JPS6190049A - 炭酸ガスを検出する方法およびその検出素子 - Google Patents
炭酸ガスを検出する方法およびその検出素子Info
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- JPS6190049A JPS6190049A JP21128784A JP21128784A JPS6190049A JP S6190049 A JPS6190049 A JP S6190049A JP 21128784 A JP21128784 A JP 21128784A JP 21128784 A JP21128784 A JP 21128784A JP S6190049 A JPS6190049 A JP S6190049A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガスに含まれる炭酸ガスを検出する方法、お
よびガス中の炭酸ガスを検出する炭酸ガスの検出素子に
関する。
よびガス中の炭酸ガスを検出する炭酸ガスの検出素子に
関する。
本発明の炭酸ガスの検出素子は、５００〜１００００Ｃ
のｆＸｍにおいてもガス中の炭酸ガスを検出することが
できる。この素子を適当な加熱装置と組み合わせること
により、任意のガス中の炭酸ガス・農度を知ることがで
きろう 本発明の炭酸ガスを検出する方法および炭酸ガスの検出
素子を応用することのできる産業分野には、ハウス栽培
の炭酸ガス濃度の制御などの農業用、排ガス監視などの
工業用、生活＠境制御などの１境衛生用、および火災の
早期発情などの彷災用がある。
のｆＸｍにおいてもガス中の炭酸ガスを検出することが
できる。この素子を適当な加熱装置と組み合わせること
により、任意のガス中の炭酸ガス・農度を知ることがで
きろう 本発明の炭酸ガスを検出する方法および炭酸ガスの検出
素子を応用することのできる産業分野には、ハウス栽培
の炭酸ガス濃度の制御などの農業用、排ガス監視などの
工業用、生活＠境制御などの１境衛生用、および火災の
早期発情などの彷災用がある。
これまでに、ガス中に含まれる特定のガス、たとえば、
炭化水素ガス、＃ｆｆｉガスまたは一酸化炭素ガスなど
の存在を検出し、災害の発生を予防したり、＠４的な操
業または運転を行なうために多くのセラミックスが開発
されているうしかしながら現任実用化されている炭酸ガ
スの検出素子は、検出するガスの化学的反応性を利用す
るという動作磯構から化学的に安定な炭酸ガスを検出す
ることがほとんどできない。
炭化水素ガス、＃ｆｆｉガスまたは一酸化炭素ガスなど
の存在を検出し、災害の発生を予防したり、＠４的な操
業または運転を行なうために多くのセラミックスが開発
されているうしかしながら現任実用化されている炭酸ガ
スの検出素子は、検出するガスの化学的反応性を利用す
るという動作磯構から化学的に安定な炭酸ガスを検出す
ることがほとんどできない。
−ａにおいて、リン鉱石におけるフッ素アパタイトが知
られてから、フッ素アパタイトにおけるフッ素の代わり
に水酸基が入った水酸アパタイトや、塩素または炭酸基
（ＣＯ）が入った他のアバタイトも知られている。水酸
アパタイトが骨や歯の成分とよく似ていることから、水
酸アパタイトを人工歯根や人工骨として利用する研究が
行なりれ、一部臨床応用の段階にあるっ 〔赤尾勝他、
「合成アパタイトによる人工歯根・人工骨」、化学とＦ
業、第３７巻、第４号、第２４３〜２４５０（１９８４
年）〕 また水酸アパタイトを、感湿、感温、感ガス素子におけ
る感湿材料として利用することが知られているう （特
開昭５８−１６６２４９号公報）水酸アパタイトを感湿
素子として利用する場合、その、Ｕ気抵抗を１ｌｌＪｌ
定するが、室温附近で相対幅度が０〜１００％に変化し
たとき、その電気抵抗値が１０４〜１Ｏオームに変化す
る１、シかし高温では、飽和蒸 、気圧がきわめて大き
いために、その電気抵抗値は環視しうる程小さいもので
あるっ 本発明者らは、アパタイトについて基礎的研究を続けて
きたが、水酸アパタイトと炭酸アパタイトの電気抵抗値
が大きく異なること、および水酸アパタイトと炭酸アパ
タイトは高温ｑ （５００’Ｃ以上）において、雰囲気
内の炭酸ガス（二酸化炭素）のガス濃度の増減に応じて
可逆的に変換しうろことを砧出し、この知見にもとすい
て、本発明に到達した。
られてから、フッ素アパタイトにおけるフッ素の代わり
に水酸基が入った水酸アパタイトや、塩素または炭酸基
（ＣＯ）が入った他のアバタイトも知られている。水酸
アパタイトが骨や歯の成分とよく似ていることから、水
酸アパタイトを人工歯根や人工骨として利用する研究が
行なりれ、一部臨床応用の段階にあるっ 〔赤尾勝他、
「合成アパタイトによる人工歯根・人工骨」、化学とＦ
業、第３７巻、第４号、第２４３〜２４５０（１９８４
年）〕 また水酸アパタイトを、感湿、感温、感ガス素子におけ
る感湿材料として利用することが知られているう （特
開昭５８−１６６２４９号公報）水酸アパタイトを感湿
素子として利用する場合、その、Ｕ気抵抗を１ｌｌＪｌ
定するが、室温附近で相対幅度が０〜１００％に変化し
たとき、その電気抵抗値が１０４〜１Ｏオームに変化す
る１、シかし高温では、飽和蒸 、気圧がきわめて大き
いために、その電気抵抗値は環視しうる程小さいもので
あるっ 本発明者らは、アパタイトについて基礎的研究を続けて
きたが、水酸アパタイトと炭酸アパタイトの電気抵抗値
が大きく異なること、および水酸アパタイトと炭酸アパ
タイトは高温ｑ （５００’Ｃ以上）において、雰囲気
内の炭酸ガス（二酸化炭素）のガス濃度の増減に応じて
可逆的に変換しうろことを砧出し、この知見にもとすい
て、本発明に到達した。
本発明の目的は、簡単な手段によって、ガス中の炭酸ガ
スを検出する方法を提供することにあり、本発明のもう
１つの目的は、ガス中の炭酸ガスの存圧を検出しうる素
子を４２供することにある、本発明は、一般式： ％式％）（） 〔式において、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ＋Ｓｒ＋ＰｂおよびＣ
ｄからなる群より選択された元素であり、そしてＺは、
Ｐ、ＡｓおよびＶからなる祥より選択された元素である
。〕 によって示される水酸アパタイトを突管ガスと接触させ
ること、および水酸アパタイトの電気抵抗を測定し、水
酸アパタイトの電気抵抗の変化によって炭酸ガスを検知
することを特徴とする炭酸ガスを検出する方法であり、
またもう１つの本発明は、耐熱性の基体または耐熱性の
基板上に取り付けられた水酸アパタイトの薄膜層であっ
て、電極が取り付けられていることを特徴とする炭酸ガ
スの検出素子であり、さらにもう１つの本発明は、耐熱
性の基体または基板上に取り付けられた加熱器、および
電極が取り付けられている水酸アパタイトの薄膜層から
なることを特徴とする炭酸ガスの検出素子であるっ本発
明の炭酸ガスを検出する方法において、水酸アパタイト
のインピーダンスを測定し、そのインピーダンスの変化
によって炭酸ガスを検知することができる。
