JPS61251184A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS61251184A
JPS61251184A JP60092500A JP9250085A JPS61251184A JP S61251184 A JPS61251184 A JP S61251184A JP 60092500 A JP60092500 A JP 60092500A JP 9250085 A JP9250085 A JP 9250085A JP S61251184 A JPS61251184 A JP S61251184A
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JP
Japan
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layer
electrode
forming
layers
ohmic
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JP60092500A
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Minoru Ikeda
稔 池田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体発光素子などのコンタクト層上に設けるチタン、
白金、金の三層構成でなるオーミック電極の形成におい
て、 オーミックコンタクトをとったチタン、白金の二層を形
成した後に金層を形成することにより、製造工程中の加
熱による上記金の拡散を除去して、当該半導体装置の信
頼性を向上させたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、発光素
子などの電極の製造方法に関す。
半導体発光素子即ち半導体レーザや発光ダイオード(L
ED)は、光を媒体にして多量の情報を扱う光通信や情
報処理の光信号源として多用されるようになってきて、
長期の使用に耐えられるよう信頼性の高いことが望まれ
ている。
第2図は半導体発光素子の一例であるVSBレーザ(V
−Grooved 5ubstrate Buried
 Hetcrostruc−ture La5er)の
側断面図である。
同図に示すレーザは、ウェーハ状態のn型インジウム燐
(InP)基板1上にp型1nP層2を堆積し、活性領
域を形成する位置にV型の溝を形成した後、n型InP
層3.3a、n型インジウムガリウム砒素燐(InGa
AsP)層4.4a (4aが活性領域となる)、p型
1nPff15、コンタクト層となるp型InGaAs
P層6を順次堆積して半導体基体7が形成され、しかる
後、コンタクト層6上にチタン(Ti)層8a、白金(
P t)層8b、金(Au)層8a三層構成の電極8、
また基板1の裏面上に金・ゲルマニウム・ニッケル(A
ll−Ge−Ni)合金の電極9が形成され、共振器を
形成する襞間がなされてなっている。
ここで、電極8と9はオーミックコンタクトをとる必要
がある。このため特に活性領域4aに近い電極8におい
ては、コンタクト層6に不純物濃度を高くすることが出
来るInGaAsPを使用し、これにTi1W8aが接
するようにしであるが、電極8の形成はレーザの信頼性
を阻害しないようにすることが重要である。
この事情は他の半導体レーザやLEDにおいても同様で
ある。
〔従来の技術〕
第3図は第2図図示レーザの製造の従来の工程を特に電
極8.9の形成を中心に示す工程図である。
即ち、半導体部7の形成の後、電極8の形成、次いで電
極9の形成を行って、襞間工程に移行している。
電極8の形成は、コンタクト層6上に電子ビーム蒸着に
より74層8a (厚さ約1000人)とpt層8b 
(厚さ約1000人)とを順次被着し、その上に通常の
電解めっきによりAu層8c (厚さ約3μm)を被着
した後、コンタクト層6との間のオーミックコンタクト
をとる(オーミック化する)ため、電気炉中で例えば4
30℃、30分の熱処理を行って完了する。
電極9の形成は、基板1の裏面に通常の蒸着によりAu
−Ge−Ni合金(厚さ約2000人)を被着した後、
例えば380℃、1分の熱処理によりオーミック化して
完了する。
なお、電極8はコンタクト層6を保護するので、その形
成を電極9形成より先行させている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記工程により製造された第2図図示のレーザは、電極
8の形成における上記熱処理の際に、非晶質と多結晶の
混合状態になっていた74層8aとpt層8bの結晶化
カミ進み、Au層8cのAuがその間隙を縫って半導体
部7に侵入拡散して活性領域4aに達するため、素子特
性が劣化して信頼性が低下する。
また、電極9の形成における熱処理も上記拡散を増大さ
せる。
