JPS6184049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6184049A JPS6184049A JP20654484A JP20654484A JPS6184049A JP S6184049 A JPS6184049 A JP S6184049A JP 20654484 A JP20654484 A JP 20654484A JP 20654484 A JP20654484 A JP 20654484A JP S6184049 A JPS6184049 A JP S6184049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- polycrystalline silicon
- arsenic
- poly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8248—Combination of bipolar and field-effect technology
- H01L21/8249—Bipolar and MOS technology
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にバイポーラ
型半導体素子とMO8型半導体素子の両方を有する集積
回路装置の製造方法に関する。
型半導体素子とMO8型半導体素子の両方を有する集積
回路装置の製造方法に関する。
従来、MO8型半導体におけるゲート電極として多結晶
ンリコ/を用いてきたが、高速動作を行なわせる為、多
結晶シリコンにヒ素やホウ素等の不純物を拡散させて、
多結晶シリコンの比抵抗上下げることが一般的となって
いる。また一方、バイポーラ型半導体の特にNPN型ト
ランジスタにおいて、高速動作を行なわせる為工S7タ
のN型部を拡散を浅くとれるヒ素を用いることが一般的
となっている。またこのようなエミッタ部においては、
拡散深さが6まりに浅い為、その後の電極形成時に形成
される金属とシリコンのアロイ鳴により接合部が破壊さ
れてしまう。この為、このような浅い拡散層を用いる時
は、接合部と寒極金属の距離を離す目的で、多結晶シリ
コ/層を介することが有効である。
ンリコ/を用いてきたが、高速動作を行なわせる為、多
結晶シリコンにヒ素やホウ素等の不純物を拡散させて、
多結晶シリコンの比抵抗上下げることが一般的となって
いる。また一方、バイポーラ型半導体の特にNPN型ト
ランジスタにおいて、高速動作を行なわせる為工S7タ
のN型部を拡散を浅くとれるヒ素を用いることが一般的
となっている。またこのようなエミッタ部においては、
拡散深さが6まりに浅い為、その後の電極形成時に形成
される金属とシリコンのアロイ鳴により接合部が破壊さ
れてしまう。この為、このような浅い拡散層を用いる時
は、接合部と寒極金属の距離を離す目的で、多結晶シリ
コ/層を介することが有効である。
このようVこ多結晶シリコンを介してエミッタ部を形成
する場合、ヒ素を含んだ多結晶シリコン韻を用いてヒ素
を拡散させ、浅い接合を形成する方法が6’7、これは
多結晶シリコ7層の抵抗が小さい為、順方向電圧も小さ
く、高周波動作を行なうには非常に有効な方法である。
する場合、ヒ素を含んだ多結晶シリコン韻を用いてヒ素
を拡散させ、浅い接合を形成する方法が6’7、これは
多結晶シリコ7層の抵抗が小さい為、順方向電圧も小さ
く、高周波動作を行なうには非常に有効な方法である。
しかるに、高速動作を必要とするMO8型半導体及びバ
イポーラ型半導体の双方を有する集積回路装置において
、この2つの半導体を共に高速動作させるには難点があ
る。即ち、高速動作に対しMO8型半導体は多結晶シリ
コンの抵抗を小さくすることであるが、バイポーラ型半
導体の場合は多結晶シリコン中のヒ素濃度を制御良くコ
ントロールする必要がある。
イポーラ型半導体の双方を有する集積回路装置において
、この2つの半導体を共に高速動作させるには難点があ
る。即ち、高速動作に対しMO8型半導体は多結晶シリ
コンの抵抗を小さくすることであるが、バイポーラ型半
導体の場合は多結晶シリコン中のヒ素濃度を制御良くコ
ントロールする必要がある。
本発明は、これらの難点を克服するものであり、即ち、
バイポーラ型半導jへの多結晶7リコン中のヒ素濃度を
制御良くコントロールして、特性をコントロールし、か
つ、MO8型半導体の多結晶シリコ/の抵抗を小さくす
ることを目的としたものである。
バイポーラ型半導jへの多結晶7リコン中のヒ素濃度を
制御良くコントロールして、特性をコントロールし、か
つ、MO8型半導体の多結晶シリコ/の抵抗を小さくす
ることを目的としたものである。
本発明の半4埠装置の製造方法は、少なくともコレクタ