スを検出する方法を提供することにあり、本発明のもう
１つの目的は、ガス中の炭酸ガスの存圧を検出しうる素
子を４２供することにある、本発明は、一般式： ％式％）（） 〔式において、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ＋Ｓｒ＋ＰｂおよびＣ
ｄからなる群より選択された元素であり、そしてＺは、
Ｐ、ＡｓおよびＶからなる祥より選択された元素である
。〕 によって示される水酸アパタイトを突管ガスと接触させ
ること、および水酸アパタイトの電気抵抗を測定し、水
酸アパタイトの電気抵抗の変化によって炭酸ガスを検知
することを特徴とする炭酸ガスを検出する方法であり、
またもう１つの本発明は、耐熱性の基体または耐熱性の
基板上に取り付けられた水酸アパタイトの薄膜層であっ
て、電極が取り付けられていることを特徴とする炭酸ガ
スの検出素子であり、さらにもう１つの本発明は、耐熱
性の基体または基板上に取り付けられた加熱器、および
電極が取り付けられている水酸アパタイトの薄膜層から
なることを特徴とする炭酸ガスの検出素子であるっ本発
明の炭酸ガスを検出する方法において、水酸アパタイト
のインピーダンスを測定し、そのインピーダンスの変化
によって炭酸ガスを検知することができる。
さらに、本発明の炭酸ガスを検出する方法において、一
般式（＋）の水酸アパタイトに、一般式（＋）における
Ｍが５Ｃ２Ｙ＋ＴＩ＋Ｂｌ＋Ｖ＋ＮＩ９Ｍｎ＋Ｆｅ＋Ｓ
ｎ＋Ｒｂ 、 Ｎａ 、 ＫおよびＣｓからなる群より
選択された元素であり、そしてＺがＳｉ＋Ｇｅ＋Ｃｒ＋
Ｍｎ、ＡｌおよびＢからなる群より選択された元素であ
る化合物を０〜ＩＯモル％含ませることもできる。
般式（＋）の水酸アパタイトに、一般式（＋）における
Ｍが５Ｃ２Ｙ＋ＴＩ＋Ｂｌ＋Ｖ＋ＮＩ９Ｍｎ＋Ｆｅ＋Ｓ
ｎ＋Ｒｂ 、 Ｎａ 、 ＫおよびＣｓからなる群より
選択された元素であり、そしてＺがＳｉ＋Ｇｅ＋Ｃｒ＋
Ｍｎ、ＡｌおよびＢからなる群より選択された元素であ
る化合物を０〜ＩＯモル％含ませることもできる。
本発明に使用する水酸アパタイトは、公知の方法、たと
えば湿式法、乾式法または水熱法なとのいかなる方法に
よって合成されたものであっても、これを使用すること
ができる。モして水酸アパタイトの粉末をメチルセルロ
ースなどの適当な有機バインダーとともに水と混和して
、ペーストをつくり、これを、たとえば、耐熱性の基体
または耐熱性の基板に塗布してｌｉ！ｉ１層状とし、こ
れを８００〜１０００℃の温度において焼結して多孔質
の焼結体とし１こものを１史弔するのが好ましい。
えば湿式法、乾式法または水熱法なとのいかなる方法に
よって合成されたものであっても、これを使用すること
ができる。モして水酸アパタイトの粉末をメチルセルロ
ースなどの適当な有機バインダーとともに水と混和して
、ペーストをつくり、これを、たとえば、耐熱性の基体
または耐熱性の基板に塗布してｌｉ！ｉ１層状とし、こ
れを８００〜１０００℃の温度において焼結して多孔質
の焼結体とし１こものを１史弔するのが好ましい。
本発明に使用する水酸アパタイトの炭酸ガスを検出する
センサーの一例を説明する。
センサーの一例を説明する。
第１図、第２図および第３図において、ｌは水酸アパタ
イトの薄膜層、２および３は電（函であって、水酸アパ
タイトの薄膜層１の電気抵抗または゛インピーダンスを
測定するために、その両端に取り付けられており、５お
よび６は、電極２および３と電気抵抗またはインピーダ
ンスの１！！！Ｉ定６１６（第１図、第２図および第３
１図には図示なし）とを箔線するリード線であり、そし
て４は水酸アパタイトのＲ膜−１を取り付ける耐熱性の
基体である。また第３図における７はヒーターであって
、その上に水酸アパタイトの薄膜層１を取り付け、それ
自体は耐熱性の基体４の上に取り・付けられている。
イトの薄膜層、２および３は電（函であって、水酸アパ
タイトの薄膜層１の電気抵抗または゛インピーダンスを
測定するために、その両端に取り付けられており、５お
よび６は、電極２および３と電気抵抗またはインピーダ
ンスの１！！！Ｉ定６１６（第１図、第２図および第３
１図には図示なし）とを箔線するリード線であり、そし
て４は水酸アパタイトのＲ膜−１を取り付ける耐熱性の
基体である。また第３図における７はヒーターであって
、その上に水酸アパタイトの薄膜層１を取り付け、それ
自体は耐熱性の基体４の上に取り・付けられている。
’Ｊ’： ４ ＋ｇおよび第５図において、８は多孔質
の水酸アパタイト、 ９＋９１１０およびｉｏ は”
ｒは極であり、そして１１および１２はリード線である
っこのうち９ または１０ の双方またはいずれかは
ヒーターと電極をＪρ用しているう 水酸アパタイトは、５００〜１０００″Ｃの温度におい
て、突峻ガスと接触すると、炭酸アパタイトに変化し、
その電気抵抗１１αまたはインピーダンスが大きく増大
するので、炭やガスの存任を検知することができる。５
００〜１０００℃において作動させるために、薄膜型の
炭酸ガスの検出素子における水酸アパタイトは、耐熱性
の基体４に取り付けられていることを必要とし、その膜
厚は、２００ミクロン以下（特に好ましくは、１００ミ
クロン以下）であって、多孔質であることが好ましい。
の水酸アパタイト、 ９＋９１１０およびｉｏ は”
ｒは極であり、そして１１および１２はリード線である
っこのうち９ または１０ の双方またはいずれかは
ヒーターと電極をＪρ用しているう 水酸アパタイトは、５００〜１０００″Ｃの温度におい
て、突峻ガスと接触すると、炭酸アパタイトに変化し、
その電気抵抗１１αまたはインピーダンスが大きく増大
するので、炭やガスの存任を検知することができる。５
００〜１０００℃において作動させるために、薄膜型の
炭酸ガスの検出素子における水酸アパタイトは、耐熱性
の基体４に取り付けられていることを必要とし、その膜
厚は、２００ミクロン以下（特に好ましくは、１００ミ
クロン以下）であって、多孔質であることが好ましい。
また多孔質型の炭酸ガスの検出素子の場合は、リード濠
が素子の支持体を庶ねるために、リード線には、適当な
強度と耐久性が要求される。
が素子の支持体を庶ねるために、リード線には、適当な
強度と耐久性が要求される。
水酸アパタイトは、ガス中のｒＨ分に接触した場合も、
その電気抵抗値またはインピーダンスを増大するが、そ
の増大の割合は、０％の用対湿度と１００％の相対ａ＜
において、本発明の炭酸ガスの検出素子の作動温Ｉｆ範
囲ではたかだか数％程度であって、炭酸ガスの検出素子
の作用温度を５００〜１０００℃とする限りは、水酸ア
パタイトが炭酸ガスと接触したことによる電気抵抗１α
まｔこはインピーダンスの増大の方がはるかに大きいの
で、そのｃｄ電気抵抗【６またはインピーダンスの増大
によって、ｆ髪酵ガスを検出することもできる。しかし
ながら、ガス中の水蒸気の影響を完全になくすために、
炭酸ガスのｑ圧を検知するガス中の水蒸気を予め除去す
ることが好ましい。
その電気抵抗値またはインピーダンスを増大するが、そ
