JPS618925A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS618925A JPS618925A JP12977184A JP12977184A JPS618925A JP S618925 A JPS618925 A JP S618925A JP 12977184 A JP12977184 A JP 12977184A JP 12977184 A JP12977184 A JP 12977184A JP S618925 A JPS618925 A JP S618925A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は微細パターンの形成時に用いられるエツチン
グ方法、特に半導体装置の製造工程など３ に適用さ
れるエツチング方法に関するものである。
グ方法、特に半導体装置の製造工程など３ に適用さ
れるエツチング方法に関するものである。
従来のこの種のエツチング方法を第１図Ａ−ＥＫついて
説明する。同図において、（１）は被加工膜、（２）は
感光性樹脂膜、（３）はパターン（４）が描かれたマス
ク板、Ｌは照射される光、（５） 、 （６）は感光性
樹脂膜（２）に転写された開ロバターン、■はエツチン
グに用いる反応性イオンである。
説明する。同図において、（１）は被加工膜、（２）は
感光性樹脂膜、（３）はパターン（４）が描かれたマス
ク板、Ｌは照射される光、（５） 、 （６）は感光性
樹脂膜（２）に転写された開ロバターン、■はエツチン
グに用いる反応性イオンである。
まず、第１図Ａに示すように１被加工膜（１）上に回転
塗布法などにより感光性樹脂膜（２）を塗布する。
塗布法などにより感光性樹脂膜（２）を塗布する。
この感光性樹脂膜（２）にマスク板（３）を通して光り
を照射すると光りはマスクパターン（４）を形成してい
ない部分のみを透過して、感光性樹脂膜（２）を感光さ
せる。この照射後、現像工程を経ることによって、例え
ば感光性樹脂膜（２）がポジ形のときには、第１図Ｂの
ように照射部分の感光性樹脂膜（２）が除去されて下地
の被加工膜（１）面が選択的に露出される。その後、第
２図について後述する反応性イオンエツチング装置を用
いて第１図Ｃに示すように反応性イオンエによって被加
工膜（１）のエツチングを行う。
を照射すると光りはマスクパターン（４）を形成してい
ない部分のみを透過して、感光性樹脂膜（２）を感光さ
せる。この照射後、現像工程を経ることによって、例え
ば感光性樹脂膜（２）がポジ形のときには、第１図Ｂの
ように照射部分の感光性樹脂膜（２）が除去されて下地
の被加工膜（１）面が選択的に露出される。その後、第
２図について後述する反応性イオンエツチング装置を用
いて第１図Ｃに示すように反応性イオンエによって被加
工膜（１）のエツチングを行う。
ここで、第２図のイオンエツチング装置を概説する。反
応槽翰には反応性ガス導入機構（ハ）、排気機構（財）
が設けられ、下部電極（イ）、上部電極（ハ）が絶縁物
（ハ）を介して取付けられている。下部電極（ト）の上
に被加工体（１）を置き、排気機構（イ）を用いて１×
１０ Ｔｏｒｒ以下の高真空に保った後に、エツチン
グに用いるフレオン１４などの反応性ガスを導入して所
定ガス圧に保った上で、両電極（至）、（財）間に高周
波電源（財）から高周波電力を印加してガスグラズマに
）を発生させるものである。
応槽翰には反応性ガス導入機構（ハ）、排気機構（財）
が設けられ、下部電極（イ）、上部電極（ハ）が絶縁物
（ハ）を介して取付けられている。下部電極（ト）の上
に被加工体（１）を置き、排気機構（イ）を用いて１×
１０ Ｔｏｒｒ以下の高真空に保った後に、エツチン
グに用いるフレオン１４などの反応性ガスを導入して所
定ガス圧に保った上で、両電極（至）、（財）間に高周
波電源（財）から高周波電力を印加してガスグラズマに
）を発生させるものである。
ここで、第１図Ｂで示した開ロバターン（５）および（
６）のそれぞれの面積Ｓ１およびＳ２がＳ２≦４μｍ２
＜８１であシ、所望のエツチング深さがｄｌであり６１
２１μｍの場合には、第１図りに示すように８１゜の開
口面積をもつ凹部（７）のエツチング深さがｄｌになっ
た時点においても、Ｓ２の開口面積をもつ凹部（８）の
エツチング深ざｄ２はｄ２〈ｄｌとなる。
６）のそれぞれの面積Ｓ１およびＳ２がＳ２≦４μｍ２
＜８１であシ、所望のエツチング深さがｄｌであり６１
２１μｍの場合には、第１図りに示すように８１゜の開
