JPS601502A - ホトレジスト膜測定装置 - Google Patents
ホトレジスト膜測定装置Info
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- JPS601502A JPS601502A JP10938383A JP10938383A JPS601502A JP S601502 A JPS601502 A JP S601502A JP 10938383 A JP10938383 A JP 10938383A JP 10938383 A JP10938383 A JP 10938383A JP S601502 A JPS601502 A JP S601502A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ホトレジスト膜の膜厚あるいは寸法等の形状
を測定する装置に関するものである。
を測定する装置に関するものである。
ホトレジスト膜の膜厚あるいは寸法等を測定することは
、半導体プロセスにおける重要課題めひとつである。
、半導体プロセスにおける重要課題めひとつである。
従来、膜厚の測定には、近赤外偏光干渉計（日立評論、
４５、Ｎα６３、ｐｐ、１６６６．１９６３）、光学干
渉顕微鏡による目視測定、エリプソメータ、クリステツ
ブ等が使用されてきた。また、吸収を用いた膜厚測定法
（第２０回計測自動制御学会学術講演会予稿集、Ｎα２
７０６．１９８１ ）、あるいは、金属表面上の油膜の
膜厚測定を蛍光を使って行う方法（油分測定装置、特開
昭５７−８６７４３号公報）などが提案されている。
４５、Ｎα６３、ｐｐ、１６６６．１９６３）、光学干
渉顕微鏡による目視測定、エリプソメータ、クリステツ
ブ等が使用されてきた。また、吸収を用いた膜厚測定法
（第２０回計測自動制御学会学術講演会予稿集、Ｎα２
７０６．１９８１ ）、あるいは、金属表面上の油膜の
膜厚測定を蛍光を使って行う方法（油分測定装置、特開
昭５７−８６７４３号公報）などが提案されている。
一方、半導体プロセスでは、面積が０．０１〜１μｍ２
、厚さが０．０１〜１μｍの半導体基板上での残留ホト
レジストや、幅が１〜２ｐｍ、厚さが１μｍ程度のホト
レジストのパターンの測定を行う必要がある。しかしな
がら、上記した従来の１漠厚の測定方法は、これらの測
定の実施に対し、以下述べるような問題点や欠点を有し
ていた。
、厚さが０．０１〜１μｍの半導体基板上での残留ホト
レジストや、幅が１〜２ｐｍ、厚さが１μｍ程度のホト
レジストのパターンの測定を行う必要がある。しかしな
がら、上記した従来の１漠厚の測定方法は、これらの測
定の実施に対し、以下述べるような問題点や欠点を有し
ていた。
まず、近赤外偏光干渉計では、入射光を基板に対して斜
めに入射させるので、短焦点のレンズを使うことができ
ず、光束を絞ることができない。
めに入射させるので、短焦点のレンズを使うことができ
ず、光束を絞ることができない。
このため、高い位置分解能は期待できない。また、この
方法では膜厚が約１０００ Ａよ、り薄いものを測定す
ることは不可能である。
方法では膜厚が約１０００ Ａよ、り薄いものを測定す
ることは不可能である。
光学干渉顕微鏡を使った場合には、ホトレジスト膜は膜
厚が薄いと干渉色が発生するので、干渉縞の色を判別す
るのが困難°になる。また、当然段差がなければ測定で
きないが、ホトレジスト膜の面積が１μｍ２以下と小さ
い場合には、その小さい面積内で干渉縞を読みとる必要
があるため、測定は非常に難しくなる。
厚が薄いと干渉色が発生するので、干渉縞の色を判別す
るのが困難°になる。また、当然段差がなければ測定で
きないが、ホトレジスト膜の面積が１μｍ２以下と小さ
い場合には、その小さい面積内で干渉縞を読みとる必要
があるため、測定は非常に難しくなる。
エリプソメータは、薄いホトレジストの膜厚が測定でき
るが、光を膜面に対して斜めに入射する方式をとるため
、位置分解能をミクロンオーダにすることが困難である
。また、膜厚を導出するための計算が複雑である。
るが、光を膜面に対して斜めに入射する方式をとるため
、位置分解能をミクロンオーダにすることが困難である
。また、膜厚を導出するための計算が複雑である。
一方、上記した吸収を利用する膜厚測定法を、ホトレジ
スト膜に適用した場合を考えてみる。例えば、シリコン
基板上のホトレジスト薄膜に斜めに入射光を照射し、吸
収を受けた反射光を、測定するものとする。この場合、
