JPS6172465A

JPS6172465A - 放射線画像読取装置

Info

Publication number: JPS6172465A
Application number: JP59195565A
Authority: JP
Inventors: Mikio Takeuchi; 三喜夫竹内; Toshio Muramatsu; 敏夫村松; Makoto Kumagai; 誠熊谷
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1984-09-18
Filing date: 1984-09-18
Publication date: 1986-04-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、蓄積性螢光体を励起光で走査して該螢光体に
記録されている放射線画像を読み取る装置に関する。

（従来技術）放射線画像を得る方法として、従来から銀塩を使用した
いわゆる放射線写真が用いられているが、近年では銀資
源の減少等の問題から、銀塩を用いない放射線画像の処
理システムが実用化されつつある。

その−のシステムとして、蓄積性螢光体を記録媒体とし
た放射線画像読取装置がある。これは、第１図に示すよ
うに、放射線＃１から出射し、人体等の被写体２を透過
した放射線（一般にはＸ線）をＭＭ性螢光体３に吸収せ
しめて透過画像に対応するエネルギーをその螢光体３に
蓄積させて画像記録し、しかる後にその蓄積記録された
螢光体に励起光を照射させて、画像を輝尽発光の光とし
て放射せしめ、この発光光を光電変換して電気信号とし
、これに基づいて放射線画像を再生するようにしたもの
である。

第２図はその画像読取装置の光学系の部分を示すもので
ある。レーザ等の光ビーム発生部４から出射された光ビ
ームは、ミラー５、ビームエキスパンダ６、ミラー７を
経由することによって、その方向や形状が変えられ、回
転多面鏡（ポリゴンミラー）やガルバノミラ−等の偏向
器８に入射する。そして、この偏向器８で反射され偏向
された光ビームは、ｆθレンズ等の収束レンズ９やミラ
ー１０等を経由して、蓄積性螢光体３の面上を主走査方
向ａに沿って走査し、その螢光体３を励起する（走査線
をＡで示す。）。なお、この螢光体３は副走査方向すに
所定の一定速度で移動される。

蓄積螢光体３は、予め蓄積記録された放射線画像に従っ
て、上記励起光によって走査順に順次輝尽発光し、その
発光の光は、オプチカルファイチューブアレイ　（実願
昭５８−３１２６参照）の如き光伝導体１１に順次入射
し、そこで集光されてフォトマルチプライヤ等の光検出
器１２に導かれ、ここで時系列の電気信号に変換され、
放射線画像に基づく電気信号が得られる。

ところで、上記蓄積性螢光体３における輝尽発光の光量
は、それが多いほど光検出器１２での光電変換の際に高
Ｓ／Ｎ比の電気信号を得ることができ、良質の再生放射
線画像を得ることができる。

、Ｘ　　　　　　また、輝尽発光の光量が多いほど走査
線Ａに沿った走査速度を速くして読取速度を高速化する
こともできる。

そして、上記輝尽発光量を増すには励起光を増す必要が
あり、光ビーム発生部４からの光ビームの出力を増大す
る必要があるが、これには自ずから限界があった。特に
、半導体レーザを光ビーム発生部４に使用した場合には
種々の点で大きな利点があるが、出力を大きくする場合
困難であるという致命的な欠点がある。

（発明の目的）本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は
例えで半導体レーザを使用した場合でも、光ビームのパ
ワーを所望の程度に増加させ、輝尽発光量を増大させる
ことができるようにした放射線画像読取装置を提供する
ことである。

（発明の構成）このために本発明は、励起光を、複数の光ビームを少な
くとも蓄積性螢光体の上面で集光させて−構成している
。

（実施例）以下、本発明の実施例について説明する。第３図はその
一実施例の光学系を示すもので、第２図と同一部分には
同一の符号を附した。本実施例では、光ビームをα、β
、Ｔで示すように、３本使用する。これら光ビームα、
β、γは各々別の独立した光ビーム発生部から射出され
、収束レンズ９によって、蓄積性螢光体３の上面の走査
線Ａ上の一点（一画素）上で集光され、同一スポットと
なる。これら光ビームα、β、γは、直流出力でも或い
は独立して変調・制御されたものでも良い。

なお、この第３図におけるα、β、γはある断面積をも
つビームであるが、図で示す各線は、各ビームの主光線
を表している。第４図は走査及び収束の関係を示す図で
あり、（ａｌは走査光学系を上面から見た図、（ｂ）は
側面から見た図で、ミラー等は省略した。光ビームα、
β、γが走査線Ａで集まって走査されるのが良く判る。