の増大の割合は、０％の用対湿度と１００％の相対ａ＜
において、本発明の炭酸ガスの検出素子の作動温Ｉｆ範
囲ではたかだか数％程度であって、炭酸ガスの検出素子
の作用温度を５００〜１０００℃とする限りは、水酸ア
パタイトが炭酸ガスと接触したことによる電気抵抗１α
まｔこはインピーダンスの増大の方がはるかに大きいの
で、そのｃｄ電気抵抗【６またはインピーダンスの増大
によって、ｆ髪酵ガスを検出することもできる。しかし
ながら、ガス中の水蒸気の影響を完全になくすために、
炭酸ガスのｑ圧を検知するガス中の水蒸気を予め除去す
ることが好ましい。
水酸アパタイトは、５００〜１０００ Ｇの幅度におい
て、ト・に酸ガスの存在を検知するので、耐熱性の１、
（体、耐熱性の基板およびリードｑ星は＋０００ ’Ｃ
以上（より好ましくは１１００″′Ｃ以上）の温度にお
いて変形または変質しない材料であれば、いかなる材質
のものであってもよいが、水酸アパタイトと炭酸ガスが
接触するγ温度が１０００℃よりも低い（ただし５００
℃以上）場合は、作用γ温度において変形または変質し
ない材嶋とすることもできる、水酸アパタイトの薄膜層
１または多孔・６体８を、５００−１０００６Ｃの温度
において、炭酸ガスと接融させるには、夫峻ガスのｇ−
在を検知するガスを５００〜１０００℃にｑ０熱するか
、まｔこは水酸アパタイトの薄膜層１または多孔質体８
を５００〜１０００″Ｃの温度に加鵜する必要がある、 第６図は、炭酸ガスの存在を検知するガスを５００〜１
０００″ｃに加熱する場合の好ましいフローシートの一
例であって、１３は除Ｍ器、１・１はガスのヒーター、
１５は炭酸ガスの存在を検知するセンサーであって、こ
こには第１図、Ｐ；３図、第４図および第５図に示すタ
イプの炭酸ガスの検出り子が内蔵されており、１６は、
電気抵抗またはインピーダンスの１１国定器であって、
第１図、・８２図および第３図のリード礫５および６ま
たは第４図および第５図のリード嘩１１および１２のい
ずれかと結線されており、そして１７は、炭酸ガスの存
在を検知するガスの流れるラインであるっ８６図におい
て、炭酸ガスの存在を検知するガスは、ライン１７を通
って除湿詔１３に入り、水に気を除去した後、ヒーター
１４に導かれ、５００〜１０００℃よりも高い温度で、
素子に到達したときの温度が５００〜１０００℃になる
ように加熱された後、炭酸ガスの存在を検知するセンサ
ー１５に導かれる。ガス中にＨ１２ガスが存在する。４
ｈ Ａは、電気抵抗またはインピーダンスのＪｌｌｌ定
ｆｉ１６において、電気抵抗またはインピーダンスが大
きく増大するので、ガス中の炭酸ガスの存在を検出する
ことができる。そしてヒーター１４における加熱温度が
充分に高い唱合は、たとえ、ガス中に水ｇ＝が存在して
い・でも、ガス中の相対湿度はきわめて小さいので、水
酸アパタイトの電気抵抗またはインピーダンスに与える
水に気の影響は実際上無視しうるため、このような場合
は、＠湿器１３は−必ずしも必要としない。
て、ト・に酸ガスの存在を検知するので、耐熱性の１、
（体、耐熱性の基板およびリードｑ星は＋０００ ’Ｃ
以上（より好ましくは１１００″′Ｃ以上）の温度にお
いて変形または変質しない材料であれば、いかなる材質
のものであってもよいが、水酸アパタイトと炭酸ガスが
接触するγ温度が１０００℃よりも低い（ただし５００
℃以上）場合は、作用γ温度において変形または変質し
ない材嶋とすることもできる、水酸アパタイトの薄膜層
１または多孔・６体８を、５００−１０００６Ｃの温度
において、炭酸ガスと接融させるには、夫峻ガスのｇ−
在を検知するガスを５００〜１０００℃にｑ０熱するか
、まｔこは水酸アパタイトの薄膜層１または多孔質体８
を５００〜１０００″Ｃの温度に加鵜する必要がある、 第６図は、炭酸ガスの存在を検知するガスを５００〜１
０００″ｃに加熱する場合の好ましいフローシートの一
例であって、１３は除Ｍ器、１・１はガスのヒーター、
１５は炭酸ガスの存在を検知するセンサーであって、こ
こには第１図、Ｐ；３図、第４図および第５図に示すタ
イプの炭酸ガスの検出り子が内蔵されており、１６は、
電気抵抗またはインピーダンスの１１国定器であって、
第１図、・８２図および第３図のリード礫５および６ま
たは第４図および第５図のリード嘩１１および１２のい
ずれかと結線されており、そして１７は、炭酸ガスの存
在を検知するガスの流れるラインであるっ８６図におい
て、炭酸ガスの存在を検知するガスは、ライン１７を通
って除湿詔１３に入り、水に気を除去した後、ヒーター
１４に導かれ、５００〜１０００℃よりも高い温度で、
素子に到達したときの温度が５００〜１０００℃になる
ように加熱された後、炭酸ガスの存在を検知するセンサ
ー１５に導かれる。ガス中にＨ１２ガスが存在する。４
ｈ Ａは、電気抵抗またはインピーダンスのＪｌｌｌ定
ｆｉ１６において、電気抵抗またはインピーダンスが大
きく増大するので、ガス中の炭酸ガスの存在を検出する
ことができる。そしてヒーター１４における加熱温度が
充分に高い唱合は、たとえ、ガス中に水ｇ＝が存在して
い・でも、ガス中の相対湿度はきわめて小さいので、水
酸アパタイトの電気抵抗またはインピーダンスに与える
水に気の影響は実際上無視しうるため、このような場合
は、＠湿器１３は−必ずしも必要としない。
第３図は、水酸アパタイトの薄膜ｓｌ ＋を加熱する炭
酸ガスの検出素子の一例であって、耐熱性の猜体４の上
にヒーター７が取り付けられ、そのヒーター７の上に、
その両端に′成極２および３を取り１寸けた水酸アパタ
イトの４グ膜呵１が取り付けられているうこのヒーター
７によって、水酸アパタイトの薄膜ＴｖＪ＋は５００〜
１０００℃の温度に加熱されるから、水酸アパタイトの
薄膜層１は、炭酸ガスの存在を検知するガスと５００〜
１０００ ’Ｃの温度において接触し、ガス中に炭酸ガ
スが存在する喝ｈ１その電気抵抗またはインピーダンス
が大きくハη大するので、その電気抵抗またはインピー
ダンスの増大によって、ガス中の炭酸ガスの存在を検出
することができる。このタイプの炭酸ガスの検出素子を
使用する場合、または第５図に示すヒーター内蔵型の多
孔質水酸アパタイトを使用した場合は、第６図に示すヒ
ーター１４を必ずしも必要としないっ 第１図、＠３図、第４図および第５図のいずれの型の炭
酸ガスの検出素子を使用しても、ガス中の炭酸ガス濃度
が増大すると、電気抵抗またはインピーダンスが屯調に
増大するため、ガス中の炭酸ガス・１１度を知ることが
できろう 一般式： ％式％）（１） 群より選択された元素であり、ＺがＰ、ＡｓおよびＶか
らなる群より・巽択された元素である水酸アパタイトに
、上記の一般式（１）において、トτがＳｃ＋Ｙ、ＴＩ
、［３１＋Ｖ＋Ｎｔ＋ｈｌｒ＋、Ｆｅ＋Ｓｎ、Ｒｈ、Ｎ
ａ＋におよびＣｓからなる群より選択された元素であり
、そしてＺがＳｉ、Ｃｅ＋Ｃｒ＋Ｍｎ、ＡｔおよびＢか
らなる群より選択された元素である化合物（微・は成分
）が含まれると、第９図に示されるとおり、炭酸ガスの
存任による電気抵抗またはインピーダンスの増大の程度
