JPS6172640A - 光フアイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用母材の製造方法Info
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- JPS6172640A JPS6172640A JP19387684A JP19387684A JPS6172640A JP S6172640 A JPS6172640 A JP S6172640A JP 19387684 A JP19387684 A JP 19387684A JP 19387684 A JP19387684 A JP 19387684A JP S6172640 A JPS6172640 A JP S6172640A
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- dopant
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/30—Polarisation maintaining [PM], i.e. birefringent products, e.g. with elliptical core, by use of stress rods, "PANDA" type fibres
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、偏光光ファイ／へを得るためにドーパントを
楕円状にドーピングした光ファイバ用母材の製造方法に
関する。
楕円状にドーピングした光ファイバ用母材の製造方法に
関する。
［従来技術］
最近、断面が楕円状のコアを有する光ファイバや、コア
断面は真円状であるがクラッド断面が楕゛ 円状であ
る光ファイバ、さらには、コアおよびクラッド断面が真
円状であってクラッド部が応力付与層を有する偏光光フ
ァイバが開発されている。
断面は真円状であるがクラッド断面が楕゛ 円状であ
る光ファイバ、さらには、コアおよびクラッド断面が真
円状であってクラッド部が応力付与層を有する偏光光フ
ァイバが開発されている。
これらの偏光光ファイバは、入射偏波面が保存されると
いう特徴があるので、その利用分野が種々考えられ、ま
た研究されている。
いう特徴があるので、その利用分野が種々考えられ、ま
た研究されている。
しかし、上述の光ファイバは、コア部あるいはクランド
部の断面が楕円であったり、クランド部′ に
応力付与層を設けるなど、光ファイバの断面構造が従来
から開発されてきた光ファイバ（コア部、クラッド部と
も断面が真円状）の断面構造に較べて複雑であるので、
その製造方法も非常に複雑となる欠点かある。
部の断面が楕円であったり、クランド部′ に
応力付与層を設けるなど、光ファイバの断面構造が従来
から開発されてきた光ファイバ（コア部、クラッド部と
も断面が真円状）の断面構造に較べて複雑であるので、
その製造方法も非常に複雑となる欠点かある。
特に、断面が楕円状のコアを有する光ファイ／への製法
は、初めに断面が真円状のコア部を製造し、その後にコ
ア部を研磨して断面が楕円状の構造とするため、製造方
法や工程の複雑さと同時にイ！１られる光ファイバの光
学特性にも悪影響が及ぼされる。
は、初めに断面が真円状のコア部を製造し、その後にコ
ア部を研磨して断面が楕円状の構造とするため、製造方
法や工程の複雑さと同時にイ！１られる光ファイバの光
学特性にも悪影響が及ぼされる。
［Ｌｌ 的」
そこで１本発明の目的は、偏光光ファイバ用母材を簡単
に得ることができる光ファイバ用母材の製造方法を提供
することにある。
に得ることができる光ファイバ用母材の製造方法を提供
することにある。
［発明の構成］
かかる目的を達成するために、本発明では、気相軸付は
法によって偏光光ファイバ用母材を製造する。すなわち
１本発明では、一定の速度で回転しているターゲットの
軸方向に形成される多孔質母材が１回転する間において
、所定の角度毎にドーパント原料の供給をオン、オフな
どの形態で制御する。これによってドーパントが楕円形
にドーピングされた母材を製造することができる。
法によって偏光光ファイバ用母材を製造する。すなわち
１本発明では、一定の速度で回転しているターゲットの
軸方向に形成される多孔質母材が１回転する間において
、所定の角度毎にドーパント原料の供給をオン、オフな
