JPS6177611A - シラザン重合体からの増大された結晶化度を有するセラミツク材料 - Google Patents
シラザン重合体からの増大された結晶化度を有するセラミツク材料Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は増大された結晶化度を有するセラミック材料の
製造に関する。更に詳しくは本発明は結晶性SiO及び
/又はSi3N、 g高度に有するセラミック材料の製
造に関する。本発明のセラミック材料はu3suiH含
有シラザン重合体と成る種の無機化合物との混合物を不
活性雰囲気中、又は減圧下に高められた温度に焼成する
ことにより得られる。
製造に関する。更に詳しくは本発明は結晶性SiO及び
/又はSi3N、 g高度に有するセラミック材料の製
造に関する。本発明のセラミック材料はu3suiH含
有シラザン重合体と成る種の無機化合物との混合物を不
活性雰囲気中、又は減圧下に高められた温度に焼成する
ことにより得られる。
セラミック材料の結晶化度を高めるための添加剤には鉄
化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物、及び銅化合
物が包含される。
化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物、及び銅化合
物が包含される。
RSiNH含有シラザン重合体から製造されたセラミッ
ク材料は当業界において公知である。米国特許第4.3
40.619号明細書(1982年7月20日発行)に
おいてガウル(Gaul)は、塩素含有ジシランとジシ
ラザンとを不活性な、実質的に無水の雰囲気下に妥触さ
せ、かつ反応させることにより製造したRSiNH含有
シラザン重合体を不活性雰囲気中で高められた温度にお
いて焼成することによりセラミック材料を製造した。こ
の米国特許第4.340.619号明細書のセラミック
材料はR3S iNH含有シラザン重合体を少なくとも
1600℃に焼成した場合にのみ結晶性SiO及び/又
はSi3N4 g含有した。
ク材料は当業界において公知である。米国特許第4.3
40.619号明細書(1982年7月20日発行)に
おいてガウル(Gaul)は、塩素含有ジシランとジシ
ラザンとを不活性な、実質的に無水の雰囲気下に妥触さ
せ、かつ反応させることにより製造したRSiNH含有
シラザン重合体を不活性雰囲気中で高められた温度にお
いて焼成することによりセラミック材料を製造した。こ
の米国特許第4.340.619号明細書のセラミック
材料はR3S iNH含有シラザン重合体を少なくとも
1600℃に焼成した場合にのみ結晶性SiO及び/又
はSi3N4 g含有した。
1984年1月26日発行の米国特許
第4.312.970号明細書においてガウルはオルガ
ノクロロシランとジシラザンと接触させ、かつ反応させ
ることにより製造したRSiNH含有シラザン重合体ケ
不活性雰囲気中、又は減圧下に、高められた温度におい
て焼成することによりセラミックスを得た。該セラミッ
ク材料の結晶含量について)X報告されなかった。
ノクロロシランとジシラザンと接触させ、かつ反応させ
ることにより製造したRSiNH含有シラザン重合体ケ
不活性雰囲気中、又は減圧下に、高められた温度におい
て焼成することによりセラミックスを得た。該セラミッ
ク材料の結晶含量について)X報告されなかった。
今回新たに発見されたことは、成る種の無機化合物は高
められた温度において焼成されるに先立ってRSiNH
含有シラザン重合体に添加された場合に、添加剤なしに
同一条件下に焼成されたセラミック材料に比較して増大
された結晶化度を有するセラミンク材料の形成を可能に
するということである。本発明方法により、高水準の結
晶性Si3N4及び/又はSiOg有するセラミック材
料の形成が可能となる。また本発明方法は低い熱分解温
度における、結晶性Si3N4及び/又はSi(]を含
有するセラミック材料の形成をも可能とする。
められた温度において焼成されるに先立ってRSiNH
含有シラザン重合体に添加された場合に、添加剤なしに
同一条件下に焼成されたセラミック材料に比較して増大
された結晶化度を有するセラミンク材料の形成を可能に
するということである。本発明方法により、高水準の結
晶性Si3N4及び/又はSiOg有するセラミック材
料の形成が可能となる。また本発明方法は低い熱分解温
度における、結晶性Si3N4及び/又はSi(]を含
有するセラミック材料の形成をも可能とする。
本発明は増大された結晶化度含有するセラミック材料の
製造方法に関し、該方法は改質されたR、3SiNH含
有シラザン重合体を不活性雰囲気中、又は減圧下に少な
くとも750℃の温度に加熱し、この加熱を前記改質さ
れたRSiNH含有シラザン重合体が、同一条件下に加
熱された非改質のR35iNll! 含有シラザン重合
体に比較して増大された結晶化度を有するセラミック材
料に転化するまで行い、この場合前記改質されたR3B
1NH4含有シラザン重合体は非改質の13SiNH含
有シラザン重合体と、有効量、すなわち結晶化度が増大
する量の、鉄化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物
、及び銅化合物より成る群から選択される無機化合物と
を混合することにより製造するものであることより成る
。
製造方法に関し、該方法は改質されたR、3SiNH含
有シラザン重合体を不活性雰囲気中、又は減圧下に少な
くとも750℃の温度に加熱し、この加熱を前記改質さ
れたRSiNH含有シラザン重合体が、同一条件下に加
熱された非改質のR35iNll! 含有シラザン重合
体に比較して増大された結晶化度を有するセラミック材
料に転化するまで行い、この場合前記改質されたR3B
1NH4含有シラザン重合体は非改質の13SiNH含
有シラザン重合体と、有効量、すなわち結晶化度が増大
する量の、鉄化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物
、及び銅化合物より成る群から選択される無機化合物と
を混合することにより製造するものであることより成る
。
本発明方法は、まずRSiNH含有シラザン重合体と有
効量の無機化合物とを混合し、次いで該得られた混合物
を不活性雰囲気中、又は減圧下に、該得られた混合物が
セラミック材料に転化されるまで、高められた温度に焼
成することにより行う。
効量の無機化合物とを混合し、次いで該得られた混合物
を不活性雰囲気中、又は減圧下に、該得られた混合物が
セラミック材料に転化されるまで、高められた温度に焼
成することにより行う。
本発明の実施に対する好適な無機添加剤には鉄化合物、
コバルト化合物、ニッケル化合物、及び銅化合物が包含
される。これらの無機化合物は下記に詳記するような有
機金属化合物を包含する。
コバルト化合物、ニッケル化合物、及び銅化合物が包含
される。これらの無機化合物は下記に詳記するような有
機金属化合物を包含する。
好適な鉄化合物には鉄(II)化合物、鉄([)化合物
及びゼロ原子価の鉄化合物が包含される。好適な鉄化合
物の例としては臭化鉄(I[)、臭化鉄(]、鉄(II
)エチレンジアンモニウムサルフェート、鉄(■)オキ
プレート、鉄(1)オクトエート、鉄(I[)アセテー
ト、鉄(1)アセテートヒドロキサイド、ジナトリウム
テトラカルビニルフルレート、ナトリウムペンタシアノ
ニトロシルフルレート(1)、ペンタカルボニル鉄、ア
ンモニウムトリオキザレートフルレート(釦、7ンモニ
ウムへキサシアノフルレート(I) 、カリウムへキサ
シアノフルレート■、カリウムトリオキザレートフルレ
ート1)カリウムへキサシアノフルレート(1)) 、
ゾカルざニルシクロベンタゾエニルイオド鉄、ブタジェ
ントリカルボニル鉄、ビス(シクロペンタジェニル)鉄
、鉄(If)アセチルアセトネート、フェロセンカルボ
アルデヒド、フェロセンカルボン酸、フェロセンジカル
ボン酸、1.1−ジメチルフェロセン、鉄(II)グル
コネート、(ジメチルアミノメチル)フェロセン、n−
ブチルフェロセン、t−ブチルフェロセン、鉄lアセチ
ルアセトネート、フェロセニルフェニルケトン、鉄(1
)2−エチルヘキサノエート、塩化鉄(■)、過塩素酸
鉄(II)、塩化鉄1)過塩素酸鉄1)フツ化鉄(1)
、フッ化鉄(1) 、ナトリウムヘキサフルオス7エレ
ート(至)、硫酸アンモニウム鉄(刀、硫酸アンモニウ
ム鉄(ID、ヨウ化鉄、硝酸鉄1)酸化鉄(IQ、
リン酸鉄■、硫酸鉄(II)、鉄■オキプレート、ノナ
ヵルボニルジ鉄、トリス(エチレンジアミン)鉄lサル
フェート、ヒス〔ジカルボニル(メチルシクロペンタテ