が低下するが、第１図、＠３図、第４図および第５図の
炭酸ガスの検出素子を使用しても、電気抵抗またはイン
ピーダンスがイ氏い程、炭酸ガスの検出素子をイ且み込
んだ電気回路を１１ｎ路なものとすることができるので
、前記の微量成分を水酸アパタイトに含ませると、炭酸
ガスの検出素子を組み込んだ＋ＪＥ ６％回路を簡略な
ものにすることができる以下において、参考例および実
噸例を示して本発明をさらに詳細に説明するっ 参考例 ｌ （水酸アパタイトのＪ咽）（ＮＨ４）２Ｈ
Ｐ０４７９ｇに蒸留水１０００好を加えて溶解した唖、
これに５％アンモニア水を加えて、溶液のｐＨを１２に
調整し、＋６００ｍｊｌ！のリン酸アンモニウム水溶τ
夜を得た。これとは別に、Ｃａ（ＮＯ３）２・４４Ｈ２
Ｏ２３６に蒸留水＋０００ ｒｒｔｌを加えて溶解した
Ｊ漫、これに５％アンモニア水を加えて、Ｐ８４のｐＨ
を１２に調整し、１２００ｍｊｌ！の硝酸カルシウム・
アンモニウム水溶液を得た。この硝酸カルシウム・アン
モニウム水溶１夜に、先に、凋Ｘ時したリン酸アンモニ
ウム水溶敵の全・訛を、撹拌しなから叩えて白色性デン
を生成したうこの白色性デンを４拘し、洗浄した後、２
５０℃において屹６さして水酸アパタイトの白色粉末１
００ｇを醋た。
酸ガスの検出素子の一例であって、耐熱性の猜体４の上
にヒーター７が取り付けられ、そのヒーター７の上に、
その両端に′成極２および３を取り１寸けた水酸アパタ
イトの４グ膜呵１が取り付けられているうこのヒーター
７によって、水酸アパタイトの薄膜ＴｖＪ＋は５００〜
１０００℃の温度に加熱されるから、水酸アパタイトの
薄膜層１は、炭酸ガスの存在を検知するガスと５００〜
１０００ ’Ｃの温度において接触し、ガス中に炭酸ガ
スが存在する喝ｈ１その電気抵抗またはインピーダンス
が大きくハη大するので、その電気抵抗またはインピー
ダンスの増大によって、ガス中の炭酸ガスの存在を検出
することができる。このタイプの炭酸ガスの検出素子を
使用する場合、または第５図に示すヒーター内蔵型の多
孔質水酸アパタイトを使用した場合は、第６図に示すヒ
ーター１４を必ずしも必要としないっ 第１図、＠３図、第４図および第５図のいずれの型の炭
酸ガスの検出素子を使用しても、ガス中の炭酸ガス濃度
が増大すると、電気抵抗またはインピーダンスが屯調に
増大するため、ガス中の炭酸ガス・１１度を知ることが
できろう 一般式： ％式％）（１） 群より選択された元素であり、ＺがＰ、ＡｓおよびＶか
らなる群より・巽択された元素である水酸アパタイトに
、上記の一般式（１）において、トτがＳｃ＋Ｙ、ＴＩ
、［３１＋Ｖ＋Ｎｔ＋ｈｌｒ＋、Ｆｅ＋Ｓｎ、Ｒｈ、Ｎ
ａ＋におよびＣｓからなる群より選択された元素であり
、そしてＺがＳｉ、Ｃｅ＋Ｃｒ＋Ｍｎ、ＡｔおよびＢか
らなる群より選択された元素である化合物（微・は成分
）が含まれると、第９図に示されるとおり、炭酸ガスの
存任による電気抵抗またはインピーダンスの増大の程度
が低下するが、第１図、＠３図、第４図および第５図の
炭酸ガスの検出素子を使用しても、電気抵抗またはイン
ピーダンスがイ氏い程、炭酸ガスの検出素子をイ且み込
んだ電気回路を１１ｎ路なものとすることができるので
、前記の微量成分を水酸アパタイトに含ませると、炭酸
ガスの検出素子を組み込んだ＋ＪＥ ６％回路を簡略な
ものにすることができる以下において、参考例および実
噸例を示して本発明をさらに詳細に説明するっ 参考例 ｌ （水酸アパタイトのＪ咽）（ＮＨ４）２Ｈ
Ｐ０４７９ｇに蒸留水１０００好を加えて溶解した唖、
これに５％アンモニア水を加えて、溶液のｐＨを１２に
調整し、＋６００ｍｊｌ！のリン酸アンモニウム水溶τ
夜を得た。これとは別に、Ｃａ（ＮＯ３）２・４４Ｈ２
Ｏ２３６に蒸留水＋０００ ｒｒｔｌを加えて溶解した
Ｊ漫、これに５％アンモニア水を加えて、Ｐ８４のｐＨ
を１２に調整し、１２００ｍｊｌ！の硝酸カルシウム・
アンモニウム水溶液を得た。この硝酸カルシウム・アン
モニウム水溶１夜に、先に、凋Ｘ時したリン酸アンモニ
ウム水溶敵の全・訛を、撹拌しなから叩えて白色性デン
を生成したうこの白色性デンを４拘し、洗浄した後、２
５０℃において屹６さして水酸アパタイトの白色粉末１
００ｇを醋た。
参考例 ２
（水酸アパタイトの多孔質焼結体のｍ製）参考例１で得
た水酸アパタイトの粉末５０５Ｎこ５％メチルセルロー
ス水溶液２０ ｍｌを加え、充分に混練して、水酸アパ
タイト粉末のペーストをつくり、このペーストを、ガラ
ス板（２００Ｘ ２００ Ｘ５ｍ＋ｘ）上にｏ、０５ｇ
／ｃｒＡの割合で塗布し、２４時間風乾した後、剥４し
、適当な大きさに切１斬し、アルミナ板（２５Ｘ ２５
Ｘ ０．５朋）にのせて、電気炉に入れ、１０００℃
の温度において、１時間焼成した。水酸アパタイトの４
厚は、３００μｍであった、参考例 ３ （温度による水酸アパタイトの゛電気抵抗の変化）参考
例２で鍔た水酸アパタイトの多孔質焼結体の薄−河の両
端に電離を取り付けて、炭酸ガスの検出素子を調製した
。
た水酸アパタイトの粉末５０５Ｎこ５％メチルセルロー
ス水溶液２０ ｍｌを加え、充分に混練して、水酸アパ
タイト粉末のペーストをつくり、このペーストを、ガラ
ス板（２００Ｘ ２００ Ｘ５ｍ＋ｘ）上にｏ、０５ｇ
／ｃｒＡの割合で塗布し、２４時間風乾した後、剥４し
、適当な大きさに切１斬し、アルミナ板（２５Ｘ ２５
Ｘ ０．５朋）にのせて、電気炉に入れ、１０００℃
の温度において、１時間焼成した。水酸アパタイトの４
厚は、３００μｍであった、参考例 ３ （温度による水酸アパタイトの゛電気抵抗の変化）参考
例２で鍔た水酸アパタイトの多孔質焼結体の薄−河の両
端に電離を取り付けて、炭酸ガスの検出素子を調製した
。
、 最−Ｈに、空気中において、この検出素子の電気抵
抗を測定し、空気中における電気抵＠（Ｒｏ）を記録し
た。次にこの検出素子を電気炉に入れ、炉内の空気を突
唆ガスに１４換した後、炉内の温度を５００℃に昇温し
、時間の経過とともに、５００℃における検出素子の電
気抵抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／ Ｒｏを記録した。さらに
炉内の温度を６００℃１７００°（、、８００℃，９０
０℃および１０００℃に昇ｌ易した以外は、前記と同様
にして、それぞれのＲ／Ｒｏを記録した、 その結果は、第７図に示すとおりであった。
抗を測定し、空気中における電気抵＠（Ｒｏ）を記録し
た。次にこの検出素子を電気炉に入れ、炉内の空気を突
唆ガスに１４換した後、炉内の温度を５００℃に昇温し
、時間の経過とともに、５００℃における検出素子の電
気抵抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／ Ｒｏを記録した。さらに
炉内の温度を６００℃１７００°（、、８００℃，９０
０℃および１０００℃に昇ｌ易した以外は、前記と同様
にして、それぞれのＲ／Ｒｏを記録した、 その結果は、第７図に示すとおりであった。
墾ζ例 ４
（膜１！＃による水酸アパタイトの４気抵抗の変化）ア
