JPS6189664A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に発光素子の電極の製造方法に
関する。
関する。
この製造方法による電極構造は、波長帯域が０゜８また
は１．０μｍの光通信に使用される半立体レーザや発光
ダイオード（ＬＥＤ）のｐ型側の電極（以下ｐ−主電極
省略）に適用して高信頼の半導体装置が得られる。
は１．０μｍの光通信に使用される半立体レーザや発光
ダイオード（ＬＥＤ）のｐ型側の電極（以下ｐ−主電極
省略）に適用して高信頼の半導体装置が得られる。
第２図は従来例によるｐ−電極を有する半導体レーザの
断面図である。
断面図である。
図は本出願人により開示された１、３μｍ帯の■ＳＢレ
ーザ（Ｖ−Ｇｒｏｏｖｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ Ｂｕ
ｒｉｅｄ Ｈｅｔｅ−ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５
ｅｒ）を示す。
ーザ（Ｖ−Ｇｒｏｏｖｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ Ｂｕ
ｒｉｅｄ Ｈｅｔｅ−ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５
ｅｒ）を示す。
図において、ｎ型インジウム燐（ＩｎＰ）基板１上にｐ
型ＩｎＰ層２を堆積し、活性領域を形成する位置にＶ字
型の溝を形成する。
型ＩｎＰ層２を堆積し、活性領域を形成する位置にＶ字
型の溝を形成する。
つぎにｎ型ＩｎＰ層３，３Ａ、ｎ型インジウムガリウム
砒素１７’ｊｔ （Ｉ ｎ ＋ −、ＧａｘＡｓ ｌ
−ｙＰ ｙ、以下１ｎＧａＡｓＰと省略）層４，４八を
順次堆積する。ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層４八は活性領域を
形成する。
砒素１７’ｊｔ （Ｉ ｎ ＋ −、ＧａｘＡｓ ｌ
−ｙＰ ｙ、以下１ｎＧａＡｓＰと省略）層４，４八を
順次堆積する。ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層４八は活性領域を
形成する。
つぎにｐ型１ｎＰＦＪ５とコンタクト層としてｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層６を順次堆積する。
ＧａＡｓＰ層６を順次堆積する。
以上の各層の堆積は液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）
を用いて行う。
を用いて行う。
つぎにｐ−電極として電子ビーム蒸着を用いて厚さｔｏ
ｏｏ人のチタン（Ｔｉ）層７、厚さ１０００人の白金（
Ｐｔ）層８を順次被着し、その上に通常の電解メッキに
より厚さ３μｍの金（Ａｕ）層９を被着する。この後ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ層６とＴｉ層７との間のオーミックコ
ンタクトをとるため、電気炉中で４３０℃で３０分の熱
処理を行う。
ｏｏ人のチタン（Ｔｉ）層７、厚さ１０００人の白金（
Ｐｔ）層８を順次被着し、その上に通常の電解メッキに
より厚さ３μｍの金（Ａｕ）層９を被着する。この後ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ層６とＴｉ層７との間のオーミックコ
ンタクトをとるため、電気炉中で４３０℃で３０分の熱
処理を行う。
つぎにｎ型側電極（以下ｎ−電極と省略）として、Ａｕ
−ゲルマニウム（Ｇｅ）−ニッケル（Ｎｉ）層１０を２
０００人被着後２３８０°Ｃで１分の熱処理で合金層を
形成してオーミックコンタクトをとる。
−ゲルマニウム（Ｇｅ）−ニッケル（Ｎｉ）層１０を２
０００人被着後２３８０°Ｃで１分の熱処理で合金層を
形成してオーミックコンタクトをとる。
つぎにへき開により共振器を形成してレーザを完成する
。
。
上述のようにｐ−電極の従来構造は、半導体コンタクト
層の上に順にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層を被着したもので、オ
ーミックコンタクトをとるための熱処理時や、素子のポ
ンディング時や、あるいは素子動作時に最表面層のＡｕ
がＴ ｉ ／ Ｐ ｔ Ｎを突き抜けて半導体中に移動
し、素子特性を劣化させ、その信頼性を著しく阻害する
。
層の上に順にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層を被着したもので、オ
ーミックコンタクトをとるための熱処理時や、素子のポ
ンディング時や、あるいは素子動作時に最表面層のＡｕ
がＴ ｉ ／ Ｐ ｔ Ｎを突き抜けて半導体中に移動
し、素子特性を劣化させ、その信頼性を著しく阻害する
。
上記問題点の解決は、半導体コンタクト層上に第１のチ
タン層を被着後所定の熱処理を行い、つ旨に該第１のチ
タン層上に第２のチタン層と白金層と金層を順次被着し
て電極を形成する本発明による半導体装置の製造方法に
より達成される。
タン層を被着後所定の熱処理を行い、つ旨に該第１のチ
タン層上に第２のチタン層と白金層と金層を順次被着し
て電極を形成する本発明による半導体装置の製造方法に
より達成される。
従来例による電極においては、Ｔｉ／Ｐｔ層は多孔質構
造をもち、熱処理後にはその孔の密度（ピント密度）が
著しく増加する。従って最表面層のＡｕがＴｉ／Ｐｔ層
へ拡散し、電極下の半導体内部まで到達する。
造をもち、熱処理後にはその孔の密度（ピント密度）が
著しく増加する。従って最表面層のＡｕがＴｉ／Ｐｔ層
へ拡散し、電極下の半導体内部まで到達する。
本発明はＴｉ被着後に熱処理を行って半導体とＴｉ間の
