JPS6189866A - 画像形成装置におけるイオン発生基板の取付構造 - Google Patents
画像形成装置におけるイオン発生基板の取付構造Info
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- JPS6189866A JPS6189866A JP21183584A JP21183584A JPS6189866A JP S6189866 A JPS6189866 A JP S6189866A JP 21183584 A JP21183584 A JP 21183584A JP 21183584 A JP21183584 A JP 21183584A JP S6189866 A JPS6189866 A JP S6189866A
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- ion generating
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/385—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material
- B41J2/41—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material for electrostatic printing
- B41J2/415—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material for electrostatic printing by passing charged particles through a hole or a slit
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- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、画像形成装置におけるイオン発生基板の増付
構迄ＪＣ関する。
構迄ＪＣ関する。
（従来技＃）
複写機、プリンタ等の＃像形成装置における所定のプロ
セスのうち潜像形成工程等比用いられるイオン発生装置
としては第９図及び第１０図に示すよプなものが存在す
る（特表昭５７−５０１３４８号公報参Ｍ）。ＲＵち、
平面性を保持するための長方形の基板１上に絶縁性を有
する接着剤層２を塗布し、この層２上に同基板１の長手
方向に平行する複数本のライン電極３〜３ ・・・・３
ｏを形成し、このライン゛７に極３〜３ ・・・・３ｎ
の形成面にマイカ板等の訪礪体層４を密着して形成し、
更に、このラインｔｉ３ 〜３ ・・・・３ｎ上、これ
らライン電極の配列方向に所定角度の交差角で複数のフ
ィンガーＲｒＬ極５〜５ ・・・・５ｎを形成してイオ
ン発生基板１０が構成されている。そして、上記各電極
３１〜６６・・・・３５〜５ ・φ・・５ｎのそれぞれ
にはｎ−１６ イオン発生用の交流電源６等を供給するための端子９〜
９ ・・・・９ｍがそれぞれパターン形成され。
セスのうち潜像形成工程等比用いられるイオン発生装置
としては第９図及び第１０図に示すよプなものが存在す
る（特表昭５７−５０１３４８号公報参Ｍ）。ＲＵち、
平面性を保持するための長方形の基板１上に絶縁性を有
する接着剤層２を塗布し、この層２上に同基板１の長手
方向に平行する複数本のライン電極３〜３ ・・・・３
ｏを形成し、このライン゛７に極３〜３ ・・・・３ｎ
の形成面にマイカ板等の訪礪体層４を密着して形成し、
更に、このラインｔｉ３ 〜３ ・・・・３ｎ上、これ
らライン電極の配列方向に所定角度の交差角で複数のフ
ィンガーＲｒＬ極５〜５ ・・・・５ｎを形成してイオ
ン発生基板１０が構成されている。そして、上記各電極
３１〜６６・・・・３５〜５ ・φ・・５ｎのそれぞれ
にはｎ−１６ イオン発生用の交流電源６等を供給するための端子９〜
９ ・・・・９ｍがそれぞれパターン形成され。
同端子９〜９ ・・１９ｍは露出するようになっている
。またフィンガー電極５．〜５６・・・・５ｎのそれぞ
れＫは上記ライン電極３．〜３６・・・・３ｎと交差す
る部位にイオン７０−開口５．ａ、５．ｂ・・・５２ａ
・・・が穿設されている。ライン電極３．とフィンガー
電極５１を例にとった場合、第１０図に示すようにライ