ホトレジスト膜が、例えばｌ０００ Ａ以下というよう
に薄くなると、ホトレジストかある場合と、ない場合と
の反射光量の差を検出するのが、光源のゆらぎのために
困難となる。
スト膜に適用した場合を考えてみる。例えば、シリコン
基板上のホトレジスト薄膜に斜めに入射光を照射し、吸
収を受けた反射光を、測定するものとする。この場合、
ホトレジスト膜が、例えばｌ０００ Ａ以下というよう
に薄くなると、ホトレジストかある場合と、ない場合と
の反射光量の差を検出するのが、光源のゆらぎのために
困難となる。
また、上記した油分測定装置（特開昭５７−８６７４３
号公報）をホトレジスト膜に適用した場合は、次のよう
な困難が伴う。すなわち、（ａ）紫外光源からの光束を
絞ることが難しく、ミクロンオーダの形・状の微小測定
に適していない、（ｂ）２次元的なスキャンをしないた
め、膜厚分布がゎがらない、ｔｅｌホトレジストの幅の
測定ができない、（ｄ）紫外線を使用するため、フィル
タおよびレンズを使用した場合にはレンズから蛍光が発
生し、Ｓ／Ｎ比の低下を招く。もし蛍光を出さない光学
系を使えば高価になり、実用性に欠ける。
号公報）をホトレジスト膜に適用した場合は、次のよう
な困難が伴う。すなわち、（ａ）紫外光源からの光束を
絞ることが難しく、ミクロンオーダの形・状の微小測定
に適していない、（ｂ）２次元的なスキャンをしないた
め、膜厚分布がゎがらない、ｔｅｌホトレジストの幅の
測定ができない、（ｄ）紫外線を使用するため、フィル
タおよびレンズを使用した場合にはレンズから蛍光が発
生し、Ｓ／Ｎ比の低下を招く。もし蛍光を出さない光学
系を使えば高価になり、実用性に欠ける。
他方、紫外光源としてレーザを用いると仮定した場合た
とえ光束を微小スポットに収束できたとしても、紫外レ
ーザとして連続発振を行うものは少ない。従−て、通常
あパルス発振レーザを用いると、走査速度を落さざるを
得ない。また、紫外レーザとして連続発振のものを使用
したとしても、発振出力は極めて小さい。従って、紫外
レーザは実用的でない。
とえ光束を微小スポットに収束できたとしても、紫外レ
ーザとして連続発振を行うものは少ない。従−て、通常
あパルス発振レーザを用いると、走査速度を落さざるを
得ない。また、紫外レーザとして連続発振のものを使用
したとしても、発振出力は極めて小さい。従って、紫外
レーザは実用的でない。
以上のように、従来の膜厚の測定方法は、いずれもホト
レジスト膜への適用に対し、問題点や欠点を有していた
。
レジスト膜への適用に対し、問題点や欠点を有していた
。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、ホ
トレジスト膜の膜厚分布あるいは寸法等の形状をミクロ
ンオーダの高分解能で検出測定することができる装置を
提供するにある。
トレジスト膜の膜厚分布あるいは寸法等の形状をミクロ
ンオーダの高分解能で検出測定することができる装置を
提供するにある。
本発明は、上記の目的を達成するため、可視レーザ光を
ホトレジストに照射することにより該ホトレジストから
発する蛍光を利用する。すなわち、ホトレジストの付着
した基板あるいは励起のための可視レーザ光のビームス
ポットをスキャンしながら、ホトレジストからの蛍光量
を測定することにより、ホトレジストの膜厚分布あるい
は寸法等の形状の測定ができるようにしたものである。
ホトレジストに照射することにより該ホトレジストから
発する蛍光を利用する。すなわち、ホトレジストの付着
した基板あるいは励起のための可視レーザ光のビームス
ポットをスキャンしながら、ホトレジストからの蛍光量
を測定することにより、ホトレジストの膜厚分布あるい
は寸法等の形状の測定ができるようにしたものである。
ここで、本発明では可視レーザ光を用いている点につい
て説明する。第１図は、シリコン基板上に１μｍの厚さ
で塗布したホトレジスト（ＡＺ１３５０Ｊ）に波長４０
０ ｎｍの光を照射したときの蛍光スペクトルで、横軸
は蛍光の波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光量（任意単位）を表
す。本発明では、このような蛍光を利用して、ホトレジ
ストの膜厚分布や寸法等の形状測定を行うものである。
て説明する。第１図は、シリコン基板上に１μｍの厚さ
で塗布したホトレジスト（ＡＺ１３５０Ｊ）に波長４０
０ ｎｍの光を照射したときの蛍光スペクトルで、横軸
