JPS6180827A - 半導体ウエハの熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハの熱処理装置Info
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- JPS6180827A JPS6180827A JP59202643A JP20264384A JPS6180827A JP S6180827 A JPS6180827 A JP S6180827A JP 59202643 A JP59202643 A JP 59202643A JP 20264384 A JP20264384 A JP 20264384A JP S6180827 A JPS6180827 A JP S6180827A
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- JP
- Japan
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- shutter
- semiconductor wafer
- heater
- heating
- slit
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハの熱処理装置に係り、特にその熱
処理時間が比較的短時間の場合の熱処理に使用して好適
な半導体ウェハの熱処理装置に関する。
処理時間が比較的短時間の場合の熱処理に使用して好適
な半導体ウェハの熱処理装置に関する。
半導体ウェハの熱処理装置には種々のものが知られてい
るが、熱処理の時間が１分以内と短い場合に用いられる
ラピッドアニール装置等では、熱源にグラファイトヒー
タやハロゲンランプを使用し、熱幅射により半導体ウェ
ハを加熱している。
るが、熱処理の時間が１分以内と短い場合に用いられる
ラピッドアニール装置等では、熱源にグラファイトヒー
タやハロゲンランプを使用し、熱幅射により半導体ウェ
ハを加熱している。
また加熱方式には、半導体ウェハ全面を同時に加熱する
方式と、加熱光を直線上に集光し、半導体ウェハ表面を
走査しながら加熱する方式とがある。
方式と、加熱光を直線上に集光し、半導体ウェハ表面を
走査しながら加熱する方式とがある。
このうちウェハ全而を同時に加熱する方式では、開目１
式のシャッタを使用してシャッタの開閉時間で制御した
り、あるいはヒータを直１妄オン・オフすることにより
加熱時間を制御している。
式のシャッタを使用してシャッタの開閉時間で制御した
り、あるいはヒータを直１妄オン・オフすることにより
加熱時間を制御している。
従って比較的短時間の加熱を行なう揚台には、上記のシ
ャッタを開閉する方式では開閉に要するシャッタの動作
時間が無視できなくなり、またヒータを直接オン・オフ
する方式ではヒータの立上がりや立下がりの時間が無視
できなくなり、このため短時間加熱の場合の加熱時間の
制御を精度よく行なうことができなかった。また加熱光
を直線上に集光しウェハ表面を走査して加熱する方式の
従来の装置では、集光の幅を変化させることや全面同時
加熱ｔ＼の切替えが容易にできないという欠点を右して
いた。
ャッタを開閉する方式では開閉に要するシャッタの動作
時間が無視できなくなり、またヒータを直接オン・オフ
する方式ではヒータの立上がりや立下がりの時間が無視
できなくなり、このため短時間加熱の場合の加熱時間の
制御を精度よく行なうことができなかった。また加熱光
を直線上に集光しウェハ表面を走査して加熱する方式の
従来の装置では、集光の幅を変化させることや全面同時
加熱ｔ＼の切替えが容易にできないという欠点を右して
いた。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、シ１ノツタの開閉やヒータの立上がり、立下がり時
間に影響されずに短時間加熱時の加熱時間を精度良く制
御できる半導体ウェハの熱処理装置を提供することを目
的とする。
で、シ１ノツタの開閉やヒータの立上がり、立下がり時
間に影響されずに短時間加熱時の加熱時間を精度良く制
御できる半導体ウェハの熱処理装置を提供することを目
的とする。
〔発明の概ｆｆ）
上記の目的を達成するため本発明は、半導体ウェハとこ
れを幅射加熱するヒータとの間に第１゜第２のシャッタ
を設り、遮蔽するシｉ・ツタを開放するシャッタに比べ
て一定の時間だけ遅延させて動作させることにより、先
行するシ鵞！ツタの４１６Ｈと後続するシ１１ツタの前
端との間で所要の幅射加熱を行なわせるようにした半導
体ウェハの熱処理装置を提供するものである。
れを幅射加熱するヒータとの間に第１゜第２のシャッタ
を設り、遮蔽するシｉ・ツタを開放するシャッタに比べ
て一定の時間だけ遅延させて動作させることにより、先
行するシ鵞！ツタの４１６Ｈと後続するシ１１ツタの前
端との間で所要の幅射加熱を行なわせるようにした半導
体ウェハの熱処理装置を提供するものである。