どの形態で制御する。これによってドーパントが楕円形
にドーピングされた母材を製造することができる。
〔実 施 例］
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明を実施するための装置の一実施例を示し
、ここで１はガラス微粒子合成トーチ（以下、単にトー
チと称す）、２はトーチ１からの酸水素炎、３は酸水素
炎２が吹きつけられる多孔質母材、４は母材３を付着し
て成長させていくためのターゲット、５はターゲット４
を回転させながら上下に移動させる駆動装置、６および
７はドーパント原料を含む２種以上のガラス形成原料ガ
スを発生させる原料をいれた容器である。８および９は
それぞれ原料容器６および７からの原料供給用配管、１
０は配管９に挿設した電磁弁、１１は電磁弁１０に取り
付けた排気用配管である。１２は駆動装置５の回転速度
を測定する回転計、１３は回転計１２からの出力を供給
され、多孔質１１ｔ、材３の回転に同期して、電磁弁１
０の開閉を制御する信号を発生させる信号出力器、１４
は多孔質母材３の近傍に配置した排気管である。
、ここで１はガラス微粒子合成トーチ（以下、単にトー
チと称す）、２はトーチ１からの酸水素炎、３は酸水素
炎２が吹きつけられる多孔質母材、４は母材３を付着し
て成長させていくためのターゲット、５はターゲット４
を回転させながら上下に移動させる駆動装置、６および
７はドーパント原料を含む２種以上のガラス形成原料ガ
スを発生させる原料をいれた容器である。８および９は
それぞれ原料容器６および７からの原料供給用配管、１
０は配管９に挿設した電磁弁、１１は電磁弁１０に取り
付けた排気用配管である。１２は駆動装置５の回転速度
を測定する回転計、１３は回転計１２からの出力を供給
され、多孔質１１ｔ、材３の回転に同期して、電磁弁１
０の開閉を制御する信号を発生させる信号出力器、１４
は多孔質母材３の近傍に配置した排気管である。
気相軸付は法では、トーチ１にガラス原料、例えば５ｉ
Ｇｉ。と、屈折率を調整するためのドー／＜ントの原料
として、例えばゲルマニウム、リン。
Ｇｉ。と、屈折率を調整するためのドー／＜ントの原料
として、例えばゲルマニウム、リン。
チタン、アルミニウム、ボロン等の／＼ロゲン化物ある
いはフッ素化合物を供給してガラス微粒子を生成し、こ
れを回転するターゲ・ント４の端面に付着し、ターゲッ
ト４の軸方向に堆積させて多孔質母材３を形成する。こ
の種従来の方法では、ドーパントが円形状にドーピング
されるが、本発明においては、電磁弁ｌＯにより、ドー
パント原料の供給をオン、オフさせることによって、ド
ーパントを楕円形にドーピングさせることができる。
いはフッ素化合物を供給してガラス微粒子を生成し、こ
れを回転するターゲ・ント４の端面に付着し、ターゲッ
ト４の軸方向に堆積させて多孔質母材３を形成する。こ
の種従来の方法では、ドーパントが円形状にドーピング
されるが、本発明においては、電磁弁ｌＯにより、ドー
パント原料の供給をオン、オフさせることによって、ド
ーパントを楕円形にドーピングさせることができる。
このような構成によれば、多孔質母材３が１回転する間
に電磁弁ＩＯを任意所望のタイミングで開閉作動させる
ことができるので、ドーパントを楕円形にドーピングす
ることができる。
に電磁弁ＩＯを任意所望のタイミングで開閉作動させる
ことができるので、ドーパントを楕円形にドーピングす
ることができる。
たとえば、原料容器６にＳ＋０文４、原料容器７にＧｅ
Ｃ！；Ｌｓをそれぞれ充填し、各原料を配管８および９
によってトーチ１に供給して多孔質母材３を作製し、そ
の際に、多孔質母材３の回転に同期させて、電磁弁１０
の開閉を、たとえば第２図のまうに９０’毎に作動させ
た場合を第３図（Ａ）〜（Ｄ）について説明する。
Ｃ！；Ｌｓをそれぞれ充填し、各原料を配管８および９
によってトーチ１に供給して多孔質母材３を作製し、そ
の際に、多孔質母材３の回転に同期させて、電磁弁１０
の開閉を、たとえば第２図のまうに９０’毎に作動させ
た場合を第３図（Ａ）〜（Ｄ）について説明する。
第３図（Ａ）〜（Ｄ）は、８１図において多孔質母材３
の堆積面を下部から見た概略図であって、第２図に示し
た８０度毎に電磁弁ｌＯの開閉を作動させた状態と対応
している。すなわち、第３図（Ａ）は多孔質母材４が０
０〜９０°まで回転した図、第３図（Ｂ）は８０°〜
１８０°、第３図（Ｃ）は１８０°〜２７０°、第３図