は蛍光の波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光量（任意単位）を表
す。本発明では、このような蛍光を利用して、ホトレジ
ストの膜厚分布や寸法等の形状測定を行うものである。
また、第２図は、上記の試料に対して、励起波長を変化
させたときに、ホトレジストから出てくる蛍光量がどの
ように変化するかを示した励起スペクトルで、横軸は励
起波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光量（任意単位）を表す。な
お、この励起スペクトルの測定では、検出器の前にフィ
ルタを置き、５７０ｎｍより長い波長の蛍光だけを検出
器に入れた。この励起スペ・クトルから、ホトレジスト
からの蛍光を利用する場合、照射光として紫外光よりも
むしろ可視光を使用した方が効率的であり、また可視の
アルゴンレーザ（波長５１４．５ ｎｍ ）が使用可能
であることかわかる。
させたときに、ホトレジストから出てくる蛍光量がどの
ように変化するかを示した励起スペクトルで、横軸は励
起波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光量（任意単位）を表す。な
お、この励起スペクトルの測定では、検出器の前にフィ
ルタを置き、５７０ｎｍより長い波長の蛍光だけを検出
器に入れた。この励起スペ・クトルから、ホトレジスト
からの蛍光を利用する場合、照射光として紫外光よりも
むしろ可視光を使用した方が効率的であり、また可視の
アルゴンレーザ（波長５１４．５ ｎｍ ）が使用可能
であることかわかる。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
なお、各実施例では、ホトレジストとしてＡｚ １３５
０Ｊをｆ重用した。
０Ｊをｆ重用した。
実施例１：
第３図に、フィルタを使った場合の実施例の概略１蛇明
図を示す。図において、１は可視励起光源となるアルゴ
ンレーザで、該レーザから出る波長５］４５人のレーザ
光２（出力０．３ ｍＷ ）が可視励起光として使用さ
れる。レーザ光２は、レンズ３およびレンズ４によって
、ヒ゛−ム径の太きし１平行光に変えられる。この光は
、ノ１−フミラー５で反射され、ホトレジスト８の付着
したシリコン基板７上に直径２μｍのビームスボ・ント
とじて、絞り込み用のレンズ６により絞り込まれる。レ
ンズ６審こは、顕微鏡用の対物レンズ（Ｎ、 Ａ、＝
０．９ ）力≦使用された。なお、シリコン基板７は、
ビームｌこ対して平行移動して、ビーム照射場所を変え
ること力≦できるようになっている。このビームスポ・
ントによる励起光が照射されたホトレジスト８からは蛍
光が発生し、この蛍光をレンズ６で集光する。この蛍光
は、ハーフミラ−５と、励起光である波長５１４５ Ａ
の光をカットするフィルタ９とを透過した後、レンズ］
０により、光電子増倍管］２の光電面に入射される。な
お、レンズ１０と光電子増倍管１２との間に設けられた
ピンホール１１は、シリコン基板７上でビームスポット
以外の場所から入ってくる迷光をカットするためのもの
である。光電子増倍管１２の出力信号は、検出系エレク
トロニクス１３で処理される。処理方法としては、蛍光
の強さに応じて、これが強いときは光電流増幅法が、弱
いときは微弱光検出に適した光子計数法が、□それぞれ
使い分けて用いられた。
図を示す。図において、１は可視励起光源となるアルゴ
ンレーザで、該レーザから出る波長５］４５人のレーザ
光２（出力０．３ ｍＷ ）が可視励起光として使用さ
れる。レーザ光２は、レンズ３およびレンズ４によって
、ヒ゛−ム径の太きし１平行光に変えられる。この光は
、ノ１−フミラー５で反射され、ホトレジスト８の付着
したシリコン基板７上に直径２μｍのビームスボ・ント
とじて、絞り込み用のレンズ６により絞り込まれる。レ
ンズ６審こは、顕微鏡用の対物レンズ（Ｎ、 Ａ、＝
０．９ ）力≦使用された。なお、シリコン基板７は、
ビームｌこ対して平行移動して、ビーム照射場所を変え
ること力≦できるようになっている。このビームスポ・
ントによる励起光が照射されたホトレジスト８からは蛍
光が発生し、この蛍光をレンズ６で集光する。この蛍光
は、ハーフミラ−５と、励起光である波長５１４５ Ａ
の光をカットするフィルタ９とを透過した後、レンズ］
０により、光電子増倍管］２の光電面に入射される。な
お、レンズ１０と光電子増倍管１２との間に設けられた
ピンホール１１は、シリコン基板７上でビームスポット