ルミナ板上に形成した水酸アパタイトの薄司のＩＩＪさ
を＋００ μｒｎ 、 ３００ ｐｉおよび５００ｐｉ
とした以外は参考例３と同様にして、炭酸ガスの検出素
子を調製した。
ルミナ板上に形成した水酸アパタイトの薄司のＩＩＪさ
を＋００ μｒｎ 、 ３００ ｐｉおよび５００ｐｉ
とした以外は参考例３と同様にして、炭酸ガスの検出素
子を調製した。
それぞれの検出素子について、電気炉内の偏度を８００
℃とした以外は参考例３と同様にして、それぞれの検出
素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し、それぞれの検出素子の
Ｒ／ Ｒｏを求めたつその結果は、第８図に示すとおり
であったー参考例 ５ （水酸ナトリウムアパタイトの調製） （ＮＨ４）２ＨＰＯ４に、Ｎａ２ＨＰＯ４を、Ｎａの・
４度がＣａに対して第９図に示す割合になるように加え
、参考例１と同様にして、水酸ナトリウムアパタイト粉
末を得た。
℃とした以外は参考例３と同様にして、それぞれの検出
素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し、それぞれの検出素子の
Ｒ／ Ｒｏを求めたつその結果は、第８図に示すとおり
であったー参考例 ５ （水酸ナトリウムアパタイトの調製） （ＮＨ４）２ＨＰＯ４に、Ｎａ２ＨＰＯ４を、Ｎａの・
４度がＣａに対して第９図に示す割合になるように加え
、参考例１と同様にして、水酸ナトリウムアパタイト粉
末を得た。
（水酸ナトリウムアパタイトの多孔質焼結体の調１ＩＩ
Ｊ） 上記でｅＪた水酸ナトリウムアパタイト粉末をｆψ用し
、参考例２と同様にして、Ｎａ含；辻の異なるそれぞれ
の水酸ナトリウムアパタイトの多孔質焼結体を得た。
Ｊ） 上記でｅＪた水酸ナトリウムアパタイト粉末をｆψ用し
、参考例２と同様にして、Ｎａ含；辻の異なるそれぞれ
の水酸ナトリウムアパタイトの多孔質焼結体を得た。
（炭酸ガスの←（出諾子の電気抵抗の測定）上、ずｄで
イＪたそれぞれの水酸ナトリウムアパタイトの多孔質焼
結体の両端に１は極を取り付けて、それぞれの炭酸ガス
の検出素子を・周製したつ最明に、空気中において、参
考例３の炭酸ガスの検出素子の電気抵抗を１凹定し、ナ
トリウムを含まない水酸アパタイトの電気抵抗（ＲＯ）
を記録した。
イＪたそれぞれの水酸ナトリウムアパタイトの多孔質焼
結体の両端に１は極を取り付けて、それぞれの炭酸ガス
の検出素子を・周製したつ最明に、空気中において、参
考例３の炭酸ガスの検出素子の電気抵抗を１凹定し、ナ
トリウムを含まない水酸アパタイトの電気抵抗（ＲＯ）
を記録した。
次に、空気中において、上記で得たそれぞれの炭酸ガス
の検出素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し、それぞれの（Ｒ
／Ｒｏ）を記録した。
の検出素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し、それぞれの（Ｒ
／Ｒｏ）を記録した。
その結果は第９図に示すとおりであり、水酸ナトリウム
アパタイトの″ｉ４気抵抗抵抗水酸アパタイトの４気抵
抗よりも低下し、水酸ナトリウムアパタイト中のＮａ含
量の増大とともに、その電気抵抗がさらに低下すること
がわかった。
アパタイトの″ｉ４気抵抗抵抗水酸アパタイトの４気抵
抗よりも低下し、水酸ナトリウムアパタイト中のＮａ含
量の増大とともに、その電気抵抗がさらに低下すること
がわかった。
参考例 ６
（炭酸ガス・４度による水酸アパタイトの電気抵抗の変
化） 参考例３において調製した水酸アパタイトの多：
孔質焼結体の薄功状の検出素子を内径４Ｑ
＋ｕのチューブに入れ、空気を送入して電気抵抗（ＲＯ
）を測定した。次に炭酸ガスｌｌ８１度１％（容：■）
のガスを１０００℃に加熱し、チューブに送入し、時間
の経過とともに、検出素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し、
Ｒ／Ｒｏを記録したーガスの送入から４０分後に、チュ
ーブに送入するガスを、炭酸ガス４１％１０％（容噴）
のガスを１０００℃に加熱したガスに切換え、前記と同
様に、時間の経過とともに、検出素子の電気抵抗（Ｒ）
を測定し、Ｒ／Ｒｏを記録した。ガスの切換から４０分
後に、チューブに送入するガスを、炭酸ガスンＧ度５０
％（容Ｉｔ）のガスを１０００℃に加熱したガスに切換
え、前記と同様に、時間の経過とともに、検出素子の電
気抵抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／Ｒｏを記録したつガスの切
換えから４０分後に、チューブに送入するガスを、１０
００℃に加熱した炭酸ガス〔炭酸ガス７ａ度＝１００％
（容軟）〕にｒＩｌｌ換えた。そして前記と同様に、時
間の経過とともに、検出素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し
、Ｒ／ Ｒｏを記録した。
化） 参考例３において調製した水酸アパタイトの多：
孔質焼結体の薄功状の検出素子を内径４Ｑ
＋ｕのチューブに入れ、空気を送入して電気抵抗（ＲＯ
）を測定した。次に炭酸ガスｌｌ８１度１％（容：■）
のガスを１０００℃に加熱し、チューブに送入し、時間
の経過とともに、検出素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し、
Ｒ／Ｒｏを記録したーガスの送入から４０分後に、チュ
ーブに送入するガスを、炭酸ガス４１％１０％（容噴）
のガスを１０００℃に加熱したガスに切換え、前記と同
様に、時間の経過とともに、検出素子の電気抵抗（Ｒ）
を測定し、Ｒ／Ｒｏを記録した。ガスの切換から４０分
後に、チューブに送入するガスを、炭酸ガスンＧ度５０
％（容Ｉｔ）のガスを１０００℃に加熱したガスに切換
え、前記と同様に、時間の経過とともに、検出素子の電
気抵抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／Ｒｏを記録したつガスの切
換えから４０分後に、チューブに送入するガスを、１０
００℃に加熱した炭酸ガス〔炭酸ガス７ａ度＝１００％
（容軟）〕にｒＩｌｌ換えた。そして前記と同様に、時
間の経過とともに、検出素子の電気抵抗（Ｒ）を測定し
、Ｒ／ Ｒｏを記録した。
その結果を４１０図に示す、第１Ｏ図によると、炭酸ガ
ス１度が１％（容畷）の場合は、ガスの送入から４０分
経過後においても、検出素子の電気抵抗の上昇が、−ｇ
められなかったが、炭酸ガス４ ＋Ｉｊが１０％（容峨
）を廼えると、検出素子の電気抵抗の上昇が認められ、
その電気抵抗の上昇によってζ炭酸ガスの存在を検知す
ることのできることがわかる。
ス１度が１％（容畷）の場合は、ガスの送入から４０分
経過後においても、検出素子の電気抵抗の上昇が、−ｇ
められなかったが、炭酸ガス４ ＋Ｉｊが１０％（容峨
）を廼えると、検出素子の電気抵抗の上昇が認められ、
その電気抵抗の上昇によってζ炭酸ガスの存在を検知す