８ａは前記した偏向器８の反射面（偏向面）である。

従って、走査線Ａ上に沿って移動（走査）する点には各
々の光ビームα、β、Ｔのパワーが集中するようになる
ので、各ビームα、β、γが同一パワーであれば、その
３倍のパワーとなり、高エネルギーの励起光となる。

そして、この励起光によって励起され輝尽発光した光が
前述のように光伝導体１１を伝わって光検出器１２で光
電変換され、蓄積性螢光体３上の放射線画像信号が得ら
れる。

ここで、第５図に示すように、輝尽発光量は、励起光パ
ワーが大きい程が多くなる。また第６図に示すようにそ
の輝尽発光量が多いほど光検出器１２における読取のＳ
／Ｎ比が向上するので、励起光のパワー増加は読取精度
の向上につながり、本実施例により良好な読取画像を得
ることができるようになる。また、本実施例においては
、単位時間当りの射出量を大きくすることができるので
、従来の単一ビームを用いた場合と同様の読取Ｓ／Ｎ比
で満足する場合には、これより高速にすることができ、
高速処理が可能となる。

第７図は２本の光ビームを集束させる別の例を示すもの
である。２本の光ビームは各々のビーム発生部１３．１
４から射出され、その各々がコリメートレンズ１５、工
６でコリメートされ（平行光線ビームにされ）、これに
より光ビームα、βを形成され、偏光ビームスプリッタ
１７に入射する。この偏光ビームスプリッタ１７では、
光ビームαはそこを通過するように偏光を揃え、また光
ビームβはそこをほぼ直角に反射するよう偏光を揃える
。そして、その偏光ビームスプリッタ１７から出た光ビ
ームα、βは、その主光線が一致する（共軸となる）よ
う集束された光ビームとなる。

このように、この第７図に示す例では、第３図、第４図
に説明したように走査線Ａ上の一点で複数の光ビームを
はじめて集光させるのと異なり、複数の光ビームを予め
共軸となるよう集束・集光させてから走査線Ａ上を走査
させるようにしているので、その光学系の設計が容易と
なる。

第８図は第７図に示した例の変形例を示すもので、ビー
ム発生部１３．１４から射出した光ビームをコリメート
せずに偏光ビームスプリッタ１７、　　　　で共軸とな
るよう集束・集光させ、その後段でコリメートレンズ１
８によりコリメートさせるようにしたものである。この
例では、コリメートレンズの数を減少させることができ
る。

第９図は別の走査系を示すものである。ここでは、光ビ
ームα、β、γの各々が偏向器８の反射面（偏向面）８
ａのある一点で交差し、その交差点から出た光ビームα
、β、γの各々が走査平面に対して垂直な平面に含まれ
るように、収束レンズ９やトロイダルレンズ１９により
、光学系が構成されいてる。即ち、偏向器８の上記した
交差点と上記走査線上の各点とが光学的に共役関係にな
るように光学系が構成されている。具体的には、偏向器
８の上記した交差点と上記走査線とが、走査平面に対し
て垂直な成分に関して光学的共役関係になるように、光
学系が構成されている。なお、（ａ）は上面を、ｌｂ）
は側面を示す図である。

ここで、「光学的共役関係」とは、ある点Ｂから任意の
方向に出た光線が別の点Ｃで集まる（或いは交差する）
とき、その点Ｂと別の点Ｃとの関係をいう。また「走査
平面に対して垂直な成分に関して光学的共役関係がある
」とは、ある点りから任意の方向に出た光線が、ある平
面Ｅ（点りを含み前記走査平面Ｐに対して垂直）内であ
る点Ｆに集まる（交差する）とき、ＤとＦの関係を意味
する（第１７図（ａｌ、（ｂｌ参照）。

このように、「走査平面に対して垂直な成分に関して光
学的共役関係Ｊをもつ交差点ができるように光学系を構
成すれば、その交差点に複数の光ビームが入射するよう
に、入射側の光学系を独立に構成することができるので
、光学系全体の設計が容易となる。また、偏向器８の反
射面８ａにその交差点をもってきた場合は、その偏向器
８に回転多面鏡（ポリゴンミラー）やガルバノミラ−等
を使用した場合、その倒れ角や軸振れによる走査線Ａの
ピッチ変動を補正することができる。

