JPS6187891A - 金属箔条体の片面部分メツキ方法及び装置 - Google Patents
金属箔条体の片面部分メツキ方法及び装置Info
- Publication number
- JPS6187891A JPS6187891A JP20776184A JP20776184A JPS6187891A JP S6187891 A JPS6187891 A JP S6187891A JP 20776184 A JP20776184 A JP 20776184A JP 20776184 A JP20776184 A JP 20776184A JP S6187891 A JPS6187891 A JP S6187891A
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- JP
- Japan
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- plating
- foil strip
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- plating solution
- laser light
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属箔条体の片面部分メッキ方法及び装置に関
し、特にマスクを用いることなく、簡単に精密な部分メ
ッキを行なうためのものである。
し、特にマスクを用いることなく、簡単に精密な部分メ
ッキを行なうためのものである。
（従来の技術）
一般に金属箔条体にストライプやスポット状の金属メッ
キを施したものは、種々の用途に用いられており、特に
Ａｕ 、Ａｇ、Ｐｄなど貴金属メッキを施したものは、
電気接点、コネクター、半導体リードフレームなどに広
く用いられている。これ等は何れもテープやレジストに
より非メッキ部分を予じめ絶縁（マスク）したり、ある
いはゴム状のマスクを押当ててメッキしている。
キを施したものは、種々の用途に用いられており、特に
Ａｕ 、Ａｇ、Ｐｄなど貴金属メッキを施したものは、
電気接点、コネクター、半導体リードフレームなどに広
く用いられている。これ等は何れもテープやレジストに
より非メッキ部分を予じめ絶縁（マスク）したり、ある
いはゴム状のマスクを押当ててメッキしている。
テープやレジストによるマスクは精密なパターンの部分
メッキに適しているが、マスキングやその剥離に特別な
工程及び装置を必要とし、コスト上の負担も大きい欠点
がある。特にマイクロエレクトロニクスの発展により薄
い箔条体、例えば１０μオーダーの厚さの箔条体に微小
パターン、例えば１Ｍ以下のストライプやスポット状に
メッキする場合には、相対的に上記マスク材の消費量が
増大してコストアップの主要因となっている。即ちテー
プやレジストは通常１０μ又はこれ以上の厚さであり、
これは被メツキ箔条体の厚さに相当するからである。
メッキに適しているが、マスキングやその剥離に特別な
工程及び装置を必要とし、コスト上の負担も大きい欠点
がある。特にマイクロエレクトロニクスの発展により薄
い箔条体、例えば１０μオーダーの厚さの箔条体に微小
パターン、例えば１Ｍ以下のストライプやスポット状に
メッキする場合には、相対的に上記マスク材の消費量が
増大してコストアップの主要因となっている。即ちテー
プやレジストは通常１０μ又はこれ以上の厚さであり、
これは被メツキ箔条体の厚さに相当するからである。
一方ゴム状マスクは経済的方法であるが、ゴムの変形な
どにより精密なパターンでメッキすることは不可能でも
ある。特に薄い箔条体ではマスクの押当てに際し、箔条
体が変形破断し易く、これを防止するためには設備上多
大の工夫が必要となる。
どにより精密なパターンでメッキすることは不可能でも
ある。特に薄い箔条体ではマスクの押当てに際し、箔条
体が変形破断し易く、これを防止するためには設備上多
大の工夫が必要となる。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、上記の如き厚さ数
１０μ以下の薄い箔条体にマスク等を使用することなく
、微細で精密なパターンのメッキを簡単かつ高能率で行
なうことができる金ｆｉ箔条体の片面部分メッキ方法と
その装置を開発したものである。
１０μ以下の薄い箔条体にマスク等を使用することなく
