JPS6187293A - 金属編み線及びこれを用いた金属平板並びにこの金属平板を用いた磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
金属編み線及びこれを用いた金属平板並びにこの金属平板を用いた磁気バブルメモリ装置Info
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- JPS6187293A JPS6187293A JP59208199A JP20819984A JPS6187293A JP S6187293 A JPS6187293 A JP S6187293A JP 59208199 A JP59208199 A JP 59208199A JP 20819984 A JP20819984 A JP 20819984A JP S6187293 A JPS6187293 A JP S6187293A
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- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気バブルメモリ装置に係り、特。
に回転磁界を発生させる高速駆動コイルの低消費電力化
に好適な回転磁界閉込めケース（導体ケース）を提供す
るための金属平板とこれを製造するための金属編み線に
関するものである。
に好適な回転磁界閉込めケース（導体ケース）を提供す
るための金属平板とこれを製造するための金属編み線に
関するものである。
従来の磁気バブルメモリ装置では、駆動磁界（回転磁界
）を閉込めるため、例えば特公昭５７−１９５１７号公
報において、シールド体という電気的導体板を使用した
ケースにより、フェライトコアに巻線した駆動コイルを
完全に包囲する形をとっている。即ち、導体板に侵入す
る回転磁界により発生する渦電流を利用して、回転磁界
を導体ケース内部に閉込めている。
）を閉込めるため、例えば特公昭５７−１９５１７号公
報において、シールド体という電気的導体板を使用した
ケースにより、フェライトコアに巻線した駆動コイルを
完全に包囲する形をとっている。即ち、導体板に侵入す
る回転磁界により発生する渦電流を利用して、回転磁界
を導体ケース内部に閉込めている。
装置の消費電力を低減するため、導体ケースは渦電流に
対して効率のよいループを形成する密閉形ケースの構造
を有し、駆動フィルの損失抵抗を減少させている。さら
に、消費電力を低減するため、駆動コイルよりも十分に
大きな導体ケースを用いて、回転磁界の閉込めに必要な
渦電流を減少させる場合もあるが、装置の大型化、無効
電力の増加という問題がある。この導体ケースに使用す
る材質は、回転磁界の変化に伴い発生する渦電流を平板
の任意方向に均等に流せる性質が必要である。上記した
特公昭５７−１９５１７号の場合、導体ナースはシール
ド体としての性質を有するものとして銅、アルミニウム
等の導体材料が用いられている。一方、特公昭５Ｂ−１
２６７５号公報においては、導体ケースは、回転磁界を
表面で反射するように十分な厚さを有する電気的導体が
用いられている。以上から従来技術における導体ナース
の材質は、単一材料で作られている。
対して効率のよいループを形成する密閉形ケースの構造
を有し、駆動フィルの損失抵抗を減少させている。さら
に、消費電力を低減するため、駆動コイルよりも十分に
大きな導体ケースを用いて、回転磁界の閉込めに必要な
渦電流を減少させる場合もあるが、装置の大型化、無効
電力の増加という問題がある。この導体ケースに使用す
る材質は、回転磁界の変化に伴い発生する渦電流を平板
の任意方向に均等に流せる性質が必要である。上記した
特公昭５７−１９５１７号の場合、導体ナースはシール
ド体としての性質を有するものとして銅、アルミニウム
等の導体材料が用いられている。一方、特公昭５Ｂ−１
２６７５号公報においては、導体ケースは、回転磁界を
表面で反射するように十分な厚さを有する電気的導体が
用いられている。以上から従来技術における導体ナース
の材質は、単一材料で作られている。
回転磁界を閉込める導体ケースの板厚は、駆動周波数の
増加に伴い表皮効果の影響を受け、表皮深さδ ［−２
／（ωσμ）、ω：角周波数（ω−２πｆ）、σ：ケー
スの導電率、μ：ナースの透磁率］を基準に、シールド
効果及び消費電力を考慮して設定される。駆動周波数ｆ
が増加すると表皮深さδが減少するため、導体ケースの
実効的な板厚が減少し、消費電力の増加を伴う。従って
、従来技術による導体ケースを使用する限り、高速駆動