第１０図〜第１６図は、走査線上の各点と光学的共役関
係がある交差点を実現した別の例を示すものである。こ
の内、（ａｌは走査光学系の平面を、また（ｂ）はその
側面を示したものである。

第１０図はトロイダルレンズ１９を第９図における位置
よりも収束レンズ９　Ｉｌｌに寄せて、偏向器８の反射
面８ａの一点が走査線上の各点と上記した光学的共役関
係をもつ交差点となる（以下、特にことわらない限り走
査線上の各点との関係という。）ように構成したもので
ある。

第１１図はトロイダルレンズ１９を偏向器８０反射面８
ａと収束レンズ９との間に配置して、上記光学的共役関
係をもつ交差点が偏向器８の反射面８ａの一点にくるよ
う光学系を構成したものである。

第１２図は収束レンズ９を使用せず、トロイダルレンズ
１９のみで、上記光学共役関係をもつ交差点が反射面８
ａの一点にくるよう光学系を構成したものである。

第１３図は上記した光学的共役関係をもつ交差点が、反
射面８ａよりも走査線への側と反対側となる点Ｘで成立
するように構成した光学系を示すものである。偏向器８
の形状如何によっては、その反射面８ａ上に複数の光ビ
ームを一点集中させるのが困難な場合がある。このよう
な場合に、この図の方法は効果的である。

第１４図は上記した光学的共役関係をもつ交差点が、第
９図に示す場合と同様に、偏向器８の反射面８ａ上の一
点にあり、更にその交差点く共役点）と光学的共役関係
をもつ別の交差点Ｙを、第二収束レンズ９′を用いて成
立させたものを示すものである。

この例では、第二の交差点Ｙで光ビームα、β、Ｔを一
点集中させるように前段の光学系を構成すると、反射面
８ａの一点でその光ビームα、β、Ｔが再度集まり、再
び走査線Ａ上でも集まるようになる。この結果、偏向器
８の形状に影響されず第二収束レンズ９′のパワーを変
化することで、第二の点Ｙを任意の場所に成立させるこ
とが可能となり、光ビームを一点集中させる光学系の設
計が容易となる。

第１５図は第二収束レンズ９′に入射する光ビームα、
β、γが程平行となるようにした例を示すもので、上記
した第二の点Ｙが無限遠に存在す、ｄることと同義である。

第１６図は第１４図と第１５図の考え方を組み合わせた
もので、交差点Ｙの入射側に第三収束しンズ９″を配置
して、その第三収束レンズ９＃に光ビームα、β、γを
平行光として入射させた場合を示すものである。第二、
第三のレンズ９′、９＃をシリンドリカルレンズとして
も構成できる。

なお、上記実施例では走査線は直線であったが、例えば
記録を曲面上に行わなければならないような場合、走査
線は曲線となるが、このような場合にも、走査線上の各
点と共役関係をもつ点に光ビームを集光させれば良い。

また、光ビームは３本に限ることはなく、２本或いは４
本以上でも可能である。また、第４図或いは第９図〜第
１６図の入射光ビームとしては、第７図或いは第８図で
得られた合成光ビームを、その１本のビームとして使用
することもできる。

また、前記した蓄積性螢光体３としては、最初の光或い
は高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱的、
機械的、化学的又は電気的等の刺激（輝尽励起）により
、最初の光或いは高エネルギー放射線の照射量に対応し
た輝尽発光を呈する螢光体が使用されるが、実用的な面
から好ましくは５００　ｎｍ以上の輝尽励起光によって
輝尽発光する螢光体が良い。