（ｏ） ｉ±２７０°〜３６０°まで回転した図である
。
の堆積面を下部から見た概略図であって、第２図に示し
た８０度毎に電磁弁ｌＯの開閉を作動させた状態と対応
している。すなわち、第３図（Ａ）は多孔質母材４が０
０〜９０°まで回転した図、第３図（Ｂ）は８０°〜
１８０°、第３図（Ｃ）は１８０°〜２７０°、第３図
（ｏ） ｉ±２７０°〜３６０°まで回転した図である
。
まず、電磁弁１０が閉の状態にある第３図（Ａ）では、
多孔質母材４がＯ〜９０°まで回転する間はドーパント
原料が供給されず、Ｓ ｉ０２のみか多孔質母材３の堆
積面に堆積される。次に、電磁弁ＩＯが開の状態である
第３図ＣＢ）では、ドーパント・１ 原料が供給さ
れる。ここで、ドーパント原料はＧｅＣ’ｌ ４である
から５ｉ０２とＧｅＯ２が固溶して堆積される。同様に
、電磁弁ＩＯが閉の状態である第３図（Ｃ）では５ｉＯ
ｚのみが堆積され、電磁弁１０が開の状態である第３図
（Ｄ）では５ｉ０２ とＧｅＯ２が堆積される。この動
作を多孔質母材製造が終了するまで連続して行うことに
より、屈折率を高めるだめのドーパントとしてのＧｅＯ
□が楕円状にドーピングされ、かつ長手方向にその形状
が保たれた偏光光ファイバ用母材を製造できる。
多孔質母材４がＯ〜９０°まで回転する間はドーパント
原料が供給されず、Ｓ ｉ０２のみか多孔質母材３の堆
積面に堆積される。次に、電磁弁ＩＯが開の状態である
第３図ＣＢ）では、ドーパント・１ 原料が供給さ
れる。ここで、ドーパント原料はＧｅＣ’ｌ ４である
から５ｉ０２とＧｅＯ２が固溶して堆積される。同様に
、電磁弁ＩＯが閉の状態である第３図（Ｃ）では５ｉＯ
ｚのみが堆積され、電磁弁１０が開の状態である第３図
（Ｄ）では５ｉ０２ とＧｅＯ２が堆積される。この動
作を多孔質母材製造が終了するまで連続して行うことに
より、屈折率を高めるだめのドーパントとしてのＧｅＯ
□が楕円状にドーピングされ、かつ長手方向にその形状
が保たれた偏光光ファイバ用母材を製造できる。
北側では８０°毎に電磁弁の開閉を作動させたが、第４
図（Ａ）に示すように １３５°回転する間は電磁弁Ｌ
Ｏを閉にし、続いて４５°回転する間に電磁弁１０を開
にする動作を繰り返し行うことにより。
図（Ａ）に示すように １３５°回転する間は電磁弁Ｌ
Ｏを閉にし、続いて４５°回転する間に電磁弁１０を開
にする動作を繰り返し行うことにより。
第４図（Ｂ）に示すように楕円率の一層大きなコア部を
形成することができる。
形成することができる。
次に、第５図に示すように、電磁弁１０の開閉を多孔質
ｆｎ材３が４５°回転する毎に作動させた場合を第６図
（Ａ）〜（Ｈ）について説明する。
ｆｎ材３が４５°回転する毎に作動させた場合を第６図
（Ａ）〜（Ｈ）について説明する。
第６図（Ａ）〜（Ｈ）は多孔質母材３が１回転する間に
ＧｅＯ２がドーピングされる様子を示す概略図であって
、第６図（Ａ）は０６−・４５°、第６図（Ｂ）は４５
°〜８０°、第６図（Ｃ）は９０°〜 １３５°、第６
図（０）は１３５°〜１８０°、第６図（Ｅ）は１８０
°〜２２５°、第６図（Ｆ）は２２５°〜２７０°、第
６図（Ｇ）は２７０°〜３１５°、第６図（Ｈ）は３１
５°〜３６０°までそれぞれ回転した状態を示す。
ＧｅＯ２がドーピングされる様子を示す概略図であって
、第６図（Ａ）は０６−・４５°、第６図（Ｂ）は４５
°〜８０°、第６図（Ｃ）は９０°〜 １３５°、第６
図（０）は１３５°〜１８０°、第６図（Ｅ）は１８０
°〜２２５°、第６図（Ｆ）は２２５°〜２７０°、第
６図（Ｇ）は２７０°〜３１５°、第６図（Ｈ）は３１
５°〜３６０°までそれぞれ回転した状態を示す。
まず、電磁弁１０が閉の状態にある第６図（Ａ）では、
多孔質母材３が００〜４５°まで回転する間にＧｅＣ文
。は供給されず、従って５１０２のみが堆積される。電
磁弁１０が開の状態にある第６図（Ｂ）では、４５°〜
９０°まで回転する間にＧｅＣｆＬ４が供給され、Ｓｉ
Ｏ□とＧｅＯ２が堆積される。同様に電磁弁１０が閉の
状態にある第６図（Ｃ）では５ｉ０２のみが、電磁弁１
０が開の状態である第６図（Ｄ）ではＳｉＯ□とＧｅＯ
２が堆積される。この動作を繰り返すことにより、Ｇｅ
Ｏ２が十字形にドーピングされた偏光光ファイバ用母材
を製造できる。
多孔質母材３が００〜４５°まで回転する間にＧｅＣ文
。は供給されず、従って５１０２のみが堆積される。電
磁弁１０が開の状態にある第６図（Ｂ）では、４５°〜