拡散領域及びベース拡¥rl領域を有する半導体基板上
に形成された絶縁膜に少なくともエミッタ開口部を形成
する工程と、該半導体基板表面に第1層目の多結晶クリ
コン層を形成する工程と。
拡散領域及びベース拡¥rl領域を有する半導体基板上
に形成された絶縁膜に少なくともエミッタ開口部を形成
する工程と、該半導体基板表面に第1層目の多結晶クリ
コン層を形成する工程と。
該第1層目の多結晶7リコン層にヒ素(又はリン)をイ
オン注入法により拡散する工程と、前記第1層の多結晶
シリコン上に$2層目の多結晶シリコン層を形成する工
程と、ヒ素(又はす/)をイオン注入法により拡散する
工程と、前記2層の多結晶シリコン1−ヲ少なくともエ
ミッタ開口部を含む領域を残して除去する工程と、高温
の熱処理によりヒ素(又はリン)をエミッタ開口部のシ
リコン基板内に拡散する工程とを含んで構成される。
オン注入法により拡散する工程と、前記第1層の多結晶
シリコン上に$2層目の多結晶シリコン層を形成する工
程と、ヒ素(又はす/)をイオン注入法により拡散する
工程と、前記2層の多結晶シリコン1−ヲ少なくともエ
ミッタ開口部を含む領域を残して除去する工程と、高温
の熱処理によりヒ素(又はリン)をエミッタ開口部のシ
リコン基板内に拡散する工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第1図(a)〜(h) は本発明の一実施例を説
明するために、工程順に示した断面図である。
る。第1図(a)〜(h) は本発明の一実施例を説
明するために、工程順に示した断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、比抵抗の高いP型/
リコン基板1上に絶縁物2に↓リバイボーラ型半導体領
域AとMO8型半導体碩域領域分離形成されており、3
は低抵抗のN型埋込領域でめワ、低抵抗拡散動域5によ
りトランジスタのコレクメ開口部11と電気的に接続さ
れている。6は低抵抗N型領域、4は高抵抗P型頭域で
ありトランジスタのベース開口部9と接続されている。
リコン基板1上に絶縁物2に↓リバイボーラ型半導体領
域AとMO8型半導体碩域領域分離形成されており、3
は低抵抗のN型埋込領域でめワ、低抵抗拡散動域5によ
りトランジスタのコレクメ開口部11と電気的に接続さ
れている。6は低抵抗N型領域、4は高抵抗P型頭域で
ありトランジスタのベース開口部9と接続されている。
7は絶縁物であり、前記開口部9,110池にエミッタ
開口部10を有している。
開口部10を有している。
一方MO8型半導体部Bは高抵抗N型組域4及びゲート
醒化膜8を有している。
醒化膜8を有している。
次に、第1図(b)に示すように、半導体基板1上に1
500〜2000λ程度の薄い多結晶シリコン層12を
形成する。次いでヒ、素をイオン注入法により拡散させ
る。このとき、ヒ素は40〜80KeV程度で打込むこ
とにより、シリコン基板と多結晶シリコン界面近傍に1
o 16 cm 2の高濃度のヒ素を拡散することが
できる。これは多結晶ンリコ/層金薄く形成した為可能
となり、高a度のヒ素を界面近傍に制御良く拡散するこ
とができる。こうしてトランジスタのエミッタ部を形成
するに必要な濃度を得ることが出来、後にヒ素ヲ/リコ
/基板に押込む時に、制御良く特性を得ることが出来る
。
500〜2000λ程度の薄い多結晶シリコン層12を
形成する。次いでヒ、素をイオン注入法により拡散させ
る。このとき、ヒ素は40〜80KeV程度で打込むこ
とにより、シリコン基板と多結晶シリコン界面近傍に1
o 16 cm 2の高濃度のヒ素を拡散することが
できる。これは多結晶ンリコ/層金薄く形成した為可能
となり、高a度のヒ素を界面近傍に制御良く拡散するこ
とができる。こうしてトランジスタのエミッタ部を形成
するに必要な濃度を得ることが出来、後にヒ素ヲ/リコ
/基板に押込む時に、制御良く特性を得ることが出来る
。
次に、第1図(C)に示すように、続いて多結晶シリコ
/層13t”2000〜2500λ程度杉成し、第1図
(b)工程と同様にヒ素をイオン注入法により拡散させ
る。このときの加速電圧は最大150KeV穆匿で実施
し、シリコン基板との界面近傍には何等影響を与えない
よりにする。
/層13t”2000〜2500λ程度杉成し、第1図
(b)工程と同様にヒ素をイオン注入法により拡散させ
る。このときの加速電圧は最大150KeV穆匿で実施
し、シリコン基板との界面近傍には何等影響を与えない
よりにする。
次に、第1図(d)に示すように、バイポーラ型半導体
領域のエミッタ開口部10.コVクタ開口部11及びM
O8型半導体領域のゲート電極部を覆うようにホトレジ
スト14をパター二/グする。
領域のエミッタ開口部10.コVクタ開口部11及びM