この螢光体としては、例えば特開昭４８−８０４８７号
に記載されているＢａＳＯ４：Ａｘ　（但しＡはＤｙ。

Ｔｂのうち少なくともＩ　Ｍであり、Ｘは０．００１≦
ｘ＜１モル％である。）で表される螢光体、特開昭４８
−８０４８８号に記載さているＭｇ３０４　　：　ＡＸ
　（但しＡはＨｏ或いはＤｙうちいずれかであり、Ｘは
０．００１≦ｘ１モル％である。）で表される螢光体、
特開昭４８−８０４８９号に記載されている５ｒＳＯｎ
：Ａｘ（但しＡはＤｙ、Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも
１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％である。）
で表される螢光体、特開昭５１−２９８８９号に記載さ
れているＮａ２　ＳＯ４、Ｃａ　Ｓ０４及びＢａＳ　Ｏ
４等にＭｎ、Ｉ）ｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添
加した螢光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されて
いる３　ｅ　Ｏ％　Ｌ　ｒ　Ｆ　ｓ　Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ４
及びＣａＦ２等の螢光体、特開昭５３−３９２７７号に
記載されているＬ　１２８４０７　　：　Ｃｕ、Ａｇ等
の螢光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されている
Ｌｉ２Ｏ・　（［３２０２）ｘ：ｌ：ｕ（但しＸは２＜
ｘ≦３）及びり、ｉ２０・　（Ｂ２０２）ｘ：ｃｕ、Ａ
ｇ　（但しＸは２くＸ≦３）等の螢光体、米国特許３，
８５９．５２７号に記載されているＳ　ｒＳ　：　Ｃｅ
５５ｍ５Ｓ　ｒ　Ｓ’：　Ｅｕ。

Ｓｍ、ｌ、ａ２０２　Ｓ　：　ＢｕＳＳｍ及び（ＺｎＳ
Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、Ｘ（但しＸはハロゲン）で表される螢
光体が挙げられる。

また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ：Ｃｕ、Ｐｂ螢光体、一般式がＢａ０−ｘＡ／２０３
：Ｅｕ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表されるアルミン酸
バリウム螢光体、及び一般式がＭＸＯ・ｘｓｉ０２：Ａ
（但しＭＩＣはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ又はｆ３
ａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、
Ｂｉ及びＭｎのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．５
≦ｘ　＜　２．５である。）で表されるアルカリ土類金
属珪酸塩系螢光体が挙げられる。

また、一般式が（Ｂａｌ−Ｘ−５Ｍｇ、、Ｃａｙ　）ＦＸ　：　ｅＥｎ
”（但しＸはＢｒ及びＣＩ！の中の少なくとも１つであ
り、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれ０　＜　ｘ　＋　ｙ　＜　
０．６、ｘｙ≠０及び１０　　≦ｅ≦５Ｘ１０　　なる
条件を満たす数である。）で表されるアルカリ土類化ハ
ロゲン化物螢光体、特開昭５５−１２１４４号に記載さ
れている一般式が、ＬｎＯＸ　：　ｘＡ（但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、Ｘはｃｅ及び／又はＢｒを、ＡばＣｅ及び／又はＴ
ｂを、ＸはＱ＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
される螢光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されて
いる一般式が、（Ｂ　ａ、−、Ｍ”　ｘ）　Ｆ　Ｘ　：　ｙ　Ａ（但し
ＭｌはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少なく
とも１つを、ＸはＣｌ　％　Ｂ　ｒ及びＩのうちの少な
くとも１つを、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ。

Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈ１）、Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうち
の少な（とも１つを、Ｘ及びｙは０≦ｘ　Ｓ　Ｏ，６及
び０≦ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表す。

）で表される螢光体、特開昭５５−８４３８９号に記載
され４　　　　ている一般式がＢｅＦＸ：　ｘＣｅ、）
ＩＡ　（但しＸはＣ１、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも
１つ、ＡはＩｎ、Ｔｌ、Ｇｄ、Ｓｍ及びＺ「の内の少な
くとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれＯ＜Ｘ≦２ＸＩ
Ｏ”及びＱ＜ｙ≦５×ＩＯである。）で表される螢光体
、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式
が、ＭＩＦＸ−ｘＡ：ｙＬｎ（但しＭＬはＭｇｓ　Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄ
のうちの少なくとも１種、ＡはＢｅ０１Ｍｇ０１Ｃａｂ
、ＳｒＯ，ＢａＯ１ＺｎＯ，Ａ＃２０３、Ｙ２０２　、
Ｌａ２０３　、Ｉｎ２０３　、Ｓ　ｉ０２、Ｔ　ｉ　Ｏ
２、ＺｒＯ２、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔｅ
２０５及びＴ　ｈ　Ｏ２のうちの少なくとも１種、Ｌｎ
はＥｕｓ　’ｒｂ、Ｃ１）、Ｔｍ、Ｄ）１％Ｐ「、ＨＯ
ｌＮｄＳＹｂ、Ｅｒ、Ｓｍ及びＧｄのうちの少なくとも
１種であり、ＸはＣａ、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも
１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５×１０　≦ｘｆａＯ
，５及び０：Ｓｙ≦０．２なる条件を満たす数である。