、微細で精密なパターンのメッキを簡単かつ高能率で行
なうことができる金ｆｉ箔条体の片面部分メッキ方法と
その装置を開発したものである。
本発明方法は、金属箔条体を連続又は断続的に移行させ
て、その片面をメッキ液と接触させ、箔条体とメッキ液
内に設けたアノード間にメッキ電圧を印加して箔条体の
片面にメッキする方法において、該箔条体の他面をメッ
キ液外に保持し、メッキ液と接触する片面の部分メッキ
パターン部の他面にレーザー光を照射して、該パターン
部を加温しながらメッキすることを特徴とするものであ
る。
て、その片面をメッキ液と接触させ、箔条体とメッキ液
内に設けたアノード間にメッキ電圧を印加して箔条体の
片面にメッキする方法において、該箔条体の他面をメッ
キ液外に保持し、メッキ液と接触する片面の部分メッキ
パターン部の他面にレーザー光を照射して、該パターン
部を加温しながらメッキすることを特徴とするものであ
る。
また本発明装置は、金属箔条体を連続又は断続的に移行
させて、その片面をメッキ液と接触させ、該箔条体とメ
ッキ液内に設けたアノード間にメッキ電圧を印加して箔
条体の片面にメッキする装置において、箔条体を水平に
移行させ、その下面巾方向にオーバーフローによりメッ
キ液を箔条体の下面と接触させて循環するメッキ液槽を
設け、箔条体の上面をメッキ液外に保持してメッキ液と
接触する箔条体の上方にレーザー光源を設け、箔条体下
面のメッキ液と接触する部分のメッキパターン部の箔条
体下面にレーザー光を照射し、該パターン部を加温して
メッキすることを特徴とするものである。
させて、その片面をメッキ液と接触させ、該箔条体とメ
ッキ液内に設けたアノード間にメッキ電圧を印加して箔
条体の片面にメッキする装置において、箔条体を水平に
移行させ、その下面巾方向にオーバーフローによりメッ
キ液を箔条体の下面と接触させて循環するメッキ液槽を
設け、箔条体の上面をメッキ液外に保持してメッキ液と
接触する箔条体の上方にレーザー光源を設け、箔条体下
面のメッキ液と接触する部分のメッキパターン部の箔条
体下面にレーザー光を照射し、該パターン部を加温して
メッキすることを特徴とするものである。
即ち本発明は第１図に示すように、金属箔条体（１）を
矢印方向に連続又は断続的に移行させ、その片面をメッ
キ液（２）と接触させ、他面をメッキ液（２）外に保持
し、メッキ液（２）内に設けたアノード（３）と箔条体
（１）に接触する給電子〈４）間にメッキ電圧を印加す
る。
矢印方向に連続又は断続的に移行させ、その片面をメッ
キ液（２）と接触させ、他面をメッキ液（２）外に保持
し、メッキ液（２）内に設けたアノード（３）と箔条体
（１）に接触する給電子〈４）間にメッキ電圧を印加す
る。
このようにして箔条体（１）のメッキ液（２）と接触す
る部分メッキパターン部の他面にレーザー光（５）を照
射することにより、箔条体（１）の片面部分メッキパタ
ーン部を加温してメッキするものである。箔条体（１）
の他面をメッキ液（２）外に保持し、片面をメッキ液（
１）と接触させるには、例えば図に示すように箔条体（
１）を水平に移行させ、その下面（片面）巾方向にメッ
キ液（２）のオーバーフロ一部（７）を設けたメッキ槽
（６）を配置し、貯液槽（８）よりポンプ（９）により
メッキ液（２）をメッキ槽（６）に送入することにより
、メッキ液（２）をメッキ槽（６）からオーバーフロー
させて箔条体（１）の下面に接触させる。
る部分メッキパターン部の他面にレーザー光（５）を照
射することにより、箔条体（１）の片面部分メッキパタ
ーン部を加温してメッキするものである。箔条体（１）
の他面をメッキ液（２）外に保持し、片面をメッキ液（
１）と接触させるには、例えば図に示すように箔条体（
１）を水平に移行させ、その下面（片面）巾方向にメッ
キ液（２）のオーバーフロ一部（７）を設けたメッキ槽
（６）を配置し、貯液槽（８）よりポンプ（９）により
メッキ液（２）をメッキ槽（６）に送入することにより
、メッキ液（２）をメッキ槽（６）からオーバーフロー
させて箔条体（１）の下面に接触させる。
レーザー光（５）の照射には、箔条体（１）の上方（他
面上）にレーザー光ａ（ｉｏ）を設け、該光源（１０）
から発したレーザー光（５）を反射１（ｍや焦点レンズ
（１２）などの光学系により箔条体（１）の上面（他面
）に照射して、下面部分メッキパターン部を加温するも
のである。
面上）にレーザー光ａ（ｉｏ）を設け、該光源（１０）