時における消費電力の増加は本質的な問題であった。
増加に伴い表皮効果の影響を受け、表皮深さδ ［−２
／（ωσμ）、ω：角周波数（ω−２πｆ）、σ：ケー
スの導電率、μ：ナースの透磁率］を基準に、シールド
効果及び消費電力を考慮して設定される。駆動周波数ｆ
が増加すると表皮深さδが減少するため、導体ケースの
実効的な板厚が減少し、消費電力の増加を伴う。従って
、従来技術による導体ケースを使用する限り、高速駆動
時における消費電力の増加は本質的な問題であった。
一方、磁気バブルメモリは、高集積・高速化が必須条件
であるため、大容量化に伴う駆動周波数の増加が避けら
れず、消費電力の低減と相反する傾向をもつ。
であるため、大容量化に伴う駆動周波数の増加が避けら
れず、消費電力の低減と相反する傾向をもつ。
以上から、従来技術による導体ケースは、消費電力の点
から磁気バブルメモリの高速化を本質的に困難としてい
るのが実情であった。
から磁気バブルメモリの高速化を本質的に困難としてい
るのが実情であった。
本発明の目的は、表皮効果の影響を受けない金属平板と
これを製造するための金属編み線を提供すること、更に
は上記金属平板を用いて磁気バブルメモリ装置における
高速駆動コイルの低消費電力化に好適な導体ケースを提
供することにある。つまり、導体ケースに上記金属平板
を使用し高速化に伴う表皮効果を防止することにより、
板厚を十分に厚くすることができ低消費電力化を実現す
ることを目的とする。
これを製造するための金属編み線を提供すること、更に
は上記金属平板を用いて磁気バブルメモリ装置における
高速駆動コイルの低消費電力化に好適な導体ケースを提
供することにある。つまり、導体ケースに上記金属平板
を使用し高速化に伴う表皮効果を防止することにより、
板厚を十分に厚くすることができ低消費電力化を実現す
ることを目的とする。
本発明は、表皮効果を防止する金属平板が、平板の任意
方向について強制的に均一な電流が流れるようにした構
造で与えられることに着目したものである。
方向について強制的に均一な電流が流れるようにした構
造で与えられることに着目したものである。
つまり、導体中に、絶縁層あるいは導電率σが十分に小
さい層を設けることにより、強制的に電流を流す電流路
を形成し、かつ平板の任意方向に対して電流路の構造配
置を周期的に均等化し各電流路に均一な電流（渦電流）
が流れるようにしたことを特徴とする。
さい層を設けることにより、強制的に電流を流す電流路
を形成し、かつ平板の任意方向に対して電流路の構造配
置を周期的に均等化し各電流路に均一な電流（渦電流）
が流れるようにしたことを特徴とする。
上記の金属平板は、具体的に、
（１）強制的に電流路を形成するため絶縁性皮膜あるい
は、十分に抵抗率の大きい金属皮膜を有する素線を用い
、 （２）素線における表皮効果を防止するため、素線の径
を表皮深さδを考慮して決定し、（３）この素線を用い
て形成された平板の表皮効果を防止するため、素線を２
軸方向について平板状に編み、各素線の厚さ方向に対す
る位置がその素線の編まれた方向の軸に対して一方の面
から他方の面まで変化し、各緊線の位置がほぼ均等な確
率で出現するように構成した金属編み線とし、 （４）この金属編み線を加圧・成形して平坦な面を有す
る構造としたことを特徴とする。
は、十分に抵抗率の大きい金属皮膜を有する素線を用い
、 （２）素線における表皮効果を防止するため、素線の径
を表皮深さδを考慮して決定し、（３）この素線を用い
て形成された平板の表皮効果を防止するため、素線を２
軸方向について平板状に編み、各素線の厚さ方向に対す
る位置がその素線の編まれた方向の軸に対して一方の面
から他方の面まで変化し、各緊線の位置がほぼ均等な確
率で出現するように構成した金属編み線とし、 （４）この金属編み線を加圧・成形して平坦な面を有す
る構造としたことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明による金属平板の一実施例斜視図であ
り、第４図に示す＃！線素材１の外周に抵抗率ρの大き
い金属皮膜２を形成した素線３を、第７図に示すように
χ軸方向４、ｙ軸方向５の２軸方向について素線３−１
、素＠５−２を平板状に一層編みし、第８図に示す断面
構造を有する金属編みＩｓ６を製作し、これを加圧・成
形して平坦な面を有する平板となした金属平板７を示す
。金属平板７の素線３において、金属皮膜２により銅線
素材１を電流路として確保できる理由を、金属平板７の
断面図である第１８図を用いて説明する。ここでχ軸方
向４に流れる電流を考えると、破線で示す２つの電流路