口面積をもつ凹部（７）のエツチング深さがｄｌになっ
た時点においても、Ｓ２の開口面積をもつ凹部（８）の
エツチング深ざｄ２はｄ２〈ｄｌとなる。
エツチング後、感光性樹脂膜（２）を例えば酸素プラズ
マ処理により除去すると第１図Ｅに示すようなぜ 深さの異なる被加工膜ｔ１）の凹部（７１、（８）が形
成されてしまい、結果として素子特性を悪化させる。こ
の原因は、第１図ＤＫ示すように、被加工膜（１）と反
応性イオンエとの反応により生成されたガス状の反応生
成物（９）例えば被加工膜（１）が８１でエツチングガ
スがＣＦ４（フレオン１４）である場合はＳｉＦ ４な
どのガスが特に開口面積の小さな凹部（８）内に滞留し
てしまい、反応性イオンエが除去されるべき被加工膜（
１）表面に接触しないことによると考えられる。
マ処理により除去すると第１図Ｅに示すようなぜ 深さの異なる被加工膜ｔ１）の凹部（７１、（８）が形
成されてしまい、結果として素子特性を悪化させる。こ
の原因は、第１図ＤＫ示すように、被加工膜（１）と反
応性イオンエとの反応により生成されたガス状の反応生
成物（９）例えば被加工膜（１）が８１でエツチングガ
スがＣＦ４（フレオン１４）である場合はＳｉＦ ４な
どのガスが特に開口面積の小さな凹部（８）内に滞留し
てしまい、反応性イオンエが除去されるべき被加工膜（
１）表面に接触しないことによると考えられる。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、エツチング途中に１反応槽で少な
くとも一度ガス導入を止めかつ高周波電力の印加を止め
て高真空に保つことによυ反応生成物を除去することに
よって、開口面積の大小に拘らず一様にエツチングが進
行するようなエツチング方法を提供するものである０ 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
□・
アー３図Ａに示すように、従来法と同じようにして感光
性樹脂膜（２）にパターンを転写した後、第２図に示し
た反応槽（ホ）内で、開口面積がそれぞれＳｌおよびＳ
２である凹部（１１および（ロ）のエツチング深さがと
もにｄ３（ｄ３≦ｄ２）となるまでエツチングを行なう
。次に反応槽（４）へのガス導入を止め、かつ高周波電
力の印加を止めて排気のみを行ない高真空に保つ。高真
空に保つ時間は、ガス状の反応生成物（９）を凹部顛、
（ロ）から除くに十分な時間が必要であシ、約５秒以上
であればよい。その後、第３図Ｂに示すように、再びガ
ス導入および高周波電力の印加を開始して、発生した反
応性イオンエを利用してエツチングを行なう。その結果
、第３図Ｏに示すように、異なる面積（Ｓ２≦４μｍ
＜ｓｌ）をもつ開口部に対しても同じように所望の深さ
くａｌ）の凹部（６）、（至）を形成できる。第３図り
は感光性樹脂膜（２）を除去したものである。
めになされたもので、エツチング途中に１反応槽で少な
くとも一度ガス導入を止めかつ高周波電力の印加を止め
て高真空に保つことによυ反応生成物を除去することに
よって、開口面積の大小に拘らず一様にエツチングが進
行するようなエツチング方法を提供するものである０ 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
□・
アー３図Ａに示すように、従来法と同じようにして感光
性樹脂膜（２）にパターンを転写した後、第２図に示し
た反応槽（ホ）内で、開口面積がそれぞれＳｌおよびＳ
２である凹部（１１および（ロ）のエツチング深さがと
もにｄ３（ｄ３≦ｄ２）となるまでエツチングを行なう
。次に反応槽（４）へのガス導入を止め、かつ高周波電
力の印加を止めて排気のみを行ない高真空に保つ。高真
空に保つ時間は、ガス状の反応生成物（９）を凹部顛、
（ロ）から除くに十分な時間が必要であシ、約５秒以上
であればよい。その後、第３図Ｂに示すように、再びガ
ス導入および高周波電力の印加を開始して、発生した反
応性イオンエを利用してエツチングを行なう。その結果
、第３図Ｏに示すように、異なる面積（Ｓ２≦４μｍ
＜ｓｌ）をもつ開口部に対しても同じように所望の深さ
くａｌ）の凹部（６）、（至）を形成できる。第３図り
は感光性樹脂膜（２）を除去したものである。
なお、上記実施例では被加工膜（１）が８１基板であり
、用いるガスがＯＦ、、（フレオン１４）の場合につい
て示したが、ガスは８１基板をエツチングできるもので
あれば他のものであってもよい。また被加工膜（１）は
８１基板忙限らず、他の半導体製造において用いられる
薄膜の場合であっても同様の効果を奏する。