ン電極３．とフィンガー電極５．の間に交流電源６が接
続され、同フィンガー電！５．に電子スイッチ７の共通
端７Ｃが接続されていて、同スイッチ７０ノーｉリーオ
ン端７ａは接地されると共に感光体ドラム１１に接続さ
れている。また、スイッチ７のノーマリ−オフ端７ｂは
直流電源８を介して接地されている。
。またフィンガー電極５．〜５６・・・・５ｎのそれぞ
れＫは上記ライン電極３．〜３６・・・・３ｎと交差す
る部位にイオン７０−開口５．ａ、５．ｂ・・・５２ａ
・・・が穿設されている。ライン電極３．とフィンガー
電極５１を例にとった場合、第１０図に示すようにライ
ン電極３．とフィンガー電極５．の間に交流電源６が接
続され、同フィンガー電！５．に電子スイッチ７の共通
端７Ｃが接続されていて、同スイッチ７０ノーｉリーオ
ン端７ａは接地されると共に感光体ドラム１１に接続さ
れている。また、スイッチ７のノーマリ−オフ端７ｂは
直流電源８を介して接地されている。
このような回路接続はすべての他の電極３２〜５ｎ１５
２〜５ｎＩＣも同様に行なわれている。従って、スイッ
チ７がノーマリ−オン端７ａＩＣ接続されているときＫ
は交流電源６によって電極３．と電極５．の間に符号Ｐ
で示すようなイオンが発生する。そしてスイッチ７をノ
ーマリ−オフ端７ｂに接続することＫよってこのイオン
が感光体１１側に到達し、同感光体１１にドツト状の潜
像が形成される。このよ５なドツト状の潜像は各電極３
．〜３ｎのいずれかと５１〜５ｎのいずれかに直流電源
８のバイアスをスイッチ７を介して印加するとと陀よっ
て行なわれる。
２〜５ｎＩＣも同様に行なわれている。従って、スイッ
チ７がノーマリ−オン端７ａＩＣ接続されているときＫ
は交流電源６によって電極３．と電極５．の間に符号Ｐ
で示すようなイオンが発生する。そしてスイッチ７をノ
ーマリ−オフ端７ｂに接続することＫよってこのイオン
が感光体１１側に到達し、同感光体１１にドツト状の潜
像が形成される。このよ５なドツト状の潜像は各電極３
．〜３ｎのいずれかと５１〜５ｎのいずれかに直流電源
８のバイアスをスイッチ７を介して印加するとと陀よっ
て行なわれる。
そして、このような電気回路から各１！極３．〜３ｎの
いずれかと５．〜５ｎのいずれかに電圧を供給するＫは
、第１１図及び第１２図に示すようにイオン発生基板１
０に形成された端子９．〜９ｍのそれぞれを取付部材１
２に形成された平面状の支持部１２ａ上に載置すること
によって行なわれる。即ち、支持部１３ｍが取付けられ
ている。そして、同端子１３．〜１３ｍのそれぞれを上
記端子９１〜９ｍＫそれぞれ対応させて抑圧接触させる
ようになっている。
いずれかと５．〜５ｎのいずれかに電圧を供給するＫは
、第１１図及び第１２図に示すようにイオン発生基板１
０に形成された端子９．〜９ｍのそれぞれを取付部材１
２に形成された平面状の支持部１２ａ上に載置すること
によって行なわれる。即ち、支持部１３ｍが取付けられ
ている。そして、同端子１３．〜１３ｍのそれぞれを上
記端子９１〜９ｍＫそれぞれ対応させて抑圧接触させる
ようになっている。
そしてイオン発生基板１０はイオン７０−開口５、ａ・
・・の目づまりを生じたとき、あるいはごみの付着時等
にしばしば装置本体から取外して清掃を行なう必要があ
り、また各電極は非常に高密度で配置されているので極
めて正確な位置合せの再現性が要求される。
・・の目づまりを生じたとき、あるいはごみの付着時等
にしばしば装置本体から取外して清掃を行なう必要があ
り、また各電極は非常に高密度で配置されているので極
めて正確な位置合せの再現性が要求される。
しかしながらこのような従来の取付構造においては１次
のような不具合がある。
のような不具合がある。
（１） イオン発生基板１０の装置本体に対する位置
合せは特別な治具な用いて行なっているのでこれらの調
整工数が多くかかり、また所定の位置合せを行なった後
に振動等の外因によって同基板１０の位置ずれを起こす
おそれがある。
合せは特別な治具な用いて行なっているのでこれらの調
整工数が多くかかり、また所定の位置合せを行なった後
に振動等の外因によって同基板１０の位置ずれを起こす
おそれがある。
（２）ばね端子１３．〜１３ｍがイオン発生基板１０の
端子９．〜９ｍＫよって常時押圧されているので、同ば
ね端子１３．〜１３ｍのばね性が経時的に劣化し、接触
圧が減少するので接触抵抗が増加する。