ＡＢＤ１２（Ａ点８．Ｂ点？、Ｄ点１１）、ＡＯＤ １
３ （Ａ点８．０点１０．Ｄ点１１）に流れる電流の割
合は、電気抵抗の小さい方が大きい。
り、第４図に示す＃！線素材１の外周に抵抗率ρの大き
い金属皮膜２を形成した素線３を、第７図に示すように
χ軸方向４、ｙ軸方向５の２軸方向について素線３−１
、素＠５−２を平板状に一層編みし、第８図に示す断面
構造を有する金属編みＩｓ６を製作し、これを加圧・成
形して平坦な面を有する平板となした金属平板７を示す
。金属平板７の素線３において、金属皮膜２により銅線
素材１を電流路として確保できる理由を、金属平板７の
断面図である第１８図を用いて説明する。ここでχ軸方
向４に流れる電流を考えると、破線で示す２つの電流路
ＡＢＤ１２（Ａ点８．Ｂ点？、Ｄ点１１）、ＡＯＤ １
３ （Ａ点８．０点１０．Ｄ点１１）に流れる電流の割
合は、電気抵抗の小さい方が大きい。
そこで、素１ｓ３の金属皮膜２−１．２−２の皮膜厚、
抵抗率を大きくすることにより、電流路ＡＢＤ１３に流
れる電流を十分に小さくして、＃ｉＭ素材１−１を電流
路としている。この時の銅線素材１−１の径は、素＃ｉ
！３の表皮効果防止の点から表皮深さδの約２倍以下の
大きさである。また、金属平板７の厚さ方向に対する表
皮効果を防止するため、各素！ｓ３の厚さ方向に対する
位置がその素線３の編まれた方向の軸に対して金属平板
７の上面から下面まで変化し、各素線３の位置が均等な
確率で出現するように構成しである。第４図に示す素線
３の金属皮膜２の代りに絶縁性の樹脂皮膜を用いること
ができることは勿論である。
抵抗率を大きくすることにより、電流路ＡＢＤ１３に流
れる電流を十分に小さくして、＃ｉＭ素材１−１を電流
路としている。この時の銅線素材１−１の径は、素＃ｉ
！３の表皮効果防止の点から表皮深さδの約２倍以下の
大きさである。また、金属平板７の厚さ方向に対する表
皮効果を防止するため、各素！ｓ３の厚さ方向に対する
位置がその素線３の編まれた方向の軸に対して金属平板
７の上面から下面まで変化し、各素線３の位置が均等な
確率で出現するように構成しである。第４図に示す素線
３の金属皮膜２の代りに絶縁性の樹脂皮膜を用いること
ができることは勿論である。
第２図は、本発明のもう一つの実施例であり、第６図に
示すアルミニウム線素材１４に絶縁性皮膜としてアルミ
ナ酸化皮膜１５を形成した素線１６を用い、第７図と同
様に２軸方向について素線１ｓ−１、素線１６−２を平
板状に一層編みした金属編み線を製作し、これを加圧・
成形して平坦な面を有する平板となした金属平板１７を
示す。素線１６は、絶縁性のアルミナ酸化皮膜１５を有
するため電流路の形成が容易である。また、素線１６は
変形し易いアルミニウム線素材１４であるため金属平板
１７の製造を容易にしている。
示すアルミニウム線素材１４に絶縁性皮膜としてアルミ
ナ酸化皮膜１５を形成した素線１６を用い、第７図と同
様に２軸方向について素線１ｓ−１、素線１６−２を平
板状に一層編みした金属編み線を製作し、これを加圧・
成形して平坦な面を有する平板となした金属平板１７を
示す。素線１６は、絶縁性のアルミナ酸化皮膜１５を有
するため電流路の形成が容易である。また、素線１６は
変形し易いアルミニウム線素材１４であるため金属平板
１７の製造を容易にしている。
以上に述べた二つの実施例は、素Ｉｉｌ！３または素線
１６を２軸方向について平板状に一層編みしたもので、
断面構造の簡略図として第８図をもとに第９図を考える
ことができる。第９図は、金属編みｇ６の一層編み構造
を示すもので、χ軸方向４に編まれた素線３−１とｙ軸
方向５に編まれた素線３−２の位置関係を示す。
１６を２軸方向について平板状に一層編みしたもので、
断面構造の簡略図として第８図をもとに第９図を考える
ことができる。第９図は、金属編みｇ６の一層編み構造
を示すもので、χ軸方向４に編まれた素線３−１とｙ軸
方向５に編まれた素線３−２の位置関係を示す。
゛第１０図は、本発明の第３の実施例であり、２層編み
した金属編み線の断面構造の簡略図を示す。χ軸方向４
に２本の素１ｓ２５−１ｃＬ、２５−ＩＡが交点２４に
おいて各々ｙ軸方向５に対して均等な位置関係をもつよ
うに交差して編まれ、かつｙ軸方向５にも２本の素、９
３２５−２α、２５−２ｂが同様に編まれた構造により
、２層編みした金属編み線が製作される。この時に使用
した素＠２５は第５図に示すように、銅線素材２０の外
周にアルミニ９ム層２１を設けた後、この表面にアルミ
ナ酸化皮膜２２を形成したものである。使用する素線と
して、第６図に示すようなアルミニラム線素材１４の表