なお、電極9の形成における熱処理の際に電極9に含ま
れるAuの拡散が存在するが、この拡散領域は十分に厚
い基板1の内部に留まるので問題にならない。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明の方法を第2図図示レーザの製造に適用
した実施例の工程を示す工程図である。
上記問題点は、第1図に示すように、コンタクト層6上
にオーミック化したTi層8aI!:Pt眉8bの二層
を形成した後にAu層8cを形成する本発明の製造方法
によって解決される。
この際のAu層8cの形成は、ウェーハプロセスにおけ
る熱処理を含む他の工程例えば電極9の形成工程が済ん
だ後に行うのが望ましい。
〔作用〕
上記方法では、電極8を構成するAu層8Gの被着工程
を独立させてAuを甚だしく拡散させる熱処理を済まし
た後の工程に配装置しであるので、問題のAu拡散なし
にオーミック化された電極8が形成される。
かくして活性領域4a (第2図図示)に対するAuの
侵入を除去出来て、素子の信頼性を向上させることが出
来る。
〔実施例〕 以下に第1図を用い第2図図示レーザの製造の実施例特
に電極8の形成について説明する。
電極8の形成は従来と同様に半導体基体7の形成の後に
行うが、Au層8cの被着工程を独立させ電極9の形成
工程と襞間工程との間に配置している点が従来との相違
点である。
即ち、半導体7の形成の後、従来と同様にコンタクト層
6上に電子ビーム蒸着によりTi層8a (厚さ約10
00人)とpt層8b (厚さ約1000人)とを順次
被着する。次いでコンタクト層6との間をオーミック化
するため、電気炉中で例えば430℃、30分の熱処理
を行う。
この工程は、電子ビーム蒸着の際に半導体部7を例えば
450℃に加熱しておくことにより、同時にオーミック
化させて電気炉による熱処理を省略することも出来る。
なお、電極8のコンタクト層6に接する部分の材料をT
iにし、コンタクト層6の材料をInGaAsPにする
のは、オーミック化のための相性が良いためである。
次ぎに、従来と同様な方法により、基板1の裏面上に電
極9を形成する。
この後、PtJ’iBb上に通常の電解めっきによりA
u層8c (厚さ約3μm)を被着して電極8の形成を
完了する。
この後は、共振器を形成する襞間を行って所望のレーザ
を完成する。
このレーザは活性領域4a (第2図図示)に^Uが存
在せず信頼性が従来より優れていることは先に説明した
通りである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の構成によれば、Ti−P
t−Au三層構成のオーミック電極形成においてAuの
拡散を除去出来る形成方法が提供されて、信頼性の高い
半導体発光素子の提供を可能にさせる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を第2図図示レーザの製造に通用
した実施例の工程を示す工程図、第2図は半導体発光素
子の一例の側断面図、第3図はその製造の従来の工程を
示す工程図、である。 図において、 1は基板、 4aは活性領域、 6はコンタクト層、 7は半導体基体、 8.9は電極、 8aはTi層、 8bはpt層、 8cは10層、である。 本発明)施争1ぐ114図   金光素千例司1す酢面
図第 1 図      第 ? 図 惺釆例ty>Lネ艮図 是′5 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)半導体基体(7)表面上に該表面側からチタン、白
    金、金の順の三層構成でなるオーミック電極(8)を形
    成するに際して、オーミックコンタクトをとったチタン
    層(8a)、白金層(8b)の二層を形成した後に金層
    (8c)を形成することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。 2)上記半導体基体(7)表面がp型インジウムガリウ
    ム砒素燐のコンタクト層(6)よりなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の製造方法。
JP60092500A 1985-04-30 1985-04-30 半導体装置の製造方法 Pending JPS61251184A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496369B1 (ko) * 1996-07-24 2005-09-08 소니 가부시끼 가이샤 오믹전극및반도체소자

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496369B1 (ko) * 1996-07-24 2005-09-08 소니 가부시끼 가이샤 오믹전극및반도체소자

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