ニル)鉄〕、銅ジ鉄テトラオキサイド、ジ鉄ニッケルテ
トラオキサイド、酸化鉄(1)、硫酸鉄l、鉄カーバイ
ド、ドデカカルボニルトリ鉄、リン酸鉄(10,鉄ニト
ライド、などがある。好ましい鉄化合物には鉄■オクト
エート、酸化鉄(1)、鉄(If)アセチルアセトネー
ト、塩化鉄(資)及びモノ力ルボニルジ鉄が包含される
。
及びゼロ原子価の鉄化合物が包含される。好適な鉄化合
物の例としては臭化鉄(I[)、臭化鉄(]、鉄(II
)エチレンジアンモニウムサルフェート、鉄(■)オキ
プレート、鉄(1)オクトエート、鉄(I[)アセテー
ト、鉄(1)アセテートヒドロキサイド、ジナトリウム
テトラカルビニルフルレート、ナトリウムペンタシアノ
ニトロシルフルレート(1)、ペンタカルボニル鉄、ア
ンモニウムトリオキザレートフルレート(釦、7ンモニ
ウムへキサシアノフルレート(I) 、カリウムへキサ
シアノフルレート■、カリウムトリオキザレートフルレ
ート1)カリウムへキサシアノフルレート(1)) 、
ゾカルざニルシクロベンタゾエニルイオド鉄、ブタジェ
ントリカルボニル鉄、ビス(シクロペンタジェニル)鉄
、鉄(If)アセチルアセトネート、フェロセンカルボ
アルデヒド、フェロセンカルボン酸、フェロセンジカル
ボン酸、1.1−ジメチルフェロセン、鉄(II)グル
コネート、(ジメチルアミノメチル)フェロセン、n−
ブチルフェロセン、t−ブチルフェロセン、鉄lアセチ
ルアセトネート、フェロセニルフェニルケトン、鉄(1
)2−エチルヘキサノエート、塩化鉄(■)、過塩素酸
鉄(II)、塩化鉄1)過塩素酸鉄1)フツ化鉄(1)
、フッ化鉄(1) 、ナトリウムヘキサフルオス7エレ
ート(至)、硫酸アンモニウム鉄(刀、硫酸アンモニウ
ム鉄(ID、ヨウ化鉄、硝酸鉄1)酸化鉄(IQ、
リン酸鉄■、硫酸鉄(II)、鉄■オキプレート、ノナ
ヵルボニルジ鉄、トリス(エチレンジアミン)鉄lサル
フェート、ヒス〔ジカルボニル(メチルシクロペンタテ
ニル)鉄〕、銅ジ鉄テトラオキサイド、ジ鉄ニッケルテ
トラオキサイド、酸化鉄(1)、硫酸鉄l、鉄カーバイ
ド、ドデカカルボニルトリ鉄、リン酸鉄(10,鉄ニト
ライド、などがある。好ましい鉄化合物には鉄■オクト
エート、酸化鉄(1)、鉄(If)アセチルアセトネー
ト、塩化鉄(資)及びモノ力ルボニルジ鉄が包含される
。
好適なコバルト化合物にはコパル)(IO化合物、コバ
ルト(]D化合物、コバルト(ト)化合物、及びゼロ原
子価のコバルト化合物が包含される。好適なコバルト化
合物の例としてはコバルト(Dテトラフルオロボレート
、ホウ酸コバルト(I[)、臭化コバルト(ID、炭酸
コバルト(…〕、チオシアン酸コバルト(II)、コバ
ルト(IDオキプレート、トリカルボニルニドpシルコ
バルト、コバルト(II)アセテート、トリス(エチレ
ンジアミン)コバルト(4)クロライド、トリス(エチ
レンジアミノコバルト(1)サルフェート、カリウムへ
キサシアノコパルテート1) コバルト(■)オクトエ
ート、ジカルボニルシクロペンタジェニルコバルト、ビ
ス(シクロペンタジェニル)コバルト、コバルト(1)
アセチルアセトネート、コバルト(II)ベンゾエート
、コバルト(2)アセチルアセトネート、N、H’−ビ
ス(サリシリデン)エチレンジアミノコバルト(10,
コバルト(■)シクロヘキサンブチレート、塩化コバル
ト(■)、過塩素酸コバルト(In、ペンタアミック四
ロコバルトlクロライド、ペンタアミンアクオコバルト
■クロライげ、ヘキサアミンコバルトlクロライド、フ
ッ化コバルト(■)、フッ化コバルト(2)、コバルト
ジ鉄テトラオキサイド、水酸化コバルト(n)、ヨウ化
コバルト(I[)、硝酸コバルト(Il)、ナトリウム
へキサニトリトコパルデート(Ω、酸化コバルト(ル、
硫虚コバル) (It)、硫化コバルト■、オクタカル
ボニルジコバルトなどがある。好ましいコバルト化合物
はコバルト(IDオクトエートである。
ルト(]D化合物、コバルト(ト)化合物、及びゼロ原
子価のコバルト化合物が包含される。好適なコバルト化
合物の例としてはコバルト(Dテトラフルオロボレート
、ホウ酸コバルト(I[)、臭化コバルト(ID、炭酸
コバルト(…〕、チオシアン酸コバルト(II)、コバ
ルト(IDオキプレート、トリカルボニルニドpシルコ
バルト、コバルト(II)アセテート、トリス(エチレ
ンジアミン)コバルト(4)クロライド、トリス(エチ
レンジアミノコバルト(1)サルフェート、カリウムへ
キサシアノコパルテート1) コバルト(■)オクトエ
ート、ジカルボニルシクロペンタジェニルコバルト、ビ
ス(シクロペンタジェニル)コバルト、コバルト(1)
アセチルアセトネート、コバルト(II)ベンゾエート
、コバルト(2)アセチルアセトネート、N、H’−ビ
ス(サリシリデン)エチレンジアミノコバルト(10,
コバルト(■)シクロヘキサンブチレート、塩化コバル
ト(■)、過塩素酸コバルト(In、ペンタアミック四
ロコバルトlクロライド、ペンタアミンアクオコバルト
■クロライげ、ヘキサアミンコバルトlクロライド、フ
ッ化コバルト(■)、フッ化コバルト(2)、コバルト
ジ鉄テトラオキサイド、水酸化コバルト(n)、ヨウ化
コバルト(I[)、硝酸コバルト(Il)、ナトリウム
へキサニトリトコパルデート(Ω、酸化コバルト(ル、
硫虚コバル) (It)、硫化コバルト■、オクタカル
ボニルジコバルトなどがある。好ましいコバルト化合物
はコバルト(IDオクトエートである。
好適なニッケル化合物にはニッケル(10化合物、ニッ
ケルI化合物、ニッケル■化合物、及びゼロ原子価のニ
ッケル化合物が包含される。好適なニッケル化合物の例
としてはホウ化ニッケル、ニッケルテトラフルオロポレ
ート、臭化ニッケ/I/(I[)、炭酸ニッケル(ID
、ニッケル(II)オキプレート、ニッケΔ%セテート
、テトラカルボニルニッケル、トリ(エチレンジアミン
)ニッケル(IF)サルフェート、ビス(シクロペンタ
ジェニル)ニッケル、ニッケル(IDアセトアセトネー
ト、ビス(トリエチルホスフィン)ニッケ/I/(10
クロライド、ニッケルα)ニー7xエルクリシネート、
ニッケル(ID 2−エチルヘキサノエート、ニッケル
シクロヘキテンプチレート、塩化ニッケル(If)、過
塩素酸ニッケ/I/(10,yツ化ニッケル(II)
、カリウムへキサフルオ四ニッケに一ト■、ニッケルへ
キサフルオロシリケート、ソ鉄ニッケルテトラオキサイ
ド、水酸化ニッケル(I)、干ツケル(■)オクトエー
ト、スルホン酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、
ミラ化ニッケル(10゜硝酸ニッケN(II)、酸化ニ
ッケル(10,硫酸ニッケル(1)、硫化ニッケル(I
I)、硫化ニッケル(5)、酸化ニッケル1) リン化
4ツケルなどが包含される。好ましいニッケル化合物は
ニッケル(IDオクトエートである。
ケルI化合物、ニッケル■化合物、及びゼロ原子価のニ
ッケル化合物が包含される。好適なニッケル化合物の例
としてはホウ化ニッケル、ニッケルテトラフルオロポレ
ート、臭化ニッケ/I/(I[)、炭酸ニッケル(ID
、ニッケル(II)オキプレート、ニッケΔ%セテート
、テトラカルボニルニッケル、トリ(エチレンジアミン
)ニッケル(IF)サルフェート、ビス(シクロペンタ
ジェニル)ニッケル、ニッケル(IDアセトアセトネー
ト、ビス(トリエチルホスフィン)ニッケ/I/(10
クロライド、ニッケルα)ニー7xエルクリシネート、
ニッケル(ID 2−エチルヘキサノエート、ニッケル
シクロヘキテンプチレート、塩化ニッケル(If)、過
塩素酸ニッケ/I/(10,yツ化ニッケル(II)
、カリウムへキサフルオ四ニッケに一ト■、ニッケルへ
キサフルオロシリケート、ソ鉄ニッケルテトラオキサイ
ド、水酸化ニッケル(I)、干ツケル(■)オクトエー
ト、スルホン酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、
ミラ化ニッケル(10゜硝酸ニッケN(II)、酸化ニ
ッケル(10,硫酸ニッケル(1)、硫化ニッケル(I
I)、硫化ニッケル(5)、酸化ニッケル1) リン化
4ツケルなどが包含される。好ましいニッケル化合物は
ニッケル(IDオクトエートである。
好適な銅化合物には鋼(I)化合物及び銅(1)化合物
が包含される。好適な銅化合物の例には四7フ化ホウ酸
鋼(10,臭化鋼(I)、臭化鋼(飄シアン化鋼(1)
、チオシアン化銅(1)、@(I)アセテート、銅(I
Dアセテート、銅(1)オクトエート、銅(1) t、
−ブトキシド、銅チオフェノキシト、トリ(エチレンジ
