JPS61251184A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61251184A JPS61251184A JP60092500A JP9250085A JPS61251184A JP S61251184 A JPS61251184 A JP S61251184A JP 60092500 A JP60092500 A JP 60092500A JP 9250085 A JP9250085 A JP 9250085A JP S61251184 A JPS61251184 A JP S61251184A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体発光素子などのコンタクト層上に設けるチタン、
白金、金の三層構成でなるオーミック電極の形成におい
て、 オーミックコンタクトをとったチタン、白金の二層を形
成した後に金層を形成することにより、製造工程中の加
熱による上記金の拡散を除去して、当該半導体装置の信
頼性を向上させたものである。
白金、金の三層構成でなるオーミック電極の形成におい
て、 オーミックコンタクトをとったチタン、白金の二層を形
成した後に金層を形成することにより、製造工程中の加
熱による上記金の拡散を除去して、当該半導体装置の信
頼性を向上させたものである。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、発光素
子などの電極の製造方法に関す。
子などの電極の製造方法に関す。
半導体発光素子即ち半導体レーザや発光ダイオード(L
ED)は、光を媒体にして多量の情報を扱う光通信や情
報処理の光信号源として多用されるようになってきて、
長期の使用に耐えられるよう信頼性の高いことが望まれ
ている。
ED)は、光を媒体にして多量の情報を扱う光通信や情
報処理の光信号源として多用されるようになってきて、
長期の使用に耐えられるよう信頼性の高いことが望まれ
ている。
第2図は半導体発光素子の一例であるVSBレーザ(V
−Grooved 5ubstrate Buried
Hetcrostruc−ture La5er)の
側断面図である。
−Grooved 5ubstrate Buried
Hetcrostruc−ture La5er)の
側断面図である。
同図に示すレーザは、ウェーハ状態のn型インジウム燐
(InP)基板1上にp型1nP層2を堆積し、活性領
域を形成する位置にV型の溝を形成した後、n型InP
層3.3a、n型インジウムガリウム砒素燐(InGa
AsP)層4.4a (4aが活性領域となる)、p型
1nPff15、コンタクト層となるp型InGaAs
P層6を順次堆積して半導体基体7が形成され、しかる
後、コンタクト層6上にチタン(Ti)層8a、白金(
P t)層8b、金(Au)層8a三層構成の電極8、
また基板1の裏面上に金・ゲルマニウム・ニッケル(A
ll−Ge−Ni)合金の電極9が形成され、共振器を
形成する襞間がなされてなっている。
(InP)基板1上にp型1nP層2を堆積し、活性領
域を形成する位置にV型の溝を形成した後、n型InP
層3.3a、n型インジウムガリウム砒素燐(InGa
AsP)層4.4a (4aが活性領域となる)、p型
1nPff15、コンタクト層となるp型InGaAs
P層6を順次堆積して半導体基体7が形成され、しかる
後、コンタクト層6上にチタン(Ti)層8a、白金(
P t)層8b、金(Au)層8a三層構成の電極8、
また基板1の裏面上に金・ゲルマニウム・ニッケル(A
ll−Ge−Ni)合金の電極9が形成され、共振器を
形成する襞間がなされてなっている。
ここで、電極8と9はオーミックコンタクトをとる必要
がある。このため特に活性領域4aに近い電極8におい
ては、コンタクト層6に不純物濃度を高くすることが出
来るInGaAsPを使用し、これにTi1W8aが接
するようにしであるが、電極8の形成はレーザの信頼性
を阻害しないようにすることが重要である。
がある。このため特に活性領域4aに近い電極8におい
ては、コンタクト層6に不純物濃度を高くすることが出
来るInGaAsPを使用し、これにTi1W8aが接
するようにしであるが、電極8の形成はレーザの信頼性
を阻害しないようにすることが重要である。
この事情は他の半導体レーザやLEDにおいても同様で
ある。
ある。
第3図は第2図図示レーザの製造の従来の工程を特に電
極8.9の形成を中心に示す工程図である。
極8.9の形成を中心に示す工程図である。
即ち、半導体部7の形成の後、電極8の形成、次いで電
極9の形成を行って、襞間工程に移行している。
極9の形成を行って、襞間工程に移行している。
電極8の形成は、コンタクト層6上に電子ビーム蒸着に