から発したレーザー光（５）を反射１（ｍや焦点レンズ
（１２）などの光学系により箔条体（１）の上面（他面
）に照射して、下面部分メッキパターン部を加温するも
のである。
本発明により箔条体の片面部分メッキを最も有利に実施
するためには第２図に示すようにペイオフやアンコ、イ
ラー等の送出装置（１３）より箔条体（１）を連続又は
断続的に送出し、脱脂。
するためには第２図に示すようにペイオフやアンコ、イ
ラー等の送出装置（１３）より箔条体（１）を連続又は
断続的に送出し、脱脂。
酸洗、水洗等の前処理部（１４）、本発明メッキ部（１
５）、水洗・乾燥等の後処理部（１６）を連続又は断続
的に通し、リコイラー等の巻取装置（１７）に巻取る。
５）、水洗・乾燥等の後処理部（１６）を連続又は断続
的に通し、リコイラー等の巻取装置（１７）に巻取る。
このようにして本発明メッキ部においてレーザー光を連
続的に照射し、連続的にメッキ電圧を印加することによ
り連続ストライプ状の部分メッキが得られ、箔条体の巾
方向に複数個のレーザー光を設けて照射を行なえば複数
本のストライプ状部分メッキが得られる。
続的に照射し、連続的にメッキ電圧を印加することによ
り連続ストライプ状の部分メッキが得られ、箔条体の巾
方向に複数個のレーザー光を設けて照射を行なえば複数
本のストライプ状部分メッキが得られる。
またレーザー光の電源又はメッキ電圧の何れかを断続す
れば、任意のスポット状又は断続ストライプ状の部分メ
ッキが得られる。ストライプの１］やスポット径はレー
ザー光照躬サイズの他に箔条体の厚さやメッキ条件にも
よるが、一般には０．０５〜１Ｍ位であり、勿論巾広ス
トライプが必要な場合には複数本のレーザー光を束ねた
り、巾方向に繰返し走査させることもできる。
れば、任意のスポット状又は断続ストライプ状の部分メ
ッキが得られる。ストライプの１］やスポット径はレー
ザー光照躬サイズの他に箔条体の厚さやメッキ条件にも
よるが、一般には０．０５〜１Ｍ位であり、勿論巾広ス
トライプが必要な場合には複数本のレーザー光を束ねた
り、巾方向に繰返し走査させることもできる。
レーザー光源としてはそのパワーに応じてＡｒガス、Ｙ
ＡＧ固体、ＣＯ２ガスレーザー等任意に選択使用できる
。実用上パワーは０．１〜１００Ｗ程度である。
ＡＧ固体、ＣＯ２ガスレーザー等任意に選択使用できる
。実用上パワーは０．１〜１００Ｗ程度である。
本発明によればレーザー光照射部は選択的に加熱され、
厚対側のメッキ液と接触する面に伝わり、この部分でメ
ッキが優先的に進行する。
厚対側のメッキ液と接触する面に伝わり、この部分でメ
ッキが優先的に進行する。
即ち局部の高温による析出反応のカソード分極の低下と
共に、周辺の低温部との間で起るメッキ液の局所対流に
よるカソードの濃度分極の低下とによってメッキが局所
的に優先して行なわれ、通常非照射部に比べて１０〜１
０００倍位増進される。これは多くの工業用途に応用し
得る片面部分メッキを可能にする。一般に前記貴金属メ
ッキでは０，１〜数μ、特に１μ前後の厚さのメッキが
要望されており、これを上記増進度から逆算すると、非
照射部には高々０．１〜ｏ、ｏｏｉμ前後の微量のメッ
キしか起らず、実用上充分な部分メッキが可能となる。
共に、周辺の低温部との間で起るメッキ液の局所対流に
よるカソードの濃度分極の低下とによってメッキが局所
的に優先して行なわれ、通常非照射部に比べて１０〜１
０００倍位増進される。これは多くの工業用途に応用し
得る片面部分メッキを可能にする。一般に前記貴金属メ
ッキでは０，１〜数μ、特に１μ前後の厚さのメッキが
要望されており、これを上記増進度から逆算すると、非
照射部には高々０．１〜ｏ、ｏｏｉμ前後の微量のメッ
キしか起らず、実用上充分な部分メッキが可能となる。
また必要に応じて従来の部分メッキと同様のメッキ剥離
工程を付加することにより非照射部のメッキを優先的に
剥離することもできる。
工程を付加することにより非照射部のメッキを優先的に
剥離することもできる。
更に本発明ではレーザー光学系がメッキ液外の大気中に
あるためメッキ液によるレーザー光の吸収や散乱及びレ
ーザー光によるメッキ液の変質を起すことがなく、操作
や膜幅の保守が簡単で、任意のメッキ液が使用できる。
あるためメッキ液によるレーザー光の吸収や散乱及びレ
ーザー光によるメッキ液の変質を起すことがなく、操作
