価の有機基を示す。〕 で示されるビスオキサジノンと、一般式％式％（５） （式中、Ｒ１は２価の有機基を示す。）で示されるジア
ミンとにより合成することができる０ 上記ジアミンは、例えばＰ−フ二二レンジアミン、ｍ−
フ二二レンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、４．４
′−ベンジジン、３，３′−ベンジジン、４，４’−ジ
（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４
’−ジ（３−アミノフェノキシ）ジフエニ −ルスル
ホン２よひ１，５−ジアミノナフタレンの内の少なくと
も一種が好ｌしく用いられる。
される構造を持ったものであり、一般式Ｃ式中、Ｒ２は
１価の有機基、Ｒ３は４価の有機基を示す。〕 で示されるビスオキサジノンと、一般式％式％（５） （式中、Ｒ１は２価の有機基を示す。）で示されるジア
ミンとにより合成することができる０ 上記ジアミンは、例えばＰ−フ二二レンジアミン、ｍ−
フ二二レンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、４．４
′−ベンジジン、３，３′−ベンジジン、４，４’−ジ
（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４
’−ジ（３−アミノフェノキシ）ジフエニ −ルスル
ホン２よひ１，５−ジアミノナフタレンの内の少なくと
も一種が好ｌしく用いられる。
また、ビスオキサジノンの合成法は、刊行物（雑誌名：
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎ
ｃｅ第６０巻第５９頁（１９６２年発行）および雑誌名
：工業化学雑誌第７３巻第６号第１２３９頁（１９７０
年発行）等）に記載でれており、例えばペンズジ（メチ
ルオキサシン）、６，６′−メチレンビス（２−メチル
−４，３゜１−ベンゾオキサジン−４−オン）、６ｊ６
′−オキシビス（２−メチル−４，３，１−ベンゾオキ
サジン−４−オン）、６，６′−チオビス（２−メチル
−４゜３．１−ベンゾオキサジン−４−オン）、ビフエ
ニールジ（メチルオキサシン）およびナツタレンジ（メ
チルオキサシン）の内の少なくとも一種を用いることが
できる。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎ
ｃｅ第６０巻第５９頁（１９６２年発行）および雑誌名
：工業化学雑誌第７３巻第６号第１２３９頁（１９７０
年発行）等）に記載でれており、例えばペンズジ（メチ
ルオキサシン）、６，６′−メチレンビス（２−メチル
−４，３゜１−ベンゾオキサジン−４−オン）、６ｊ６
′−オキシビス（２−メチル−４，３，１−ベンゾオキ
サジン−４−オン）、６，６′−チオビス（２−メチル
−４゜３．１−ベンゾオキサジン−４−オン）、ビフエ
ニールジ（メチルオキサシン）およびナツタレンジ（メ
チルオキサシン）の内の少なくとも一種を用いることが
できる。
この発明に係わる一般式（１）のジアミノ化合物は、上
記ジアミンとビスオキサジノンとを、クレゾール類、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド等の有機溶媒中で反応させることにより容易に合成
できる。ここで、配合比を１．２≦ジアミンのモル数／
ビスオキサジノンのモル数≦２の範囲内に選択すること
により一般式（１）のジアミノ化合物において、１≦ｎ
≦５の範囲内の化合物を得ることができる。ｎ ） ５
で合成したジアミノ化合物を用いて得られたこの発明の
実施例の感光性耐熱材料には感光性の低下がみられる。
記ジアミンとビスオキサジノンとを、クレゾール類、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド等の有機溶媒中で反応させることにより容易に合成
できる。ここで、配合比を１．２≦ジアミンのモル数／
ビスオキサジノンのモル数≦２の範囲内に選択すること
により一般式（１）のジアミノ化合物において、１≦ｎ
≦５の範囲内の化合物を得ることができる。ｎ ） ５
で合成したジアミノ化合物を用いて得られたこの発明の
実施例の感光性耐熱材料には感光性の低下がみられる。
この発明に係わるテトラカルボン酸二無水物は一般式（
２）で示される構造を持っており、例えば、ピロメリッ
ト酸二無水物、３．３’、４．４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二無水物の
内の少なくとも一種が最終硬化物として優れた耐熱性を
与えるので好ましいが、芳何らさしつかえない。
２）で示される構造を持っており、例えば、ピロメリッ