アミン)@(1)サルフェート、エチレンジアミン−テ
トラ酢酸@ (1)のジナトリウム塩、鋼■アセチルア
セトネート、銅(10オクトエート、!(I)グルコネ
ート、アセチルサリチル酸の銅塩、銅(IDシクロヘキ
サンデチレート、塩化鋼(I)、塩化#i (ID 、
過塩素M!銅(M)。
が包含される。好適な銅化合物の例には四7フ化ホウ酸
鋼(10,臭化鋼(I)、臭化鋼(飄シアン化鋼(1)
、チオシアン化銅(1)、@(I)アセテート、銅(I
Dアセテート、銅(1)オクトエート、銅(1) t、
−ブトキシド、銅チオフェノキシト、トリ(エチレンジ
アミン)@(1)サルフェート、エチレンジアミン−テ
トラ酢酸@ (1)のジナトリウム塩、鋼■アセチルア
セトネート、銅(10オクトエート、!(I)グルコネ
ート、アセチルサリチル酸の銅塩、銅(IDシクロヘキ
サンデチレート、塩化鋼(I)、塩化#i (ID 、
過塩素M!銅(M)。
亜クロム酸鋼(ID、フッ化! (ID 、西酸化銅ジ
鉄、水酸化IR(…)、ヨウ化IR(1)、ヨウ素酸銅
(I)、硝酸鋼(朕酸化鋼(幻、硫i1!銅(10,硫
化鋼l、銅(Dカーボネートジヒドロキシド、酸化@(
1)、硫化銅(X)、窒化鋼(■)、リン化鋼(I)
rxどが包含される。好ましい銅化合物は銅(I)オク
トエートである。
鉄、水酸化IR(…)、ヨウ化IR(1)、ヨウ素酸銅
(I)、硝酸鋼(朕酸化鋼(幻、硫i1!銅(10,硫
化鋼l、銅(Dカーボネートジヒドロキシド、酸化@(
1)、硫化銅(X)、窒化鋼(■)、リン化鋼(I)
rxどが包含される。好ましい銅化合物は銅(I)オク
トエートである。
種々の鉄化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物及び
銅化合物の混合物もまた使用することができる。
銅化合物の混合物もまた使用することができる。
当業者が理解するようにRSiNH含有シラザン重合体
、上記に示した化合物及び熱分解条件のすべての組合せ
が、増大された結晶化度を有するセラミック材料をもた
らすという訳ではない。結晶化度の増加が実際忙実現す
るかどうかな決定するためには日常の実験が必要である
場合がある。結晶化度におけるそのような増加が実現さ
れない場合は当然に本発明の範囲内にあるとは思われな
い。
、上記に示した化合物及び熱分解条件のすべての組合せ
が、増大された結晶化度を有するセラミック材料をもた
らすという訳ではない。結晶化度の増加が実際忙実現す
るかどうかな決定するためには日常の実験が必要である
場合がある。結晶化度におけるそのような増加が実現さ
れない場合は当然に本発明の範囲内にあるとは思われな
い。
RSiNH含有シラザン重合体と無機化合物との混合方
法は臨界的ではない。結晶性Si3N4及び/又は5i
CO量がセラミック材料又は物品全体にわたって認め得
るほどには変化しないセラミック材料又は物品χ得るた
めにはR35LNH含有シラザン重合体と無機化合物と
を十分に混合することが好ましい。トルエンのような有
機溶媒を使用することは2成分が十分に混合することを
保証する助けとなる。RSiNH含有シラザン重合体と
無機材料とを混合するために溶媒を使用する場合は、セ
ラミック材料を杉皮するために高められた温度に該混合
物を加熱するに先立って慣用の手段により溶媒を除去す
べきである。RSiNH含有シラザン重合体と無機化合
物とは30−ルミル上で単に成分を添加し、次いで該ミ
ル上で数回のパスケ行5ことによっても混合することが
できる。当業者に明らかであるように、セラミック材料
又は物品の全体にわたって均一な結晶化度水準を有する
セラミック材料又は物品を生成する、他の混合技術を使
用することができる。
法は臨界的ではない。結晶性Si3N4及び/又は5i
CO量がセラミック材料又は物品全体にわたって認め得
るほどには変化しないセラミック材料又は物品χ得るた
めにはR35LNH含有シラザン重合体と無機化合物と
を十分に混合することが好ましい。トルエンのような有
機溶媒を使用することは2成分が十分に混合することを
保証する助けとなる。RSiNH含有シラザン重合体と
無機材料とを混合するために溶媒を使用する場合は、セ
ラミック材料を杉皮するために高められた温度に該混合
物を加熱するに先立って慣用の手段により溶媒を除去す
べきである。RSiNH含有シラザン重合体と無機化合
物とは30−ルミル上で単に成分を添加し、次いで該ミ
ル上で数回のパスケ行5ことによっても混合することが
できる。当業者に明らかであるように、セラミック材料
又は物品の全体にわたって均一な結晶化度水準を有する
セラミック材料又は物品を生成する、他の混合技術を使
用することができる。
R351HK 含有シラザン重合体を無機化合物の有効
量と混合する。無機化合物の「有効量」とは得られるセ
ラミック材料において結晶化度が増加する結果となる量
を意味する。一般的に無機化合物は、R35il[含有
シラザン重合体と共に、無機化合物と会合している金属
# 0.1〜2.0重量%とを含有する混合物が得られ
るような水準において添加する。無機化合物は更に高い
水準において添加することができるけれど、追加される
利益は認められない。本発明のセラミック材料の結晶化
度の増加は、同一のRSiNH含有シラザン重合体t1
なんも無機化合物を添加することなく同一実験条件下に
焼成して得られたセラミック材料の結晶化度と比較する
ことによって測定する。
量と混合する。無機化合物の「有効量」とは得られるセ
ラミック材料において結晶化度が増加する結果となる量
を意味する。一般的に無機化合物は、R35il[含有
シラザン重合体と共に、無機化合物と会合している金属
# 0.1〜2.0重量%とを含有する混合物が得られ
るような水準において添加する。無機化合物は更に高い
水準において添加することができるけれど、追加される
利益は認められない。本発明のセラミック材料の結晶化
度の増加は、同一のRSiNH含有シラザン重合体t1
なんも無機化合物を添加することなく同一実験条件下に
焼成して得られたセラミック材料の結晶化度と比較する
ことによって測定する。
R381NH含有シラザン重合体と有効量の無機化合物
との混合物を、該混合物がセラミック材料に変化するま
で不活性雰囲気中又は減圧下く、少なくとも750℃の
高められた温度に焼成する。増大された結晶化度を有す
るセラミック材料が得られる。該セラミック材料におけ
る結晶化度はα−313N4、β−8i3N4、α−3
iO及び/又はβ−3iOの形態であることができる。
との混合物を、該混合物がセラミック材料に変化するま
で不活性雰囲気中又は減圧下く、少なくとも750℃の
高められた温度に焼成する。増大された結晶化度を有す
るセラミック材料が得られる。該セラミック材料におけ
る結晶化度はα−313N4、β−8i3N4、α−3
iO及び/又はβ−3iOの形態であることができる。
セラミック材料の結晶化度は一般的に熱分解温度の増加
と共に増〃aすることがわかった。それ故、RSiNH
含有シラザン重合体と無機化合物との混合物は1000
℃又はそれ以上の温度において該混合物がセラミック材
料に変化するまで焼成することが好ましい。
と共に増〃aすることがわかった。それ故、RSiNH
含有シラザン重合体と無機化合物との混合物は1000
℃又はそれ以上の温度において該混合物がセラミック材
料に変化するまで焼成することが好ましい。
理論により制限されることを欲するわけではないけれど
、熱分解中に無機化合物が金属に還元され、そして恐ら
くは無機化合物から誘導され、該混合物の成分と原子水
準疋おいて密接に接触している該金属が結晶化度を増加
させるものと思われる。金属のみの添加ではセラミック
材料の結晶化度の増加は多分認められないであろう。な
ぜなら金属と他の反応物との間の密接な接触を得ること
が困難であるからである。熱分解中における無機化合物
の還元による金属のその場における生成は原子又は分子
水準における′&!j接な接触を保証する本発明におい
て使用するのに適するシラザン重合体はR381NH含
有クラずン重合体である。本発明に特に有用なRSiN
H含有シラザン重合体が米国特許第4,512,970
号及び第4,34 CJ、619号各明細書に記載され
℃いる。
、熱分解中に無機化合物が金属に還元され、そして恐ら
くは無機化合物から誘導され、該混合物の成分と原子水
準疋おいて密接に接触している該金属が結晶化度を増加
させるものと思われる。金属のみの添加ではセラミック
材料の結晶化度の増加は多分認められないであろう。な
ぜなら金属と他の反応物との間の密接な接触を得ること
が困難であるからである。熱分解中における無機化合物