以下、本発明の一実施例を第１図乃至第４図を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は同実施例の正面図であり、第２図はその側面図
である。熱処理装置全体は外側カバー１とベース９とに
より覆われ、内部が不活性ガスで−１８れているため半
導体ウェハの酸化や汚染は防止される。装置内部には幅
対加熱用ヒータ２が設けられ、この加熱ヒータ２の外部
には反射および断熱装置３が設けられて輻射熱を効率的
に半導体ウェハ６に集熱するように構成されている。ま
た １この加熱ヒータ２は常時加熱状態にあり、
半導体ウェハ６の全面を均一に加熱するのに十分な本数
設りられている。装置の動作時にはヂャック７上に叔；
霞された１′−４体つ１ハロが移送Ｌ１構８により加メ
：；１ヒータ２の下方へ送られる。
である。熱処理装置全体は外側カバー１とベース９とに
より覆われ、内部が不活性ガスで−１８れているため半
導体ウェハの酸化や汚染は防止される。装置内部には幅
対加熱用ヒータ２が設けられ、この加熱ヒータ２の外部
には反射および断熱装置３が設けられて輻射熱を効率的
に半導体ウェハ６に集熱するように構成されている。ま
た １この加熱ヒータ２は常時加熱状態にあり、
半導体ウェハ６の全面を均一に加熱するのに十分な本数
設りられている。装置の動作時にはヂャック７上に叔；
霞された１′−４体つ１ハロが移送Ｌ１構８により加メ
：；１ヒータ２の下方へ送られる。
加熱ヒータ２と半導体ウェハ６との間には、半導体つ１
ハロに沿って移動可能な第１シヤツタ５ａと第２シヤツ
ク５ｂが設りられており、これらのシ１７ツタ５ａ、５
ｂはそれぞれシャッタ走行（バ溝４ａ、４ｂにより駆動
さぼられる。
ハロに沿って移動可能な第１シヤツタ５ａと第２シヤツ
ク５ｂが設りられており、これらのシ１７ツタ５ａ、５
ｂはそれぞれシャッタ走行（バ溝４ａ、４ｂにより駆動
さぼられる。
第３図は比較的長時間加熱する場合のシャッタの動作説
明図である。まず、幅射加熱以前は、加熱ヒータ２と半
導体ウェハ６との間は半導体ウェハ６の直前に位置する
第１のシャッタ５ａにより遮断されている（第３図（ａ
））。そして加熱時には第１のシャッタ５ａがシャッタ
走行機ＷＪ４ ａによって徐々に開き（第３図（ｂ））
、遂には全面開放となる（第３図（Ｃ））。そして所
定時間経過後に第２のシ１ジッタ５ｂがシャッタ走行機
溝７１ｂにより動作して加熱ヒータ２を遮断する（第３
図（ｄ））。シ１！ツタ５ａ、５ｂを閉じた後に、第３
図（ｅ）に示づように元の位置に復帰する。
明図である。まず、幅射加熱以前は、加熱ヒータ２と半
導体ウェハ６との間は半導体ウェハ６の直前に位置する
第１のシャッタ５ａにより遮断されている（第３図（ａ
））。そして加熱時には第１のシャッタ５ａがシャッタ
走行機ＷＪ４ ａによって徐々に開き（第３図（ｂ））
、遂には全面開放となる（第３図（Ｃ））。そして所
定時間経過後に第２のシ１ジッタ５ｂがシャッタ走行機
溝７１ｂにより動作して加熱ヒータ２を遮断する（第３
図（ｄ））。シ１！ツタ５ａ、５ｂを閉じた後に、第３
図（ｅ）に示づように元の位置に復帰する。
第４図は比較的短時間の加熱の場合のシャッタの動作説
明図である。第１図（Ｊｌ）に示り゛状態から第１のシ
ャッタ５ａが動作した直後に第２シヤツタ５ｂを動作さ
せ、この第１シセツタ５ａと第２シヤツタ５ｂとによっ
て加熱ヒータ２の輻射熱を半導体ウェハ６の表面に集熱
するようにスリット１０を形成し、このスリット１０を
シャッタ走行機溝４ａ、４ｂを用いて走行させ半導体ウ
ェハ６の全面を走査しながら加熱を行なう（第４図（ｂ
）、（Ｃ））、走査後はシ１！ツタ５ａ、５ｂを閉じた
ままで元の位置に復帰する。そして加熱終了後は、半ど
１体ウェハ６が移送機構８により加熱ヒータ２の下部よ
り移送される。
明図である。第１図（Ｊｌ）に示り゛状態から第１のシ
ャッタ５ａが動作した直後に第２シヤツタ５ｂを動作さ
せ、この第１シセツタ５ａと第２シヤツタ５ｂとによっ
て加熱ヒータ２の輻射熱を半導体ウェハ６の表面に集熱
するようにスリット１０を形成し、このスリット１０を
シャッタ走行機溝４ａ、４ｂを用いて走行させ半導体ウ
ェハ６の全面を走査しながら加熱を行なう（第４図（ｂ
）、（Ｃ））、走査後はシ１！ツタ５ａ、５ｂを閉じた
ままで元の位置に復帰する。そして加熱終了後は、半ど
１体ウェハ６が移送機構８により加熱ヒータ２の下部よ
り移送される。
このような構成であれば、シャッタの動作速度を増加さ
せることなく短時間の加熱が実施できるので、シャッタ
の開閉に要する時間の影響を受りにくく、かつ加熱時間
制御が精度よく行なえる。
せることなく短時間の加熱が実施できるので、シャッタ
の開閉に要する時間の影響を受りにくく、かつ加熱時間
制御が精度よく行なえる。
また第１シヤツタ５ａおよび第２シヤツタ５ｂをシャッ
タ走行機構４ａ、４ｂにより常にスリット１０を形成さ
せて走行させるようにすることにより、走査型加熱方式