ることのできることがわかる。
更龍例 ｌ
（水酸アパタイトの多孔質焼結体素子の、■製とそのセ
ンサー特性） 参考Ｉ＋ｌＩｌで得た水酸アパタイトの粉末３０ｇに５
％メチルセルロース水溶ｊ？９１０ｍ１を加え、充分に
混練して、水酸アパタイト粉末のペーストをつくり、こ
のペーストを、成形型（内？ｉ：５０Ｘ２０×２０龍）
に充填し、６時間Ｉ漫に成形型の底部を外し、成形体を
押し出し、そして４８時間風乾したつ乾熾した成形体を
電気炉に入れ、１０００℃の＠度において１時間焼成し
た。このようにして得られた多孔質の焼結体の両端にＰ
ｔペーストを付与し、８５０℃で１５分間焼き付けて、
電極を取り付けた。
ンサー特性） 参考Ｉ＋ｌＩｌで得た水酸アパタイトの粉末３０ｇに５
％メチルセルロース水溶ｊ？９１０ｍ１を加え、充分に
混練して、水酸アパタイト粉末のペーストをつくり、こ
のペーストを、成形型（内？ｉ：５０Ｘ２０×２０龍）
に充填し、６時間Ｉ漫に成形型の底部を外し、成形体を
押し出し、そして４８時間風乾したつ乾熾した成形体を
電気炉に入れ、１０００℃の＠度において１時間焼成し
た。このようにして得られた多孔質の焼結体の両端にＰ
ｔペーストを付与し、８５０℃で１５分間焼き付けて、
電極を取り付けた。
（多孔質焼結体の炭酸ガスの濃度変化に対する応答特性
の測定） 前記で得られた多孔質焼結体素子の空気中における電気
抵抗（ＲＯ）をＩＩＩ！ｌ定したつこの多孔ｆｆｆ焼結
体素子を、内径４０闘のチューブの中央に・べき、９０
０℃に加熱した空気をチューブ内に送入して流した。１
０分後に、９００℃に加熱した炭酸ガスをチューブ内に
送入して流し、時間の経過とともに多孔質焼結体素子の
電気抵抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／ＲＯを記録した。炭酸ガ
スの送入から４０分後に、チューブに送入するガスを９
００℃の４ｑの空気に切換え、前記と同様に、時間の経
過とともに、多孔質焼結体素子の電気抵抗（Ｒ）をｉｌ
Ｉ！ｌ定し、Ｒ／ ＲＯを記録したつ空気の送入か６４
０ ｆ＞ （ｕ 、すなわち、最ト刀の炭酸ガスの送入
から８０分後に、チューブに送入するガスを、９００℃
に加熱した炭酸ガスに切換え、前記と同様に、時間の４
８４とともに、多孔質焼結体素子の電気抵＠（Ｒ）を測
定し、Ｒ／ Ｒｏを記録した。
の測定） 前記で得られた多孔質焼結体素子の空気中における電気
抵抗（ＲＯ）をＩＩＩ！ｌ定したつこの多孔ｆｆｆ焼結
体素子を、内径４０闘のチューブの中央に・べき、９０
０℃に加熱した空気をチューブ内に送入して流した。１
０分後に、９００℃に加熱した炭酸ガスをチューブ内に
送入して流し、時間の経過とともに多孔質焼結体素子の
電気抵抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／ＲＯを記録した。炭酸ガ
スの送入から４０分後に、チューブに送入するガスを９
００℃の４ｑの空気に切換え、前記と同様に、時間の経
過とともに、多孔質焼結体素子の電気抵抗（Ｒ）をｉｌ
Ｉ！ｌ定し、Ｒ／ ＲＯを記録したつ空気の送入か６４
０ ｆ＞ （ｕ 、すなわち、最ト刀の炭酸ガスの送入
から８０分後に、チューブに送入するガスを、９００℃
に加熱した炭酸ガスに切換え、前記と同様に、時間の４
８４とともに、多孔質焼結体素子の電気抵＠（Ｒ）を測
定し、Ｒ／ Ｒｏを記録した。
その結果は、ｒ窮ｌ１図に示すとおりであった。
＠ｌ１図における崩輔の時間は、炭酸ガス導入後の時間
である、 ＠１１１ｇによると、炭酸ガスのＪ導入と１司時に、多
孔質焼結体の′４気抵抗は急上痒し、空気の導入と同時
に急激に下降するので、多孔質焼結体素子は９００℃に
おいて、炭酸ガスに対して、鋭敏な応洛持昨を有するこ
とがわかるっ 実施例 ２ （水酸アパタイトのｇＩ−状検出素子の調整とそのセン
サー特性） 珍考例３において０１製した水酸アパタイトの多孔質焼
結体の薄−４駄の検出素子（アルミナ板上に敗り付けら
れている）を内径４Ｑｍｍのチューブに入れ、空気を送
入して、電気抵抗（Ｒｏ）を測定した。次に９００℃に
加熱した空気を１０分・圓チューブに送入して流した後
、チューブに送入するガスを９００℃に帽熱した炭酸ガ
スに切換えた。時間の経過とともに、検出素子の電気抵
抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／ＲＯを記録した。炭酸ガスの送
入から４０９／ｆｉに、チューブに送入するガスを、９
００℃の温度の空気に切換え、同様に時間の経過ととも
に、検出式子の電気抵抗（Ｒ）を１則定し、Ｒ／ Ｒｏ
を記録した。さらに空気の送入から４０分後、すなわち
ｆ１１’ｌＥの炭酸ガスの１４人から８０１）後に、チ
ューブに送入するガスを９００８Ｃに加熱した炭酸ガス
に切り換え、前記と同様に時間の経過とともに、検出素
子の電気抵＠（Ｒ）を１四′ポし、Ｒ／Ｒｏを記録した
つ その結果は、４１２図に示すとおりであった、アルミナ
板上に取り付けた水酸アパタイトの薄弱状の検出素子も
、実側例１と同様に鋭敏な炭酸ガスに対する応答特性を
何することがわかるっ〔発明の効果〕 本発明によると、ガス中に含まれる炭やガスをきわめて
簡単に検出することができる。
である、 ＠１１１ｇによると、炭酸ガスのＪ導入と１司時に、多
孔質焼結体の′４気抵抗は急上痒し、空気の導入と同時
に急激に下降するので、多孔質焼結体素子は９００℃に
おいて、炭酸ガスに対して、鋭敏な応洛持昨を有するこ
とがわかるっ 実施例 ２ （水酸アパタイトのｇＩ−状検出素子の調整とそのセン
サー特性） 珍考例３において０１製した水酸アパタイトの多孔質焼
結体の薄−４駄の検出素子（アルミナ板上に敗り付けら
れている）を内径４Ｑｍｍのチューブに入れ、空気を送
入して、電気抵抗（Ｒｏ）を測定した。次に９００℃に
加熱した空気を１０分・圓チューブに送入して流した後
、チューブに送入するガスを９００℃に帽熱した炭酸ガ
スに切換えた。時間の経過とともに、検出素子の電気抵
抗（Ｒ）を測定し、Ｒ／ＲＯを記録した。炭酸ガスの送
入から４０９／ｆｉに、チューブに送入するガスを、９
００℃の温度の空気に切換え、同様に時間の経過ととも
に、検出式子の電気抵抗（Ｒ）を１則定し、Ｒ／ Ｒｏ
を記録した。さらに空気の送入から４０分後、すなわち
ｆ１１’ｌＥの炭酸ガスの１４人から８０１）後に、チ
ューブに送入するガスを９００８Ｃに加熱した炭酸ガス
に切り換え、前記と同様に時間の経過とともに、検出素
子の電気抵＠（Ｒ）を１四′ポし、Ｒ／Ｒｏを記録した
つ その結果は、４１２図に示すとおりであった、アルミナ
板上に取り付けた水酸アパタイトの薄弱状の検出素子も
、実側例１と同様に鋭敏な炭酸ガスに対する応答特性を
何することがわかるっ〔発明の効果〕 本発明によると、ガス中に含まれる炭やガスをきわめて
簡単に検出することができる。
第１図は、水酸アパタイトの奪膜哨を使用する炭酸ガス
の検出素子の斜面図、第２図は、その側面図、第３図は
加熱器を使用する炭酸ガスの検出素子の側面図、第４図
