JPS6177207A - 導体ペ−スト - Google Patents
導体ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS6177207A JPS6177207A JP19800484A JP19800484A JPS6177207A JP S6177207 A JPS6177207 A JP S6177207A JP 19800484 A JP19800484 A JP 19800484A JP 19800484 A JP19800484 A JP 19800484A JP S6177207 A JPS6177207 A JP S6177207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- glass
- wiring
- conductor paste
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野の説明〕
本発明は低温焼結可能なガラス・セラミック配線板の配
線形成に用いられる導体ペーストに関するものである。
線形成に用いられる導体ペーストに関するものである。
今日ＩＣ，ＬＳＩ等の高密度実装用の基板はグリーンシ
ート積層法を利用して形成した多層セラミック基板が用
いられている。
ート積層法を利用して形成した多層セラミック基板が用
いられている。
多層セラミック基板の材質、配線材料としては焼成温度
が異なることによシ第１表に示すように高温度と低温度
の使用分野に区別できる。
が異なることによシ第１表に示すように高温度と低温度
の使用分野に区別できる。
第１表
これらの配置！ｉｉｌ料のうちモリブデンやタングステ
ンは導体の抵抗値が大きく、配線パターンの幅を細くし
実装密度を上げる仁とは困難である。
ンは導体の抵抗値が大きく、配線パターンの幅を細くし
実装密度を上げる仁とは困難である。
他方、金は地金が高価であるとともに、時折、価格の高
騰が起こるために価格面の安定性が悪い。
騰が起こるために価格面の安定性が悪い。
金よりも低価格の配線材料として銀、銀−パラジウム合
金などが一般的に活用されている。しかし、ガラス・セ
ラミック絶縁材料との同時焼成工程、とくに絶縁材料の
内部に含有されている有機樹脂を分解し、気化する逼程
で、ガラス・セラミック材料との剥離が見られる。
金などが一般的に活用されている。しかし、ガラス・セ
ラミック絶縁材料との同時焼成工程、とくに絶縁材料の
内部に含有されている有機樹脂を分解し、気化する逼程
で、ガラス・セラミック材料との剥離が見られる。
剥離が起こる主原因は温度の上昇にともないＡｇ、Ａ、
−Ｐｄの合金化反応が進行するため体積収縮が起とシガ
ラス・セラミック材料との間に一定以上の応力が加わる
ために引き起こされている。
−Ｐｄの合金化反応が進行するため体積収縮が起とシガ
ラス・セラミック材料との間に一定以上の応力が加わる
ために引き起こされている。
低温（約４５０ ’Ｏ以下）における合金化反応を防止
する手段を研究する過程で数多くの手段が考えられ検証
された。
する手段を研究する過程で数多くの手段が考えられ検証
された。
合金化反応を高温側ヘシフトする手段としては（１）粒
径を大きくすると、（２）粒形を球状にすることなどが
通常考えられる。
径を大きくすると、（２）粒形を球状にすることなどが
通常考えられる。
しかし粒径を大きくすることは配線ノくターンの幅を細
かくすることがむずかしい。また粒形が球状の粉末を用
いてシフトできる温度範囲がせまいので改善手段にはな
りえない。
かくすることがむずかしい。また粒形が球状の粉末を用
いてシフトできる温度範囲がせまいので改善手段にはな
りえない。
本発明の目的はガラス・セラミック基板と同時に焼成す
ることが可能な導体ペーストを提供することにある。
ることが可能な導体ペーストを提供することにある。
本発明によれば表面が金属酸化物で覆われた金属粉末を
含むことを特徴とする導体ペーストが得られる。
含むことを特徴とする導体ペーストが得られる。
表面を不活性化する膜としては酸化物、硫化物、フッ化
物があけられる。このうちで酸化物は良好であったが、
他の硫化物、７ツ化物は焼成によりガラス・セラミック
材料に還元作用を及はすため、絶縁抵抗の劣化を引き起
こし、使用することができない。
物があけられる。このうちで酸化物は良好であったが、
他の硫化物、７ツ化物は焼成によりガラス・セラミック
材料に還元作用を及はすため、絶縁抵抗の劣化を引き起
こし、使用することができない。
金属粉末の表面に酸化膜を形成する手段には色合あり、
（イ）化成皮膜を形成する、（ロ）熱酸化を行って形成
する、（ハ）酸化物を蒸着などの手段によりコーティン
グする、などがあげられる。
（イ）化成皮膜を形成する、（ロ）熱酸化を行って形成
する、（ハ）酸化物を蒸着などの手段によりコーティン
グする、などがあげられる。
なお表面に酸化物の薄膜を形成した金属粉末の焼結は酸
化物の薄膜を通じて進行するのであるが、その拡散スピ
ードは薄膜の厚みに依存する。通常０．１μｍ以下の薄
膜の場合は、余端粒子間の拡散スピードとほぼ等しい。
化物の薄膜を通じて進行するのであるが、その拡散スピ
ードは薄膜の厚みに依存する。通常０．１μｍ以下の薄
膜の場合は、余端粒子間の拡散スピードとほぼ等しい。