以外の場所から入ってくる迷光をカットするためのもの
である。光電子増倍管１２の出力信号は、検出系エレク
トロニクス１３で処理される。処理方法としては、蛍光
の強さに応じて、これが強いときは光電流増幅法が、弱
いときは微弱光検出に適した光子計数法が、□それぞれ
使い分けて用いられた。
次に、第３図の装置によって行った実験の結果を説明す
る。まず、ホトレジスト８の膜厚と蛍光量との関係を第
４図に示す。検出系エレクトロニクス１３には光子計数
法が使用され、計測時間は０．１秒である。この第４図
の検量線を、ホトレジストの膜の面積が照射光のシリコ
ン基板上でのスポット径（２μｍ）より十分大きいとい
う条件のもとで使用することにより、ホトレジストから
でる蛍光から該ホトレジストの膜厚がわかる。光電子増
倍管１２のダークカウントは３００ｃｐｓであり、また
計測時間が０．１秒であるので、最小検出信号は約５Ｑ
ｃｐｓとなる。このことから、ホトレジストの膜厚は
確実に１０人まで測定可能である。
る。まず、ホトレジスト８の膜厚と蛍光量との関係を第
４図に示す。検出系エレクトロニクス１３には光子計数
法が使用され、計測時間は０．１秒である。この第４図
の検量線を、ホトレジストの膜の面積が照射光のシリコ
ン基板上でのスポット径（２μｍ）より十分大きいとい
う条件のもとで使用することにより、ホトレジストから
でる蛍光から該ホトレジストの膜厚がわかる。光電子増
倍管１２のダークカウントは３００ｃｐｓであり、また
計測時間が０．１秒であるので、最小検出信号は約５Ｑ
ｃｐｓとなる。このことから、ホトレジストの膜厚は
確実に１０人まで測定可能である。
第５図は、ホトレジストのパターンが付いたシリコン基
板７を走査したときの結果を示したもの゛である。この
場合のホトレジストのパターンはストライプ状になって
おり、ホトレジストの幅が３μＩＴＩ、厚さが０．０５
μｍ、ホトレジストの付いていないところの幅は２５μ
ｍである。シリコン基板７は５μｒｎ／Ｓの速度で転動
され、移動方向はホトレジストのストライプの方向に対
して直角方向である。
板７を走査したときの結果を示したもの゛である。この
場合のホトレジストのパターンはストライプ状になって
おり、ホトレジストの幅が３μＩＴＩ、厚さが０．０５
μｍ、ホトレジストの付いていないところの幅は２５μ
ｍである。シリコン基板７は５μｒｎ／Ｓの速度で転動
され、移動方向はホトレジストのストライプの方向に対
して直角方向である。
第５図において、ホトレジストのあるところで、信号（
蛍光量）が立ち上がっており、その最大値と、第４図の
蛍光量−膜厚の関係とから、ホトレシートの厚さが約０
．０５μｍであることが容易に推定される。また、ホト
レジストの大きさがビームスポットのサイズよりも十分
大きければ、照射場所を変えながら蛍光量を測定するこ
とにより、ホトレジストの膜厚の２次元変化をとらえる
ことが可能であるので、ホトレジストの形状を知ること
ができる。さらに、ホトレジストのストライプブの１本
の断面がほぼ長方形状であるならば、線幅の測定が可能
である。すなわち、信号（蛍光量）の半値幅（例え−ば
、第５図の点Ａ、 ８間の時間）をめて、これを長さに
換算し、これをホトレジストの幅としてやればよい。
蛍光量）が立ち上がっており、その最大値と、第４図の
蛍光量−膜厚の関係とから、ホトレシートの厚さが約０
．０５μｍであることが容易に推定される。また、ホト
レジストの大きさがビームスポットのサイズよりも十分
大きければ、照射場所を変えながら蛍光量を測定するこ
とにより、ホトレジストの膜厚の２次元変化をとらえる
ことが可能であるので、ホトレジストの形状を知ること
ができる。さらに、ホトレジストのストライプブの１本
の断面がほぼ長方形状であるならば、線幅の測定が可能
である。すなわち、信号（蛍光量）の半値幅（例え−ば
、第５図の点Ａ、 ８間の時間）をめて、これを長さに
換算し、これをホトレジストの幅としてやればよい。
実施例２：
分光器を使用した場合の実施例の概略を第６図に示す。
本実施例は、第３図により説明した実施例１と共通する
部分が多いので、異なるところのみ説明する。まず、レ
ンズ１０で分光器１４に蛍光を絞り込み、分光する。分
光された蛍光を光電子増倍管１２で受け、その出力信号
を検出系エレクトロニクス１３で処理する。検出系エレ
クトロニクス１３としては、実施例１の場合と同様、蛍
光の強さによって、光電流増幅法と光子計数法とが使い
分けて用いられる。また、分光器１４の役割は、励起光