端子９．〜９ｍＫよって常時押圧されているので、同ば
ね端子１３．〜１３ｍのばね性が経時的に劣化し、接触
圧が減少するので接触抵抗が増加する。
（３） イオン発生基板１０の端子９．〜９ｍと装置
本体に配置されたばね端子１３．〜１３ｍとの接触状態
が短かい長さの線接触であるために接触面積が小さく接
触抵抗が高くなると共に、接触が不安定である。
本体に配置されたばね端子１３．〜１３ｍとの接触状態
が短かい長さの線接触であるために接触面積が小さく接
触抵抗が高くなると共に、接触が不安定である。
（目的）
本発明の目的は、イオン発生基板の装置本体に対する装
着位置合せを確実に行なうことができ、イオン発生基板
に対する給電を確実にした画像形成装置におけるイオン
発生基板の取付構造を提供することＫある。
着位置合せを確実に行なうことができ、イオン発生基板
に対する給電を確実にした画像形成装置におけるイオン
発生基板の取付構造を提供することＫある。
（概要）
本発明に係る装ｅＶｃおけるイオン発生基板の取付構造
は、イオン発生基板の装置本体に対する取付位置を規ｆ
ｆＪＩＪする案内部を設け、イオン発生基板の端子に凹
状端子を接続し、同凹状端子内に侵入して同端子の内周
に接触する凸状端子を装置本体側に設けたものである。
は、イオン発生基板の装置本体に対する取付位置を規ｆ
ｆＪＩＪする案内部を設け、イオン発生基板の端子に凹
状端子を接続し、同凹状端子内に侵入して同端子の内周
に接触する凸状端子を装置本体側に設けたものである。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する
。第１図に示すように長方形状のイオン発生基板２０に
は、その長手方向中央部分に複数本のライン［ｔｉＫ３
．〜３６が設げられており、このライン電極４〜３６の
上に透明なｉイカ板を介して、ラインを極３．〜３６と
所定の角度をもって交叉する多数のフィンガー電極５．
〜５ｎが設けられ工いる。このフィンガー電極５．〜５
ｎの上記ライン電極３．〜３６に対する交叉部には、イ
オン発生部を形成するイオン７０−開口５．ａ’ ５２
ａ・・・（例えば直径が約０．１５ｍｍ）が設けられて
いる。なお２４はスクリーン電極でフィンガー電極５．
〜５ｎの上に絶縁を介して設けられている。このように
配設されたライン成極３．〜３６およびフィンガー電極
５、〜５ｎへの給電を行なうために上記イオン発生基板
２０の周囲にスルーホール状の端子として凹状端子２３
が夫々（例えば約１５０個）配設されている。即ち、ス
ルーホール状の凹状端子２３は第２図に示すようにイオ
ン発生基板２０の各電極に対応させて透孔２２を穿ち、
との透孔２２に？３縁材２２ａを介して導電材を被覆し
た所謂ＩＣ端子のスルーホール（例えば内径０．８〜５
．Ｏｍｍ）と同じ構造で凹状端子２３を形成したもので
ある。
。第１図に示すように長方形状のイオン発生基板２０に
は、その長手方向中央部分に複数本のライン［ｔｉＫ３
．〜３６が設げられており、このライン電極４〜３６の
上に透明なｉイカ板を介して、ラインを極３．〜３６と
所定の角度をもって交叉する多数のフィンガー電極５．
〜５ｎが設けられ工いる。このフィンガー電極５．〜５
ｎの上記ライン電極３．〜３６に対する交叉部には、イ
オン発生部を形成するイオン７０−開口５．ａ’ ５２
ａ・・・（例えば直径が約０．１５ｍｍ）が設けられて
いる。なお２４はスクリーン電極でフィンガー電極５．
〜５ｎの上に絶縁を介して設けられている。このように
配設されたライン成極３．〜３６およびフィンガー電極
５、〜５ｎへの給電を行なうために上記イオン発生基板
２０の周囲にスルーホール状の端子として凹状端子２３
が夫々（例えば約１５０個）配設されている。即ち、ス
ルーホール状の凹状端子２３は第２図に示すようにイオ
ン発生基板２０の各電極に対応させて透孔２２を穿ち、
との透孔２２に？３縁材２２ａを介して導電材を被覆し
た所謂ＩＣ端子のスルーホール（例えば内径０．８〜５
．Ｏｍｍ）と同じ構造で凹状端子２３を形成したもので
ある。
このように形成された上記イオン発生基板２０の挿入側
先端部で、しかも長手方向′に、沿う両側面には、後述
する装置本体に設けた取付位置規制用の案内部としての
蟻溝に嵌合する蟻２０ａを突設させている。
先端部で、しかも長手方向′に、沿う両側面には、後述
する装置本体に設けた取付位置規制用の案内部としての