ゆえに導体ペーストの焼結は従来の市販ペーストとほぼ
同等と考えられる。実施例では前述（ロ）の熱酸化によ
り表面に酸化物薄膜を形成した。
同等と考えられる。実施例では前述（ロ）の熱酸化によ
り表面に酸化物薄膜を形成した。
以下、本発明を実施例について説明する。
導体ペーストはＡｇとＰｄ の合金を選んだ。
出発原料としてはＡｇ粉末は平均粒径２．３μｍ１比表
面積１．５ｍ’／７． Ｐｄ粉末は平均粒径Ｑ、５μｍ
。
面積１．５ｍ’／７． Ｐｄ粉末は平均粒径Ｑ、５μｍ
。
比表面積１０．２ ｍ’／ ｆのものを用いた。
酸化物の薄膜は熱酸化によシ約０．１μｍの厚みになる
ように形成した。
ように形成した。
酸化を施した粉末を組成比がＡｇとＰｄでそれぞれ８５
：１５になるように秤蓋し、ステアリン酸を添加して■
型混合機によシ混合を３時間行った。
：１５になるように秤蓋し、ステアリン酸を添加して■
型混合機によシ混合を３時間行った。
混合粉にエチルセルロース、α−テルピネオール、ケロ
シン、パラフィン’ｆ［７１１］Ｌ、３本ロール混練を
５回以上繰返して銀−パラジウムペーストを作製した。
シン、パラフィン’ｆ［７１１］Ｌ、３本ロール混練を
５回以上繰返して銀−パラジウムペーストを作製した。
アルミナ粉末とホウケイ酸鉛ガラス粉末からなるグリー
ンシートをプレス機を用いて所望の箇所に孔を明け、そ
のグリーンシート上に銀−パラジウムペーストを使用し
て配線パターンを形成する。
ンシートをプレス機を用いて所望の箇所に孔を明け、そ
のグリーンシート上に銀−パラジウムペーストを使用し
て配線パターンを形成する。
このように準備されたグリーンシートが積層され、次に
有機物を分解し気化するために脱パインダーを行った。
有機物を分解し気化するために脱パインダーを行った。
脱バインダー条件は温度上昇速度５°０／時間、最高温
度４５０°０で４時間保持した。
度４５０°０で４時間保持した。
脱バインダーが終了した積層体では配線パターンの剥離
は見られない。
は見られない。
最終の仕上げとして最高温度８５０°０、最高温度保持
時間１０分間の焼成履歴を有する焼成炉で焼成を行った
。
時間１０分間の焼成履歴を有する焼成炉で焼成を行った
。
焼成が完了した積層体においても配線パターンの剥離が
見られなかった。
見られなかった。
また配線の面積抵抗は２５ｍΩ／口 となシ、酸化膜を
通じての焼結が十分進んでいると考えられ実用上問題が
なかった。
通じての焼結が十分進んでいると考えられ実用上問題が
なかった。
なお本実施例では２８１類の粉末とも酸化物の薄膜を形
成してから導体ペーストを作成したが、一方の粉末（た
とえば前記実施例でパラジウム粉末だけに熱酸化膜を形
成した粉末）だけの場合も有効であった。
成してから導体ペーストを作成したが、一方の粉末（た
とえば前記実施例でパラジウム粉末だけに熱酸化膜を形
成した粉末）だけの場合も有効であった。
以上、本発明の導体ペーストはガラス・セラミ６一
ツク絶縁材料との同時焼成ができるという効果を奏する
。
。
Claims (1)
- 表面が金属酸化物で覆われた金属粉末を含むことを特徴
とする導体ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19800484A JPS6177207A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 導体ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19800484A JPS6177207A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 導体ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177207A true JPS6177207A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16383907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19800484A Pending JPS6177207A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 導体ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11283441A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Kyocera Corp | 導電性ペーストおよび電子部品 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP19800484A patent/JPS6177207A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11283441A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Kyocera Corp | 導電性ペーストおよび電子部品 |
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