は、多孔質型の炭酸ガスの検出素子の′Ｍ面図、第５図
は、加熱器を兼用するリード線を何する多孔質型の炭酸
ガスの検出１子の斜１１ｉｌｌｉ図、第６図は、本発明
の炭酸ガスを検出する方法を実施する一例のフローシー
ト、第７図は、炭酸ガスと接触する水酸アパタイトの温
度による電気抵抗の′子化を示す図に１第８図は、炭唆
ガスと接触する水酸アパタイトの膜厚による′電気抵抗
の変化を示す図表、第９図は、水酸ナトリウムアパタイ
トにおけるＮａ含頃と電気抵抗の関係を示す図表、第１
０区は、炭酸ガス！農度による水酸アパタイトの電気抵
抗の変化を示す図表、第１Ｉ図は、水酸アパタイトの多
孔質屯桔体険出素子のセンサー特性を示す図表、そして
第１２図は、水酸アパタイトの薄−状検出素子のセンサ
ー特性を示す図表である。 〔図面符号〕 １：水酸アパタイトの傳１戻や１ ２：電 極 ３：電 極 ４：態勢性の基体 ５：リード線 ７：ヒーター ８：多孔質の水酸アパタイト ９：電 極 ９：電 極 １０ ： ’、Ｂ 極 １０：電 は・ ｌｌ：リード線 １２：リード線 １３：除湿器 １４：ヒーター １５：炭酸ガスの存在を検知するセンサーＩ６：電気抵
抗またはインピーダンスの測定器１７：ガスの流れるラ
イン 出ｍ人 積水化１５品工″！Ｓ株式会社代哩人 弁理士
江 １） 昭 ＋ 薯２囚 矛８図 呼Ｉ％ｙ（旬
の検出素子の斜面図、第２図は、その側面図、第３図は
加熱器を使用する炭酸ガスの検出素子の側面図、第４図
は、多孔質型の炭酸ガスの検出素子の′Ｍ面図、第５図
は、加熱器を兼用するリード線を何する多孔質型の炭酸
ガスの検出１子の斜１１ｉｌｌｉ図、第６図は、本発明
の炭酸ガスを検出する方法を実施する一例のフローシー
ト、第７図は、炭酸ガスと接触する水酸アパタイトの温
度による電気抵抗の′子化を示す図に１第８図は、炭唆
ガスと接触する水酸アパタイトの膜厚による′電気抵抗
の変化を示す図表、第９図は、水酸ナトリウムアパタイ
トにおけるＮａ含頃と電気抵抗の関係を示す図表、第１
０区は、炭酸ガス！農度による水酸アパタイトの電気抵
抗の変化を示す図表、第１Ｉ図は、水酸アパタイトの多
孔質屯桔体険出素子のセンサー特性を示す図表、そして
第１２図は、水酸アパタイトの薄−状検出素子のセンサ
ー特性を示す図表である。 〔図面符号〕 １：水酸アパタイトの傳１戻や１ ２：電 極 ３：電 極 ４：態勢性の基体 ５：リード線 ７：ヒーター ８：多孔質の水酸アパタイト ９：電 極 ９：電 極 １０ ： ’、Ｂ 極 １０：電 は・ ｌｌ：リード線 １２：リード線 １３：除湿器 １４：ヒーター １５：炭酸ガスの存在を検知するセンサーＩ６：電気抵
抗またはインピーダンスの測定器１７：ガスの流れるラ
イン 出ｍ人 積水化１５品工″！Ｓ株式会社代哩人 弁理士
江 １） 昭 ＋ 薯２囚 矛８図 呼Ｉ％ｙ（旬
Claims (11)
- （１）一般式： Ｍ＿１＿０（ＺＯ＿４）＿６（ＯＨ）＿２（１）〔式に
おいて、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｒ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣ
ｄからなる群より選択された元素であり、ＺはＰ、Ａｓ
およびＶからなる群より選択された元素である。〕によ
って示される水酸アパタイトを炭酸ガスと接触させるこ
と、および水酸アパタイトの電気抵抗を測定し、その電
気抵抗の変化によって炭酸ガスを検知することを特徴と
する炭酸ガスを検出する方法。 - （２）水酸アパタイトを、５００〜１０００℃の温度に
おいて、炭酸ガスと接触させることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の炭酸ガスを検出する方法。 - （３）水酸アパタイトのインピーダンスを測定し、その
インピーダンスの変化によって炭酸ガスを検知すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載
の炭酸ガスを検出する方法。 - （４）一般式（１）の水酸アパタイトに、一般式（１）
におけるＭがＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｓｎ、Ｒｂ、Ｎａ、ＫおよびＣｓからなる群より
選択された元素であり、そしてＺがＳｉ、Ｇｅ、Ｃｒ、
Ｍｎ、ＡｌおよびＢからなる群より選択された元素であ
る化合物を、０〜１０モル％含ませることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の
炭酸ガスを検出する方法。 - （５）炭酸ガスが５００〜１０００℃に加熱されており
、それによって水酸アパタイトを、５００〜１０００℃
の温度において、炭酸ガスと接触させることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項ないし第４項のいずれかに記載
の炭酸ガスを検出する方法。 - （６）水酸アパタイトを５００〜１０００℃の温度に加
熱し、それによって水酸アパタイトを、５００〜１００
０℃の温度において、炭酸ガスと接触させることを特徴
とする特許請求の範囲第２項ないし第４項のいずれかに
記載の炭酸ガスを検出する方法。 - （７）水酸アパタイトと接触させる炭酸ガスが、除湿さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第７項のいずれかに記載の炭酸ガスを検出する方法。 - （８）耐熱性の基体または耐熱性の基板上に取り付けら
れた水酸アパタイトの薄膜層であって、電極が取り付け
られていることを特徴とする炭酸ガスの検出素子。 - （９）水酸アパタイトの薄膜層が、多孔質の焼結体であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の炭酸
ガスの検出素子。 - （１０）耐熱性の基体または耐熱性の基板上に取り付け
られた加熱器、および電極が取り付けられている水酸ア
パタイトの薄膜層からなることを特徴とする炭酸ガスの
検出素子。 - （１１）水酸アパタイトの薄膜層が、多孔質の焼結体で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の