蟻溝に嵌合する蟻２０ａを突設させている。
なお、イオン発生基板２０の上側、即ち電極を有する側
とは反対の側に複数の突条帯２５を設けているのは平板
状のイオン発生基板２０の変形を防止し。
とは反対の側に複数の突条帯２５を設けているのは平板
状のイオン発生基板２０の変形を防止し。
電極のＸＦ−面性を正確に出すためと同基板２０に生じ
る熱を放熱させるためである。
る熱を放熱させるためである。
一方、上記イオン発生基板２０を装填してプリンターと
して使用する装置本体２６ＦＣは第３図に示すよ５に基
板２０をガイドするだめの凹状のガイド溝２６ａを両側
に有している。上記ガイド溝２６ａの上記イオン発生基
板を受ける側には第４図に示すよ５に上記イオン発生基
板２０が所定の位置まで挿入された時に嵌合し、基板２
０全体を落下させる蟻溝２６Ｃを基板２０のｉ ２０ａ
Ｋ対応させて形成している。
して使用する装置本体２６ＦＣは第３図に示すよ５に基
板２０をガイドするだめの凹状のガイド溝２６ａを両側
に有している。上記ガイド溝２６ａの上記イオン発生基
板を受ける側には第４図に示すよ５に上記イオン発生基
板２０が所定の位置まで挿入された時に嵌合し、基板２
０全体を落下させる蟻溝２６Ｃを基板２０のｉ ２０ａ
Ｋ対応させて形成している。
また上記装置本体２６ａには、上記イオン発生基板２０
に設けたＭ数の端子２３に対応させた位置に凸状端子３
０を設けている。
に設けたＭ数の端子２３に対応させた位置に凸状端子３
０を設けている。
上記凸状端子３０はイオン発生基板２０が蟻溝２６ｃＫ
沿って降下する事によって、スルーホール状の凹状端子
２３と叡合するもので、第５図に示すように極めて細い
棒状の金属材（例えば先端直径が０．５〜２．５ｍｍ位
で基部直径は０．９〜３．２ｍｍ位）にややテーパをつ
けて形成したものであり、この凸状端子３０はリード線
（図示しない）等を介して所望の電源に接続されるよう
になっている。
沿って降下する事によって、スルーホール状の凹状端子
２３と叡合するもので、第５図に示すように極めて細い
棒状の金属材（例えば先端直径が０．５〜２．５ｍｍ位
で基部直径は０．９〜３．２ｍｍ位）にややテーパをつ
けて形成したものであり、この凸状端子３０はリード線
（図示しない）等を介して所望の電源に接続されるよう
になっている。
なＨ２９は装置本体２６の下面中央部に設けた帯状の開
口部で、この開口部２９を介して電極から発生したイオ
ンが感光体ドラム２８に打ちこまれるように形成しであ
る。
口部で、この開口部２９を介して電極から発生したイオ
ンが感光体ドラム２８に打ちこまれるように形成しであ
る。
このよ５に構成された装置において、ガイド溝り６ａ内
にイオン発生基板２０を水平方向に挿入させ、同基板２
０に形成されたＭ２０ａが上記蟻溝２６ｃに対向する位
置に到ったときイオン発生基板２０の挿入側先端部２０
ｂが装置本体２６の切欠き２６ａ内に形成されたストッ
パ面２６ａＯに衝合するのでこのときイオン発生基板２
０を下方に移動させると、＠２０ ａ、＋と蟻溝２６ｃ
の位置が一致し、正確に蟻２０ａを蟻溝２６Ｇ Ｋ嵌合
させることができる。これと同時に、第２図に詳しく示
すように凹状端子２３゛と凸状端子３０とが正確に位置
決めされて対向し、凹状端子２３の内周に凸状端子３０
が接触することＫなる。このときの接触状態は円状接触
であって接触面積が太きく、かつイオン発生基板２０に
より″′Ｃ若干の押圧力が与えられて確実な接触状態を
保っている。即ち、凹状端子２３の内周下部が凸状端子
３０の外周面によって押し広げられる状態で接触するの
で、言い換えれば端子のセルフクリーニング作用がある
ので接触状態が良好となる。
にイオン発生基板２０を水平方向に挿入させ、同基板２
０に形成されたＭ２０ａが上記蟻溝２６ｃに対向する位
置に到ったときイオン発生基板２０の挿入側先端部２０
ｂが装置本体２６の切欠き２６ａ内に形成されたストッ
パ面２６ａＯに衝合するのでこのときイオン発生基板２
０を下方に移動させると、＠２０ ａ、＋と蟻溝２６ｃ
の位置が一致し、正確に蟻２０ａを蟻溝２６Ｇ Ｋ嵌合
させることができる。これと同時に、第２図に詳しく示
すように凹状端子２３゛と凸状端子３０とが正確に位置
決めされて対向し、凹状端子２３の内周に凸状端子３０
が接触することＫなる。このときの接触状態は円状接触
であって接触面積が太きく、かつイオン発生基板２０に