面にアルミナ酸化皮膜１５を形成した素線１６を用いる
こともできる。
した金属編み線の断面構造の簡略図を示す。χ軸方向４
に２本の素１ｓ２５−１ｃＬ、２５−ＩＡが交点２４に
おいて各々ｙ軸方向５に対して均等な位置関係をもつよ
うに交差して編まれ、かつｙ軸方向５にも２本の素、９
３２５−２α、２５−２ｂが同様に編まれた構造により
、２層編みした金属編み線が製作される。この時に使用
した素＠２５は第５図に示すように、銅線素材２０の外
周にアルミニ９ム層２１を設けた後、この表面にアルミ
ナ酸化皮膜２２を形成したものである。使用する素線と
して、第６図に示すようなアルミニラム線素材１４の表
面にアルミナ酸化皮膜１５を形成した素線１６を用いる
こともできる。
第１１図は、本発明の第４の実施例であり、３ＰＩＩ編
みした金属編み線の構造を示す。
みした金属編み線の構造を示す。
第１２図は、本発明の第５の実施例であり、５層編みし
た金属編み線の構造を示す。χ軸方向４に５本の素Ｍ
２Ｂ−１Ｇ、２５−１ｂ、２３−１ｅ、２５−１ｄ 。
た金属編み線の構造を示す。χ軸方向４に５本の素Ｍ
２Ｂ−１Ｇ、２５−１ｂ、２３−１ｅ、２５−１ｄ 。
２３−１４が４箇所の交点２４−（Ｌ、２４−ｂ、２４
−Ｃ，２４−ｄにおいて、各々ｙ軸方向５に対して均等
な位置関係をもつように交差して編まれ、かつｙ軸方向
５にも５本の素線２３−２α、２３−２Ａ、２５−２６
．．２３−２ｄ 。
−Ｃ，２４−ｄにおいて、各々ｙ軸方向５に対して均等
な位置関係をもつように交差して編まれ、かつｙ軸方向
５にも５本の素線２３−２α、２３−２Ａ、２５−２６
．．２３−２ｄ 。
２３−２−が同様に編まれた構造により、５層編みした
金属編み線が間作される。４層更には６層以上の金属編
み線も同様に製作される。
金属編み線が間作される。４層更には６層以上の金属編
み線も同様に製作される。
第３図は、本発明の第５の実施例で５ＷＪｌＢみした金
Ｎ４編み線を加圧・成形して平坦な面を有する平板とし
た金属平板２５を示す。使用した素線３は第４図に示す
ＩＮ素材１に抵抗率の十分に大きい金属皮膜２を設けた
ものである。この素線３に代わり、第５図に示す銅線素
材２０の外周にアルミニウム層を設け、その表面にアル
ミナの絶縁性酸化皮膜を形成した素線２３、または第６
図に示すアルミニウム線素材１４の表面にアルミナの絶
縁性酸化皮膜を形成した素線１６を用いることができる
。本実施例では、素ｌｓ３をχ軸方向４１．Ｆ軸方向５
の２軸方向について平板状に、第１２図に示した編み方
により５層編みを行ない、容素＄３５−１（３−２）の
厚さ方向（Ｚ軸方向２６）に対する位置がその素線３−
１（５−２）の編まれた方向の軸に対して上面２７から
下面２８まで変化し、各素線３−１（３−２）の位置関
係を均等化することにより、容素＠５−１（５−２）に
流れる電流を均一にし、金属平板２５に流れる電流の表
皮効果、つまり偏りを防止している。ここで使用してい
る素＠５の径は、当然素線３自身が表皮効果の影響を受
けにくい大きさにしである。本実施例のように、５層編
みした金属平板２５の表皮効果を防止できることから、
金属平板２５の板厚２９を大きくすることにより金属平
板２５のχ軸方向４、ｙ軸方向５に対する電気抵抗を大
幅に減少させることができる。素線３の径が一定の場合
、多層編みした金属平板により板厚を増加させることが
でき、これにより電気抵抗の大幅な低減を達成できる。
Ｎ４編み線を加圧・成形して平坦な面を有する平板とし
た金属平板２５を示す。使用した素線３は第４図に示す
ＩＮ素材１に抵抗率の十分に大きい金属皮膜２を設けた
ものである。この素線３に代わり、第５図に示す銅線素
材２０の外周にアルミニウム層を設け、その表面にアル
ミナの絶縁性酸化皮膜を形成した素線２３、または第６
図に示すアルミニウム線素材１４の表面にアルミナの絶
縁性酸化皮膜を形成した素線１６を用いることができる
。本実施例では、素ｌｓ３をχ軸方向４１．Ｆ軸方向５
の２軸方向について平板状に、第１２図に示した編み方
により５層編みを行ない、容素＄３５−１（３−２）の
厚さ方向（Ｚ軸方向２６）に対する位置がその素線３−
１（５−２）の編まれた方向の軸に対して上面２７から
下面２８まで変化し、各素線３−１（３−２）の位置関
係を均等化することにより、容素＠５−１（５−２）に
流れる電流を均一にし、金属平板２５に流れる電流の表
皮効果、つまり偏りを防止している。ここで使用してい
る素＠５の径は、当然素線３自身が表皮効果の影響を受
けにくい大きさにしである。本実施例のように、５層編
みした金属平板２５の表皮効果を防止できることから、