や膜幅の保守が簡単で、任意のメッキ液が使用できる。
例えば目的に応じてシアン化へ〇浴、各種酸性又は中性
へ〇浴、塩化物、臭化物、ポリアミン等のＰｄ浴、シア
ン化Ｃｕや硫酸ＧＯ浴、硫ＩＮｉや塩化Ｎｉ浴、硫酸３
ｎやアルキルスルホン酸ｓｎ浴等を用いることができる
。これ等は通常の条件で使用されることは勿論低温、低
電流密瓜によってもメッキすることができる。まｌζ金
属はレーザー光の可視乃至赤外部の多くの光線を反射し
て吸収されないが、本発明では部分メッキ面と反対側の
面にレーザー光吸収物質、例えばマジックインキを塗布
することにより部分メッキ部のメッキ性を損なうことな
く、レーザー光の吸収率を高めることができる。また塗
布したマジックインキ等はメッキ後のｔ！処理において
容易に洗浄除去することができる。
へ〇浴、塩化物、臭化物、ポリアミン等のＰｄ浴、シア
ン化Ｃｕや硫酸ＧＯ浴、硫ＩＮｉや塩化Ｎｉ浴、硫酸３
ｎやアルキルスルホン酸ｓｎ浴等を用いることができる
。これ等は通常の条件で使用されることは勿論低温、低
電流密瓜によってもメッキすることができる。まｌζ金
属はレーザー光の可視乃至赤外部の多くの光線を反射し
て吸収されないが、本発明では部分メッキ面と反対側の
面にレーザー光吸収物質、例えばマジックインキを塗布
することにより部分メッキ部のメッキ性を損なうことな
く、レーザー光の吸収率を高めることができる。また塗
布したマジックインキ等はメッキ後のｔ！処理において
容易に洗浄除去することができる。
実施例１
小型スイッチ用接点としＵ１０μの厚さの３ｅ−０１４
合金箔の片面に０．４ｍｒｎ巾の厚さ０．５μのＡｕ−
Ｃｏ合金ストライプ部分メッキを施した。
合金箔の片面に０．４ｍｒｎ巾の厚さ０．５μのＡｕ−
Ｃｏ合金ストライプ部分メッキを施した。
巾３０ｍｍのＢｅ−Ｃｕ合金デーブを１００ｍｍ／ｍｉ
ｎの速度で移行させ、常法により脱脂、酸洗してから下
記メッキ浴を用いて全面に厚さ１μのＮ１メッキを施し
た。
ｎの速度で移行させ、常法により脱脂、酸洗してから下
記メッキ浴を用いて全面に厚さ１μのＮ１メッキを施し
た。
Ｎｉメッキ浴
Ｎｉ Ｓｏ今 ７５９ ／ ｆ ｔ）＋−１３，
２ＮｉＣＪ！ｚ ３０ｇ／ｌ 浴 温
５０℃Ｈ３ＢＯ３３０’ｊ／Ｊ！ 電流密度５
Ａ ／ ６ｍ２ 次にこれを水洗・乾燥後、一方の面に市販の油性黒色マ
ジックインキを塗布してから、該塗布面を上にして第１
図に示すように、１００ｍ／ｍｉｎの速度で水平に移行
させ、その下面をメッキ槽よりオーバーフローさせたメ
ッキ液と接触させ、上面Ｉ＋１方向に一端からＴｍｒＲ
，１５ｍｍ 、 ２３調の位置（３個所）に出力 １．
ＯＷのＴＡＧ （Ｎｄ ）レーザー光を、それぞれ径９
０μの光線に絞って照射した。ＡＬＩ−００合金メツキ
液には日本エンゲルハルト社製のＥ−７７を用い、ｐＨ
４，０、浴温３５℃、電流密度０．１へ／ ６ｍ２とし
て、Ｎｉメッキした３ｅ−Ｃｕ合金条との接触長さを約
５０ｍとし、メッキ槽通過後、水洗・乾燥処理してから
トリクレン洗浄を行なって、Ｎｉメッキした３ｅ−ＣＬ
Ｉ合金条の片面に上記ストライプ状の部分メッキを形成
した。
２ＮｉＣＪ！ｚ ３０ｇ／ｌ 浴 温
５０℃Ｈ３ＢＯ３３０’ｊ／Ｊ！ 電流密度５
Ａ ／ ６ｍ２ 次にこれを水洗・乾燥後、一方の面に市販の油性黒色マ
ジックインキを塗布してから、該塗布面を上にして第１
図に示すように、１００ｍ／ｍｉｎの速度で水平に移行
させ、その下面をメッキ槽よりオーバーフローさせたメ
ッキ液と接触させ、上面Ｉ＋１方向に一端からＴｍｒＲ
，１５ｍｍ 、 ２３調の位置（３個所）に出力 １．
ＯＷのＴＡＧ （Ｎｄ ）レーザー光を、それぞれ径９
０μの光線に絞って照射した。ＡＬＩ−００合金メツキ
液には日本エンゲルハルト社製のＥ−７７を用い、ｐＨ
４，０、浴温３５℃、電流密度０．１へ／ ６ｍ２とし
て、Ｎｉメッキした３ｅ−Ｃｕ合金条との接触長さを約
５０ｍとし、メッキ槽通過後、水洗・乾燥処理してから
トリクレン洗浄を行なって、Ｎｉメッキした３ｅ−ＣＬ
Ｉ合金条の片面に上記ストライプ状の部分メッキを形成
した。
これについて螢光Ｘ線によりＡｕ−Ｇｏ合金メッキ厚ざ
を測定した。その結果ストライプ部のメッキ厚さは０．
５４μ、ストライプ部以外でのメッキ厚さは０．０５μ
であった。
を測定した。その結果ストライプ部のメッキ厚さは０．
５４μ、ストライプ部以外でのメッキ厚さは０．０５μ
であった。
実施例２