O8型半導体領域のゲート電極部を覆うようにホトレジ
スト14をパター二/グする。
次に、第1図(e)に示すように、ホトレジスト14を
マスクとして多結晶/リコ/層12,13 ’e線除去
る。続いてホウ素をイオン注入法により拡散し、高l農
度P型層15を形成する。
マスクとして多結晶/リコ/層12,13 ’e線除去
る。続いてホウ素をイオン注入法により拡散し、高l農
度P型層15を形成する。
次に、第1図(f)K示すように、ホトL/シスト14
ft除去し1次いで全面にシリコ/酸化膜等の絶縁物1
6f!:形成し、1000℃の不活性ガス中で熱処理す
ることl/Cよりトラ/ンスタのエミッタ部17を形成
する。
ft除去し1次いで全面にシリコ/酸化膜等の絶縁物1
6f!:形成し、1000℃の不活性ガス中で熱処理す
ることl/Cよりトラ/ンスタのエミッタ部17を形成
する。
へに、第1図(g)に示すように、ホトレジスト18f
C形成し、パターニングし、ホトレジスミをマスクとし
て絶縁物をエツチングし電極形成部に開口する。
C形成し、パターニングし、ホトレジスミをマスクとし
て絶縁物をエツチングし電極形成部に開口する。
次に、第1図(h)に示すように、ホトレジスト18を
除去し、開口部にアルミニウム等のt極19を形成する
。
除去し、開口部にアルミニウム等のt極19を形成する
。
以上によりバイポーラ型半導体領域AとMO8型半導体
領域領域有する集積回路装置が完成する。
領域領域有する集積回路装置が完成する。
以上説明したように、本発明によれば、バイポーラ型半
導体を形成するのに薄い多結晶シリコン層を用いて、高
濃度のヒ素をシリコ/基板界面近傍に拡散させるため、
その後の押込、%により精度良くシリコン基板内にヒ素
を拡散させることが出来る。また多結晶シリコンへの高
濃度のヒ素の注入により同時にMO8型半導体の多結晶
シリコンの抵抗も小さくすることができる。以上の結果
製品の大幅な歩留向上及び高速化を達成することができ
る。
導体を形成するのに薄い多結晶シリコン層を用いて、高
濃度のヒ素をシリコ/基板界面近傍に拡散させるため、
その後の押込、%により精度良くシリコン基板内にヒ素
を拡散させることが出来る。また多結晶シリコンへの高
濃度のヒ素の注入により同時にMO8型半導体の多結晶
シリコンの抵抗も小さくすることができる。以上の結果
製品の大幅な歩留向上及び高速化を達成することができ
る。
第1図(a)−(h) は本発明の一実施例を説明す
るために工程順に示した断面図でるる。 l・・・・・・P型ンリコン基板、2・・・・・・絶縁
膜、3・・・・・・N型埋込層、4・・・・・・P型シ
リコン層、5・・・・・・N型拡散層、6・・・・・・
N型拡散層、7・・・・・・絶縁物、8・・・・・・ゲ
ート酸化膜、9・・・・・・ベース開口部、10・・・
・・・エミッタ開口部、11・・・・・・コレクタ開口
部、12・・・・・・第1層目多結晶/リコン、13・
・・・・・第2層目多結晶シリコン鳩、14・・・・・
・ホトレジスト層、15・・・・・・P型拡散層、16
・・・・・・絶縁物、17・・・・・・N型ヒ素拡散層
、18・・・・・・ホトレジスト層、19狛 1 z 察 1 回
るために工程順に示した断面図でるる。 l・・・・・・P型ンリコン基板、2・・・・・・絶縁
膜、3・・・・・・N型埋込層、4・・・・・・P型シ
リコン層、5・・・・・・N型拡散層、6・・・・・・
N型拡散層、7・・・・・・絶縁物、8・・・・・・ゲ
ート酸化膜、9・・・・・・ベース開口部、10・・・
・・・エミッタ開口部、11・・・・・・コレクタ開口
部、12・・・・・・第1層目多結晶/リコン、13・
・・・・・第2層目多結晶シリコン鳩、14・・・・・
・ホトレジスト層、15・・・・・・P型拡散層、16
・・・・・・絶縁物、17・・・・・・N型ヒ素拡散層
、18・・・・・・ホトレジスト層、19狛 1 z 察 1 回
Claims (1)
- 少なくともコレクタ拡散領域及びベース拡散領域を有す
る半導体基板上に形成された絶縁膜に少なくともエミッ
タ開口部を形成する工程と、該半導体基板表面に第1層
目の多結晶シリコン層を形成する工程と、該第1層目の
多結晶シリコン層にヒ素(又はリン)をイオン注入法に
より拡散する工程と、前記第1層の多結晶シリコン上に
第2層目の多結晶シリコン層を形成する工程と、ヒ素(
又はリン)をイオン注入法により拡散する工程と、前記
2層の多結晶シリコン層を少なくともエミッタ開口部を
含む領域を残して除去する工程と、高温の熱処理により
ヒ素(又はリン)をエミッタ開口部のシリコン基板内に
