JPS6183904A - 終点検出方法 - Google Patents
終点検出方法Info
- Publication number
- JPS6183904A JPS6183904A JP20573684A JP20573684A JPS6183904A JP S6183904 A JPS6183904 A JP S6183904A JP 20573684 A JP20573684 A JP 20573684A JP 20573684 A JP20573684 A JP 20573684A JP S6183904 A JPS6183904 A JP S6183904A
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- Japan
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- light
- end point
- reflected light
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本η案は、゛ト導体への回路パターン形成時等にオンけ
るplA厚変比変化点検出などに適用される終点検出方
法に関する。
るplA厚変比変化点検出などに適用される終点検出方
法に関する。
〈従来技術とその問題点〉
一般に、21′−導体集積回路を例えばフォトエツチン
グ法を適用して形成する場合などには、回路パターンを
形成4°る工程中における現像、あるいはエツチングの
進行状況を検出することか品質管理上必要となる。
グ法を適用して形成する場合などには、回路パターンを
形成4°る工程中における現像、あるいはエツチングの
進行状況を検出することか品質管理上必要となる。
従来、係る進行状況の終点を検出するには半導体等の被
検(4の表面にレーザ光なとのコヒーレット光を照射し
、被検材から放射される1iij記コヒーレント光の−
1−渉反射光を受光してこれを電気信号に変換した後、
その電圧レベルの変化状態から現(象あるいはエツチン
グの終点を検出している。
検(4の表面にレーザ光なとのコヒーレット光を照射し
、被検材から放射される1iij記コヒーレント光の−
1−渉反射光を受光してこれを電気信号に変換した後、
その電圧レベルの変化状態から現(象あるいはエツチン
グの終点を検出している。
しかしながら、従来では被検材への照射光にコヒーレッ
トなレーザ光を用いるので、光源に揺らぎを生じるtと
して不安定で検出感度が一定u′4゛、また、光源に大
眉源が必要となり終点検出のための装置が大型化するな
どの難点かある。
トなレーザ光を用いるので、光源に揺らぎを生じるtと
して不安定で検出感度が一定u′4゛、また、光源に大
眉源が必要となり終点検出のための装置が大型化するな
どの難点かある。
〈 し11白 〉
本発明は従来の係る問題点を解消し、インコヒーレント
光を用いて被検材からその膜厚変化に伴なって放射され
る前記インコヒーレント光の反射光の内ある特定の波長
の反射光のみ検出するよっにして、従来よりら検出感度
が安定化し、しかも、終占、検出装置の小片3峰m化か
図れるようにすることを1」的と4°ろ。
光を用いて被検材からその膜厚変化に伴なって放射され
る前記インコヒーレント光の反射光の内ある特定の波長
の反射光のみ検出するよっにして、従来よりら検出感度
が安定化し、しかも、終占、検出装置の小片3峰m化か
図れるようにすることを1」的と4°ろ。
(実施例〉
以ト、本発明を図面に下4゛太施に梧−)いて詳細に説
明オろ。なお、この実施例では現像の終へ検出に適用し
た場合について説明する。
明オろ。なお、この実施例では現像の終へ検出に適用し
た場合について説明する。
第1図は本発明の方法を適用ケるための終点検出装置の
概略構成図である。同図において、■は終点検出装置、
2は現象液スプレーで、現像液スプレー2は終点検出装
置1によ−−ζ現象処理91作か制御される。4は回路
パター7を現象酊べきSlつJ、ハとし゛ごの彼検香4
であ1.て、モータ6によって回転駆動され、例えば図
示のよつに現像液スプレー2によって該彼倹材4の上方
からスビノ現像による所定の現象処理か施される。上記
終点検出装置lは、イノコヒーレット光を放射する発光
ダイオード等の発光素子8、この発光素子8から放射さ
れたイノコヒーレット光を凸レンズ10にまで導く投光
用先ファイバ12、vL倹材4に照射されrこイノコヒ
ーレット光のその反射光を凸レンズ10を介して受ノし
4″ろ受光用光ファイバト1、ス ゛尤用先ファイハト
1て導かれた反射光を検出する所定の検出感塵特性をW
itえた光電変換手段1G、このノいU変換丁1段16
かり出)Jされる検出(0号を増幅4〜ろ増幅器18、
増幅2318で増幅されr二検串信5)に基−ノき現像
処理の終点を検出する終点検出回路20および終I′3
.検出回路20の出力を入力しτ現象液スプレー2を制
御する自動制御回路22とを備えて構成されるう まノコ、11(3記尤1u変換T一段16は、第2図ニ
小4゜ように、被検材4から放射されるイノコヒーレッ
ト)しの反射光の内ある特定の波長λ。の成う)のみを
倹山4ろらので、例えば所定の01.長感度特性を何す
る受光素子単体、あるいは受光素子の前面に所定の波長
の光のみを通過させるフィルタを配置して構成される。
概略構成図である。同図において、■は終点検出装置、
2は現象液スプレーで、現像液スプレー2は終点検出装