実施例１において、油性黒色マジックインキの塗布を省
略し、レーザー光の出力を変えて部分メッキを行なった
。その結果レーザー光の出力が１Ｗでは充分なストライ
プ状部分メッキが得られず、実施例１と同様のストライ
プ状部分メッキを得るためには、レーザー光の出力を３
Ｗ以上とする必要があった。
略し、レーザー光の出力を変えて部分メッキを行なった
。その結果レーザー光の出力が１Ｗでは充分なストライ
プ状部分メッキが得られず、実施例１と同様のストライ
プ状部分メッキを得るためには、レーザー光の出力を３
Ｗ以上とする必要があった。
（発明の効果）
このように本発明によれば、マスクを用いることなく金
属筒条体の片面に精密微細なストライプやスポット状の
部分メッキが可能となり、従来のレジストマスク法に比
べてはるかに簡単かつ容易に、しかも高能率で部分メッ
キを行なうことができる等工業上顕著な効果を奏するも
のである。
属筒条体の片面に精密微細なストライプやスポット状の
部分メッキが可能となり、従来のレジストマスク法に比
べてはるかに簡単かつ容易に、しかも高能率で部分メッ
キを行なうことができる等工業上顕著な効果を奏するも
のである。
第１図は本発明装置の一例を示す説明図、第２図は本発
明装置を用いたメッキ工程の一例を示す説明図である。 １・・・金属箔条体 ２・・・メッキ液３・・
・アノード ４・・・給電子５・・・レーザ
ー光 ６・・・メッキ槽７・・・オーバーフロ
一部 ８・・・貯液槽９・・・ポンプ
１０・・・レーザー光源１１・・・反射鏡
１２・・・焦点レンズ１３・・・送出装置
１４・・・前処理部１５・・・本発明メッキ部
１６・・・後処理部１７・・・巻取装置
明装置を用いたメッキ工程の一例を示す説明図である。 １・・・金属箔条体 ２・・・メッキ液３・・
・アノード ４・・・給電子５・・・レーザ
ー光 ６・・・メッキ槽７・・・オーバーフロ
一部 ８・・・貯液槽９・・・ポンプ
１０・・・レーザー光源１１・・・反射鏡
１２・・・焦点レンズ１３・・・送出装置
１４・・・前処理部１５・・・本発明メッキ部
１６・・・後処理部１７・・・巻取装置
Claims (5)
- （１）金属箔条体を連続又は断続的に移行させて、その
片面をメッキ液と接触させ、箔条体とメッキ液内に設け
たアノード間にメッキ電圧を印加して箔条体の片面にメ
ッキする方法において、該箔条体の他面をメッキ液外に
保持し、メッキ液と接触する片面の部分メッキパターン
部の他面にレーザー光を照射して、該パターン部を加温
しながらメッキすることを特徴とする金属箔条体の片面
部分メッキ方法。 - （２）メッキ電圧又はレーザー光の電源の何れか一方を
断続してスポット又は断続するストライプ状の部分メッ
キを行なう特許請求の範囲第１項記載の金属箔条体の片
面部分メッキ方法。 - （３）移行する箔条体のメッキ液と接触する部分の巾方
向に複数個のレーザー光を同時に一照射して、複数個パ
ターン部を加温してメッキする特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の金属箔条体の片面部分メッキ方法。 - （４）移行する箔条体のレーザー光を照射する他面に予
じるレーザー吸収性物資を塗布しておく特許請求の範囲
第１項、第２項又は第３項記載の金属箔条体の片面部分
メッキ方法。 - （５）金属箔条体を連続又は断続的に移行させて、その
片面をメッキ液と接触させ、該箔条体とメッキ液内に設
けたアノード間にメッキ電圧を印加して箔条体の片面に
メッキする装置において、箔条体を水平に移行させ、そ
の下面巾方向にオーバーフローによりメッキ液を箔条体
下面と接触させて循環するメッキ液槽を設け、箔条体の
上面をメッキ液外に保持してメッキ液と接触する箔条体
の上方にレーザー光源を設け、箔条体下面のメッキ液と
接触する部分のメッキパターン部の箔条体上面にレーザ
ー光を照射し、該パターン部を加温してメッキすること
を特徴とする金属箔条体の片面部分メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20776184A JPS6187891A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 金属箔条体の片面部分メツキ方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20776184A JPS6187891A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 金属箔条体の片面部分メツキ方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187891A true JPS6187891A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16545108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20776184A Pending JPS6187891A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 金属箔条体の片面部分メツキ方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187891A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179893A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 部分めつき装置 |
| JPS61231193A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 部分めつき装置 |
| JPS6364774U (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-28 | ||
| JP2008285696A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | レーザめっき装置およびめっき部材 |
| US8444841B2 (en) | 2006-08-07 | 2013-05-21 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Partial plating method, a laser plating device, and a plated material |
| JP2019151926A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッドＨｕｔｃｈｉｎｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 無電解めっき活性化処理 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20776184A patent/JPS6187891A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179893A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 部分めつき装置 |
| JPS61231193A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 部分めつき装置 |
| JPS6364774U (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-28 | ||
| US8444841B2 (en) | 2006-08-07 | 2013-05-21 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Partial plating method, a laser plating device, and a plated material |
| JP2008285696A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | レーザめっき装置およびめっき部材 |
| JP2019151926A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッドＨｕｔｃｈｉｎｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 無電解めっき活性化処理 |
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