金属平板２５の板厚２９を大きくすることにより金属平
板２５のχ軸方向４、ｙ軸方向５に対する電気抵抗を大
幅に減少させることができる。素線３の径が一定の場合
、多層編みした金属平板により板厚を増加させることが
でき、これにより電気抵抗の大幅な低減を達成できる。
第１３図は、磁気バブルメモリ装置の駆動部の斜視図で
あり、向い合う巻線の組３０−１．３０−２と３１−１
、３１−２が各々互いに平行になるように４９所に巻
線が施こされた磁性材料からなる直方体コア３２と、こ
のコア３２の作る空間内に置かれた磁気バブルメモリチ
ップ３３及びこのチップを搭載した配線基板３４を、導
体ケース３５（図中に、一点ｇＡ線で示す）で覆った構
造を示す。
あり、向い合う巻線の組３０−１．３０−２と３１−１
、３１−２が各々互いに平行になるように４９所に巻
線が施こされた磁性材料からなる直方体コア３２と、こ
のコア３２の作る空間内に置かれた磁気バブルメモリチ
ップ３３及びこのチップを搭載した配線基板３４を、導
体ケース３５（図中に、一点ｇＡ線で示す）で覆った構
造を示す。
破線の矢印３６は、巻ｌ／ｓ３０．３１により発生した
瞬時の回転磁界ＨＲを示す。この回転磁界を閉込めるた
めの導体ケース３５の内部には、第１３図のＡ−ｈ＠断
面図である第１４図（コア３２、巻線３０、配線基板３
４を省略しである）に示すように、閉ループを形成する
渦電流（誘動電流）３７が矢印３７−１ 、３７−２
、３７−３ 、３７−４の方向に流れている。ここで、
バブルメモリ装置の高速化により回転磁界駆動周波数ｆ
が高くなると、銅板やアルミニウム板からなる板厚（ｔ
、） Ｓａの導体ケース３５を用いた場合、渦電流３７
は表皮効果の影響を受けて電流分布に偏りを生ずる。第
１４図のＡ−ｈ＠断面において、導体ケース３５の内側
の点３９を原点にとり板厚（１）方向を外側方向にとる
と、渦電流密度分布Ｊは、第１５図に示すように、分布
４０をもつ。このような分布４０をもつと、第１に実効
的な断面積つまりこの場合は実効的な板厚（ｔ、、）
３８が減少して電流路の抵抗値が増大し、第２に、回転
磁界を閉込めるために必要な一定の全渦電流エアに対し
て、電流路の実効的な断面積が減少し渦電流密度分布Ｊ
が増大することにより、導体ケース３５に発生する損失
が増加し、消費電力の増加をもたらす。
瞬時の回転磁界ＨＲを示す。この回転磁界を閉込めるた
めの導体ケース３５の内部には、第１３図のＡ−ｈ＠断
面図である第１４図（コア３２、巻線３０、配線基板３
４を省略しである）に示すように、閉ループを形成する
渦電流（誘動電流）３７が矢印３７−１ 、３７−２
、３７−３ 、３７−４の方向に流れている。ここで、
バブルメモリ装置の高速化により回転磁界駆動周波数ｆ
が高くなると、銅板やアルミニウム板からなる板厚（ｔ
、） Ｓａの導体ケース３５を用いた場合、渦電流３７
は表皮効果の影響を受けて電流分布に偏りを生ずる。第
１４図のＡ−ｈ＠断面において、導体ケース３５の内側
の点３９を原点にとり板厚（１）方向を外側方向にとる
と、渦電流密度分布Ｊは、第１５図に示すように、分布
４０をもつ。このような分布４０をもつと、第１に実効
的な断面積つまりこの場合は実効的な板厚（ｔ、、）
３８が減少して電流路の抵抗値が増大し、第２に、回転
磁界を閉込めるために必要な一定の全渦電流エアに対し
て、電流路の実効的な断面積が減少し渦電流密度分布Ｊ
が増大することにより、導体ケース３５に発生する損失
が増加し、消費電力の増加をもたらす。
第１５図に示す渦電流密度分布４１は、本発明による金
属平板を用いて導体ケースに使用した場合を示し、渦電
流が表皮効果の影響を受けないため駆動周波数ｆが増加
しても分布４１が一様となり、渦電流路における実効的
な板厚（ｔｌ）３８の減少がなく、かつ金属平板の板厚
（ｔ、：Ｈａを厚くすることができるため、電流路の抵
抗値を板厚（ｔ、、） ｓＢに反比例する形で十分に減
少させることができ、回転磁界を閉込めるために必要な
一定の全渦電流エアに対して、電流路の板厚（ｔ、）
Ｓａが変化しないため、渦電流密度Ｊが一定となること
から、従来困難であった高速化における導体ケースの損
失低減、つまり磁気バブルメモリ装置の消費電力低減を
容易かつ大幅に可能とした。
属平板を用いて導体ケースに使用した場合を示し、渦電
流が表皮効果の影響を受けないため駆動周波数ｆが増加
しても分布４１が一様となり、渦電流路における実効的
な板厚（ｔｌ）３８の減少がなく、かつ金属平板の板厚
（ｔ、：Ｈａを厚くすることができるため、電流路の抵
抗値を板厚（ｔ、、） ｓＢに反比例する形で十分に減