であるアルゴンレーザ光を取り除くことと、ホトレジス
トの蛍光スペクトルと形の異なる蛍光スペクトルを有す
る他の物質がシリコン基板に付着している場合に、その
物質とホトレジストとを蛍光スペクトルにより区別する
ことである。
部分が多いので、異なるところのみ説明する。まず、レ
ンズ１０で分光器１４に蛍光を絞り込み、分光する。分
光された蛍光を光電子増倍管１２で受け、その出力信号
を検出系エレクトロニクス１３で処理する。検出系エレ
クトロニクス１３としては、実施例１の場合と同様、蛍
光の強さによって、光電流増幅法と光子計数法とが使い
分けて用いられる。また、分光器１４の役割は、励起光
であるアルゴンレーザ光を取り除くことと、ホトレジス
トの蛍光スペクトルと形の異なる蛍光スペクトルを有す
る他の物質がシリコン基板に付着している場合に、その
物質とホトレジストとを蛍光スペクトルにより区別する
ことである。
実施例３：
上記した２つの実施例は、いずれも被観察物体を移動さ
せて走査を行う例であるが、第７図にその概略を示す本
実施例は、光スポットを移動させて走査するタイプの例
である。本実施例においても、可視励起光源としてアル
ゴンレーザｌを使用する。第７図で第３図および第６図
と同一符号を付したものは、同一部品を示す。図におい
て、波長５１４５ Ａのレーザ光２は、カプリングレン
ズ１７と絞り込みレンズ１８とによって、ホトレジスト
８のパターン上に絞り込まれる。スポット状に絞り込ま
れたレーザ光の走査は、ガルバノミラ−１５゜１６によ
′り行われる。すなわち、ガルバノミラ−１５はレーザ
スポットをシリコン基板７上で左右に、ガルバノミラ−
１６は上下に、それぞれ走査する。
せて走査を行う例であるが、第７図にその概略を示す本
実施例は、光スポットを移動させて走査するタイプの例
である。本実施例においても、可視励起光源としてアル
ゴンレーザｌを使用する。第７図で第３図および第６図
と同一符号を付したものは、同一部品を示す。図におい
て、波長５１４５ Ａのレーザ光２は、カプリングレン
ズ１７と絞り込みレンズ１８とによって、ホトレジスト
８のパターン上に絞り込まれる。スポット状に絞り込ま
れたレーザ光の走査は、ガルバノミラ−１５゜１６によ
′り行われる。すなわち、ガルバノミラ−１５はレーザ
スポットをシリコン基板７上で左右に、ガルバノミラ−
１６は上下に、それぞれ走査する。
レーザ光の照射によって発する蛍光の像は、絞り込みレ
ンズ１８とレンズ１９により拡散板２０上に結像し、拡
散板２０で拡散された蛍光は光電子増倍管１２で検出さ
れる。ここで検出された電気信号は、検出系エレクトロ
ニクス１３において、前記２つの実施例の場合と同様に
処理される。なお、検出系エレクトロニクス１３はガル
バノミラ−１５，１６の振れ角の制御も行っており、出
力信号がシリコン基板７上のどの場所のものか対応がつ
くようになっている。
ンズ１８とレンズ１９により拡散板２０上に結像し、拡
散板２０で拡散された蛍光は光電子増倍管１２で検出さ
れる。ここで検出された電気信号は、検出系エレクトロ
ニクス１３において、前記２つの実施例の場合と同様に
処理される。なお、検出系エレクトロニクス１３はガル
バノミラ−１５，１６の振れ角の制御も行っており、出
力信号がシリコン基板７上のどの場所のものか対応がつ
くようになっている。
以上説明した３つの実施例では、ハーフミラ−５を用い
ているが、これをダイクロイックミラーに代えることが
可能である。使用すべきダイクロイックミラーは、４５
°入射で、波長５１４５ Ａのアルゴンレーザ光を反射
し、波長６０００ Ａ付近の光を透過するものである。
ているが、これをダイクロイックミラーに代えることが
可能である。使用すべきダイクロイックミラーは、４５
°入射で、波長５１４５ Ａのアルゴンレーザ光を反射
し、波長６０００ Ａ付近の光を透過するものである。
これを使用ｒることによりハーフミラ−を使った場合に
比べて４倍近くの蛍光を光検出器に入れることができる
ので、信号のＳ／Ｎ比を向上することができる。
比べて４倍近くの蛍光を光検出器に入れることができる
ので、信号のＳ／Ｎ比を向上することができる。
また、以上の実施例は、いずれもホトレジストがＡＺ
１３５０Ｊの場合について説明したが、他のホトレジス
トの場合にも、同様な効果を得ることができる。
１３５０Ｊの場合について説明したが、他のホトレジス
トの場合にも、同様な効果を得ることができる。
本発明によれば、ホトレジストの膜の測定に際し、次の