置1によ−−ζ現象処理91作か制御される。4は回路
パター7を現象酊べきSlつJ、ハとし゛ごの彼検香4
であ1.て、モータ6によって回転駆動され、例えば図
示のよつに現像液スプレー2によって該彼倹材4の上方
からスビノ現像による所定の現象処理か施される。上記
終点検出装置lは、イノコヒーレット光を放射する発光
ダイオード等の発光素子8、この発光素子8から放射さ
れたイノコヒーレット光を凸レンズ10にまで導く投光
用先ファイバ12、vL倹材4に照射されrこイノコヒ
ーレット光のその反射光を凸レンズ10を介して受ノし
4″ろ受光用光ファイバト1、ス ゛尤用先ファイハト
1て導かれた反射光を検出する所定の検出感塵特性をW
itえた光電変換手段1G、このノいU変換丁1段16
かり出)Jされる検出(0号を増幅4〜ろ増幅器18、
増幅2318で増幅されr二検串信5)に基−ノき現像
処理の終点を検出する終点検出回路20および終I′3
.検出回路20の出力を入力しτ現象液スプレー2を制
御する自動制御回路22とを備えて構成されるう まノコ、11(3記尤1u変換T一段16は、第2図ニ
小4゜ように、被検材4から放射されるイノコヒーレッ
ト)しの反射光の内ある特定の波長λ。の成う)のみを
倹山4ろらので、例えば所定の01.長感度特性を何す
る受光素子単体、あるいは受光素子の前面に所定の波長
の光のみを通過させるフィルタを配置して構成される。
次に、L記構成の終点検出装置1を適用して披険付・1
に面の現像に伴なう@比変化の終戦を検出4°ろノj法
にすいて説明する。
に面の現像に伴なう@比変化の終戦を検出4°ろノj法
にすいて説明する。
まず、発光素r−8から放射されるインコヒーレット光
を投光用光ファイバ12によって凸レンズ10に導き、
ここから被検材4表面にイノコヒーレット光を照射する
。被検材4.!面からはインコヒーレノトノtの反射光
が放q(されるので、この反q・を光を111び凸レン
ズ10を介して受光用光ファイ・〈11で2光し、受光
した反I(光を該受光用光ファ(バ14によ−て光電変
換手段16に導く。そして、光・U変換ト段Iを)て反
Q・t ノしのうら特定波長成分のみを検出4゛ろ、1
4゛なわり、彼検材4から故射さ(Iろ反qt毘は被検
I4・1の唖Fiの変化にχi応してピークが連続的に
変化するので、特定波長の反射)eのみに着目してこれ
を検出すれば所定の膜厚の変化状聾を検出でき、反射光
の変化かなくな。たときが現象の終点を示すことになる
。これはいイつば一定の波長軸上で反q−を光を検出し
ていることになり、従−て、強度変動に対して非常にS
/N比の良い検出が可能となる。
を投光用光ファイバ12によって凸レンズ10に導き、
ここから被検材4表面にイノコヒーレット光を照射する
。被検材4.!面からはインコヒーレノトノtの反射光
が放q(されるので、この反q・を光を111び凸レン
ズ10を介して受光用光ファイ・〈11で2光し、受光
した反I(光を該受光用光ファ(バ14によ−て光電変
換手段16に導く。そして、光・U変換ト段Iを)て反
Q・t ノしのうら特定波長成分のみを検出4゛ろ、1
4゛なわり、彼検材4から故射さ(Iろ反qt毘は被検
I4・1の唖Fiの変化にχi応してピークが連続的に
変化するので、特定波長の反射)eのみに着目してこれ
を検出すれば所定の膜厚の変化状聾を検出でき、反射光
の変化かなくな。たときが現象の終点を示すことになる
。これはいイつば一定の波長軸上で反q−を光を検出し
ていることになり、従−て、強度変動に対して非常にS
/N比の良い検出が可能となる。
引き続いて、光電変換手段16で検出した反q=を尤を
これに対応する検出信号に変換し、変換した検出信号を
第3図に示すように、所定のサノプリノグ間隔tごとに
出力する。そして、この検出信号を次段の増幅器18で
増幅しr二後、終点検出回路20に送出する。終点検出
回路20ではfめ所定のスレツユホールトレベルSしを
設定してれさ、検出信号を第4図に示ずよつなペルスフ
リに変換する。彼検材4の現象によりその膜厚が変化し
て特定波長の反射光の強度か弱まりI:ルスの繰り返し
出力がtilt <なったときを彼倹オの現像変化の終
点と干る。そして、終へ検出回路20で終点を検出4ろ
と、柊!1ζ険出1+j’Jを自動制御回路22にly
えるうこれによって、現像液スプレー2の現象処理動作
が停止1.される。
これに対応する検出信号に変換し、変換した検出信号を
第3図に示すように、所定のサノプリノグ間隔tごとに
出力する。そして、この検出信号を次段の増幅器18で
増幅しr二後、終点検出回路20に送出する。終点検出
回路20ではfめ所定のスレツユホールトレベルSしを
設定してれさ、検出信号を第4図に示ずよつなペルスフ
リに変換する。彼検材4の現象によりその膜厚が変化し
て特定波長の反射光の強度か弱まりI:ルスの繰り返し
出力がtilt <なったときを彼倹オの現像変化の終
点と干る。そして、終へ検出回路20で終点を検出4ろ
と、柊!1ζ険出1+j’Jを自動制御回路22にly
えるうこれによって、現像液スプレー2の現象処理動作
が停止1.される。
?jわ、この実1赳例ては現象処理についてらうぽち説
明しノーか、これに限定されるものではな?、エッチツ
タ゛ξ1と;皮倹にの模r/変化の検出に広く本発明を
適用4ることかできる。
明しノーか、これに限定されるものではな?、エッチツ
タ゛ξ1と;皮倹にの模r/変化の検出に広く本発明を
適用4ることかできる。
く効用〉