少させることができ、回転磁界を閉込めるために必要な
一定の全渦電流エアに対して、電流路の板厚（ｔ、）
Ｓａが変化しないため、渦電流密度Ｊが一定となること
から、従来困難であった高速化における導体ケースの損
失低減、つまり磁気バブルメモリ装置の消費電力低減を
容易かつ大幅に可能とした。
第１６図は、第１３図に示す磁気バブルメモリ装置駆動
部の損失抵抗Ｒと導体ケース３５の板厚（１）の関係を
示す。一定の周波数１１において、従来の金属平板を使
用した場合が曲線４２の特性を示し、本発明による金属
平板を使用した場合が曲線４３の特性を示す。
部の損失抵抗Ｒと導体ケース３５の板厚（１）の関係を
示す。一定の周波数１１において、従来の金属平板を使
用した場合が曲線４２の特性を示し、本発明による金属
平板を使用した場合が曲線４３の特性を示す。
曲線４２の特性は、表皮効果の影響により板厚（１）を
ある程度以上大きくしても、損失抵抗Ｒが一定値Ｒ１以
下にならないことを示す。一方、曲＠４３の特性は、損
失抵抗Ｒが板厚（１）に反比例する形で減少し、一定値
Ｒ２の近くまで減少する。この損失抵抗Ｒ２は、第１３
図における巻＠！３０（！１１）自体の損失であり、導
体テース３５と直接関係しない。
ある程度以上大きくしても、損失抵抗Ｒが一定値Ｒ１以
下にならないことを示す。一方、曲＠４３の特性は、損
失抵抗Ｒが板厚（１）に反比例する形で減少し、一定値
Ｒ２の近くまで減少する。この損失抵抗Ｒ２は、第１３
図における巻＠！３０（！１１）自体の損失であり、導
体テース３５と直接関係しない。
第１７図は、第１３図に示す磁気バブルメモリ装置駆動
部の損失抵抗Ｒと駆動周波数ｆの関係を示す。只。は、
低周波（＜ｆａ）における損失抵抗を表わし、はとんど
表皮効果の影響を受けていない。
部の損失抵抗Ｒと駆動周波数ｆの関係を示す。只。は、
低周波（＜ｆａ）における損失抵抗を表わし、はとんど
表皮効果の影響を受けていない。
一定の板厚（ｔｌ）において、従来の金属平板を使用し
た場合が曲！ｓ４４の特性を示し、本発明による金属平
板を使用した場合が曲線４５，４６゜４７の特性を示す
。曲ｔｓ４４の特性は、駆動周波数ｆの増加に対して表
皮効果の影響を受けるため立上りが早い。一方、曲＃４
５の特性は、曲線４４の特性に比べて立上りが遅くなっ
ているものの、同様の傾向を示している。これは、金属
平板に使用した素線の径の大きさが、駆動周波数ｆの増
加により表皮効果の影響を受ける範囲に入っているため
である。従って、導体＋ −ス３５に更に素線の径を小
さくした多層編み線による金属平板を使用すると、曲線
４６の特性に示すように損失抵抗只の立上りを遅らすこ
とができる。曲１ｓ４７の特性は、素線の径を十分に小
さくすることにより、必要とする駆動周波′＃、（ｆ
／ｆｏ ＞ １０４ ） マＴ’表皮効果ｔｔ防止シタ
場合を示す。
た場合が曲！ｓ４４の特性を示し、本発明による金属平
板を使用した場合が曲線４５，４６゜４７の特性を示す
。曲ｔｓ４４の特性は、駆動周波数ｆの増加に対して表
皮効果の影響を受けるため立上りが早い。一方、曲＃４
５の特性は、曲線４４の特性に比べて立上りが遅くなっ
ているものの、同様の傾向を示している。これは、金属
平板に使用した素線の径の大きさが、駆動周波数ｆの増
加により表皮効果の影響を受ける範囲に入っているため
である。従って、導体＋ −ス３５に更に素線の径を小
さくした多層編み線による金属平板を使用すると、曲線
４６の特性に示すように損失抵抗只の立上りを遅らすこ
とができる。曲１ｓ４７の特性は、素線の径を十分に小
さくすることにより、必要とする駆動周波′＃、（ｆ
／ｆｏ ＞ １０４ ） マＴ’表皮効果ｔｔ防止シタ
場合を示す。
以上のように、本発明による金属子、叛は、磁気バブル
メモリ装置における高速駆動コイルの低消費電力化に必
須な導体ケースを提供する。
メモリ装置における高速駆動コイルの低消費電力化に必
須な導体ケースを提供する。
本発明によれば、表皮効果の影響を受けない新しい機能
を有する金属平極を提供できるため、を磁気的なシール
ド板、反射板の損失低減に対して大きな効果がある。さ
らに、磁気バブルメモリ装置における高速駆動コイルの
消９１！力を大幅に低減できるという工業的に極めて大
きな効果がある。
を有する金属平極を提供できるため、を磁気的なシール
ド板、反射板の損失低減に対して大きな効果がある。さ
らに、磁気バブルメモリ装置における高速駆動コイルの
消９１！力を大幅に低減できるという工業的に極めて大
きな効果がある。
第１図、第２図及び第３図は、各々本発明による金属平
