JPS6189628A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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Publication number
JPS6189628A
JPS6189628A JP21166884A JP21166884A JPS6189628A JP S6189628 A JPS6189628 A JP S6189628A JP 21166884 A JP21166884 A JP 21166884A JP 21166884 A JP21166884 A JP 21166884A JP S6189628 A JPS6189628 A JP S6189628A
Authority
JP
Japan
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shutter
discharge
cathode
reaction chamber
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21166884A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihisa Matsuda
彰久 松田
Hideo Tanaka
秀夫 田中
Teruya Suzuki
鈴木　光弥
Toru Sakai
徹 坂井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Seiko Instruments Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology, Seiko Instruments Inc filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP21166884A priority Critical patent/JPS6189628A/ja
Publication of JPS6189628A publication Critical patent/JPS6189628A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 杢＠明は水素化非晶質シリコンなどの模作成に用いる７
”ラズマＣＶＤ装置に関する。
〔便来の技術〕
従来、第２図のようにシャンターのないプラズマＣＶＤ
装置が知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし従来のプラズマ轟装置は、二電極８゜９間にシャ
ンターがないために、放電開始から放電の安定するまで
の間についた膜と、放電が安定した後に付いた喚とでは
嗅質が異なるという欠点があった。なお、８はカソード
電極、９はアノード電極、１０はアースシールド、１１
は反応室、１２はガスの導入孔、１５は排気孔である。
そこで本発明は従来のかかる欠点１ｆＩ：Ｍ決し、均質
な模を得ることを目的とする。
〔・間ｍｔ−解決するための手段〕
上記問題点全解決するため、この発明は、対向する二′
ＩＪＬ極間にシャッターを設け、放電開始から放電の安
定するまでの間は模が炒成されないようにした。
〔作　用〕
上記のように構成されたプラズマＣＶＤ装置（Ｃて、二
電極間に高周敦電圧を加えるとカソード電極とシャ）タ
ーの間で放′１が起こる。この状態のまま放電が安定す
るまで寺ち、放−が十７ｊ−安定して刀）らシャンター
を開けれは膜作成の全行程を通じて均質なｊ漢を得られ
る。
〔央ゐセ゛ｄ〕
以下（・ここの発明の実施例を図面（′？：基づいて説
明する。第１図において１げカソード′−０：極、２は
アノード電１１で二・〕る。５はシャンターであり、反
応室４の外部から自由に開閉することが（支）来る。５
はアースシーツ、レドでカソード電極１と該アースンー
ルド５の曲は真空ギヤングになっている。６はカス樽入
孔、７は排気孔である。また、アノード電極２と７ヤン
ター６の電位は反応室４、アースンールド５及びカソー
ド１とは独立に変化きせることか可能である。
上記のプラズマＣＶＤ装置で水素化非晶質シリコン模を
作成する時は、予めアノード″θ−毬２の上に基板’ｅ
　ｔ＝：　ｉ心しておき、次ＶＣガス導入孔６から一定
流血のシランガス（ｓｉＨ４）ｋ導入する。同時；ｌｃ
併気孔７全ａ　して排気を行い反応室４の内部の圧力を
一定に保つ。然る後、Ｖこアノード電極２とシャンク−
５を同′礒位にし、欠Ｖこカソード′亀惟１とンヤンタ
ー５の間に晶周彼電圧を印加するとカノード電物１とン
ヤンタ−６の間でシランガスの枚篭分ｐｙ４が行なわれ
る。第６図は放電開始［亘後から時間金遣ってＳ　ｉ　
Ｈ＊ラジカルの発光強度金的３ｉ１ｉしたものでめるが
、これによｒｔば放ｔＥは放電開始後数十秒で十分安定
することが判る。従って、シランガスの放電数十秒後に
シャンター５を開け、放′４全カンード直極１とアノー
ド′曲極２の間で行なわせるようにすれば基板には安定
な放電による水素化非晶質シリコン１模のみが堆積する
。才だ、放電しにくい条件で放心させようとすると、カ
ソード′直極１に宣周阪′【ば圧を加えても放′イが起
きないことがある。そのような場合シャンター６に瞬間
的に高′鴫圧（数ＫＶ）ｉ加えるとそれが引き金になっ
てカソード１と７ヤンター３の間で放電がｔｉｉ−１始
される。
以上の説明は水素化非晶質シリコン俣を作成する場合を
想定して行ったが、使用するガスの５（里；１及び放ｄ
条件金変えることにより二酸化シリコン模、窒化シリコ
ン模等を作成する際も前記ンヤンタ−６は有効である。
〔発明の効果〕
不発明は以上説明したように、二電極間に電圧印７ＪＯ
町牝なシャンターを設けたという簡単な構造き て均質な襖が作成で（、さらに放電の起こりにくい条件
下でも該シャンターは放＝Ｗ生ぜせしめる引さ雀になシ
得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は不発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の断面図、
第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、；４３図
は５１１１（発光強度の時間変化を示す凶である。 １・・・・・・カソード電極　　２・・・・・・アノー
ド電極６・・・・・・シャッター　　　４・・・・・・
反応室５・・・・・・アースシーツド 以　　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　反応室と該反応室内に設けられた対向する二電極と該
    二電極のうち一方の電極を囲むように設けられたアース
    シールドとからなるプラズマＣＶＤ装置において、前記
    二電極間に電圧印加可能なシャッターを設けたことを特
    徴とするプラズマＣＶＤ装置。
JP21166884A 1984-10-09 1984-10-09 プラズマｃｖｄ装置 Pending JPS6189628A (ja)

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JP21166884A JPS6189628A (ja) 1984-10-09 1984-10-09 プラズマｃｖｄ装置

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JP21166884A JPS6189628A (ja) 1984-10-09 1984-10-09 プラズマｃｖｄ装置

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JPS6189628A true JPS6189628A (ja) 1986-05-07

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01243413A (ja) * 1988-03-24 1989-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成装置
JP2011222991A (ja) * 2010-03-25 2011-11-04 Toray Ind Inc プラズマｃｖｄ装置及び薄膜基板の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5767938A (en) * 1980-10-16 1982-04-24 Canon Inc Production of photoconductive member
JPS5833256A (ja) * 1982-05-10 1983-02-26 Canon Inc 光導電部材

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