、用いるガスがＯＦ、、（フレオン１４）の場合につい
て示したが、ガスは８１基板をエツチングできるもので
あれば他のものであってもよい。また被加工膜（１）は
８１基板忙限らず、他の半導体製造において用いられる
薄膜の場合であっても同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、エツチング途中に高
真空に保つ処理を行なうようにしたので、開口面積の小
さなパターンでも開口面積の大きなパターンと同様に深
くエツチングすることができ、素子特性の向上が期待で
きる。
真空に保つ処理を行なうようにしたので、開口面積の小
さなパターンでも開口面積の大きなパターンと同様に深
くエツチングすることができ、素子特性の向上が期待で
きる。
第１図Ａ−Ｅは従来のエツチング方法の主要段階におけ
る状態を示す断面図、第２図はこの発明に用いるエツチ
ング装置の一例を示す模式断面図、第３図Ａ−Ｄはこの
発明の一実施例の主要段階における状態を示す断面図で
ある。 図において、（１）は被加工膜、α埠は凹部、翰は反応
槽、ｅｌ）は反応性ガス導入機構、（イ）は排気機構、
に）は被加工体、に）は高周波電源である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示 ・す
。 第１図 第２図
る状態を示す断面図、第２図はこの発明に用いるエツチ
ング装置の一例を示す模式断面図、第３図Ａ−Ｄはこの
発明の一実施例の主要段階における状態を示す断面図で
ある。 図において、（１）は被加工膜、α埠は凹部、翰は反応
槽、ｅｌ）は反応性ガス導入機構、（イ）は排気機構、
に）は被加工体、に）は高周波電源である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示 ・す
。 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）反応性ガス導入機構、および排気機構を備えた反
応槽内で高周波電源から供給される高周波電力によつて
発生した反応性ガスプラズマを利用して被加工体表面に
開口面積が４μｍ＾２以下、深さが１μｍ以上の凹部を
エッチング形成するに際して、当該エッチング処理中に
少なくとも１回、上記反応性ガスの導入および上記高周
波電力の供給を停止し、上記排気機構にて排気のみを行
い所定時間高真空に保つ操作を挿入実施することを特徴
とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12977184A JPS618925A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12977184A JPS618925A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618925A true JPS618925A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15017802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12977184A Pending JPS618925A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010519767A (ja) * | 2007-02-21 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体構造をエッチングするための、パルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマシステム |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP12977184A patent/JPS618925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010519767A (ja) * | 2007-02-21 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体構造をエッチングするための、パルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマシステム |
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