の還元による金属のその場における生成は原子又は分子
水準における′&!j接な接触を保証する本発明におい
て使用するのに適するシラザン重合体はR381NH含
有クラずン重合体である。本発明に特に有用なRSiN
H含有シラザン重合体が米国特許第4,512,970
号及び第4,34 CJ、619号各明細書に記載され
℃いる。
米国特許第4,312,970号明細書に記載されてい
るシラザン重合体は不活性の、実質、的に無水の雰囲気
中において一般式: %式%(4) ヲ有スるオルガノクロロシラン又はオルガノクロロシラ
ン混合物と一般式: %式%) を有するジシラザンとを、副生ずる揮発性生成物を蒸留
しつつ25°C〜600℃の範囲の温度において接触さ
せ、かつ反応させることにより製造する(上記両式にお
いてR′はビニル基、炭素原子1〜3個のアルキル基又
はフェニル基であり;Rは水素原子、ビニル基、炭素原
子1〜6個のアルキル基又はフェニル基であり;そして
nは1又は2の値を有する)。
るシラザン重合体は不活性の、実質、的に無水の雰囲気
中において一般式: %式%(4) ヲ有スるオルガノクロロシラン又はオルガノクロロシラ
ン混合物と一般式: %式%) を有するジシラザンとを、副生ずる揮発性生成物を蒸留
しつつ25°C〜600℃の範囲の温度において接触さ
せ、かつ反応させることにより製造する(上記両式にお
いてR′はビニル基、炭素原子1〜3個のアルキル基又
はフェニル基であり;Rは水素原子、ビニル基、炭素原
子1〜6個のアルキル基又はフェニル基であり;そして
nは1又は2の値を有する)。
米国特許第4,312,970号明細書に記載のオルガ
ノクロロモノシランは、一般式: %式%(4) (式中R′はビニル基もしくは炭素原子1〜3個を有す
るアルキル基、又はフェニル基である)を有するもので
ある。すなわち、本発明において有用であるとして意図
されるそれらの基はメチル、エチル、プロぎル、ビニル
及びフェニルである。R′基はすべてが同一でもよく、
又はそれらは異なることもできる。
ノクロロモノシランは、一般式: %式%(4) (式中R′はビニル基もしくは炭素原子1〜3個を有す
るアルキル基、又はフェニル基である)を有するもので
ある。すなわち、本発明において有用であるとして意図
されるそれらの基はメチル、エチル、プロぎル、ビニル
及びフェニルである。R′基はすべてが同一でもよく、
又はそれらは異なることもできる。
nの値は1又は2である。すなわち、CH35iCj3
、C6H55iCj3、CH2= CH35Cj3、C
H3CH25icL3又はCH3(CH2)2SiCJ
、3のような単数有機基置換7ラン類、及び(CH3)
2 S 1cf2、(C2H5)2SiCj2及び(
CH2= CH) (CH3)Si巳2のような二重有
機基置換シフy類及び例えばCH3S 1CJ3と(C
H3)25iCj2とのよ5な上記7ラン類の混合物を
使用することができる。オルがノクロロシラン混合物を
使用する場合はジオルがノ置換ケイ素原子の単位数がモ
ノオルがノ置換ケイ素原子の単位数を超えないことが好
ましい。
、C6H55iCj3、CH2= CH35Cj3、C
H3CH25icL3又はCH3(CH2)2SiCJ
、3のような単数有機基置換7ラン類、及び(CH3)
2 S 1cf2、(C2H5)2SiCj2及び(
CH2= CH) (CH3)Si巳2のような二重有
機基置換シフy類及び例えばCH3S 1CJ3と(C
H3)25iCj2とのよ5な上記7ラン類の混合物を
使用することができる。オルがノクロロシラン混合物を
使用する場合はジオルがノ置換ケイ素原子の単位数がモ
ノオルがノ置換ケイ素原子の単位数を超えないことが好
ましい。
本発明の実施に対する最も好ましいシラザン重合体であ
る米国特許第4,340,619号明細書のシラザン重
合体は不活性な、実質的に無水の雰囲気中において、一
般式: ・ (04R′cS i) 2 を有する塩素含有ジシラン又は塩素含有シフラン混合物
と、一般式: %式%) を有するジシラザンとを副生する揮発性生成物を蒸留し
つつ25°0〜600°Cの範囲の温度において接触さ
せ、かつ反応させることにより製造する(上記両式にお
いてR′はビニル基、炭素原子1〜6個のアルキル基又
はフェニル基であり:Rは水素原子、ビニル基、炭素原
子1〜6個のアルキル基又はフェニル基であり;bは0
−5〜3の値を有し、Cは0〜2.5の値を有し、そし
て(b+c)の和は3に等しい)。
る米国特許第4,340,619号明細書のシラザン重
合体は不活性な、実質的に無水の雰囲気中において、一
般式: ・ (04R′cS i) 2 を有する塩素含有ジシラン又は塩素含有シフラン混合物
と、一般式: %式%) を有するジシラザンとを副生する揮発性生成物を蒸留し
つつ25°0〜600°Cの範囲の温度において接触さ
せ、かつ反応させることにより製造する(上記両式にお
いてR′はビニル基、炭素原子1〜6個のアルキル基又
はフェニル基であり:Rは水素原子、ビニル基、炭素原
子1〜6個のアルキル基又はフェニル基であり;bは0
−5〜3の値を有し、Cは0〜2.5の値を有し、そし
て(b+c)の和は3に等しい)。
米国特許第4,340,619号明細書の塩素含有ジシ
ランは、一般式: %式%) (式中、R′はビニル基、炭素原子1〜3個を有するア
ルキル基又はフェニル基である)を有するジシランであ
る。すなわち、R′基はメチル、エチール、プロピル、
ビニル及びフェニルである。R′基は全部が同一である
ことができ、あるいはそれらは異なることができる。塩
素含有ジシランはノ島ロシランの直接製造法〔イーボー
ン(Eaborn) 、 C、の「オルガノクリコン
コンバウンズ (Organosilicon Compounds
) j英国、ロンドン市、バターワース サイエンティ
フィツク パプリケーションズ(Bust、erwor
zh 5cientificPublicut、1on
s ) 社発行、第1頁〕からの残留物中に見出され
るものであることができる。この直接法は、通常には銅
である触媒の存在下に、高められた温度においてケイ素
金属と、一般的にメチルク筒リドである脂肪族ハロゲン
化物との間の、クロロシラン生成のための反応である。
ランは、一般式: %式%) (式中、R′はビニル基、炭素原子1〜3個を有するア
ルキル基又はフェニル基である)を有するジシランであ
る。すなわち、R′基はメチル、エチール、プロピル、
ビニル及びフェニルである。R′基は全部が同一である
ことができ、あるいはそれらは異なることができる。塩
素含有ジシランはノ島ロシランの直接製造法〔イーボー
ン(Eaborn) 、 C、の「オルガノクリコン
コンバウンズ (Organosilicon Compounds
) j英国、ロンドン市、バターワース サイエンティ
フィツク パプリケーションズ(Bust、erwor
zh 5cientificPublicut、1on
s ) 社発行、第1頁〕からの残留物中に見出され
るものであることができる。この直接法は、通常には銅
である触媒の存在下に、高められた温度においてケイ素
金属と、一般的にメチルク筒リドである脂肪族ハロゲン
化物との間の、クロロシラン生成のための反応である。
上記の塩素含有ジシランに対するb及びCの値はそれぞ
れ0.5〜6及びO〜2.5であり、(b+C)の和は
6に等しい。塩素含有ジシランの例は(ax(ca3)
zsi)2、(CJ2(CH3)81)2 、CC
l2<CzHs)S’b、[:CJ(06H5) zs
i)2及びCCl2 (CH2=CH)Si〕2である
。
れ0.5〜6及びO〜2.5であり、(b+C)の和は
6に等しい。塩素含有ジシランの例は(ax(ca3)
zsi)2、(CJ2(CH3)81)2 、CC
l2<CzHs)S’b、[:CJ(06H5) zs
i)2及びCCl2 (CH2=CH)Si〕2である
。
モノシランもまた上記塩素含有ジシランと混合して使用
することができる。その例にはCH35iCJ3、(C
H3) 2sicz2、a(ca3)2sict、(C
H3)、81CZ、(CH2−CH) (CH3) 2
8iC! 、 (C2H5) 2Siq、C6H55
i(Jl、ならびK (C6H5)2f13iCj2及
び(C,H5) 3Si(J、が含まれる。
することができる。その例にはCH35iCJ3、(C
H3) 2sicz2、a(ca3)2sict、(C
H3)、81CZ、(CH2−CH) (CH3) 2
8iC! 、 (C2H5) 2Siq、C6H55
i(Jl、ならびK (C6H5)2f13iCj2及
び(C,H5) 3Si(J、が含まれる。
本発明において使用するために米国特許第4,340.