ような効果が得られる。
ような効果が得られる。
（ａ）直径数ミクロンの照射場所を２次元的に走査する
ことにより、ミクロンオーダの位置分解能で、ホトレジ
ストの膜厚分布あるいは形状がわかる。
ことにより、ミクロンオーダの位置分解能で、ホトレジ
ストの膜厚分布あるいは形状がわかる。
（ｂ） 可視光で励起するので、紫外線で励起するより
も、ホトレジストの蛍光が効率よ（出る。
も、ホトレジストの蛍光が効率よ（出る。
（Ｃ） 励起光として紫外線を使用する場合は高価な無
蛍光レンズが必要であるが、可視光のレーザを使用する
ので、光学系は安価である。
蛍光レンズが必要であるが、可視光のレーザを使用する
ので、光学系は安価である。
（ｄ）紫外レーザはパルス発振のものが多（、照射場所
を走査して計測するのに不便であるが、本発明で用いる
可視光レーザは連続発振のものが多く、高速で照射場所
を走査するのに適している。
を走査して計測するのに不便であるが、本発明で用いる
可視光レーザは連続発振のものが多く、高速で照射場所
を走査するのに適している。
第１図はホトレジス） ＜ ＡＺ １３５０Ｊ ）の薄
膜に波長４００ ｎｍの光を照射したときの蛍光スペク
トル、第２図はホトレジストの励起スペクトル、第３図
は本発明による測定装置のフィルタを使った場合の一実
施例の概略説明図、第４図は該実施例の装置を使ったと
きのホトレジストの膜厚と蛍光量との関係を示すグラフ
、第５図は該実施例の装置を用い、ホトレジストパター
ンを移動させたときの信号である蛍光量の変化の様子を
示すグラフ、第６図は分光器を使った場合の他の実施例
の概略説明図、第７図は光スポットを移動させて走査を
行う場合の他の実施例の概略説明図である。 符号の説明 ■・・・アルゴンレーザ ２・・・レーザ光３．４・・
・レンズ ５・・・ハーフミラ−６・・・レンズ ７・
・・シリコン基板８・・・ホトレジスト ９・・・フィ
ルタ１０・・・レンズ １１・・・ピンホール１２・・
・光電子増倍管 １３・・・検出系エレクトロニクス １４・・・分光器 １５．１６・・・ガルバノ、ミラー １７・・・カプリングレンズ １８・・・絞り込みレンズ １９・・・レンズ ２０・・・拡散板 代理人弁理士 中村純之助 第１図 Ｘ雀（ｎｍ ） 第２図 波 長 （ｎｍ） 第３図 第４図 膜 厚 （／ｌ１ｍ ） 第５図 時 闇 （Ｓ） オ６図
膜に波長４００ ｎｍの光を照射したときの蛍光スペク
トル、第２図はホトレジストの励起スペクトル、第３図
は本発明による測定装置のフィルタを使った場合の一実
施例の概略説明図、第４図は該実施例の装置を使ったと
きのホトレジストの膜厚と蛍光量との関係を示すグラフ
、第５図は該実施例の装置を用い、ホトレジストパター
ンを移動させたときの信号である蛍光量の変化の様子を
示すグラフ、第６図は分光器を使った場合の他の実施例
の概略説明図、第７図は光スポットを移動させて走査を
行う場合の他の実施例の概略説明図である。 符号の説明 ■・・・アルゴンレーザ ２・・・レーザ光３．４・・
・レンズ ５・・・ハーフミラ−６・・・レンズ ７・
・・シリコン基板８・・・ホトレジスト ９・・・フィ
ルタ１０・・・レンズ １１・・・ピンホール１２・・
・光電子増倍管 １３・・・検出系エレクトロニクス １４・・・分光器 １５．１６・・・ガルバノ、ミラー １７・・・カプリングレンズ １８・・・絞り込みレンズ １９・・・レンズ ２０・・・拡散板 代理人弁理士 中村純之助 第１図 Ｘ雀（ｎｍ ） 第２図 波 長 （ｎｍ） 第３図 第４図 膜 厚 （／ｌ１ｍ ） 第５図 時 闇 （Ｓ） オ６図
Claims (1)
- 試料物体上のホトレジスト１１の膜厚あるいは寸法等の
形状を測定する装置であって、波長域が約４００ ｎｍ
以上６００ ｎｍ以下の１町囲にあるレーザと、該レー
ザからのレーザビームを゛Ｃ記試料物体上で微小スポッ
トに収束する光学系と、該試料物体上の該微小スポット
による照射場所を相対的に変化させる機構と、該微小ス
ポットを励起光としホトレジストの存在によって発する
蛍光を検出器に導入する光学系と、該蛍光の検出器とか
