JP2831119B2 - 活性金属皮膜のめっき方法及び装置 - Google Patents

活性金属皮膜のめっき方法及び装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はめっき浴に入れた状態で表面に酸化物や水酸
化物が形成され不動態化する活性金属皮膜のめっき方法
及び装置に関する。
〔従来の技術〕
従来技術では、活性金属をワーク金属の表面にめっき
することは困難であった。これは活性金属は酸化物や水
酸化物になり易く、めっきのワーク金属への密着性を阻
害するためである。
一般の通常金属のめっき処理の一態様を第3図に示
す。ここでコーティング(めっき)しようとする金属
(M)32をプラス側とし、めっき浴31に浸漬したまま被
コーティング材34をマイナス側として直流電源35により
電流を流すことにより、プラス側金属32がイオン化し、
マイナス側被コーティング材34の面にめっき膜36を形成
させるものである。なお、図中、33ひ撹拌機、34はめっ
き浴槽である。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記したように、従来の一般的なめっき法で活性金属
をめっきしようとしても、活性金属をめっき浴に入れた
状態では表面に酸化物や水酸化物が形成されるために不
動態化してしまい、活性金属がイオン化しにくく、めっ
き処理が困難であった。
本発明は上記技術水準に鑑み、従来めっき処理が困難
であった活性金属をめっきすることができる方法及び装
置を提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、(1)電解めっき浴中に、めっき浴に入れ
た状態で表面に酸化物や水酸化物が形成され不動態化す
る活性金属をプラス極、ワーク金属をマイナス極として
設置して、これらを直流電源に接続すると共に、その状
態で上記活性金属及びワーク金属表面に各々の材質に最
も吸収されやすい波長のレーザを照射しながらワーク金
属表面に活性金属をめっきさせることを特徴とする活性
金属皮膜のめっき方法、及び(2)直流電源のプラス極
に接続されためっき浴に入れた状態で表面に酸化物や水
酸化物が形成され不動態化する活性金属、同電源のマイ
ナス極に接続されたワーク金属が挿入された電解めっき
浴槽及び活性金属、ワーク金属の両方にそれぞれの金属
材料に最も吸収されやすい波長のレーザを走査照射する
レーザ光源よりなることを特徴とする活性金属皮膜のめ
っき装置である。
本発明における活性金属のめっき条件としては、レー
ザ照射を除いては一般のめっき浴組成、めっき条件(電
気化学条件)が採用される。
〔作用〕 本発明により、酸化物や水酸化物となって不動態化し
た活性金属はレーザ照射により酸化物、水酸化物形態が
破壊され、活性化してイオンになり易くなり、またワー
ク金属材表面のレーザにより熱分解した部分はそれに接
するめっき浴との待の電位差が大きくなり、ワーク金属
表面に近づいた活性金属イオンM+がM++e-→Mの化学反
応により活性金属Mを析出させ、ワーク金属表面に活性
金属のめっき層を形成させる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図を参照しな
がら説明する、第1図はその実施例を実施する装置の概
略図、第2図はワーク金属表面への活性金属のめっき原
理の説明図である。
第1図において、1はめっき浴槽、2は活性金属、3
はワーク金属、4は直流電源、5,6はレーザ光源、7,8は
レーザ光、9はめっき浴である。
第1図において、活性金属イオン(M+)を含むめっき
浴9中に、直流電源4のプラス極に接続された活性金属
2とマイナス極に接続されたワーク金属3を挿入し、レ
ーザ光源5,6から各々の金属2,3が吸収され易い特定波長
のレーザ光7,8をX,Y方向に走査しながら照射する。これ
により、活性金属2は酸化皮膜が破れ、活性化イオンM+
になり易くなり、また第2図に示したように、ワーク金
属3側ではレーザ光8の照射により熱分解した部分が生
じて、それに接するめっき浴9との間の電位差が大きく
なり、ワーク金属3の表面に近づいた活性金属イオン
(M+)がM++e-→Mの化学反応によって活性金属Mを析
出し、めっき層を形成する。
次に、一例としてAlよりなるワーク金属にNiを陽極と
してNiとCuを複合めっきする場合の条件を下表に示す。
なお、両極に接続した金属にレーザを照射しなかった
以外は全く同一の条件でめっきした場合のめっき厚さは
1μm未満であり、めっき速度がおそいことがわかる。
〔発明の効果〕 本発明により、今まで困難であっためっき浴に入れた
状態で表面に酸化物や水酸化物が形成され不動態化する
活性金属をワーク金属表面に析出めっきさせることが容
易にできるようになり、上記のめっき層は皮膜が強固で
あり、ワーク金属の耐食性、耐熱性を良好にすることが
できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の一実施例の説明図であり、第
1図はその実施例を実施する装置の概略図、第2図はワ
ーク金属表面への活性金属のめっき原理の説明図、第3
図は従来の通常金属のめっき処理要領の説明図である。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電解めっき浴中に、めっき浴に入れた状態
    で表面に酸化物や水酸化物が形成され不動態化する活性
    金属をプラス極、ワーク金属をマイナス極として設置し
    て、これらを直流電源に接続すると共に、その状態で上
    記活性金属及びワーク金属表面に各々の材質に最も吸収
    されやすい波長のレーザを照射しながらワーク金属表面
    に活性金属をめっきさせることを特徴とする活性金属皮
    膜のめっき方法。
  2. 【請求項2】直流電源のプラス極に接続されためっき浴
    に入れた状態で表面に酸化物や水酸化物が形成され不動
    態化する活性金属、同電源のマイナス極に接続されたワ
    ーク金属が挿入された電解めっき浴槽及び活性金属、ワ
    ーク金属の両方にそれぞれの金属材料に最も吸収されや
    すい波長のレーザを走査照射するレーザ光源よりなるこ
    とを特徴とする活性金属皮膜のめっき装置。
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