が実現できる。この際の全面加熱方式と走査型加熱方式
との切換えは容易であり、また加熱幅は第１シ１ジツタ
５ａと第２シヤツタ５ｂの走行開始の遅延時間量を変化
させることにより自由に設定することができる。
タ走行機構４ａ、４ｂにより常にスリット１０を形成さ
せて走行させるようにすることにより、走査型加熱方式
が実現できる。この際の全面加熱方式と走査型加熱方式
との切換えは容易であり、また加熱幅は第１シ１ジツタ
５ａと第２シヤツタ５ｂの走行開始の遅延時間量を変化
させることにより自由に設定することができる。
上記の如く本発明では、２つのシ１ジッタを設【プ、一
方のシャッタを他方のシャッタに遅延して動作させ、ス
リットを形成してヒータから熱を集熱して半導体ウェハ
を加熱するように構成したので、加熱時間の制御（特に
短時間加熱の場合）を精度よく行イ【うことができ、し
かも全面同時加熱と走査型加熱との切換えが容易にでき
る半導体ウェハの熱処理装置を得ることができる。
方のシャッタを他方のシャッタに遅延して動作させ、ス
リットを形成してヒータから熱を集熱して半導体ウェハ
を加熱するように構成したので、加熱時間の制御（特に
短時間加熱の場合）を精度よく行イ【うことができ、し
かも全面同時加熱と走査型加熱との切換えが容易にでき
る半導体ウェハの熱処理装置を得ることができる。
また走査型加熱の際、加熱幅（スリット幅）の設定を自
由にできるため半導体ウェハへの加熱を精度良く行なう
ことができるという利点もある。
由にできるため半導体ウェハへの加熱を精度良く行なう
ことができるという利点もある。
第１図および第２図は本発明の一実施例の正面図および
側面図、第３図および第４図はその動作の説明図である
。 ２・・・加熱ヒータ、４ａ・・・第１シヤツタ走行機構
、４ｂ・・・第２シヤツタ走行門構、５ａ・・・第１の
シー／ツタ、５ｂ・・・第２のシャッタ、６・・・半導
体ウェハ、８・・・移送ｔｉｌｌ？４．１０・・・スリ
ット。 出願人代理人 猪 股 清 弯 第３図 （の２ （ｂ） ａ （Ｃ）
側面図、第３図および第４図はその動作の説明図である
。 ２・・・加熱ヒータ、４ａ・・・第１シヤツタ走行機構
、４ｂ・・・第２シヤツタ走行門構、５ａ・・・第１の
シー／ツタ、５ｂ・・・第２のシャッタ、６・・・半導
体ウェハ、８・・・移送ｔｉｌｌ？４．１０・・・スリ
ット。 出願人代理人 猪 股 清 弯 第３図 （の２ （ｂ） ａ （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 熱幅射により半導体ウェハを加熱するヒータと、前記
半導体ウェハと前記ヒータとの間に位置し、前記半導体
ウェハに沿つてその一端から他端に向けて移動すること
により、前記半導体ウェハとヒータ間を徐々に開放する
第１のシャッタと、前記半導体ウェハと前記ヒータとの
間に位置し、前記第１のシャッタに遅延して前記半導体
ウェハに沿つてその一端から他端に向けて移動すること
により、この半導体ウェハとヒータ間を徐々に遮蔽する
第２のシャッタとを備え、 先行するシャッタの後端と後続するシャッタの前端との
間で所要の幅射加熱を行なわせるようにした半導体ウェ
ハの熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202643A JPS6180827A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202643A JPS6180827A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180827A true JPS6180827A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16460736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59202643A Pending JPS6180827A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006134942A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sharp Corp | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59202643A patent/JPS6180827A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006134942A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sharp Corp | 熱処理装置および熱処理方法 |
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