板の３つの実施例の一部を切断した斜視図である。 第４図、第５図、第６図は、各々本発明で使用する素線
の断面図である。 第７図は、素線を１層編みした金属編み線の斜視図であ
る。 第８図は、金属編み線の断面図である。 第９図、第１０図、第１１図及び第１２図は、金属編み
線の断面における編み方を示す４つの実施例の開路図で
ある。 第１３図は、磁気バブルメモリ装置の駆動部の斜視図で
ある。 第１４図は、第１５図Ａ−ＡＩＩＪ断面図である。 第１５図は、第１４図のＡ−Ａ線断面における渦電流密
度Ｊと板厚ｔとの関係を示した特性図である。 第１６図は、損失抵抗Ｒと板厚ｔとの関係を示した特性
図である。 第１７図は、損失抵抗Ｒと駆動周波数ｆとの関係を示し
た特性図である。 第１８図は、金属平板の断面図である。 ５．１６．２３・・・素線、 １５．２２・・・絶縁性皮膜、 ２・・・金属皮膜、 ６・・・金に４編み線、 ７．１７．２５・・・金属平板、 ３５・・・導体ケース、 ３８・・・板厚（ｔ 、 ｔ４ ）。 第 １固 第２国 乃３０ 第４乙 第５に 第６０ 第 ７図 躬ワｌ 第１０巴 婦１３０ 第１６０ 躬Ｉ′７０ ｆ／ ｆ。 第１８η
板の３つの実施例の一部を切断した斜視図である。 第４図、第５図、第６図は、各々本発明で使用する素線
の断面図である。 第７図は、素線を１層編みした金属編み線の斜視図であ
る。 第８図は、金属編み線の断面図である。 第９図、第１０図、第１１図及び第１２図は、金属編み
線の断面における編み方を示す４つの実施例の開路図で
ある。 第１３図は、磁気バブルメモリ装置の駆動部の斜視図で
ある。 第１４図は、第１５図Ａ−ＡＩＩＪ断面図である。 第１５図は、第１４図のＡ−Ａ線断面における渦電流密
度Ｊと板厚ｔとの関係を示した特性図である。 第１６図は、損失抵抗Ｒと板厚ｔとの関係を示した特性
図である。 第１７図は、損失抵抗Ｒと駆動周波数ｆとの関係を示し
た特性図である。 第１８図は、金属平板の断面図である。 ５．１６．２３・・・素線、 １５．２２・・・絶縁性皮膜、 ２・・・金属皮膜、 ６・・・金に４編み線、 ７．１７．２５・・・金属平板、 ３５・・・導体ケース、 ３８・・・板厚（ｔ 、 ｔ４ ）。 第 １固 第２国 乃３０ 第４乙 第５に 第６０ 第 ７図 躬ワｌ 第１０巴 婦１３０ 第１６０ 躬Ｉ′７０ ｆ／ ｆ。 第１８η
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属素材の外周に絶縁性皮膜又は該金属素材より抵
抗率の大きい異種の金属皮膜を形成した素線を、２軸方
向について平板状に編み、各素線の厚さ方向に対する位
置がその素線の面まれた方向の軸に対して一方の面から
他方の面まで変化し、各素線の位置がほぼ均等な確率で
出現するように構成されたことを特徴とする金属編み線
。 ２、上記絶縁性皮膜として絶縁性化合物が用いられ、こ
れが上記金属素材の外周表面に直接皮覆されたことを特
徴とする特許請求範囲第１項記載の金属編み線。 ３、上記異種の金属皮膜の外周表面に絶縁性化合物の皮
膜が形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の金属編み線。 ４、上記素線の平板状編みは、２軸方向について複数層
編まれたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
金属編み線。 ５、金属素材の外周に絶縁性皮膜又は該金属素材より抵
抗率の大きい異種の金属皮膜を形成した素線を、２軸方
向について１層以上をもって平板状に編み、各素線の厚
さ方向に対する位置がその素線の編まれた方向の軸に対
して一方の面から他方の面まで変化し、各素線の位置が
ほぼ均等な確率で出現するように構成された金属編み線
を、加圧・成形して平坦な面を有する平板としたことを
特徴とする金属平板。 ６、向い合う巻線の組が互いに平行になるように４箇所
に巻線が施こされた磁性材料からなる直方体コアと、該
コアの作る空間内に置かれた磁気バブルメモリチップ及
び該チップを搭載した配線基板を導体シールドケースで
覆った構造の磁気バブルメモリ装置において、上記導体
シールドケースを、次の金属平板、即ち、金属素材の外
周に絶縁性皮膜又は該金属素材より抵抗率の大きい異種
の金属皮膜を形成した素線を、２軸方向について１層以
上をもって平板状に編み、各素線の厚さ方向に対する位
置がその素線の編まれた方向の軸に対して一方の面から
他方の面まで変化し、各素線の位置がほぼ均等な確率で
出現するように構成された金属編み線を、加圧・成形し
て平坦な面を有する金属平板、を用いて形成したことを