炭酸ガスの検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21128784A JPS6190049A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 炭酸ガスを検出する方法およびその検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21128784A JPS6190049A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 炭酸ガスを検出する方法およびその検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190049A true JPS6190049A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0418260B2 JPH0418260B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16603431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21128784A Granted JPS6190049A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 炭酸ガスを検出する方法およびその検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190049A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0201936A2 (en) * | 1985-05-16 | 1986-11-20 | Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha | Element for detecting carbon dioxide gas and process for producing the same |
| JPH0396845A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Sekisui Plastics Co Ltd | 炭酸ガス検出素子 |
| US10342571B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-07-09 | Inari Medical, Inc. | Intravascular treatment of vascular occlusion and associated devices, systems, and methods |
| US10349960B2 (en) | 2014-06-09 | 2019-07-16 | Inari Medical, Inc. | Retraction and aspiration device for treating embolism and associated systems and methods |
| US10524811B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-01-07 | Inari Medical, Inc. | Intravascular treatment of vascular occlusion and associated devices, systems, and methods |
| US10588655B2 (en) | 2012-11-20 | 2020-03-17 | Inari Medical, Inc. | Methods and apparatus for treating embolism |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56101704A (en) * | 1980-01-17 | 1981-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Moisture sensitive element |
| JPS58166249A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 感湿感温感ガス素子 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21128784A patent/JPS6190049A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56101704A (en) * | 1980-01-17 | 1981-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Moisture sensitive element |
| JPS58166249A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 感湿感温感ガス素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0201936A2 (en) * | 1985-05-16 | 1986-11-20 | Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha | Element for detecting carbon dioxide gas and process for producing the same |
| JPH0396845A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Sekisui Plastics Co Ltd | 炭酸ガス検出素子 |
| US10588655B2 (en) | 2012-11-20 | 2020-03-17 | Inari Medical, Inc. | Methods and apparatus for treating embolism |
| US10349960B2 (en) | 2014-06-09 | 2019-07-16 | Inari Medical, Inc. | Retraction and aspiration device for treating embolism and associated systems and methods |
| US10342571B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-07-09 | Inari Medical, Inc. | Intravascular treatment of vascular occlusion and associated devices, systems, and methods |
| US10524811B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-01-07 | Inari Medical, Inc. | Intravascular treatment of vascular occlusion and associated devices, systems, and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418260B2 (ja) | 1992-03-27 |
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