より74層8a (厚さ約1000人)とpt層8b
(厚さ約1000人)とを順次被着し、その上に通常の
電解めっきによりAu層8c (厚さ約3μm)を被着
した後、コンタクト層6との間のオーミックコンタクト
をとる(オーミック化する)ため、電気炉中で例えば4
30℃、30分の熱処理を行って完了する。
より74層8a (厚さ約1000人)とpt層8b
(厚さ約1000人)とを順次被着し、その上に通常の
電解めっきによりAu層8c (厚さ約3μm)を被着
した後、コンタクト層6との間のオーミックコンタクト
をとる(オーミック化する)ため、電気炉中で例えば4
30℃、30分の熱処理を行って完了する。
電極9の形成は、基板1の裏面に通常の蒸着によりAu
−Ge−Ni合金(厚さ約2000人)を被着した後、
例えば380℃、1分の熱処理によりオーミック化して
完了する。
−Ge−Ni合金(厚さ約2000人)を被着した後、
例えば380℃、1分の熱処理によりオーミック化して
完了する。
なお、電極8はコンタクト層6を保護するので、その形
成を電極9形成より先行させている。
成を電極9形成より先行させている。
上記工程により製造された第2図図示のレーザは、電極
8の形成における上記熱処理の際に、非晶質と多結晶の
混合状態になっていた74層8aとpt層8bの結晶化
カミ進み、Au層8cのAuがその間隙を縫って半導体
部7に侵入拡散して活性領域4aに達するため、素子特
性が劣化して信頼性が低下する。
8の形成における上記熱処理の際に、非晶質と多結晶の
混合状態になっていた74層8aとpt層8bの結晶化
カミ進み、Au層8cのAuがその間隙を縫って半導体
部7に侵入拡散して活性領域4aに達するため、素子特
性が劣化して信頼性が低下する。
また、電極9の形成における熱処理も上記拡散を増大さ
せる。
せる。
なお、電極9の形成における熱処理の際に電極9に含ま
れるAuの拡散が存在するが、この拡散領域は十分に厚
い基板1の内部に留まるので問題にならない。
れるAuの拡散が存在するが、この拡散領域は十分に厚
い基板1の内部に留まるので問題にならない。
第1図は本発明の方法を第2図図示レーザの製造に適用
した実施例の工程を示す工程図である。
した実施例の工程を示す工程図である。
上記問題点は、第1図に示すように、コンタクト層6上
にオーミック化したTi層8aI!:Pt眉8bの二層
を形成した後にAu層8cを形成する本発明の製造方法
によって解決される。
にオーミック化したTi層8aI!:Pt眉8bの二層
を形成した後にAu層8cを形成する本発明の製造方法
によって解決される。
この際のAu層8cの形成は、ウェーハプロセスにおけ
る熱処理を含む他の工程例えば電極9の形成工程が済ん
だ後に行うのが望ましい。
る熱処理を含む他の工程例えば電極9の形成工程が済ん
だ後に行うのが望ましい。
上記方法では、電極8を構成するAu層8Gの被着工程
を独立させてAuを甚だしく拡散させる熱処理を済まし
た後の工程に配装置しであるので、問題のAu拡散なし
にオーミック化された電極8が形成される。
を独立させてAuを甚だしく拡散させる熱処理を済まし
た後の工程に配装置しであるので、問題のAu拡散なし
にオーミック化された電極8が形成される。
かくして活性領域4a (第2図図示)に対するAuの
侵入を除去出来て、素子の信頼性を向上させることが出
来る。
侵入を除去出来て、素子の信頼性を向上させることが出
来る。
〔実施例〕
以下に第1図を用い第2図図示レーザの製造の実施例特
に電極8の形成について説明する。
に電極8の形成について説明する。
電極8の形成は従来と同様に半導体基体7の形成の後に
行うが、Au層8cの被着工程を独立させ電極9の形成
工程と襞間工程との間に配置している点が従来との相違
点である。
行うが、Au層8cの被着工程を独立させ電極9の形成
工程と襞間工程との間に配置している点が従来との相違
点である。
即ち、半導体7の形成の後、従来と同様にコンタクト層
6上に電子ビーム蒸着によりTi層8a (厚さ約10
00人)とpt層8b (厚さ約1000人)とを順次
被着する。次いでコンタクト層6との間をオーミック化
するため、電気炉中で例えば430℃、30分の熱処理
を行う。
6上に電子ビーム蒸着によりTi層8a (厚さ約10
00人)とpt層8b (厚さ約1000人)とを順次
被着する。次いでコンタクト層6との間をオーミック化
するため、電気炉中で例えば430℃、30分の熱処理
を行う。
この工程は、電子ビーム蒸着の際に半導体部7を例えば
450℃に加熱しておくことにより、同時にオーミック
化させて電気炉による熱処理を省略することも出来る。
450℃に加熱しておくことにより、同時にオーミック
化させて電気炉による熱処理を省略することも出来る。
なお、電極8のコンタクト層6に接する部分の材料をT