９０°まで回転する間にＧｅＣｆＬ４が供給され、Ｓｉ
Ｏ□とＧｅＯ２が堆積される。同様に電磁弁１０が閉の
状態にある第６図（Ｃ）では５ｉ０２のみが、電磁弁１
０が開の状態である第６図（Ｄ）ではＳｉＯ□とＧｅＯ
２が堆積される。この動作を繰り返すことにより、Ｇｅ
Ｏ２が十字形にドーピングされた偏光光ファイバ用母材
を製造できる。
このように、本発明においては、多孔質ｍ材が１回転す
る間に電磁弁の開閉を任意所望に設定することにより、
断面が種々の形状を有する楕円コアを製造することがで
きる。
る間に電磁弁の開閉を任意所望に設定することにより、
断面が種々の形状を有する楕円コアを製造することがで
きる。
以上、本発明について説明したが、本発明によって才古
密にドーパン！・がドーピングされた楕円形を形成する
には、多孔質母材３の回転数を３〜１５ｒｐｍにするの
が好ましい０回転数がこれ以下の場合には多孔質母材を
安定に製造するのが難しくなり、またこれ以上になると
、ドーパントが拡散し、多孔質ｍ材の断面に対してほぼ
一様にドーパントがドーピングされるようになる。
密にドーパン！・がドーピングされた楕円形を形成する
には、多孔質母材３の回転数を３〜１５ｒｐｍにするの
が好ましい０回転数がこれ以下の場合には多孔質母材を
安定に製造するのが難しくなり、またこれ以上になると
、ドーパントが拡散し、多孔質ｍ材の断面に対してほぼ
一様にドーパントがドーピングされるようになる。
また、ドーパント原料をオン、オフさせるための電（ａ
弁ｌＯとしては三方弁構造のものを使用し、電磁弁ｌＯ
か閑の状ｍ１、すなわちドーパント原料の供給が停Ｗさ
れるときには、第１図に示した排気に連結する配管１１
よりドーパント原料を排気するのが好適である。この動
作は、常に一定圧力のドーパント原料をトーチ１に供給
するためであり、弔に二方弁であると電磁弁ｌＯの開閉
のたびに圧力が変化し、この結果、ドーパントのドーピ
ング量が変化するおそれがある。
弁ｌＯとしては三方弁構造のものを使用し、電磁弁ｌＯ
か閑の状ｍ１、すなわちドーパント原料の供給が停Ｗさ
れるときには、第１図に示した排気に連結する配管１１
よりドーパント原料を排気するのが好適である。この動
作は、常に一定圧力のドーパント原料をトーチ１に供給
するためであり、弔に二方弁であると電磁弁ｌＯの開閉
のたびに圧力が変化し、この結果、ドーパントのドーピ
ング量が変化するおそれがある。
さらに電磁弁ｌＯの取り付は位置はトーチ１側にできる
だけ近い配管部分が好ましい。逆にトーチ１と；［心弁
１０の配管距離が長いと、電磁弁ｌＯを閉にしても、配
管内に残存するドーパント原本：１が流れ出ることにな
り、ドーパントの分！ｉｉの精密性が損なわれてしまう
。
だけ近い配管部分が好ましい。逆にトーチ１と；［心弁
１０の配管距離が長いと、電磁弁ｌＯを閉にしても、配
管内に残存するドーパント原本：１が流れ出ることにな
り、ドーパントの分！ｉｉの精密性が損なわれてしまう
。
さらにまた、電磁弁１０による原料ガスの供給は、上述
したオン、オフに限られず、供給量を連続的に変化させ
るように制御してもよい。
したオン、オフに限られず、供給量を連続的に変化させ
るように制御してもよい。
次に本発明の具体例について説明する。
実施例１
第１図の装置において、原本；１容器６にＳｉ０文。、
原料容器７にＧｅＣ見４を充填し、 Ａｒキャリアによ
ッテ５ｉＣｕａを１２０ｃｃ／分、ＧｅＣｌ４を４０ｃ
ｃ／分、さらにまた火炎形成用ガスとしてのＨ２を３．
２！；Ｌ／分、 ０２を６立／分、 Ａｒキャリアを
Ｑ、７ＪＩＬ ／分の割合でトーチ１に供給した。
原料容器７にＧｅＣ見４を充填し、 Ａｒキャリアによ
ッテ５ｉＣｕａを１２０ｃｃ／分、ＧｅＣｌ４を４０ｃ
ｃ／分、さらにまた火炎形成用ガスとしてのＨ２を３．
２！；Ｌ／分、 ０２を６立／分、 Ａｒキャリアを
Ｑ、７ＪＩＬ ／分の割合でトーチ１に供給した。
ターゲットの回転数を６ｒｐｍ、電磁弁の開閉を第２図
に示したように００〜９ｏ０までは閉、Ｊ
９０°〜 １８０°までは開、 １８００〜２７ｏ０ま
では閉、 ２７０°〜３６０ °までは開となるように
設定して多孔質母材を製造した。このようにして、長さ
４０’ｃＩ１１．直径５０φの多孔質母材を製造した後
、このＨｊ材を電気炉内で脱水・透明ガラス化した。こ
こで、脱水条件としては温度を１０５０℃、雰囲気をＨ
ｅ（５文／分）とＣ９，ｚ （５０ｃｃ／分）とし、