電気的接合を作成し、つぎにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを連続被
着することにより、従来例による熱処理後のＴｉの多孔
質構造を改善し、さらに素子のボンディング時や、ある
いは素子動作時に最表面層のＡｕが半導体中に拡散する
ことを防止するようにしたものである。
電気的接合を作成し、つぎにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを連続被
着することにより、従来例による熱処理後のＴｉの多孔
質構造を改善し、さらに素子のボンディング時や、ある
いは素子動作時に最表面層のＡｕが半導体中に拡散する
ことを防止するようにしたものである。
従来の方法では、Ｔｉ／Ｐｔ層のピット密度は１０４ｃ
Ｉ１）−２程度であるが、本発明によれば１０２ｃｍ−
２以下となることが確認された。
Ｉ１）−２程度であるが、本発明によれば１０２ｃｍ−
２以下となることが確認された。
また従来例では、コンタクト層のｐ型１ｎＧａＡｓＰの
表面およびそれより内部の半導体中で検出されたか、本
発明によればｐ型ＩｎＧａＡｓＰ表面の＾Ｕ濃度がラグ
フォード後方散乱法による検出限界以下となった。
表面およびそれより内部の半導体中で検出されたか、本
発明によればｐ型ＩｎＧａＡｓＰ表面の＾Ｕ濃度がラグ
フォード後方散乱法による検出限界以下となった。
第１図は本発明によるｐ−電極を有する半導体レーザの
断面図である。
断面図である。
図において、ｎ型１ｎＰ ３板１上にｐ型１ｎＰＪｉ２
を堆積し、活性領域を形成する位置にＶ字型の溝を形成
する。
を堆積し、活性領域を形成する位置にＶ字型の溝を形成
する。
つぎにｎ型１ｎＰ層３，３．Ａ、ｎ型１ｎＧａＡｓＰ層
４゜４八を順次堆積する。ｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ、ｓ
Ｐ層４Ａは活性領域を形成する。
４゜４八を順次堆積する。ｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ、ｓ
Ｐ層４Ａは活性領域を形成する。
つぎにｐ型１ｎＰＨ５とコンタクト層としてｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ層６を順次堆積する。。
ａＡｓＰ層６を順次堆積する。。
以上の２〜６層の堆積は従来例と同様ＬＰＥを用いて行
う。
う。
つぎにｐ−電極として電子ビーム蒸着を用いて１０−
’Ｔｏｒｒ以下の真空度でｐ型ｒｎＧａＡｓＰコンタク
トＮ６上に、第１のＴｉ層として厚さ５００人のＴｉ層
７を被着する。
’Ｔｏｒｒ以下の真空度でｐ型ｒｎＧａＡｓＰコンタク
トＮ６上に、第１のＴｉ層として厚さ５００人のＴｉ層
７を被着する。
つぎに水素雰囲気中で、４３０°Ｃで３０分の熱処理を
行う。
行う。
つぎに厚さ５００人の第２のＴｉ層１）、厚さ１０００
人のｐｔ層８を順次被着し、その上に通常の電解メッキ
により厚さ３μｍのＡｕ層９を被着する。
人のｐｔ層８を順次被着し、その上に通常の電解メッキ
により厚さ３μｍのＡｕ層９を被着する。
つき゛にｎ−電極として、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ層を２００
０人被着後２３８０℃で１分の熱処理で合金層を形成し
てオーミックコンタクトをとる。
０人被着後２３８０℃で１分の熱処理で合金層を形成し
てオーミックコンタクトをとる。
つぎに紙面に並行な方向にへき関して、共振器を形成し
てレーザを完成する。
てレーザを完成する。
以上詳細に説明したように本発明によれば、多くの発光
素子のｐ−電極に使用されているＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの３
層構造において、最表面層のΔＵが半導体中に拡散する
ことを防止でき、従って特性の劣化を生ずることなく、
信頼性の高い半導体装置が得られる。
素子のｐ−電極に使用されているＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの３
層構造において、最表面層のΔＵが半導体中に拡散する
ことを防止でき、従って特性の劣化を生ずることなく、
信頼性の高い半導体装置が得られる。
第１図は本発明によるｐ−電極を有する半導体レーザの
断面図である。 第２図は従来例によるｐ−電極を有する半導体レーザの
断面図である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ Ｗ板、 ２はｐ型１ｎＰ層、３．３
Ａはｎ型１ｎＰ層、 ４．４Ａはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ ％、 ５はｐ型Ｉｎｆ’層、 ６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層（半導体コンタクト層）、７
は第１のＴｉ層、 ８はｐｔ層、 （７〜９，１）９は４１層、
はｐ−電極）、１）は第２のＴ ｉ
Ｊｉｉ ％ １０はへｕ−Ｇｅ−Ｎｉ層（ｎ−電極）、を示す。 Ｔ １ 区 Ｙ ２ 目
断面図である。 第２図は従来例によるｐ−電極を有する半導体レーザの
断面図である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ Ｗ板、 ２はｐ型１ｎＰ層、３．３
Ａはｎ型１ｎＰ層、 ４．４Ａはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ ％、 ５はｐ型Ｉｎｆ’層、 ６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層（半導体コンタクト層）、７
は第１のＴｉ層、 ８はｐｔ層、 （７〜９，１）９は４１層、