iにし、コンタクト層6の材料をInGaAsPにする
のは、オーミック化のための相性が良いためである。
iにし、コンタクト層6の材料をInGaAsPにする
のは、オーミック化のための相性が良いためである。
次ぎに、従来と同様な方法により、基板1の裏面上に電
極9を形成する。
極9を形成する。
この後、PtJ’iBb上に通常の電解めっきによりA
u層8c (厚さ約3μm)を被着して電極8の形成を
完了する。
u層8c (厚さ約3μm)を被着して電極8の形成を
完了する。
この後は、共振器を形成する襞間を行って所望のレーザ
を完成する。
を完成する。
このレーザは活性領域4a (第2図図示)に^Uが存
在せず信頼性が従来より優れていることは先に説明した
通りである。
在せず信頼性が従来より優れていることは先に説明した
通りである。
以上説明したように、本発明の構成によれば、Ti−P
t−Au三層構成のオーミック電極形成においてAuの
拡散を除去出来る形成方法が提供されて、信頼性の高い
半導体発光素子の提供を可能にさせる効果がある。
t−Au三層構成のオーミック電極形成においてAuの
拡散を除去出来る形成方法が提供されて、信頼性の高い
半導体発光素子の提供を可能にさせる効果がある。
第1図は本発明の方法を第2図図示レーザの製造に通用
した実施例の工程を示す工程図、第2図は半導体発光素
子の一例の側断面図、第3図はその製造の従来の工程を
示す工程図、である。 図において、 1は基板、 4aは活性領域、 6はコンタクト層、 7は半導体基体、 8.9は電極、 8aはTi層、 8bはpt層、 8cは10層、である。 本発明)施争1ぐ114図 金光素千例司1す酢面
図第 1 図 第 ? 図 惺釆例ty>Lネ艮図 是′5 図
した実施例の工程を示す工程図、第2図は半導体発光素
子の一例の側断面図、第3図はその製造の従来の工程を
示す工程図、である。 図において、 1は基板、 4aは活性領域、 6はコンタクト層、 7は半導体基体、 8.9は電極、 8aはTi層、 8bはpt層、 8cは10層、である。 本発明)施争1ぐ114図 金光素千例司1す酢面
図第 1 図 第 ? 図 惺釆例ty>Lネ艮図 是′5 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体基体(7)表面上に該表面側からチタン、白
金、金の順の三層構成でなるオーミック電極(8)を形
成するに際して、オーミックコンタクトをとったチタン
層(8a)、白金層(8b)の二層を形成した後に金層
(8c)を形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 2)上記半導体基体(7)表面がp型インジウムガリウ
ム砒素燐のコンタクト層(6)よりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60092500A JPS61251184A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60092500A JPS61251184A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61251184A true JPS61251184A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14056024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60092500A Pending JPS61251184A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61251184A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100496369B1 (ko) * | 1996-07-24 | 2005-09-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 오믹전극및반도체소자 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60092500A patent/JPS61251184A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100496369B1 (ko) * | 1996-07-24 | 2005-09-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 오믹전극및반도체소자 |
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