透明ガラス化条件としては温度を１５００°Ｃ９雰囲気
をＨｅ（５立／分）とした。
に示したように００〜９ｏ０までは閉、Ｊ
９０°〜 １８０°までは開、 １８００〜２７ｏ０ま
では閉、 ２７０°〜３６０ °までは開となるように
設定して多孔質母材を製造した。このようにして、長さ
４０’ｃＩ１１．直径５０φの多孔質母材を製造した後
、このＨｊ材を電気炉内で脱水・透明ガラス化した。こ
こで、脱水条件としては温度を１０５０℃、雰囲気をＨ
ｅ（５文／分）とＣ９，ｚ （５０ｃｃ／分）とし、
透明ガラス化条件としては温度を１５００°Ｃ９雰囲気
をＨｅ（５立／分）とした。
得られた母材の楕円率を測定したところ。
ＧｅＯ２がドープされたコア部のＸ軸とＹ軸の比は４０
％であった。また、この母材をジャケット加工した後に
ファイバ化した結果、複屈折性は１０−５、損失はｌ
ｄＢ／ｋｍ （波長１．３島ｆｆ１）以下であった。
％であった。また、この母材をジャケット加工した後に
ファイバ化した結果、複屈折性は１０−５、損失はｌ
ｄＢ／ｋｍ （波長１．３島ｆｆ１）以下であった。
研磨工程を含む従来の方法で製造したファイバの損失は
２〜３ ｄＢ／ｋｍであり、従来法に較べ良好な結果が
得られた。
２〜３ ｄＢ／ｋｍであり、従来法に較べ良好な結果が
得られた。
実施例２
実施例１において、電磁弁の開閉を第４図（Ａ）に示し
たように定め、１／２回転のうち、１３５°は閉、４５
°のみが開となるように設定して、この動作をａ続して
行って多孔質母材を製造した。その結果、コア部の楕円
率が８５％、複屈折性が５Ｘｌθ′のファイバが得られ
た。なお、損失は実施例１と同じであった。従来技術で
製造したファイバの複屈折性は１０−５程度であり、実
施例２の結果は複屈折性および損失特性ともに従来法よ
り良好であった。
たように定め、１／２回転のうち、１３５°は閉、４５
°のみが開となるように設定して、この動作をａ続して
行って多孔質母材を製造した。その結果、コア部の楕円
率が８５％、複屈折性が５Ｘｌθ′のファイバが得られ
た。なお、損失は実施例１と同じであった。従来技術で
製造したファイバの複屈折性は１０−５程度であり、実
施例２の結果は複屈折性および損失特性ともに従来法よ
り良好であった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明では、多孔質母材が１回転
する間に、所望の角度毎にドーパント形成原料ガスの供
給を制御することによって楕円コアを形成するが、本発
明によれば１次のような効果を発揮することができる。
する間に、所望の角度毎にドーパント形成原料ガスの供
給を制御することによって楕円コアを形成するが、本発
明によれば１次のような効果を発揮することができる。
ｌ）研磨工程が必要とされた従来法に比較して、非常に
簡単に楕円コアを製造できる。
簡単に楕円コアを製造できる。
２）研磨工程によって生じる散乱損失や構造不整損失を
なくすことができるため、損失特性の低減化を図ること
ができる。
なくすことができるため、損失特性の低減化を図ること
ができる。
３）楕円コアの楕円率を制御でき、従って複屈折性を従
来法による場合よりも大きくすることができる。
来法による場合よりも大きくすることができる。
第１図は本発明を実施するための装置の一実施例を示す
概略図、 第２図は本発明における多孔質母材の回転に応じての電
磁弁の開閉の一例を示す図、 第３図（Ａ）〜（Ｅｌ）は第２図に示した電磁弁開閉に
よってドーパントがドーピングされる様子を示す模式図
、 第４図（Ａ）は本発明における多孔質母材の回転に応じ
ての電磁弁の開閉の他の例を示す図、第４図（Ｂ）は第
４図（Ａ）に示した電磁弁開閉によってドーパントがド
ーピングされる様子を示す模式図。 第５図は同じく本発明における電磁弁開閉のさらに他の
例を示す図。 第６図（Ａ）〜（）Ｉ）は第５図に示した電磁弁開閉に
よってドーパントを十字形にドーピングする一実施例の
模式図である。 ｌ・・・ガラス微粒子合成トーチ。 ２・・・酸水素炎、 ３・・・多孔質母材、 ４・・・ターゲット、 ５・・・回転および上下駆動装置、 ６．７・・・原料容器、 ８．８・・・原料供給用配管、 ｌＯ・・・電磁弁、 ＋１・・・排気用配管、 １２・・・回転計、 １３・・・電磁弁開閉信号出力器、 １４・・・排気管。
概略図、 第２図は本発明における多孔質母材の回転に応じての電
磁弁の開閉の一例を示す図、 第３図（Ａ）〜（Ｅｌ）は第２図に示した電磁弁開閉に