より″′Ｃ若干の押圧力が与えられて確実な接触状態を
保っている。即ち、凹状端子２３の内周下部が凸状端子
３０の外周面によって押し広げられる状態で接触するの
で、言い換えれば端子のセルフクリーニング作用がある
ので接触状態が良好となる。
次に１本発明の第２実施例について説明する。
本実施例は第６図に示すよ５１Ｃ上記凸状端子３０に接
触する凹状端子をイオン発生基板２０に形成された端子
２１を貫通する孔２２に基材３１に形成された孔５ｊａ
を連続させ、開孔２２．５ｊａ内に凹状端子３２を設け
たものである。即ち、凹状端子３２は第７図に詳しく示
すように孔２２．３１ａ内に貫通して設けた絶縁性を有
するパイプ３３の内部に、導電性が良好な金Ｘｉのパイ
プ３４を嵌合させその開口端を広げてかしめたものであ
る。このようＫすることＫよって、基材３１が存在する
部位で凸状端子３０と凹状端子３２とを接触させ、両端
子間の接触圧を非常に高く安定したものとすることがで
きる。
触する凹状端子をイオン発生基板２０に形成された端子
２１を貫通する孔２２に基材３１に形成された孔５ｊａ
を連続させ、開孔２２．５ｊａ内に凹状端子３２を設け
たものである。即ち、凹状端子３２は第７図に詳しく示
すように孔２２．３１ａ内に貫通して設けた絶縁性を有
するパイプ３３の内部に、導電性が良好な金Ｘｉのパイ
プ３４を嵌合させその開口端を広げてかしめたものであ
る。このようＫすることＫよって、基材３１が存在する
部位で凸状端子３０と凹状端子３２とを接触させ、両端
子間の接触圧を非常に高く安定したものとすることがで
きる。
なお、上記第１図に示す基材２５の側部に第８図に示す
ようＫＭ縁材４０を増設し、同絶縁材４０を貫通する孔
４０ａと、円孔４０ａ Ｋ一致し上記イオン発生基板２
０を貫通する孔２２とを設け、この両孔４０ａ、 ２２
内に導電性の良好な金ＰＡ裂パイプを嵌合させて凹状端
子４１を形成しても良い。このようＫすることで、上記
第５図に示した実施例と同様に、同凹状端子４１の機械
的強度を向上させることができるので凹状端子４１の接
触圧を向上できる。
ようＫＭ縁材４０を増設し、同絶縁材４０を貫通する孔
４０ａと、円孔４０ａ Ｋ一致し上記イオン発生基板２
０を貫通する孔２２とを設け、この両孔４０ａ、 ２２
内に導電性の良好な金ＰＡ裂パイプを嵌合させて凹状端
子４１を形成しても良い。このようＫすることで、上記
第５図に示した実施例と同様に、同凹状端子４１の機械
的強度を向上させることができるので凹状端子４１の接
触圧を向上できる。
なお、上記各側における凸状端子３０は針状の一体形端
子であるがＰｌ端子をばね材で、凹状端子がわに付勢す
るようにしても良い。
子であるがＰｌ端子をばね材で、凹状端子がわに付勢す
るようにしても良い。
また、上記イオン発生基板の位置決めを上述のように蟻
２０ａと蟻溝２６ｃ Ｋよって行なう代りに角形の凸部
と凹部の組合せで行なったり、球体と円孔の組合せで行
なっても良い。
２０ａと蟻溝２６ｃ Ｋよって行なう代りに角形の凸部
と凹部の組合せで行なったり、球体と円孔の組合せで行
なっても良い。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、イオン発生基板の装
置本体に対する位置規制が確実に行なうことができると
共に接触抵抗値を低くできる利点がある。
置本体に対する位置規制が確実に行なうことができると
共に接触抵抗値を低くできる利点がある。
第１肉は、本発ＢＡＫ係るイオン発生基板の平面図、
第２図は、本発明に係る凸状端子と凹状端子の接触状態
を示す断面図、 第３図は、本発明の第１実施例の取付構造の一部を切断
して示した斜視図、 第４図は、上記第１図の要部を示す平面図、第５図は、
上記第１図に示す凸状端子の斜視図、第６図は、本発明
の第２実施例の取付構造の要部を示す側断面図、 第７図は、上記第６図に示す凹状端子の斜視図、第８図
は、上記第１実施例の変形例を示す要部側断面図、 第９図は、従来のイオン発生基板の一例を示す平面図、 ＠１０図は、上記第９図のイオン発生基板を用いたイオ
ン発生装置の動作原理を説明するための概略構成図、 第１１図は、上記第９図に示したイオン発生基板の取付
部材の斜視図、 第１２図は、上記第１１図に示した取付部材におけるイ