619号明H書の記載によりポリシラザン重合体を艮造
する場合は、ジオルが)置換ケイ素原子の単位数がモノ
オルガノ置換ケイ素原子の単位数を超えない塩素含有ジ
シラン混合物を使用することが好ましい。
619号明H書の記載によりポリシラザン重合体を艮造
する場合は、ジオルが)置換ケイ素原子の単位数がモノ
オルガノ置換ケイ素原子の単位数を超えない塩素含有ジ
シラン混合物を使用することが好ましい。
米国特許第4,312,970号明細書及び米国特許第
4,340,619号明細書における第二の反応物は一
般式: (R3Si)2NBを有するジシラザンである
。この式中におけるRはビニル基、水素、炭素原子1〜
6個のアルキル基又はフェニル基である。
4,340,619号明細書における第二の反応物は一
般式: (R3Si)2NBを有するジシラザンである
。この式中におけるRはビニル基、水素、炭素原子1〜
6個のアルキル基又はフェニル基である。
したがって、この式の目的に対するRは水素、メチル、
エチル、プロピル、ビニル及びフェニルにより表わされ
る。この式における各Rは同一であることができ、ある
いはそれらは異なることができる。ジシラザンの例には
: [(CH3)、+Si:hNH5[C6H5(CH3)
2Si〕2NH。
エチル、プロピル、ビニル及びフェニルにより表わされ
る。この式における各Rは同一であることができ、ある
いはそれらは異なることができる。ジシラザンの例には
: [(CH3)、+Si:hNH5[C6H5(CH3)
2Si〕2NH。
[(C6H5)2CH3Si)2NH−[:CH2=C
H(CH3)2Si]2NH。
H(CH3)2Si]2NH。
[CH2=CH(CH3)C6H5Si]2NH。
[CH2=CH(C!H3) 2Si ]2NH。
[CH2”=CH(C2H5) 28i )2NH、[
H(CH3) 2si ] 2NH及び[CH2=CH
(C6H5)C2H5Si:12NHが包含される。
H(CH3) 2si ] 2NH及び[CH2=CH
(C6H5)C2H5Si:12NHが包含される。
これらの反応物を不活性な、実質的に無水の雰囲気中に
一緒に導入する。「不活性」とは反応がアルゴン、窒素
、又はヘリウムのような不活性カスの雰囲気下に行われ
ることを意味する。「実質的に無水」の意味は、反応が
完全に無水の雰囲気中で行われることが好ましいけれど
、微量の水分は許容できるということである。
一緒に導入する。「不活性」とは反応がアルゴン、窒素
、又はヘリウムのような不活性カスの雰囲気下に行われ
ることを意味する。「実質的に無水」の意味は、反応が
完全に無水の雰囲気中で行われることが好ましいけれど
、微量の水分は許容できるということである。
米国特許第4,312,970号及び
第4,340,619芳容明細書に記載のように反応物
が互に接触する場合は、中間体のアミノ化合物を生成す
る反応が開始される。加熱すると追加のアミン化合物が
生成し、加熱を続けるとR38iceが反応混合物から
蒸留され、7ラデン重合体が形成される。材料の添加順
序は臨界的であるとは思われない。温度が更に高く上昇
するにつれて、より多くの縮合が起こり、残基R35i
−との架橋が生じ、これは該混合物から蒸留されず、連
鎖停止剤として作用する。この調節により反応を任意の
点で停止させて殆んど任意の所望粘度を得ることができ
る。この反応に対する望ましい温度範囲は25°C〜3
00℃である。この反応に対する好ましい温度範囲は1
25°〜!100°Cである。反応に要する時間の長さ
は採用する温度及び達成が望まれる粘度による。
が互に接触する場合は、中間体のアミノ化合物を生成す
る反応が開始される。加熱すると追加のアミン化合物が
生成し、加熱を続けるとR38iceが反応混合物から
蒸留され、7ラデン重合体が形成される。材料の添加順
序は臨界的であるとは思われない。温度が更に高く上昇
するにつれて、より多くの縮合が起こり、残基R35i
−との架橋が生じ、これは該混合物から蒸留されず、連
鎖停止剤として作用する。この調節により反応を任意の
点で停止させて殆んど任意の所望粘度を得ることができ
る。この反応に対する望ましい温度範囲は25°C〜3
00℃である。この反応に対する好ましい温度範囲は1
25°〜!100°Cである。反応に要する時間の長さ
は採用する温度及び達成が望まれる粘度による。
「揮発性生成物」の意味は上記反応により生成される、
蒸留可能な、副生ずる生成物のことである。これらの物
質は(ca3)、5tcz、CCH2=CH) (C6
H5) 2Si(J、CH3(C6H5)2Si(J、
(CH3) 2C6H5SiCj及び(CH2=CH)
(CH3)2Si(J Kより表わすことができる。成
る場合には該方法は、これらの物質を反応混合物から除
去するために、ぶ熱と共に減圧を利用する必要がある。
蒸留可能な、副生ずる生成物のことである。これらの物
質は(ca3)、5tcz、CCH2=CH) (C6
H5) 2Si(J、CH3(C6H5)2Si(J、
(CH3) 2C6H5SiCj及び(CH2=CH)
(CH3)2Si(J Kより表わすことができる。成
る場合には該方法は、これらの物質を反応混合物から除
去するために、ぶ熱と共に減圧を利用する必要がある。
RSiNH含有シラデ/重合体と無機化合物とを混合し
てから該化合物を、該混合物がセラミック材料に変化す
るまで少なくとも750℃の温度に焼成する。RSiN
H含有シラザン重合体と無機化合物との混合物を、熱分
解に先立って減圧ストリップすることが一般的に好まし
い。もしシラザン重合体と無機化合物との混合物が十分
な粘度を有するものであるか、又は該混合物が十分に低
い融点を有するならば該混合物を最初に成形し、次いで
熱分解して、窒化ケイ素含有の、繊維のような成形物品
を得ることができる。該シラザン重合体と無機化合物と
の混合物にセラミック型光てん剤(所望により)を充て
んし、次いで少なくとも750℃に焼成してセラミック
材料又はセラミック物品を得ることができる。
てから該化合物を、該混合物がセラミック材料に変化す
るまで少なくとも750℃の温度に焼成する。RSiN
H含有シラザン重合体と無機化合物との混合物を、熱分
解に先立って減圧ストリップすることが一般的に好まし
い。もしシラザン重合体と無機化合物との混合物が十分
な粘度を有するものであるか、又は該混合物が十分に低
い融点を有するならば該混合物を最初に成形し、次いで
熱分解して、窒化ケイ素含有の、繊維のような成形物品
を得ることができる。該シラザン重合体と無機化合物と
の混合物にセラミック型光てん剤(所望により)を充て
んし、次いで少なくとも750℃に焼成してセラミック
材料又はセラミック物品を得ることができる。
本発明のシラザン重合体と無機化合物との混合物は用途
に応じて充てん状態及び非充てん状態の両方において使
用することができる。すなわち、・基体を充てん又は非
充てんの混合物によりコーティングし、次いで該基体を
加熱してセラミックコーティング物品を製造することが
本発明の範囲内において企図される。充てん剤及び補助
剤は60−ルミルにおいて本発明の重合体及び無機化合
物と充てん剤とを単に混合し、次いで該ミルにおいて数
回のパスを行うことにより摩砕することができる。また
別法において重合体及び無機化合物を溶媒中に入れ、充
てん剤及び補助剤をそれに添加し、次いで混合してから
溶媒を除去して充てんされた重合体混合物を得ることが
できる。コーティングは慣用の手段により行うことがで
きる。使用する手段は使用される重合体混合物及び基体
ならびに意図される用途に関係する。すなわち、これら
の材料ははけ塗り、ロール塗装、浸漬又は吹付けするこ
とができる。充てん状態におい℃は該混合物を基体上に
ごて塗りすることが時々必要である。本発明のシラザン
重合体と無機化合物との混合物はセラミック材料と共に
浸透剤 (1nfilt、rant、 ) として、又は該複
合材料に対するマトリックス材料として使用することも
できる。
に応じて充てん状態及び非充てん状態の両方において使
用することができる。すなわち、・基体を充てん又は非
充てんの混合物によりコーティングし、次いで該基体を
加熱してセラミックコーティング物品を製造することが
本発明の範囲内において企図される。充てん剤及び補助
剤は60−ルミルにおいて本発明の重合体及び無機化合
物と充てん剤とを単に混合し、次いで該ミルにおいて数
回のパスを行うことにより摩砕することができる。また
別法において重合体及び無機化合物を溶媒中に入れ、充
てん剤及び補助剤をそれに添加し、次いで混合してから
溶媒を除去して充てんされた重合体混合物を得ることが
できる。コーティングは慣用の手段により行うことがで
きる。使用する手段は使用される重合体混合物及び基体
ならびに意図される用途に関係する。すなわち、これら
の材料ははけ塗り、ロール塗装、浸漬又は吹付けするこ
とができる。充てん状態におい℃は該混合物を基体上に
ごて塗りすることが時々必要である。本発明のシラザン
重合体と無機化合物との混合物はセラミック材料と共に
浸透剤 (1nfilt、rant、 ) として、又は該複
合材料に対するマトリックス材料として使用することも
できる。
その他の用途については当業者が本明細書を考慮するこ
とにより明らかである。
とにより明らかである。
当業者が本発明をより良く評価し、かつ理解することが
できるように下記の実施例を示す。
できるように下記の実施例を示す。
実施例において、 RSiNH含有シラザン重合体と無
機化合物とを混合するために6種の基本的混合技術を使
用した。
機化合物とを混合するために6種の基本的混合技術を使
用した。
■ 溶液法。トルエンに可溶性の無機化合物に対し、溶
液混合方法が一般的に使用された。所望量の無機化合物
の添加剤を乾燥トルエン中に溶解させた。R38iNH
含有シラザン重合体をトルエン溶液に添加して35重量
%溶液とした。得られた溶液をがラスびんに入れ、アル
ビンでパージし、次いで密閉した。次いで該溶液をホイ
ールミキサーにおいて16時間かくはんした。25℃及
び6關Hgにおいて3時間、次いで50℃及び21)1
E Hgにおいて1時間減圧ストリッピングすることに
より、溶媒を該改質されたR35iN’H含有シラザン
か□ら除去した。場合によりアセトン、ヘキサン、又は
ミネラルスピリットのような他の溶剤を使用した。
液混合方法が一般的に使用された。所望量の無機化合物
の添加剤を乾燥トルエン中に溶解させた。R38iNH
含有シラザン重合体をトルエン溶液に添加して35重量
%溶液とした。得られた溶液をがラスびんに入れ、アル
ビンでパージし、次いで密閉した。次いで該溶液をホイ
ールミキサーにおいて16時間かくはんした。25℃及
び6關Hgにおいて3時間、次いで50℃及び21)1
E Hgにおいて1時間減圧ストリッピングすることに
より、溶媒を該改質されたR35iN’H含有シラザン
か□ら除去した。場合によりアセトン、ヘキサン、又は
ミネラルスピリットのような他の溶剤を使用した。
トルエンに不溶性の無機化合物に対しては下記の2種の
方法の一つが使用された。
方法の一つが使用された。
■ 湿式摩砕法。鳩バインドの摩砕ジャー(m1ll
jar )中におゆるRSiNH含有シラザン重合体の
50重量%乾燥トルエン溶液に必要量の無機化合物を添
加した。セラミック裂摩砕ボールを添加した後、ジャー
をアルゴンでパージし、次いで密閉した。試料を16時
間にわたり湿式摩砕した。溶液法におけるようにして溶
媒を除去した。
jar )中におゆるRSiNH含有シラザン重合体の
50重量%乾燥トルエン溶液に必要量の無機化合物を添
加した。セラミック裂摩砕ボールを添加した後、ジャー
をアルゴンでパージし、次いで密閉した。試料を16時
間にわたり湿式摩砕した。溶液法におけるようにして溶
媒を除去した。
場合によりアセトン、ヘキサン、又はミネラルスぎリッ
トのような他の溶媒を使用した。
トのような他の溶媒を使用した。
■ 乾式摩砕法。1/2バインドの摩砕ジャー(mil
ling jar )中における粉末RSiNH含有シ
ラザン重合体に必要量の無機化合物を添加した。
ling jar )中における粉末RSiNH含有シ
ラザン重合体に必要量の無機化合物を添加した。
シラザン重合体を乳鉢及び乳棒により粉末としもセラミ
ック裂摩砕ボールを添加した後、摩砕ジャーをアルゴン
でパージし、次いで密閉した。試料を16時間にわたり
摩砕した。
ック裂摩砕ボールを添加した後、摩砕ジャーをアルゴン
でパージし、次いで密閉した。試料を16時間にわたり
摩砕した。
混合試料のすべてを、それらが使用されるまでアルゴン
雰囲気下に乾燥箱中に貯蔵した。
雰囲気下に乾燥箱中に貯蔵した。
全試料を、モデ/’5300データ トラック(Dat
a Trak )温度プログラマ−を備えた水冷黒鉛加
熱式モデル1000.3060−FP−12のアストロ
(Aszro )インダストリーズ社友ファーネ/C(
Flrnace ) 1000 Aにおいてヘリウム雰
囲気下に焼成した。焼成に対して下記の温度プログラム
を使用した。プログラムAを使用して温度を2.8°C
/分の速度において600℃に上げ、3.6°C/分の
速度で60000から800℃に上げ、8.6°C/分
の速度で800’Cから900°Cに上げ、900°C
において12分間保ち、次いで25°C/分の速度で冷
却した。プログラムBにより、温度を2.9℃/分の速
度において600℃に高め、3.86C/分の速度にお
いて600°Cから900’Cに高め、900°Cにお
いて12.4時間保ち、次いで1).2°C/分の速度
で冷却した。プログラムCにより温度を2.8°C/分
の速度において600’Cに上げ、6.3°C/分の速
度において600°0から800℃に上げ、16.7℃
/分の速度において800℃から1000℃に上げ、1
000℃において24分間保ち、次いで41.7°C/
分の速度において冷却した。プログラムDを使用し、温
度を2.8°C/分の速度において600°OK上げ、
4°C/分の速度において600℃から800°Cに上
げ、17.5°C/分の速度において800°Cから1
)50℃に上げ、1)50℃において12.4時間保ち
、次いで14.4°C/分の速度で冷却した。プログラ
ムEにおいて、温度を2,8℃/分の速度において60
0℃に高め、6.6°C/分の速度において6000C
から800℃に高め、41.7°C/分の速度において
800°Cから1300℃に高め、1300°Cにおい
て12分間保ち、次いで66°C/分の速度において冷
却した。プログラムFにより、温度を1.6°C/分の
速度において800℃に上げ、2500/分の速度にお
いて800°Cから1600℃に上げ、1600℃にお
いて56分間保ち、次いで49°C/分の速度において
冷却した。プログラムGを使用し、温度を2.7°C/
分の速度において600°Cに高め、0.66C/分の
速度においてろ000Cカら800°OVC高め、6.