はｐ−電極）、１）は第２のＴ ｉ
Ｊｉｉ ％ １０はへｕ−Ｇｅ−Ｎｉ層（ｎ−電極）、を示す。 Ｔ １ 区 Ｙ ２ 目
Claims (2)
- （１）半導体コンタクト層上に第１のチタン層を被着後
所定の熱処理を行い、つぎに該第１のチタン層上に第２
のチタン層と白金層と金層を順次被着して電極を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）上記半導体コンタクト層がｐ型インジウムガリウ
ム砒素燐よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211731A JPS6189664A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211731A JPS6189664A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189664A true JPS6189664A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16610658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211731A Pending JPS6189664A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189664A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496369B1 (ko) * | 1996-07-24 | 2005-09-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 오믹전극및반도체소자 |
| WO2011078252A1 (ja) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 株式会社トクヤマ | III族窒化物半導体のｎ型コンタクト電極およびその形成方法 |
| CN105742423A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-07-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
| CN106415860A (zh) * | 2014-06-03 | 2017-02-15 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光元件 |
| CN106784206A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-31 | 厦门三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管 |
| WO2018137336A1 (zh) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 厦门三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59211731A patent/JPS6189664A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496369B1 (ko) * | 1996-07-24 | 2005-09-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 오믹전극및반도체소자 |
| WO2011078252A1 (ja) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 株式会社トクヤマ | III族窒化物半導体のｎ型コンタクト電極およびその形成方法 |
| CN102687247A (zh) * | 2009-12-22 | 2012-09-19 | 株式会社德山 | Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法 |
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| JP5670349B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2015-02-18 | 株式会社トクヤマ | ＩＩＩ族窒化物半導体のｎ型コンタクト電極およびその形成方法 |
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| CN106415860B (zh) * | 2014-06-03 | 2020-02-14 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光元件 |
| CN105742423A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-07-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
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| WO2018137336A1 (zh) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 厦门三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
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