以]−のように、本発明によれば被検材の表面t\の照
射光としてイノコヒーレット光を用い、披検祠からその
模1v変化に(1−なって放射される前記イノコヒーレ
ノト尤の反射フしの内ある特定の波長の反射光U)Aを
所定の検出感11特性を(dllえた尤・k変換手段て
検出し、この光電変換手段から出力される検出(3、弓
のレベル変化から前記肢検ヰ(の1巨11J変化の終点
を検出4−ろので、従来よりも検出感度が安定化し、し
かし、終点検出装置の小形軽量化か図れるようになると
いう優れた効果を奏する。
射光としてイノコヒーレット光を用い、披検祠からその
模1v変化に(1−なって放射される前記イノコヒーレ
ノト尤の反射フしの内ある特定の波長の反射光U)Aを
所定の検出感11特性を(dllえた尤・k変換手段て
検出し、この光電変換手段から出力される検出(3、弓
のレベル変化から前記肢検ヰ(の1巨11J変化の終点
を検出4−ろので、従来よりも検出感度が安定化し、し
かし、終点検出装置の小形軽量化か図れるようになると
いう優れた効果を奏する。
図面は本発明の実施例を示し、第1図は本発明の方法を
適用するための終点検出装置の概略構成図1、第2図は
光電変換手段の波長感度特性図、第3図および第4図は
本発明の詳細な説明図である。 1 被検材、4 ・被検材、8−光源、16 光電変換
手段。
適用するための終点検出装置の概略構成図1、第2図は
光電変換手段の波長感度特性図、第3図および第4図は
本発明の詳細な説明図である。 1 被検材、4 ・被検材、8−光源、16 光電変換
手段。
Claims (1)
- (1)被検材の表面への照射光としてインコヒーレント
光を用い、被検材からその膜厚変化に伴なって放射され
る前記インコヒーレント光の反射光の内ある特定の波長
の反射光のみを所定の検出感度特性を備えた光電変換手
段で検出し、この光電変換手段から出力される検出信号
のレベル変化から前記被検材の膜厚変化の終点を検出す
ることを特徴とする終点検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20573684A JPS6183904A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20573684A JPS6183904A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 終点検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6183904A true JPS6183904A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16511810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20573684A Pending JPS6183904A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 終点検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6183904A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01134202A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Fujitsu Ltd | レーザ終点検出装置 |
JPH01217506A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-31 | Fujitsu Ltd | 部品出材処理システム |
WO1998058400A3 (en) * | 1997-06-17 | 1999-04-01 | Luxtron Corp | Liquid etch endpoint detection and process metrology |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP20573684A patent/JPS6183904A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01134202A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Fujitsu Ltd | レーザ終点検出装置 |
JPH01217506A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-31 | Fujitsu Ltd | 部品出材処理システム |
WO1998058400A3 (en) * | 1997-06-17 | 1999-04-01 | Luxtron Corp | Liquid etch endpoint detection and process metrology |
US6406641B1 (en) | 1997-06-17 | 2002-06-18 | Luxtron Corporation | Liquid etch endpoint detection and process metrology |
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