よってドーパントがドーピングされる様子を示す模式図
、 第４図（Ａ）は本発明における多孔質母材の回転に応じ
ての電磁弁の開閉の他の例を示す図、第４図（Ｂ）は第
４図（Ａ）に示した電磁弁開閉によってドーパントがド
ーピングされる様子を示す模式図。 第５図は同じく本発明における電磁弁開閉のさらに他の
例を示す図。 第６図（Ａ）〜（）Ｉ）は第５図に示した電磁弁開閉に
よってドーパントを十字形にドーピングする一実施例の
模式図である。 ｌ・・・ガラス微粒子合成トーチ。 ２・・・酸水素炎、 ３・・・多孔質母材、 ４・・・ターゲット、 ５・・・回転および上下駆動装置、 ６．７・・・原料容器、 ８．８・・・原料供給用配管、 ｌＯ・・・電磁弁、 ＋１・・・排気用配管、 １２・・・回転計、 １３・・・電磁弁開閉信号出力器、 １４・・・排気管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ドーパント原料ガスを含む２種以上のガラス形成原
料ガスをガラス微粒子合成トーチに供給してガラス微粒
子を合成し、該ガラス微粒子を回転するターゲットの軸
方向に付着、堆積させて棒状の多孔質ガラス体を形成す
る光ファイバ用母材の製造方法において、 前記ターゲットを回転させ、当該ターゲットが１回転す
る間に、所定の角度毎に前記ガラス微粒子合成トーチへ
の前記ドーパント原料ガスの供給を制御することを特徴
とする光ファイバ用母材の製造方法。 ２）特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ用母材の製
造方法において、前記ターゲットの回転数は３〜１５ｒ
ｐｍであることを特徴とする光ファイバ用母材の製造方
法。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光ファ
イバ用母材の製造方法において、前記ガラス微粒子合成
トーチへの前記ドーパント原料ガスの供給が停止された
ときには、該ドーパント原料ガスを排気することを特徴
とする光ファイバ用母材の製造方法。 ４）特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかの項
に記載の光ファイバ用母材の製造方法において、前記ガ
ラス微粒子合成トーチへの前記ドーパント原料ガスの供
給の制御を前記ガラス微粒子合成トーチの近傍で行うこ
とを特徴とする光ファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19387684A JPS6172640A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19387684A JPS6172640A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6172640A true JPS6172640A (ja) | 1986-04-14 |
| JPH0338218B2 JPH0338218B2 (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=16315214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19387684A Granted JPS6172640A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6172640A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141438A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ母材の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP19387684A patent/JPS6172640A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141438A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338218B2 (ja) | 1991-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |