JPS6189288A - スメクチツク液晶表示装置 - Google Patents
スメクチツク液晶表示装置Info
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- JPS6189288A JPS6189288A JP21053984A JP21053984A JPS6189288A JP S6189288 A JPS6189288 A JP S6189288A JP 21053984 A JP21053984 A JP 21053984A JP 21053984 A JP21053984 A JP 21053984A JP S6189288 A JPS6189288 A JP S6189288A
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- Japan
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- liquid crystal
- smectic
- display device
- phase
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は液晶表示装置に係シ、更に詳しくはスメクチッ
ク中間相を有する物質の熱電気光学効果によシ、画像を
書込み又は消去するようにしたディスプレイ装置に関す
る。
ク中間相を有する物質の熱電気光学効果によシ、画像を
書込み又は消去するようにしたディスプレイ装置に関す
る。
近年、情報の多様化に伴い高精細で大面積の表示方式が
期待される液晶表示装置には、スメクチック液晶が光散
乱現象を有する熱電気光学効果を利用した表示方式が注
目されている。例えば、特開昭５１−１０８５２９号や
特公昭５３−２７６２１号各明細書に示されるごとく、
液晶層の当該部分を加熱することによシ、スメクチック
相から等方性の液相に変化させると、引続き急゛激な冷
却によシ、当該部分に光学的散乱状態が生ずる。一方、
加熱されなかった部分は、一様な整列構造が保持され、
液晶層は透明のままである。このように、透明な基体に
散乱点を形成することで画像の書込みが行われる。
期待される液晶表示装置には、スメクチック液晶が光散
乱現象を有する熱電気光学効果を利用した表示方式が注
目されている。例えば、特開昭５１−１０８５２９号や
特公昭５３−２７６２１号各明細書に示されるごとく、
液晶層の当該部分を加熱することによシ、スメクチック
相から等方性の液相に変化させると、引続き急゛激な冷
却によシ、当該部分に光学的散乱状態が生ずる。一方、
加熱されなかった部分は、一様な整列構造が保持され、
液晶層は透明のままである。このように、透明な基体に
散乱点を形成することで画像の書込みが行われる。
更に、記録した画像の一部を選択的に消去することも以
下のようにして行われる。すなわち、スメクチック相か
ら等方性相に加熱された液晶相に一定以上の電界を印加
すると、配列されたスメクチック相に戻シ透明状態とな
る。散乱構造のスメクチック相から、整列構造のスメク
チック相への移行は、加熱することなく上記電界より更
に大きな電界を印加することによって達成することが可
能である。
下のようにして行われる。すなわち、スメクチック相か
ら等方性相に加熱された液晶相に一定以上の電界を印加
すると、配列されたスメクチック相に戻シ透明状態とな
る。散乱構造のスメクチック相から、整列構造のスメク
チック相への移行は、加熱することなく上記電界より更
に大きな電界を印加することによって達成することが可
能である。
ところで、散乱構造のスメクチック相から、整列構造の
スメクチック相へ移行させる印加電界の大きさは、回路
設計上重要な位置を占めており、液晶駆動回路に使用で
きる大規模集積回路の耐圧との関係上、信号側駆動電圧
（書込み電圧： Ｖ、 ） と走査側駆動電圧（書込
みエネルギー：Ｊ）を低減することが困難であった。こ
の原因は、これまで正の誘電率異方性（６ｍ）が大きく
て、かつ液晶上限温度（ＴＩ、工）が低くなる両者の特
性を同時に満足する良好なスメクチック液晶組成物がな
かったことである。
スメクチック相へ移行させる印加電界の大きさは、回路
設計上重要な位置を占めており、液晶駆動回路に使用で
きる大規模集積回路の耐圧との関係上、信号側駆動電圧
（書込み電圧： Ｖ、 ） と走査側駆動電圧（書込
みエネルギー：Ｊ）を低減することが困難であった。こ
の原因は、これまで正の誘電率異方性（６ｍ）が大きく
て、かつ液晶上限温度（ＴＩ、工）が低くなる両者の特
性を同時に満足する良好なスメクチック液晶組成物がな
かったことである。
本発明の目的は、誘電率異方性（Δε）の絶対値を大き
く保持したまま液晶上限温度（ＴＩ工）を低くするとと
が可能な液晶組成物を用いて、汎用の大規模集積回路で
駆動可能なスメクチック液晶表示装置を提供することで
ある。
く保持したまま液晶上限温度（ＴＩ工）を低くするとと
が可能な液晶組成物を用いて、汎用の大規模集積回路で
駆動可能なスメクチック液晶表示装置を提供することで
ある。
本発明を概説すれば、本発明はスメクチック液晶表示装
−に関する発明であって、一定の温度領域でスメクチッ
ク中間相を示す液晶層で、熱光学効果によって画像の書
込み又は消去を行う液晶□表示装置において、該液晶層
が、下記一般式１： ゛ （式中Ｒは炭素数５〜１０個のアルキル基を示し、Ｚ
Ｆｉ’−ＯＨ基又は−Ｎｏ、基を示す）で表°されるア
シルオキシ化合物を含む液晶組成物を包含するものでち
ることを特徴とする。
−に関する発明であって、一定の温度領域でスメクチッ
ク中間相を示す液晶層で、熱光学効果によって画像の書
込み又は消去を行う液晶□表示装置において、該液晶層
が、下記一般式１： ゛ （式中Ｒは炭素数５〜１０個のアルキル基を示し、Ｚ
Ｆｉ’−ＯＨ基又は−Ｎｏ、基を示す）で表°されるア
シルオキシ化合物を含む液晶組成物を包含するものでち
ることを特徴とする。
本発明においては、一定の温度領域でスメクチック中間
相を示す液晶層中に、熱光学効果によって光散乱ドメイ
ンを形成して画像の書込みを行う液晶表示装置において
、正の誘電率異方性（６ｇ）を示し、かつ１△１１の大
きな液晶組成物の作シ方としては、次の方法が考えられ
る。
相を示す液晶層中に、熱光学効果によって光散乱ドメイ
ンを形成して画像の書込みを行う液晶表示装置において
、正の誘電率異方性（６ｇ）を示し、かつ１△１１の大
きな液晶組成物の作シ方としては、次の方法が考えられ
る。
（１）誘電率異方性（、ΔＩ）が正で、かつ１△Ｊ１の
大きな液晶化合物を成分として混合する。
大きな液晶化合物を成分として混合する。
（■）１△ε１を大きく保持可能な非液晶性化合物を混
合する。
合する。
従来は、（Ｉ）の方法が主であった。今までに１知られ
ているスメクチック化合物としては、数少ないが例えば
下記に一般式で示すような液晶性化合物がある。
ているスメクチック化合物としては、数少ないが例えば
下記に一般式で示すような液晶性化合物がある。
（Ｒはアルキル基を示す）
１．２等の化合物は、誘電率異方性の絶対値を大きくで
きない欠点がある。また３〜５等の化合物は、分子量が
大きいので液晶上限温度が高くなってしまう欠点がある
。そのため、誘電率異方性の絶対値を大きく保持したま
ま液晶上限温度を低くすることができ力かつ帛。
きない欠点がある。また３〜５等の化合物は、分子量が
大きいので液晶上限温度が高くなってしまう欠点がある
。そのため、誘電率異方性の絶対値を大きく保持したま
ま液晶上限温度を低くすることができ力かつ帛。
他方、（ＩＩ）の方法については、今まで余り報告がな
されていない。その理由の一つとしては、通常液晶物質
に非液晶物質を混合すれば、誘電率異方性は大きく低下
し、更に液晶上限温度の低下と共に液晶下限温度も大幅
に高くなり、液晶相を示す一定の温度範囲を得ることは
困難であるためである。
されていない。その理由の一つとしては、通常液晶物質
に非液晶物質を混合すれば、誘電率異方性は大きく低下
し、更に液晶上限温度の低下と共に液晶下限温度も大幅
に高くなり、液晶相を示す一定の温度範囲を得ることは
困難であるためである。
そこで、本発明者らは散乱構造のスメクチック相から整
列構造のスメクチック相へ移行するべく印加する信号電
圧（以下、書込み電圧：ｖＷという）及び走査電圧（以
下、書込みエネルギー：Ｊという）を低減すべく液晶材
料の物性値との関係を検討した。
列構造のスメクチック相へ移行するべく印加する信号電
圧（以下、書込み電圧：ｖＷという）及び走査電圧（以
下、書込みエネルギー：Ｊという）を低減すべく液晶材
料の物性値との関係を検討した。
それを、第１図及び第２図に示す。すなわち、第１図は
書込み電圧： ｖ、（Ｖ） （縦軸）と誘電率異方性：
△−（２５℃）（横軸）との関係を示すグラフであり、
第２図は最適書込みエネルギー ： 、Ｔ （、Ｊ）
（縦軸）と液晶上限温度：Ｔ、工（℃）との関係を示す
グラフである。
書込み電圧： ｖ、（Ｖ） （縦軸）と誘電率異方性：
△−（２５℃）（横軸）との関係を示すグラフであり、
第２図は最適書込みエネルギー ： 、Ｔ （、Ｊ）
（縦軸）と液晶上限温度：Ｔ、工（℃）との関係を示す
グラフである。
その結果、書込み電圧：ＶＷＩｃついては、第１図に示
すように誘電率異方性（Δ１）を大きく、書込みエネル
ギー：Ｊについては第２図に示すように液晶上限温度（
ＴＬ工）を低くすれば良い傾向にあることが分った。し
たがって、誘電率異方性（Δ１）が大きくて、かつ液晶
上限温度（Ｔ１工）が低くなる液晶組成物を鋭意検討し
た結果、ある種の液晶組成物を用いると達成可能なこと
が分り、本発明に至った。
すように誘電率異方性（Δ１）を大きく、書込みエネル
ギー：Ｊについては第２図に示すように液晶上限温度（
ＴＬ工）を低くすれば良い傾向にあることが分った。し
たがって、誘電率異方性（Δ１）が大きくて、かつ液晶
上限温度（Ｔ１工）が低くなる液晶組成物を鋭意検討し
た結果、ある種の液晶組成物を用いると達成可能なこと
が分り、本発明に至った。
本発明者らは置換基の一方にもエステル基と同様な効果
を示すアシルオキシ基（ｘｃｏｏ−）を設け、かつスメ
クチック液晶性を示しやすくするために炭素数の比較的
大きい下記一般式１にに示すアシルオキシ化合物 （Ｒは０５〜Ｃ１ののアルキル基、２は−ＯＮ基又は−
Ｎｏ、基を示す）を通常の方法で簡単に合成し検討を行
った。その結果、誘電率異方性（ΔＣ）が大きくて、か
つ液晶上限温度の高い液晶化合物に混合することによシ
、１△−の大きさを低下させることなく、液晶上限温度
を少量添加で大きく低下させ、かつ液晶下限温度も従来
の知見とは異なり、低下させる組成物が得られることが
分った。このように従来の知見と異なる理由の一つは、
単環であっても置換基に比較的炭素数の大きいアシルオ
キシ基（ＲＯＯＯ−’ｌを用いているので、液晶相は確
認されないまでも潜在的に通常の液晶化合物と同様な効
果を示す性質が発現されるものと推定される。
を示すアシルオキシ基（ｘｃｏｏ−）を設け、かつスメ
クチック液晶性を示しやすくするために炭素数の比較的
大きい下記一般式１にに示すアシルオキシ化合物 （Ｒは０５〜Ｃ１ののアルキル基、２は−ＯＮ基又は−
Ｎｏ、基を示す）を通常の方法で簡単に合成し検討を行
った。その結果、誘電率異方性（ΔＣ）が大きくて、か
つ液晶上限温度の高い液晶化合物に混合することによシ
、１△−の大きさを低下させることなく、液晶上限温度
を少量添加で大きく低下させ、かつ液晶下限温度も従来
の知見とは異なり、低下させる組成物が得られることが
分った。このように従来の知見と異なる理由の一つは、
単環であっても置換基に比較的炭素数の大きいアシルオ
キシ基（ＲＯＯＯ−’ｌを用いているので、液晶相は確
認されないまでも潜在的に通常の液晶化合物と同様な効
果を示す性質が発現されるものと推定される。
したがって、アシルオキシ化合物を併用することにより
誘電率異方性（△ｊ）の絶対値を大きく保持したま″１
．液晶上限温度（ＴＴＪＩ）及び液晶下限温度も低くす
ることができる液晶組成物を容易に得られることが分っ
たので、それを用いて、汎用の大規模集積回路で駆動す
るスメクチック液晶表示装置を実現することが可能であ
る。
誘電率異方性（△ｊ）の絶対値を大きく保持したま″１
．液晶上限温度（ＴＴＪＩ）及び液晶下限温度も低くす
ることができる液晶組成物を容易に得られることが分っ
たので、それを用いて、汎用の大規模集積回路で駆動す
るスメクチック液晶表示装置を実現することが可能であ
る。
次にこの化合物の合成法を簡単に述べる。
（Ｒｃｏｏ（）ｚ の合成）
（式中Ｒは炭素数５〜１０個のアルキル基をし、２は一
〇Ｎ基又は−Ｎｏ、基を示す）ＨｃＯＣ２（７）酸塩化
物、！： ＨＯ＠Ｃ！Ｎ ヲヘ７ セフ −ピリジン混
液のような塩基の作用により縮合させて反応させる。反
応終了後、反応物は氷冷して水に注ぎ出し、水層を分離
しピリジン塩を洗浄する。次いで、不活性溶媒を留出後
蒸留精製を行いＲＣ００＋ＣＭを得る。
〇Ｎ基又は−Ｎｏ、基を示す）ＨｃＯＣ２（７）酸塩化
物、！： ＨＯ＠Ｃ！Ｎ ヲヘ７ セフ −ピリジン混
液のような塩基の作用により縮合させて反応させる。反
応終了後、反応物は氷冷して水に注ぎ出し、水層を分離
しピリジン塩を洗浄する。次いで、不活性溶媒を留出後
蒸留精製を行いＲＣ００＋ＣＭを得る。
上記において、Ｈ０（Ｘ（！ Ｈの代りに、Ｒｃ ｏ
ｏ＋ｎ ｏ、 を得る。
ｏ＋ｎ ｏ、 を得る。
本発明によれば、整列構造のスメクチック相から、散乱
構造のスメクチック相に移行させるべく印加する電界の
書込み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を低減で
きるだけでなく、表示装置の重要な特性の一つであるコ
ントラスト比を向上させることもできる。更に、液晶表
示装置の液晶層に二色性色素を添加することも可能であ
シ、また、レーザ光を効率よく吸収するために、近赤外
線吸収色素等を添加することも可能である。その他、ス
メクチック液晶表示装置の液晶層に、一般に添加される
物質はいずれも用いることができる。
構造のスメクチック相に移行させるべく印加する電界の
書込み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を低減で
きるだけでなく、表示装置の重要な特性の一つであるコ
ントラスト比を向上させることもできる。更に、液晶表
示装置の液晶層に二色性色素を添加することも可能であ
シ、また、レーザ光を効率よく吸収するために、近赤外
線吸収色素等を添加することも可能である。その他、ス
メクチック液晶表示装置の液晶層に、一般に添加される
物質はいずれも用いることができる。
なお、一般式ｌにおいて、炭素数が５未満の時は、液晶
組成物がネマチック層となシ、他方、炭素数が１０よシ
多い場合には所期の効果を得ることができない。
組成物がネマチック層となシ、他方、炭素数が１０よシ
多い場合には所期の効果を得ることができない。
また、本発明における液晶組成物は、前記一般式！で表
されるアシルオキシ化物と、下記一般式■： （式中Ｒ１は炭素数５〜１０個のアルキル基を示し ｚ
ｌは−ＣＭ基又は−Ｎｏ、基を示す）で表される化合物
及び下記一般式■ （式中Ｈ２は炭素数８〜１２個のアルキル基を示す）で
表される化合物とを含むものであってよい。
されるアシルオキシ化物と、下記一般式■： （式中Ｒ１は炭素数５〜１０個のアルキル基を示し ｚ
ｌは−ＣＭ基又は−Ｎｏ、基を示す）で表される化合物
及び下記一般式■ （式中Ｈ２は炭素数８〜１２個のアルキル基を示す）で
表される化合物とを含むものであってよい。
更にまた、本発明における液晶組成物が、該一般式１で
表されるアシルオキシ化合物、該一般式■及び■で表さ
れる各化合物及び下記一般式■： （式中ＲＪは炭素数５〜１０個のアルキル基を示す）で
表される化合物を含むものであってもよい。
表されるアシルオキシ化合物、該一般式■及び■で表さ
れる各化合物及び下記一般式■： （式中ＲＪは炭素数５〜１０個のアルキル基を示す）で
表される化合物を含むものであってもよい。
〔発明の実施例〕 □
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されな ゛い。
本発明はこれら実施例に限定されな ゛い。
なお、第３図は、液晶素子の１例の概略図である。第３
図中の符号１及び１′はガラス基板、２は加熱電極（Ｃ
ｒ）、３は透明電極（工Ｔｏ ）、４は配向制御膜、５
はスメクチック液晶、６はシール剤（エポキシ樹脂）そ
して７は交流電源を示す。
図中の符号１及び１′はガラス基板、２は加熱電極（Ｃ
ｒ）、３は透明電極（工Ｔｏ ）、４は配向制御膜、５
はスメクチック液晶、６はシール剤（エポキシ樹脂）そ
して７は交流電源を示す。
また、各側に訃ける部は重量部を意味する。
実施例１
合成した４−ノｆノイルオキシシアノベンゼン（ｃ、ｎ
、、ｃｏｏ＋ＯＮ ） ５部、４−ノナノイルオキシ安
息香ｆｌｌ −ａ’−二トΩフェニルエステル１９部、
４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−二トロフェニル
エステル１９部、及び４−オクチル−４１−シアノビフ
ェニル（ＢＤＨ社製スメクチック液晶に−２４）５７部
を配合し、振とう器を扇いて均一になるまで加熱しなか
らふシまぜた。得られた液晶組成物は、１０℃で結晶相
からスメクチック相に相転移し、３９℃“でスメクチッ
ク相からネマチック層に、更に４１℃で等方性相に相転
移した。また、誘電率異方性（６ｍ）を測定した結果１
１．１ （２５℃）であった。
、、ｃｏｏ＋ＯＮ ） ５部、４−ノナノイルオキシ安
息香ｆｌｌ −ａ’−二トΩフェニルエステル１９部、
４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−二トロフェニル
エステル１９部、及び４−オクチル−４１−シアノビフ
ェニル（ＢＤＨ社製スメクチック液晶に−２４）５７部
を配合し、振とう器を扇いて均一になるまで加熱しなか
らふシまぜた。得られた液晶組成物は、１０℃で結晶相
からスメクチック相に相転移し、３９℃“でスメクチッ
ク相からネマチック層に、更に４１℃で等方性相に相転
移した。また、誘電率異方性（６ｍ）を測定した結果１
１．１ （２５℃）であった。
次に、第３図のように片面ＫＣｒ製加熱電極２を形成し
たガラス基板１、片面には、液晶層に電界をかけるだめ
の透明電極５を形成したガラス基板１′を用いて、液晶
層厚１２μｍの素子を作製した。配向声制御膜４は、パ
ーフルオロアルキルアルコキシシラン、シラノールオリ
ゴマー及びポリエーテルアミドを配向して８０ ｎｍの
厚さに塗布した。シール剤６には、液晶層厚をコントロ
ールするためのガラスファイバーを混合したエポキシ樹
脂を用いた。２枚のガラス基板の間に、前記で調製した
液晶組成物を封入した。
たガラス基板１、片面には、液晶層に電界をかけるだめ
の透明電極５を形成したガラス基板１′を用いて、液晶
層厚１２μｍの素子を作製した。配向声制御膜４は、パ
ーフルオロアルキルアルコキシシラン、シラノールオリ
ゴマー及びポリエーテルアミドを配向して８０ ｎｍの
厚さに塗布した。シール剤６には、液晶層厚をコントロ
ールするためのガラスファイバーを混合したエポキシ樹
脂を用いた。２枚のガラス基板の間に、前記で調製した
液晶組成物を封入した。
更に、通常の光学測定系を用いて液晶層の光散乱状態を
測定した。第３図に示す加熱電極２に直流電流を１０ミ
リ秒間通し、液晶層を加熱した後の反射光強度を求めた
。次に直流電流に引続き加熱電極２と透明電極３の間に
電圧を印加し、透明状態を形成するのに要する電圧を求
めた。その書込み電圧（ＶＷ）は透明状態と光散乱状態
の反射光強度の比が最大になるような書込みエネルギー
（Ｊ）を液晶に加えたときの飽和電圧とした。その結果
を下記に示す。
測定した。第３図に示す加熱電極２に直流電流を１０ミ
リ秒間通し、液晶層を加熱した後の反射光強度を求めた
。次に直流電流に引続き加熱電極２と透明電極３の間に
電圧を印加し、透明状態を形成するのに要する電圧を求
めた。その書込み電圧（ＶＷ）は透明状態と光散乱状態
の反射光強度の比が最大になるような書込みエネルギー
（Ｊ）を液晶に加えたときの飽和電圧とした。その結果
を下記に示す。
Ｖ、：１４Ｖ
Ｊ：１２０ｍ、Ｔ
実施例２
合成した４−ノナノイルオキシシアノベンゼン（ＣＨＨ
ｙＣＯＯ＋ＯＮ ） １０部、４−ノナノイルオキシ
安息香ｆｍ −ａ’−二トロフェニルエステル２０部、
４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−゛ニトロフェニ
ルエステル２０部、４−デカノイルオキシ安息香Ｍ −
４’−シアノフェニルエステル１０部、及び４−オクチ
ル−４′−シアノビフェニル（ＢＤＨ社製スメクチック
液晶に−２４）４０部を配合し、振とう器を用いて均一
になるまで加熱しながらふりまぜた。得られた液晶組成
物は、５℃で結晶相からスメクチック相に相転移し、３
７℃でスメクチック相からネマチック相に、更に４０℃
で等方性相に相転移した。
ｙＣＯＯ＋ＯＮ ） １０部、４−ノナノイルオキシ
安息香ｆｍ −ａ’−二トロフェニルエステル２０部、
４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−゛ニトロフェニ
ルエステル２０部、４−デカノイルオキシ安息香Ｍ −
４’−シアノフェニルエステル１０部、及び４−オクチ
ル−４′−シアノビフェニル（ＢＤＨ社製スメクチック
液晶に−２４）４０部を配合し、振とう器を用いて均一
になるまで加熱しながらふりまぜた。得られた液晶組成
物は、５℃で結晶相からスメクチック相に相転移し、３
７℃でスメクチック相からネマチック相に、更に４０℃
で等方性相に相転移した。
また、誘電率異方性（Δｅ）を測定した結果１２．３（
２５℃）であった。
２５℃）であった。
４ 次に、実施例１と同様の方法で液晶セルを作製し、
書込み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定し
た。その結果を下記に示す。
書込み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定し
た。その結果を下記に示す。
Ｖ、：１２Ｖ
Ｊ：１１０ｍ、Ｔ
実施例３
合成した４−ノナノイルオキシニトロベンゼン（Ｃ，Ｈ
菖７Ｃ００＋ＮＯ：）５部、４−ノナノイルオキシ安息
香酸−４′−二トロフェニルエステル２０部、４−デカ
ノイルオキシ安息香酸−４′−ニトロフェニルエステル
２０部、及び４−オクチル−４′−シアノビフェニル（
ＢＤＨ社製スメクチック液晶に−２４）５５部を配合し
、振とう器を用いて均一にな息まで加熱しながらふりま
ぜた。得られた液晶組成物は、１２℃で結晶相からスメ
クチック相に相転移し、３８℃でスメクチック相からネ
マチック相に、更に４０℃で □等方性相に相転
移した。また誘電率異方性（△感）を測定した結果１１
．３ （２５℃）であった。
菖７Ｃ００＋ＮＯ：）５部、４−ノナノイルオキシ安息
香酸−４′−二トロフェニルエステル２０部、４−デカ
ノイルオキシ安息香酸−４′−ニトロフェニルエステル
２０部、及び４−オクチル−４′−シアノビフェニル（
ＢＤＨ社製スメクチック液晶に−２４）５５部を配合し
、振とう器を用いて均一にな息まで加熱しながらふりま
ぜた。得られた液晶組成物は、１２℃で結晶相からスメ
クチック相に相転移し、３８℃でスメクチック相からネ
マチック相に、更に４０℃で □等方性相に相転
移した。また誘電率異方性（△感）を測定した結果１１
．３ （２５℃）であった。
次に、実施例１と同様の方法で液晶セルを作製し、吉込
み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。
み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。
その結果を下記に示す。
Ｖ、：１５Ｖ
Ｊ：１１０ｍＪ
実施例４
合成した４−ノナノイルオキシシアノベンゼン（ｃ８ａ
、７ｃｏｏ＄ｃｕ ） １部部、４−ノナノイルオキ
シ安息香ｍ −ａ’−ニトロフェニルエステル２０部、
４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−二トロフェニル
エステル２０部、及び４−オクチル−４′−シアノビフ
ェニル４０部、４−シアノ−４′−オクチルアミノビフ
ェニル１０部を配合し、振とう器を用いて均一になるま
で加熱しなからふシまぜた。得られた液晶組成物は１０
℃で結晶相からスメクチック相に相転移し、４０℃でス
メクチック相からネマチック相に、更に４５℃で等方性
相に相転移した。また、誘電率異方性（△ε）を測定し
た結果１４．２ （２５℃）であった。
、７ｃｏｏ＄ｃｕ ） １部部、４−ノナノイルオキ
シ安息香ｍ −ａ’−ニトロフェニルエステル２０部、
４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−二トロフェニル
エステル２０部、及び４−オクチル−４′−シアノビフ
ェニル４０部、４−シアノ−４′−オクチルアミノビフ
ェニル１０部を配合し、振とう器を用いて均一になるま
で加熱しなからふシまぜた。得られた液晶組成物は１０
℃で結晶相からスメクチック相に相転移し、４０℃でス
メクチック相からネマチック相に、更に４５℃で等方性
相に相転移した。また、誘電率異方性（△ε）を測定し
た結果１４．２ （２５℃）であった。
次に、実施例１と同様の方法で液晶セルを作製し、書込
み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。
み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。
その結果を下記に示す。
ＶＷ： ａＶ
Ｊ：１４０ｍＪ
実施例５
合成した４−オクタノイルオキシシアノベンゼ：ｙ （
０，Ｈ，、Ｃｏｏ＋ＯＮ ） １５部、４−ノナノイ
ルオキシ安息香酸−４′−ニトロフェニルエステル２０
部、４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−ニトロフェ
ニルエステル２０部、及ヒ４−オクチル−４′−シアノ
ビフェニル５０部、’−シアノー４′−オクチルアミノ
ビフェニル１５部を配合し、振とう器を用いて均一にな
るまで加熱しながらふりまぜた。得られた組成物は８℃
で結晶相からスメクチック相に相転移し、３８℃でスメ
クチック相からネマチック相に、更に４１℃で等方性相
に相転移した。また、誘電率異方性（Δ８）を測定した
結果１４．０ （２５℃）であった。
０，Ｈ，、Ｃｏｏ＋ＯＮ ） １５部、４−ノナノイ
ルオキシ安息香酸−４′−ニトロフェニルエステル２０
部、４−デカノイルオキシ安息香酸−４′−ニトロフェ
ニルエステル２０部、及ヒ４−オクチル−４′−シアノ
ビフェニル５０部、’−シアノー４′−オクチルアミノ
ビフェニル１５部を配合し、振とう器を用いて均一にな
るまで加熱しながらふりまぜた。得られた組成物は８℃
で結晶相からスメクチック相に相転移し、３８℃でスメ
クチック相からネマチック相に、更に４１℃で等方性相
に相転移した。また、誘電率異方性（Δ８）を測定した
結果１４．０ （２５℃）であった。
次に、実施例１と同様の方法で液晶セルを作製し、書込
み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。
み電圧（Ｖ、）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。
その結果を下記に示す。
ＶＷ＝９ｖ
Ｊ：１２０ｍＪ
比較例１
実施例１と同様な液晶セルに、スメクチック液晶の熱光
学効果を利用した液晶表示装置において、一般に用いら
れている、公知のシアノビフェニル系スメクチック液晶
（ＢＤＨ社製５−１）を封入した。８−１組成物は２３
℃で結晶相からスメクチック相に相転移し、４２℃でス
メクチック相からネマチック相に、更に４４℃で等方性
相に相転移した。また、誘電率異方性（Δε）を測定し
た結果７． ｓ （２５℃）であった。
学効果を利用した液晶表示装置において、一般に用いら
れている、公知のシアノビフェニル系スメクチック液晶
（ＢＤＨ社製５−１）を封入した。８−１組成物は２３
℃で結晶相からスメクチック相に相転移し、４２℃でス
メクチック相からネマチック相に、更に４４℃で等方性
相に相転移した。また、誘電率異方性（Δε）を測定し
た結果７． ｓ （２５℃）であった。
実施例１と同様にして、液晶セルを作製し、書込み電圧
（ＶＷ）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。その結
果を下記に示す。
（ＶＷ）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。その結
果を下記に示す。
ｖｗ 二 ２３Ｖ
Ｊ：１５０ｍＪ
比較例２
実施例１と同様な液晶セルに、スメクチック液晶の熱光
学効果を利用した液晶表示装置において一般に用いられ
ている、公知のシアノビフェニル系スメクチック液晶（
ＢＤＨ社製５−５）を封入した。Ｓ−５組成物は２１℃
で結晶相からスメクチック相に相転移し、５４℃でスメ
クチック相からネマチック相に、更に５６℃で等方性相
に相転移した。また、誘電率異方性（△１）を測定した
結果ａ２（２５℃）であった。
学効果を利用した液晶表示装置において一般に用いられ
ている、公知のシアノビフェニル系スメクチック液晶（
ＢＤＨ社製５−５）を封入した。Ｓ−５組成物は２１℃
で結晶相からスメクチック相に相転移し、５４℃でスメ
クチック相からネマチック相に、更に５６℃で等方性相
に相転移した。また、誘電率異方性（△１）を測定した
結果ａ２（２５℃）であった。
実施例１と同様にして、液晶セルを作製し、書込み電圧
（ＶＷ）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。その結
果を下記に示す。
（ＶＷ）と書込みエネルギー（Ｊ）を測定した。その結
果を下記に示す。
ＶＷ ：２２Ｖ
Ｊ ： ２ ３ ０ ｍＪ
〔発明の効果〕
以上、説明したように本発明のアシルオキシ化合物を用
いることにより、誘電率異方性（△砿） ・の絶対値
を大きく保持したまま液晶上限温度（ＴＩ、□）を低く
することができることから、これを用いた液晶組成物で
、汎用の大規模集積回路で駆動するスメクチック液晶表
示装置が可能になる。
いることにより、誘電率異方性（△砿） ・の絶対値
を大きく保持したまま液晶上限温度（ＴＩ、□）を低く
することができることから、これを用いた液晶組成物で
、汎用の大規模集積回路で駆動するスメクチック液晶表
示装置が可能になる。
第１図は書込み電圧と誘電率異方性との関係を示すグラ
フ、第２図は最適書込みエネルギーと液晶上限温度との
関係を示すグラフそして第３図は液晶素子の１例の概略
図である。 １及び１′ニガラス基板、２：加熱電極、５：透明電極
、５：スメクチック液晶 特許出願人 株式会社日立製作所 中本 宏 第１図 誘電率異方４４：Ａε（２５℃） 第 ２ 図 第 ３ 図
フ、第２図は最適書込みエネルギーと液晶上限温度との
関係を示すグラフそして第３図は液晶素子の１例の概略
図である。 １及び１′ニガラス基板、２：加熱電極、５：透明電極
、５：スメクチック液晶 特許出願人 株式会社日立製作所 中本 宏 第１図 誘電率異方４４：Ａε（２５℃） 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一定の温度領域でスメクチック中間相を示す液晶層
で、熱光学効果によって画像の書込み又は消去を行う液
晶表示装置において、該液晶層が、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中Ｒは炭素数５〜１０個のアルキル基を示し、Ｚは
−ＣＮ基又は−ＮＯ＿２基を示す）で表されるアシルオ
キシ化合物を含む液晶組成物を包含するものであること
を特徴とするスメクチック液晶表示装置。 ２、該液晶組成物が、該一般式 I で表されるアシルオ
キシ化合物、下記一般式II： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 （式中Ｒ＾１は炭素数５〜１０個のアルキル基を示し、
Ｚ＾１は−ＣＮ基又は−ＮＯ＿２基を示す）で表される
化合物、及び下記一般式III： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 （式中Ｒ＾２は炭素数８〜１２個のアルキル基を示す）
で表される化合物を含むものである特許請求の範囲第１
項記載のスメクチック液晶表示装置。 ３、該液晶組成物が、該一般式 I で表されるアシルオ
キシ化合物、該一般式II及びIIIで表される各化合物、
及び下記一般式IV： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔IV〕 （式中Ｒ＾３は炭素数５〜１０個のアルキル基を示す）
で表される化合物を含むものである特許請求の範囲第２
項記載のスメクチック液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21053984A JPS6189288A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | スメクチツク液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21053984A JPS6189288A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | スメクチツク液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189288A true JPS6189288A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16591023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21053984A Pending JPS6189288A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | スメクチツク液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189288A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996013978A1 (fr) * | 1994-11-02 | 1996-05-17 | Hirano Shiki Co., Ltd. | Moule a gateau et son procede de fabrication |
| JP2014508195A (ja) * | 2011-01-10 | 2014-04-03 | ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド | 光学デバイスにおいて使用するためのスメクチックａ組成物 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21053984A patent/JPS6189288A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996013978A1 (fr) * | 1994-11-02 | 1996-05-17 | Hirano Shiki Co., Ltd. | Moule a gateau et son procede de fabrication |
| JP2014508195A (ja) * | 2011-01-10 | 2014-04-03 | ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド | 光学デバイスにおいて使用するためのスメクチックａ組成物 |
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