2°C/分の速度K[t、’−(800℃から1600
°GK高め、1600℃において2時間保ち、次いで1
0.8°C/分の速度において冷却した。プログラムH
により、温度を2.8°C/分の速度において600℃
に高め、6.2’C/分の速度において600’Cから
800°Cに高め、29.2°C/分の速度において8
00°Cから1600’Cに高め、1600’C!にお
いて12分間保ち、次(で44.4°C/分の速度にお
いて冷却した。プログラムエを使用し、温度を6.0°
C/分の速度において600°Cに高め、0.3°C/
分の速度において600℃から800°0に高め、10
°C/分の速度において800℃から1600℃に高め
、1600℃において2時間保ち、次いで13.3°C
/分の速度において冷却した。
a Trak )温度プログラマ−を備えた水冷黒鉛加
熱式モデル1000.3060−FP−12のアストロ
(Aszro )インダストリーズ社友ファーネ/C(
Flrnace ) 1000 Aにおいてヘリウム雰
囲気下に焼成した。焼成に対して下記の温度プログラム
を使用した。プログラムAを使用して温度を2.8°C
/分の速度において600℃に上げ、3.6°C/分の
速度で60000から800℃に上げ、8.6°C/分
の速度で800’Cから900°Cに上げ、900°C
において12分間保ち、次いで25°C/分の速度で冷
却した。プログラムBにより、温度を2.9℃/分の速
度において600℃に高め、3.86C/分の速度にお
いて600°Cから900’Cに高め、900°Cにお
いて12.4時間保ち、次いで1).2°C/分の速度
で冷却した。プログラムCにより温度を2.8°C/分
の速度において600’Cに上げ、6.3°C/分の速
度において600°0から800℃に上げ、16.7℃
/分の速度において800℃から1000℃に上げ、1
000℃において24分間保ち、次いで41.7°C/
分の速度において冷却した。プログラムDを使用し、温
度を2.8°C/分の速度において600°OK上げ、
4°C/分の速度において600℃から800°Cに上
げ、17.5°C/分の速度において800°Cから1
)50℃に上げ、1)50℃において12.4時間保ち
、次いで14.4°C/分の速度で冷却した。プログラ
ムEにおいて、温度を2,8℃/分の速度において60
0℃に高め、6.6°C/分の速度において6000C
から800℃に高め、41.7°C/分の速度において
800°Cから1300℃に高め、1300°Cにおい
て12分間保ち、次いで66°C/分の速度において冷
却した。プログラムFにより、温度を1.6°C/分の
速度において800℃に上げ、2500/分の速度にお
いて800°Cから1600℃に上げ、1600℃にお
いて56分間保ち、次いで49°C/分の速度において
冷却した。プログラムGを使用し、温度を2.7°C/
分の速度において600°Cに高め、0.66C/分の
速度においてろ000Cカら800°OVC高め、6.
2°C/分の速度K[t、’−(800℃から1600
°GK高め、1600℃において2時間保ち、次いで1
0.8°C/分の速度において冷却した。プログラムH
により、温度を2.8°C/分の速度において600℃
に高め、6.2’C/分の速度において600’Cから
800°Cに高め、29.2°C/分の速度において8
00°Cから1600’Cに高め、1600’C!にお
いて12分間保ち、次(で44.4°C/分の速度にお
いて冷却した。プログラムエを使用し、温度を6.0°
C/分の速度において600°Cに高め、0.3°C/
分の速度において600℃から800°0に高め、10
°C/分の速度において800℃から1600℃に高め
、1600℃において2時間保ち、次いで13.3°C
/分の速度において冷却した。
セラミック材料に対し定性及び定量の両方のX線回折測
定を行った。定量X線回折測定はり、K。
定を行った。定量X線回折測定はり、K。
7レベル(Frevel )及びW、C,o−ス(Ro
th )のアナリチ力ル ケミストリー(Analyt
icalChemist、ry ) 54 677−6
82 (1982)に概説されている手順を使用して行
った。定性X線回折測定は標準手順を使用して行った。
th )のアナリチ力ル ケミストリー(Analyt
icalChemist、ry ) 54 677−6
82 (1982)に概説されている手順を使用して行
った。定性X線回折測定は標準手順を使用して行った。
定性的作業について、該作業はα−8iCの存在下にお
けるβ−8iCの確認はできない。なぜなら、α−8i
CのX線回折のピークはβ−8iCのピークと重なるか
らである。本発明方法により製造され、定量的方法によ
って試験されたセラミック材料の全部がα−3iC及び
β−3iCの両方を含有した(実施例5参照)。したが
って本発明方法によって製造され、定性X線回折によっ
てのみ検査されたセラミックスもまたα−8iC及びβ
−3iCの両方を含有すると思われる。しかしながら、
方法の限定の故にα−3iCのみが明確に確認された。
けるβ−8iCの確認はできない。なぜなら、α−8i
CのX線回折のピークはβ−8iCのピークと重なるか
らである。本発明方法により製造され、定量的方法によ
って試験されたセラミック材料の全部がα−3iC及び
β−3iCの両方を含有した(実施例5参照)。したが
って本発明方法によって製造され、定性X線回折によっ
てのみ検査されたセラミックスもまたα−8iC及びβ
−3iCの両方を含有すると思われる。しかしながら、
方法の限定の故にα−3iCのみが明確に確認された。
。
セラミック収率は、焼成後の重量を焼成前の重量で除し
、次いで得られた値を100倍することにより算出した
。
、次いで得られた値を100倍することにより算出した
。
実施例において、対照試料を、該対照試料に無機化合物
を含有させなかった点を除いて無機化合物含有シラザン
重合体と同一の処理(すなわち溶液湿潤摩砕法又は乾式
摩砕混合法)に供した。混合手順に供した対照試料から
製造したセラミックスの結晶化度と、混合手順に供しな
かった対照試料から製造したセラミックスの結晶化度と
は実質的に等しかった。
を含有させなかった点を除いて無機化合物含有シラザン
重合体と同一の処理(すなわち溶液湿潤摩砕法又は乾式
摩砕混合法)に供した。混合手順に供した対照試料から
製造したセラミックスの結晶化度と、混合手順に供しな
かった対照試料から製造したセラミックスの結晶化度と
は実質的に等しかった。
実施例
本実施例においては米国特許第4,340,619号明
細書に概説され℃いる手順により製造したR3S iN
H含有シラザン重合体を使用した。72ノのステンレス
鋼製の反応器におい℃ヘキ丈メチルゾシラザン(42,
2ポントノとメチルクロロシフラン混合物(26ボンド
ンとを窒素雰囲気下に混合した。直接法から得られたメ
チルクロロジシラン混合@は((CEI3.)C12B
iJ242−5厘i%、(CH3JzC2SiSiC4
2(CH3J 3 5−6 XR% 、((CH3)
2CtBiJz 9−5 亘に%、及びクロロシラン低
梯点物(low boiler ) 12−A jl量
%を含有した。
細書に概説され℃いる手順により製造したR3S iN
H含有シラザン重合体を使用した。72ノのステンレス
鋼製の反応器におい℃ヘキ丈メチルゾシラザン(42,
2ポントノとメチルクロロシフラン混合物(26ボンド
ンとを窒素雰囲気下に混合した。直接法から得られたメ
チルクロロジシラン混合@は((CEI3.)C12B
iJ242−5厘i%、(CH3JzC2SiSiC4
2(CH3J 3 5−6 XR% 、((CH3)
2CtBiJz 9−5 亘に%、及びクロロシラン低
梯点物(low boiler ) 12−A jl量
%を含有した。
反応混合物を輩巣雰囲A下に0.97”07分の速度で
195℃に加熱し、この間に揮発性副生物を蒸留により
除去した。:を合体残留物を採集し、それは軟化点68
°Cを有することがわかった。
195℃に加熱し、この間に揮発性副生物を蒸留により
除去した。:を合体残留物を採集し、それは軟化点68
°Cを有することがわかった。
数種の異なる無機化合物をR,5iNH含有シラザン重
合体に、金属を基準にし″C1重量矛0混合物を生成す
る水準におい℃添加した。使用した疾加剤は鉄(III
ノオクトエート、コバルト(JI)オクトエ−ト、MC
1)オクトエート及びニッケル(fl)オクトエートで
あった。溶媒としてトルエンを使用し、溶液法により全
部を混合した。添加剤を@有しない対照試料をも同一手
順に供した。久いて全試料を、温度プログラムEを使用
し、ヘリウム雰囲気下に1300℃に焼成した。焼成後
に全試料をX巌回折により臥験した。
合体に、金属を基準にし″C1重量矛0混合物を生成す
る水準におい℃添加した。使用した疾加剤は鉄(III
ノオクトエート、コバルト(JI)オクトエ−ト、MC
1)オクトエート及びニッケル(fl)オクトエートで
あった。溶媒としてトルエンを使用し、溶液法により全
部を混合した。添加剤を@有しない対照試料をも同一手
順に供した。久いて全試料を、温度プログラムEを使用
し、ヘリウム雰囲気下に1300℃に焼成した。焼成後
に全試料をX巌回折により臥験した。
表 1
なしく対照) 52.5
鉄(Uオクトエート 48.5 (t−
BLCz (Z−813N4コバルト(1[[ノオク
トエート 52,8 α−8iC’、 α−
8i、N。
BLCz (Z−813N4コバルト(1[[ノオク
トエート 52,8 α−8iC’、 α−
8i、N。
餉CJIi)2Fり) 二〜l’ 51.