らなることを特徴とするホトレジスト膜測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10938383A JPS601502A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ホトレジスト膜測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10938383A JPS601502A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ホトレジスト膜測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601502A true JPS601502A (ja) | 1985-01-07 |
Family
ID=14508843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10938383A Pending JPS601502A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ホトレジスト膜測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601502A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987007369A1 (en) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Dr.-Ing. Rudolf Hell Gmbh | Volume-measurement process for surface depressions |
| JPH01229155A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-12 | Yashima Eng Kk | 減速装置 |
| JP2020187123A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | チョン サングＣＨＯＮ Ｓａｎｇｕ | 基板上のパターンを測定するシステム及び方法 |
| JP2022520963A (ja) * | 2019-02-15 | 2022-04-04 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー | プリント回路基板上の水溶性プリフラックス層に関する情報を取得する方法 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP10938383A patent/JPS601502A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987007369A1 (en) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Dr.-Ing. Rudolf Hell Gmbh | Volume-measurement process for surface depressions |
| DE3617714A1 (de) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Hell Rudolf Dr Ing Gmbh | Volumen-messverfahren fuer oberflaechenvertiefungen |
| US4944593A (en) * | 1986-05-27 | 1990-07-31 | Dr. Ing. Rudolf Hell Gmbh | Volume-measuring method for surface depressions |
| JPH01229155A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-12 | Yashima Eng Kk | 減速装置 |
| JP2022520963A (ja) * | 2019-02-15 | 2022-04-04 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー | プリント回路基板上の水溶性プリフラックス層に関する情報を取得する方法 |
| JP2020187123A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | チョン サングＣＨＯＮ Ｓａｎｇｕ | 基板上のパターンを測定するシステム及び方法 |
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