拡散する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20654484A JPS6184049A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20654484A JPS6184049A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6184049A true JPS6184049A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16525134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20654484A Pending JPS6184049A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6184049A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0213854U (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-29 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20654484A patent/JPS6184049A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0213854U (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4609568A (en) | Self-aligned metal silicide process for integrated circuits having self-aligned polycrystalline silicon electrodes | |
JPH05347383A (ja) | 集積回路の製法 | |
KR950006984B1 (ko) | 공통기판에 쌍극성 트랜지스터와 상보형 mos 트랜지스터를 포함하는 집적회로 및 그 제조방법 | |
JPH0578173B2 (ja) | ||
JPS62290173A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2504567B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5106769A (en) | Process for manufacturing bi-cmos type semiconductor integrated circuit | |
JPS6184049A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6038864B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2633559B2 (ja) | バイポーラ―cmos半導体装置の製造方法 | |
JPH0127589B2 (ja) | ||
JPS6123665B2 (ja) | ||
JP3309995B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2915040B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6039868A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0579186B2 (ja) | ||
JPS6286752A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JP3147374B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS58164241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61139057A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPH0475346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61219169A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0567623A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0274042A (ja) | Mis型トランジスタの製造方法 | |
JPS61166072A (ja) | 半導体装置の製造方法 |