7 α−81,C,(E−813N4ニツケル(
■リオクトエー) 54.6 α−8iC,α−
8i、3N。
7 α−81,C,(E−813N4ニツケル(
■リオクトエー) 54.6 α−8iC,α−
8i、3N。
実M狗2
本実施例は結晶化反増強添加剤とし℃の種々の沃化合物
の使用について示す。実施例1に記載されたものと同一
のR35iNE言Mシラザンji曾体を使用した。添力
ロ剤の使用量は得られる改質されたシラザン点台体が鉄
1.0重量%を有するような量であった。酸化鉄を除い
て、すべての添加剤は浴液法を使用し℃シラザン重合体
と混合した。酸化鉄は乾式摩砕技術を使用し″C添21
JIIした0久いで全試料を温度プログラムEを使用し
てヘリウム雰囲気下に1300℃に焼成した。焼成した
試料yx蔵回折により検査した。結果を表■に示す。
の使用について示す。実施例1に記載されたものと同一
のR35iNE言Mシラザンji曾体を使用した。添力
ロ剤の使用量は得られる改質されたシラザン点台体が鉄
1.0重量%を有するような量であった。酸化鉄を除い
て、すべての添加剤は浴液法を使用し℃シラザン重合体
と混合した。酸化鉄は乾式摩砕技術を使用し″C添21
JIIした0久いで全試料を温度プログラムEを使用し
てヘリウム雰囲気下に1300℃に焼成した。焼成した
試料yx蔵回折により検査した。結果を表■に示す。
弐 ■
it L (対照) 52.5 なし、無
定形鉄(■ノオクトエー) 48.5
α−8iC,α−13i3N4酸化鉄(I[I)54.
6 α−8iC,α−8i 3N。
定形鉄(■ノオクトエー) 48.5
α−8iC,α−13i3N4酸化鉄(I[I)54.
6 α−8iC,α−8i 3N。
鉄(JI)アセチルアセトネー) 44.1
α−5iC,α−813N。
α−5iC,α−813N。
塩化鉄CJJI) 52.4 α−8i
C,α−8i3N。
C,α−8i3N。
モノカルボニルシ鉄 56.3 α−8iC
,α−5i3N4実施例6 本実施例は種々の添加水準における鉄<m)オクトエー
ト結晶化度増強剤の使用について示す。実施例1に記載
のものと同一のRSiNH含有シラザン重合体を使用し
た。添加剤は浴液法又は湿式摩砕法のいずれかを使用し
てシラザン貞合体中に混入させた。添加剤をシラザン重
合体に混入後、シラザン重合体を温度プログラムEを使
用し℃ヘリウム雰囲気下に1600℃におい″C焼成し
た。セラミック生成物をXM回折により検査した。結果
を茨(III)に示す。鉄0.1%を含有するシラザン
重合体からのセラミック材料に対するXW回折ピークは
十分に特定されなかった。その他の鉄含有シラザン息合
体から装造したセラミック材料は指示された結晶相に相
当する十分に特定されたXi回折ピークを示した@ 表 ■ O溶液 52.5 なし、無足形 0−1 file 53.3 a−sxc
、 α−8i3N40.6 − 湿式摩砕 52.7
a−sxc、a−sx3m。
,α−5i3N4実施例6 本実施例は種々の添加水準における鉄<m)オクトエー
ト結晶化度増強剤の使用について示す。実施例1に記載
のものと同一のRSiNH含有シラザン重合体を使用し
た。添加剤は浴液法又は湿式摩砕法のいずれかを使用し
てシラザン貞合体中に混入させた。添加剤をシラザン重
合体に混入後、シラザン重合体を温度プログラムEを使
用し℃ヘリウム雰囲気下に1600℃におい″C焼成し
た。セラミック生成物をXM回折により検査した。結果
を茨(III)に示す。鉄0.1%を含有するシラザン
重合体からのセラミック材料に対するXW回折ピークは
十分に特定されなかった。その他の鉄含有シラザン息合
体から装造したセラミック材料は指示された結晶相に相
当する十分に特定されたXi回折ピークを示した@ 表 ■ O溶液 52.5 なし、無足形 0−1 file 53.3 a−sxc
、 α−8i3N40.6 − 湿式摩砕 52.7
a−sxc、a−sx3m。
1.0溶液 48.5 a−5iC,α−8i3N
4実施例4 本実施例に麩C,JJl)オクトエート貧有シラザン貞
合体を種々の熱分′ls温藏及び条件下に焼成すること
によるセラミック材料の製造につい℃示す。実施例1に
記載のR35iNE(含有シラザンX檜体を使用シた。
4実施例4 本実施例に麩C,JJl)オクトエート貧有シラザン貞
合体を種々の熱分′ls温藏及び条件下に焼成すること
によるセラミック材料の製造につい℃示す。実施例1に
記載のR35iNE(含有シラザンX檜体を使用シた。
鉄(l[I、lオクトエートを、湿式摩砕法を使用して
鉄1.0重量−の当量水準においてシラザン重合体に混
入させた。焼成後、セラミック材料をX巌回折により検
査した。結果を表■に示す。試料はすべてヘリウム雰囲
気下に焼成した。
鉄1.0重量−の当量水準においてシラザン重合体に混
入させた。焼成後、セラミック材料をX巌回折により検
査した。結果を表■に示す。試料はすべてヘリウム雰囲
気下に焼成した。
実施例5
本実力例は鉄添加剤を使用し、及び使用せずにRSiN
H含有シラザン重合体から製造したセラミック材料に対
する定量xi回折データを示す。
H含有シラザン重合体から製造したセラミック材料に対
する定量xi回折データを示す。
RSiNH@育シラザン重合体は実施例1において使用
したものと同一であった(l鉄fA加剤は湿式摩砕技術
を使用し′″C鉄1.ON量饅を与えるのに十分な水準
におい℃シラザン嵐合体に混入させた。使用した添加剤
は酸化鉄(m)及び鉄(■ノオクトエートであった。試
料乞ヘリウム雰囲気下に種々の焼成条件乞使用し℃焼成
した。久いで得られたセラミック材料を定kX線画折に
より検介した。結果を宍Vに示す。
したものと同一であった(l鉄fA加剤は湿式摩砕技術
を使用し′″C鉄1.ON量饅を与えるのに十分な水準
におい℃シラザン嵐合体に混入させた。使用した添加剤
は酸化鉄(m)及び鉄(■ノオクトエートであった。試
料乞ヘリウム雰囲気下に種々の焼成条件乞使用し℃焼成
した。久いで得られたセラミック材料を定kX線画折に
より検介した。結果を宍Vに示す。
実兄例6
本実凡例μ本発明方法を使用するセラミック繊維の製造
につい℃示す。実施例1のR3S iNH含有シラデ/
厘甘体せ使用した。無機化合物を、湿式摩砕法を使用し
℃象桶1.0重量斧を与える水準においCR3E1)N
H宮Mシラザンi台体中に混入させた。%インチのバレ
ルを伽えた融解物流置針を使用し℃ニンクA/(Hノオ
クトエート及びコバルト(■ンオクトエート7を含有す
るシラザンN&体ならびに対照試料(添加剤なしノから
繊維を製造し島10ミクロンの紡糸ヘッドを備えた押出
機において、鉄(四ノオクトエートを含有するシラザン
重合体から繊維を製造した。xiを焼成前に空気中で8
00℃におい13時間硬化した。択いで該繊維を、対照
繊維を除い℃、プログラムIPを使用し、1300℃に
おいてヘリウム雰囲気に焼成した。
につい℃示す。実施例1のR3S iNH含有シラデ/
厘甘体せ使用した。無機化合物を、湿式摩砕法を使用し
℃象桶1.0重量斧を与える水準においCR3E1)N
H宮Mシラザンi台体中に混入させた。%インチのバレ
ルを伽えた融解物流置針を使用し℃ニンクA/(Hノオ
クトエート及びコバルト(■ンオクトエート7を含有す
るシラザンN&体ならびに対照試料(添加剤なしノから
繊維を製造し島10ミクロンの紡糸ヘッドを備えた押出
機において、鉄(四ノオクトエートを含有するシラザン
重合体から繊維を製造した。xiを焼成前に空気中で8
00℃におい13時間硬化した。択いで該繊維を、対照
繊維を除い℃、プログラムIPを使用し、1300℃に
おいてヘリウム雰囲気に焼成した。
対照稙I&はプロゲラムEi使用し、1300”Cにお
い℃ヘリウム雰g5気下に焼成した。久いて該属セラミ
ックス減維を乳鉢及び乳棒で摩砕し、次いでX1)M回
折により検量した。MMt表Hに示ア。
い℃ヘリウム雰g5気下に焼成した。久いて該属セラミ
ックス減維を乳鉢及び乳棒で摩砕し、次いでX1)M回
折により検量した。MMt表Hに示ア。
実施例7
本実施内は結晶化度増強剤の混合物の使用について示す
。実施例1のR354NEI含有シラザン点合体を使用