ト酸二無水物、３．３’、４．４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二無水物の
内の少なくとも一種が最終硬化物として優れた耐熱性を
与えるので好ましいが、芳何らさしつかえない。
この発明において、ジアミノ化合物（１）とテトラカル
ボン酸二無水物とを反応させて、ポリキナゾロンイミド
前駆体（Ａ）を得る場合、上記反応物に不活性であシ、
かつ得られる重合体に対して良溶媒中で、 の配合比で反応させるのが好適である。
ボン酸二無水物とを反応させて、ポリキナゾロンイミド
前駆体（Ａ）を得る場合、上記反応物に不活性であシ、
かつ得られる重合体に対して良溶媒中で、 の配合比で反応させるのが好適である。
溶媒として、例・えば、Ｎ、Ｍ’−ジメチルアセトアミ
ド、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホアミドなどが好適に用いられる。
ド、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホアミドなどが好適に用いられる。
また、これらの反応は、８０°Ｃ以下の温度で２〜１０
時間行なわれるのが好適でおる。８０℃以上では、不溶
性となり、２時間以下では反応が不充分である。
時間行なわれるのが好適でおる。８０℃以上では、不溶
性となり、２時間以下では反応が不充分である。
この発明に係わる一般式（３）で示されるアジリジン化
合物（Ｂ）としては、例えば などの内の少なくとも一種が用いられる。
合物（Ｂ）としては、例えば などの内の少なくとも一種が用いられる。
なお、これらアジリジン化合物（Ｂ）とポリキナゾロン
イミド前駆体（Ａ）反応は８０℃以下、好ましくは室温
付近で行われる。該反応は塩類、酸化物、塩基等の反応
促進剤を用いなくとも速やかに進行し、不純物を含まな
いためこの発明の感光性耐熱材料は極めて優れた保存安
定性を有する。又、上記反応において、上記アジリジン
化合物（Ｂ）を上記ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）
中の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．０当量
、好ましくは０．５〜１．５当量の範囲内で反応させる
のが良い００，２当量以下であると露光による架橋反応
が充分に起らず、レリーフパターン形性能に劣る０また
、２．０当量を越えると最終工程での熱処理後の硬化物
の熱安定性が劣る。
イミド前駆体（Ａ）反応は８０℃以下、好ましくは室温
付近で行われる。該反応は塩類、酸化物、塩基等の反応
促進剤を用いなくとも速やかに進行し、不純物を含まな
いためこの発明の感光性耐熱材料は極めて優れた保存安
定性を有する。又、上記反応において、上記アジリジン
化合物（Ｂ）を上記ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）
中の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．０当量
、好ましくは０．５〜１．５当量の範囲内で反応させる
のが良い００，２当量以下であると露光による架橋反応
が充分に起らず、レリーフパターン形性能に劣る０また
、２．０当量を越えると最終工程での熱処理後の硬化物
の熱安定性が劣る。
即ち、この発明の感光性耐熱材料は、ポリキナゾロンイ
ミド前駆体（Ａ）にアジリジン化合物（Ｂ）を反応させ
て得られたものを主成分へとするものであシ、このもの
だけを用いて露光しても鮮明なレリーフパターンが得ら
れるが、例えば光増感剤を０．Ｏ１〜１０Ｍ１ｉｔ％含
有てれは、著しい光増感効果を得ることができる。その
ような光増感剤として、例えばベンツイン、ベンゾイン
エチルエーテル、ベンゾインメチルエーテル、アントラ
キノン、ベンゾキノン、ナフトキノン、ジフェニルスル
フィド、ジフェニルジスルフィド、アセトフェノン、ベ
ンゾキノンおよび４，４′−テトラメチルジアミノベン
ゾフェノンなどの内の少なくとも一種を用いることがで
きる。
ミド前駆体（Ａ）にアジリジン化合物（Ｂ）を反応させ
て得られたものを主成分へとするものであシ、このもの
だけを用いて露光しても鮮明なレリーフパターンが得ら
れるが、例えば光増感剤を０．Ｏ１〜１０Ｍ１ｉｔ％含
有てれは、著しい光増感効果を得ることができる。その
ような光増感剤として、例えばベンツイン、ベンゾイン
エチルエーテル、ベンゾインメチルエーテル、アントラ
キノン、ベンゾキノン、ナフトキノン、ジフェニルスル
フィド、ジフェニルジスルフィド、アセトフェノン、ベ
ンゾキノンおよび４，４′−テトラメチルジアミノベン
ゾフェノンなどの内の少なくとも一種を用いることがで
きる。
この発明の感光性耐熱材料を例えばガラス板またはシリ
コンウェー・−上に回転塗布し、５０〜９０℃でプレキ
ュア−したのち、所定のパターンマスクを通して露光し
、次いでＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｉｉ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミドな
どの溶剤で現像することにより未露光部は洗い流されて
端面のシャープなレリーフパターンが得られる。その後
２００〜４００℃の熱処理を行うことによシ、耐熱性の
優れたポリキナゾリンジオンに変換することができ、レ
リーフパターンの乱れない硬化物となる。
コンウェー・−上に回転塗布し、５０〜９０℃でプレキ
ュア−したのち、所定のパターンマスクを通して露光し
、次いでＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｉｉ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミドな
どの溶剤で現像することにより未露光部は洗い流されて
端面のシャープなレリーフパターンが得られる。その後
２００〜４００℃の熱処理を行うことによシ、耐熱性の
優れたポリキナゾリンジオンに変換することができ、レ
リーフパターンの乱れない硬化物となる。
この発明の感光性耐熱材料は、室温遮光下で数ケ月間安
定に保存できる。
定に保存できる。
以下この発明を実施例に基づいて、さらに詳しく説明す
るが、この発明はかかる実施例のみに限定されるもので
はない。
るが、この発明はかかる実施例のみに限定されるもので
はない。
なお、実施例で用いた化合物は以下のように略した０
テトラカルボン酸二無水物
＋Ｉ ０
アジリジン化合物
実施例１
温度計、撹拌機、チッ素導入管、リフラックス管を備え
た５００ｍ１の７２スコに、４．４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル４０ｇ （０，２モル）と３００ｇのｍ−
クレゾールを加え、さらに６，６′−メチレンビス（２
−メチル−４，３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）
の３３．４ｇ（０，１％ル）を追加し、１００℃で１時
間、１８０℃で６時間反応させた。反応後、室温に冷却
し、多量のアセトン中に沈澱させ、十分洗浄後、減圧乾
燥させて、ジアミノ化合物を得た。
た５００ｍ１の７２スコに、４．４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル４０ｇ （０，２モル）と３００ｇのｍ−
クレゾールを加え、さらに６，６′−メチレンビス（２
−メチル−４，３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）
の３３．４ｇ（０，１％ル）を追加し、１００℃で１時
間、１８０℃で６時間反応させた。反応後、室温に冷却
し、多量のアセトン中に沈澱させ、十分洗浄後、減圧乾
燥させて、ジアミノ化合物を得た。
収率は８９チ、融点は１７０’ｃであった。アミノ基当
量の測定を行った結果、３７０の値を得た。
量の測定を行った結果、３７０の値を得た。
さらに、温度計、撹拌機、チッ素専入管、カルシウム管
を備えた４つロフラスコに、上記ジアミノ化合物７．４
ｇ （０，０１モル）とＮ−メチル−２−ビ ｈロリ
ドン（以下、ＨＭＰと略″ｌｊｏ）８０ｇを加え、室温
下で均一に溶解させた。次いで、ＢＴＤＡの３．２２ｇ
（０，０１モル）を加え、１５℃で８時間反応させて、
ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）を得た。
を備えた４つロフラスコに、上記ジアミノ化合物７．４
ｇ （０，０１モル）とＮ−メチル−２−ビ ｈロリ
ドン（以下、ＨＭＰと略″ｌｊｏ）８０ｇを加え、室温
下で均一に溶解させた。次いで、ＢＴＤＡの３．２２ｇ
（０，０１モル）を加え、１５℃で８時間反応させて、
ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）を得た。
さらに、ＡＥＭのＳ 、１ｇ （０，０２モル〕を加え
、２０°Ｃで４時間反応させたのち、β−メチルアント
ラキノン０．３ｇを加え均一に混合して、この発明の一
実施例の感光性耐熱材料を得た。
、２０°Ｃで４時間反応させたのち、β−メチルアント
ラキノン０．３ｇを加え均一に混合して、この発明の一
実施例の感光性耐熱材料を得た。
これをガラス板上にスピンコートシ、８０°Ｃテ１５分
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して３０秒間紫外
線露光を行った（超高圧水銀灯５００Ｗ ３０ｃｍ、）
露光後、ＮＭＰ中Ｉ／Ｃｅｏ〜１２０秒間浸漬するとと
按より良好なレリーフパターンが得られた。
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して３０秒間紫外
線露光を行った（超高圧水銀灯５００Ｗ ３０ｃｍ、）
露光後、ＮＭＰ中Ｉ／Ｃｅｏ〜１２０秒間浸漬するとと
按より良好なレリーフパターンが得られた。
別に、上記この発明の一実施例の感光性耐熱材料を銅板
に塗布し、上記と同じ露光装置を用いて３０秒間、全面
に露光した。その後、２００℃１時間、チッ素雰囲気下
、３５０℃で１時間、加熱した。
に塗布し、上記と同じ露光装置を用いて３０秒間、全面
に露光した。その後、２００℃１時間、チッ素雰囲気下
、３５０℃で１時間、加熱した。
かくして得られた硬化物の電気特性を測定した結果、絶
縁耐圧３００ＫＶ／ｍｍ 、誘電率２．８（ｌｋＨｚ）
、体積抵抗率２ＸＩＯΩ・ａｍの値が得られ、通常のポ
リイミドと同程度の電気特性を示すことが解る。
縁耐圧３００ＫＶ／ｍｍ 、誘電率２．８（ｌｋＨｚ）
、体積抵抗率２ＸＩＯΩ・ａｍの値が得られ、通常のポ
リイミドと同程度の電気特性を示すことが解る。
ｌた、空気中５°Ｃ／分の昇温速度で熱重量減少を測定
した結果、初期分解開始温度は４２０’Ｃであり、熱安
定性に優れていることが解った。
した結果、初期分解開始温度は４２０’Ｃであり、熱安
定性に優れていることが解った。
実施例２〜１３
表１に示した配合によシ、ジアミノ化合物を得た。この
ジアミノ化合物を用いて、表２の配合量に従い、実施例
１と同様の操作を行って、この発明の実施例の感光性耐
熱材料を得た。
ジアミノ化合物を用いて、表２の配合量に従い、実施例
１と同様の操作を行って、この発明の実施例の感光性耐
熱材料を得た。
得られた材料をガラス板に塗布し、実施例１と同様の画
像形成処理を行い、結果を表３に示し、従来のものと同
程度の感光性を示すものを良とした〇 一方銅板に塗布し、露光後２００’ＣＩ時間、チッ素雰
囲気下３５０°Ｃ１時間熱処理を行ったものの電気特性
、耐熱性を測定した。これらの結果も表３に示しだ。
像形成処理を行い、結果を表３に示し、従来のものと同
程度の感光性を示すものを良とした〇 一方銅板に塗布し、露光後２００’ＣＩ時間、チッ素雰
囲気下３５０°Ｃ１時間熱処理を行ったものの電気特性
、耐熱性を測定した。これらの結果も表３に示しだ。
その結果、従来のポリイミドと同程度の電気特性を示し
、又熱安定性に優れていることが解る。
、又熱安定性に優れていることが解る。
また、室温遮光下で３ケ月間放置したのち、実施例１と
同様の画像処理を行い、パターニング性を調べ、その結
果を麦３に合わせて示した。
同様の画像処理を行い、パターニング性を調べ、その結
果を麦３に合わせて示した。
それによると、従来のもののパターニング可能な保存期
間が室温遮光下で１ケ月間であるのに対し、保存安定性
にも優れているのが解る。
間が室温遮光下で１ケ月間であるのに対し、保存安定性
にも優れているのが解る。
この発明は以上説明したとおり、一般式０式％
（式中、Ｒ１は２価の有機基、Ｒ２は１価の有機基、Ｒ
３ｉ＊価の有機基を示し、ｎは任意の自然ｔｋ、ｔｌ−
示す。） で示されるジアミノ化合物と、一般式 ％式％ ζ式中、Ｒ４は４価の有機基を示す。）で示されるテト
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａ）に、−（式中、Ｒ５は光又は放
射線で２量化又は重合可能な二重結合を有する基を示す
。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させたものを
含有するものを用いることによシ、保存安定性に優れ、
製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料を得ることが
でき、直接光によシ微細加工できる絶縁材料として有用
であシ、例えば半導体等の層間絶縁材料やパッシベーシ
ョン材料、又は磁気ヘッドおよびサーマルヘッドの絶縁
膜、さらＫはプリント回路の半田レジストなどにも適用
できる。
３ｉ＊価の有機基を示し、ｎは任意の自然ｔｋ、ｔｌ−
示す。） で示されるジアミノ化合物と、一般式 ％式％ ζ式中、Ｒ４は４価の有機基を示す。）で示されるテト
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａ）に、−（式中、Ｒ５は光又は放
射線で２量化又は重合可能な二重結合を有する基を示す
。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させたものを
含有するものを用いることによシ、保存安定性に優れ、
製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料を得ることが
でき、直接光によシ微細加工できる絶縁材料として有用
であシ、例えば半導体等の層間絶縁材料やパッシベーシ
ョン材料、又は磁気ヘッドおよびサーマルヘッドの絶縁
膜、さらＫはプリント回路の半田レジストなどにも適用
できる。
Claims (5)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） （式中、Ｒ＿１は２価の有機基、Ｒ＿２は１価の有機基
、Ｒ＿３は４価の有機基を示し、ｎは任意の自然数を示
す。） で示されるジアミノ化合物と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（２） （式中、Ｒ＿４は４価の有機基を示す。） で示されるテトラカルボン酸二無水物を反応させて得ら
れるポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（３） （式中、Ｒ＿５は光又は放射線で２量化又は重合可能な
二重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させて得られ
るものを含有する感光性耐熱材料。 - （２）アジリジン化合物（Ｂ）をポリキナゾロンイミド
前駆体（Ａ）の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜
２．０当量反応させることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の感光性耐熱材料。 - （３）Ｒ＿１は▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼の内の１種で
ある特許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱
材料。 - （４）Ｒ＿３およびＲ＿４は▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の１種である特
許請求の範囲第１項ないし第３項の何れかに記載の感光
性耐熱材料。 - （５）Ｒ＿５はＨ＿２Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿３
−、Ｈ＿２Ｃ＝Ｃ（ＣＨ＿３）▲数式、化学式、表等が
あります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の１種である特
許請求の範囲第１項ないし第４項の何れかに記載の感光
性耐熱材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21535484A JPS6195027A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光性耐熱材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21535484A JPS6195027A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光性耐熱材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195027A true JPS6195027A (ja) | 1986-05-13 |
| JPH0450926B2 JPH0450926B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=16670904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21535484A Granted JPS6195027A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光性耐熱材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195027A (ja) |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP21535484A patent/JPS6195027A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450926B2 (ja) | 1992-08-17 |
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