オン発生基板の取付構造の拡大断面図である。 １０．２０・・・・・イオン発生基板 ２０ａ、・番ｌ・・・蟻 ２６Ｃ・・・・・・・蟻溝 ９１〜９ｆｆｌ・・・端子 ２３．５２．４１・・・凹状端子 ２６・・・・・・・・装は本体 ３０・・・・・・−・凸状端子 鳥１ 区 馬２区 ％３図 ５％′４図 見ろ区 ６６図 ・％９区 ％１０区
を示す断面図、 第３図は、本発明の第１実施例の取付構造の一部を切断
して示した斜視図、 第４図は、上記第１図の要部を示す平面図、第５図は、
上記第１図に示す凸状端子の斜視図、第６図は、本発明
の第２実施例の取付構造の要部を示す側断面図、 第７図は、上記第６図に示す凹状端子の斜視図、第８図
は、上記第１実施例の変形例を示す要部側断面図、 第９図は、従来のイオン発生基板の一例を示す平面図、 ＠１０図は、上記第９図のイオン発生基板を用いたイオ
ン発生装置の動作原理を説明するための概略構成図、 第１１図は、上記第９図に示したイオン発生基板の取付
部材の斜視図、 第１２図は、上記第１１図に示した取付部材におけるイ
オン発生基板の取付構造の拡大断面図である。 １０．２０・・・・・イオン発生基板 ２０ａ、・番ｌ・・・蟻 ２６Ｃ・・・・・・・蟻溝 ９１〜９ｆｆｌ・・・端子 ２３．５２．４１・・・凹状端子 ２６・・・・・・・・装は本体 ３０・・・・・・−・凸状端子 鳥１ 区 馬２区 ％３図 ５％′４図 見ろ区 ６６図 ・％９区 ％１０区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオン発生基板を装置本体に着脱自在に取付け得る画像
形成装置において、 上記イオン発生基板の上記装置本体への取付位置を規制
する案内部と、 上記イオン発生基板に形成された複数の電極のそれぞれ
に電気的に接続され、同イオン発生基板に配設された複
数の凹状端子と、 上記装置本体に配設され、上記複数の凹状端子の凹部内
に侵入して同端子の内周に接触する複数の凸状端子と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置におけるイオ
ン発生基板の取付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21183584A JPS6189866A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 画像形成装置におけるイオン発生基板の取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21183584A JPS6189866A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 画像形成装置におけるイオン発生基板の取付構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189866A true JPS6189866A (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=16612374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21183584A Pending JPS6189866A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 画像形成装置におけるイオン発生基板の取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103246191A (zh) * | 2012-02-02 | 2013-08-14 | 富士施乐株式会社 | 定影装置以及图像形成装置 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21183584A patent/JPS6189866A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103246191A (zh) * | 2012-02-02 | 2013-08-14 | 富士施乐株式会社 | 定影装置以及图像形成装置 |
| CN103246191B (zh) * | 2012-02-02 | 2016-12-21 | 富士施乐株式会社 | 定影装置以及图像形成装置 |
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