した。ニッケル(IJオクトエート及び鉄(m)オクト
エ−)t−i1)6加剤とし℃使用し℃湿式摩砕法rt
c ヨリ二:y クル0−5 Mk% &U鉄Ll−5
1ft%を含有”するR354NH貧有シラザン瀘曾体
九台物を製造した。改質されたシラザン盈曾体をヘリウ
ム雰囲気下にプロゲラムコな使用して15CIO’Cに
焼成した。セラミック材料(セラミック収″453.[
)%)が得られ、これはX #I 1gI折によりα−
8iC及びα−8i31”J4をざ有した。
。実施例1のR354NEI含有シラザン点合体を使用
した。ニッケル(IJオクトエート及び鉄(m)オクト
エ−)t−i1)6加剤とし℃使用し℃湿式摩砕法rt
c ヨリ二:y クル0−5 Mk% &U鉄Ll−5
1ft%を含有”するR354NH貧有シラザン瀘曾体
九台物を製造した。改質されたシラザン盈曾体をヘリウ
ム雰囲気下にプロゲラムコな使用して15CIO’Cに
焼成した。セラミック材料(セラミック収″453.[
)%)が得られ、これはX #I 1gI折によりα−
8iC及びα−8i31”J4をざ有した。
鋼(■リオタトエート及び妖U)オクトエートを使用し
、磁式摩砕技術によつ、銅0.5厘蓋チ及び! 0.5
m童%″4r:1i4iする、もう一つのR,5iN
EI含有シラザン厘会体ンも装造した。該改質されたシ
ラザン厘台座を、foグラムny7使用しtヘリウム雰
囲気下VC16LI Ll ”OvC焼成した。セラミ
ック材料(セラミック収460.6%)が得られ、これ
は結晶相とし℃α−8工C及びα−813周4七8Mし
た。
、磁式摩砕技術によつ、銅0.5厘蓋チ及び! 0.5
m童%″4r:1i4iする、もう一つのR,5iN
EI含有シラザン厘会体ンも装造した。該改質されたシ
ラザン厘台座を、foグラムny7使用しtヘリウム雰
囲気下VC16LI Ll ”OvC焼成した。セラミ
ック材料(セラミック収460.6%)が得られ、これ
は結晶相とし℃α−8工C及びα−813周4七8Mし
た。
来地丙8
本’i+ mt *u +rh比板ガのみχ包言する0
実施圀1のRSiNHIざMシラザンijL右゛体を使
用した。結晶化度増強剤とし℃多蚊の無@1L台物又龜
釡属を静画した。笑#N1〜7の一般手M4ン使用しフ
之。添加剤を、元系n1嵐−優の水準においCR3ai
NH含V重合体vc混人させ、医いて該改質されたシラ
ザンM台体を不ha界w気中−C−1)0U Ll 〜
16LIU−Cの範囲の高められた温反に2い℃焼成し
た。欠いで該得られたセラミック材料をX線回折により
検査した。検査した添加剤を表■に示す。表に示した添
加剤のうちで有意程直に結晶化度を増強したことが総め
られたものは一つもなかった。4られたセラばツク材料
の大部分は#を足形であった。
実施圀1のRSiNHIざMシラザンijL右゛体を使
用した。結晶化度増強剤とし℃多蚊の無@1L台物又龜
釡属を静画した。笑#N1〜7の一般手M4ン使用しフ
之。添加剤を、元系n1嵐−優の水準においCR3ai
NH含V重合体vc混人させ、医いて該改質されたシラ
ザンM台体を不ha界w気中−C−1)0U Ll 〜
16LIU−Cの範囲の高められた温反に2い℃焼成し
た。欠いで該得られたセラミック材料をX線回折により
検査した。検査した添加剤を表■に示す。表に示した添
加剤のうちで有意程直に結晶化度を増強したことが総め
られたものは一つもなかった。4られたセラばツク材料
の大部分は#を足形であった。
表■ 結晶化度を増強しない、添加剤ムt アルミ
ニウム第二ブトキサイド酸化アルミニウム アルミ二りムアセチルアセト不一ト Ba バリウムオクトエート B トリメトキシホウ素 ホウ酸 ナトリウムテト、7ボレート Cカー猷ンブラック Cθ セリウム(fflノオクトエートOr ク
ロム釡属 Hf ビス(シクコペンタシエニル〕ハ7ニクムゾ
クロライド 工n インシウムインプaボキシド 工r ビス(トリノ二二ルホスフインジイリゾウムク
ロライド PI) 蛤(IIノオクトエート Mg エテルマグ洋、シクムブロマイドMn
77fン(Uノオクトエートマンガン(■少オクトエー
ト Hg 水銀IJオクトエート Mo モリブデン(VIJオクトエートN1
ニッケル金属 Os 7ンモニウムへキサブロモオスメートP(L
パラジウム(Il)アセチルアセトネートP
リ ン酸 Pt クロロ白金酸 社 塩化ロジウム Ru ルテニウムアセチルアセトネートAg
硝fR銀 E3r ストロンチウムアセチルアセトネートS
元素状硫黄 Sn スズ金属 スズCl1) 7Iクレート T1 二酸化チタン W メシチレントリカルボニルタングステートV
バナジウム金属 バナジウム(m)アセチルアセトネートY イツト
リウムアセチルアセトネートZrx 亜鉛金属 亜鉛(…ノオクトエート
ニウム第二ブトキサイド酸化アルミニウム アルミ二りムアセチルアセト不一ト Ba バリウムオクトエート B トリメトキシホウ素 ホウ酸 ナトリウムテト、7ボレート Cカー猷ンブラック Cθ セリウム(fflノオクトエートOr ク
ロム釡属 Hf ビス(シクコペンタシエニル〕ハ7ニクムゾ
クロライド 工n インシウムインプaボキシド 工r ビス(トリノ二二ルホスフインジイリゾウムク
ロライド PI) 蛤(IIノオクトエート Mg エテルマグ洋、シクムブロマイドMn
77fン(Uノオクトエートマンガン(■少オクトエー
ト Hg 水銀IJオクトエート Mo モリブデン(VIJオクトエートN1
ニッケル金属 Os 7ンモニウムへキサブロモオスメートP(L
パラジウム(Il)アセチルアセトネートP
リ ン酸 Pt クロロ白金酸 社 塩化ロジウム Ru ルテニウムアセチルアセトネートAg
硝fR銀 E3r ストロンチウムアセチルアセトネートS
元素状硫黄 Sn スズ金属 スズCl1) 7Iクレート T1 二酸化チタン W メシチレントリカルボニルタングステートV
バナジウム金属 バナジウム(m)アセチルアセトネートY イツト
リウムアセチルアセトネートZrx 亜鉛金属 亜鉛(…ノオクトエート
Claims (1)
- (1)改質されたR_SiNH含有シラザン重合体を、
前記改質されたR_3SiNH含有シラザン重合体が同
一条件下に加熱された非改質のR_3SiNH含有シラ
ザン重合体と比較して増大された結晶化度を有するセラ
ミック材料に変化するまで、不活性雰囲気中又は減圧下
において少なくとも750℃の温度に加熱し、この場合
前記改質されたR_3SiNH含有シラザン重合体を非
改質のR_3SiNH含有シラザン重合体と鉄化合物、
コバルト化合物、ニッケル化合物、及び銅化合物より成
る群から選択する無機化合物の有効量、すなわち結晶化
度を増大する量とを混合することにより製造することを
特徴とする増大された結晶化度を有するセラミック材料
を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65293984A | 1984-09-21 | 1984-09-21 | |
US652939 | 1991-02-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6177611A true JPS6177611A (ja) | 1986-04-21 |
JPH0449483B2 JPH0449483B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=24618834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60208534A Granted JPS6177611A (ja) | 1984-09-21 | 1985-09-20 | シラザン重合体からの増大された結晶化度を有するセラミツク材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0175384B1 (ja) |
JP (1) | JPS6177611A (ja) |
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