特徴とする磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208199A JPS6187293A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 金属編み線及びこれを用いた金属平板並びにこの金属平板を用いた磁気バブルメモリ装置 |
| EP85112538A EP0179326A1 (en) | 1984-10-05 | 1985-10-03 | Plate-like woven-wire structure, woven-wire solid plate, and magnetic bubble memory device using the woven-wire structure or solid plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208199A JPS6187293A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 金属編み線及びこれを用いた金属平板並びにこの金属平板を用いた磁気バブルメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187293A true JPS6187293A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0135435B2 JPH0135435B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=16552299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208199A Granted JPS6187293A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 金属編み線及びこれを用いた金属平板並びにこの金属平板を用いた磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0179326A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6187293A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4030892A (en) * | 1976-03-02 | 1977-06-21 | Allied Chemical Corporation | Flexible electromagnetic shield comprising interlaced glassy alloy filaments |
| FR2347854A1 (fr) * | 1976-04-06 | 1977-11-04 | Vibrachoc Sa | Nappe de protection, notamment pour appareils electriques ou radioelectriques |
| US4165535A (en) * | 1977-09-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Bubble memory drive system using a picture frame core and a reflection box |
| US4408255A (en) * | 1981-01-12 | 1983-10-04 | Harold Adkins | Absorptive electromagnetic shielding for high speed computer applications |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59208199A patent/JPS6187293A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-03 EP EP85112538A patent/EP0179326A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0135435B2 (ja) | 1989-07-25 |
| EP0179326A1 (en) | 1986-04-30 |
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