）で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド
螢光体、一般式％式％）ハロゲンである。）で表される螢光体、特開昭５７−１
４８２８５号に記載されている一般式（１）または（ｎ
）、一般式（１）　　ＸＭ３　　（ＰＯ４）２　・ＮＸ２　
：　）’Ａ一般式（ＩＩ）　　　Ｍ３　　（ＰＯ４）　
２　・ｙＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ、ＣａＳ　
Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、Ｘ
はＦ、Ｃ１，Ｂｒ及び■のうぢの少なくとも１種、Ａは
Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ。

Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔｌｌ、Ｍｎ及びＳｎのうち
の少なくとも１種を表す。またＸ及びｙは０〈Ｘ≦６、
Ｏ≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。）で表される螢
光体、一般式ＣＩ）又は（ＩＶ）一般式（ＩＩＩ）　　
ｎＲｅＸ３−ｍＡＸ’、：ｘＥｕ一般式［１１／］　　
ｎ１２ｅＸｚ　　・ｍΔＸｚ、：　ＸＥｕ、＞Ｉｓ（式
中、ＲｅはＬａｓ　Ｇｄ、Ｙ％Ｌｕのうちの少なくとも
１種、八はアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち
の少なくとも１種、ｘ、ｘ’はＦ、ｃ７！、Ｂｒのうち
少なくとも１種を表す。またｘ、ｙはｌ　Ｘ　１０　　
＜　ｘ　＜　３　Ｘ　１０　　、Ｌ　Ｘ　１０　　＜　
ｙ　＜　１　ｘ　１０−’なる条件を満たす数であり、
ｎ　／　ｍはｌ×１０　くｎ７ｍ＜７Ｘ１０　　なる条
件を満たす。）で表される螢光体がある。

光ビームとしては、例えば気体レーザ、半導体レーザが
用いられる。蓄積性螢光体上に書き込まれた放射線画像
を半導体レーザで読み取る方法は、特開昭５９−１５９
３３号公報で開示したが、ここで用いられる半導体レー
ザが本発明においても好ましい。

使用される半導体レーザは、その発振波長が、７５０〜
９００　ｎｍであることが好ましく、また読取時のビー
ムスポット径が５０〜５００μ−であることが好ましい
。

また、複数個の半導体レーザを使用する際は、合計出力
と配置の関係を考慮したとき、１個当りｎの出力が４０
ｍｗ以下の場合には、その合計出力が５〜５００ｍ−で
あれば良いが、好ましくは５〜７個が配置し易く、この
場合は２０〜約２５０１が良い。

このような条件を満たす半導体レーザは、以下に述べる
蓄積性（輝尽性）螢光体に用いると特に々イましいもの
である。

一般式が、Ｍ　　Ｘ　−ａＭＬＸ、’　　−ｂＭ”　Ｘ、”　：　
ｃ　Ａ（但しＭｌはＬ　１％　Ｎａ　−Ｋ−、Ｒｂ　％
及びＣｓがら選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属で
あり、ＭＬはＢｅ、Ｍｇ、、Ｃａ、５ｒＳＢａ、、Ｚｎ
、Ｃｄ。

Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属で
ある。ＭｌはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、ＮｄＳＰｍ
、Ｓｎ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、、Ｄｙ、１４１）、Ｅｒ、
Ｔｍ５ＹｂＳＬｕ、Ａ７！、Ｇａ及びＩｎから選ばれる
少なくとも１種の三価金属である。Ｘ、Ｘ′及びＸ＃は
、Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ及びＩがら選ばれる少なくとも１　ｆ
ｔのハロゲンである。ＡはＥｕ１Ｔｂ、ＣｅＸＴｍ、Ｄ
ｙ、Ｐ　ｒＳＨ１）、Ｎｄ、Ｙｂ５Ｅ　ｒ　％　Ｇ　ｄ
　１Ｌｕ　ｓ　Ｓ　ｍ　−、Ｙ　％　Ｔ　ｌｌ　ＳＮ　
ａ　ＳＡ　ｇ　％Ｃｕ、及びＭｇから選ばれる少なくと
も１種の金属である。またａは０≦ａ＜０．５の範囲の
数値で“６　　　　　　あり、ｂは０≦ｂ　＜　Ｑ、５
の範囲の数値であり、ＣはＱ＜ｃ≦０．２の範囲の数値
である。）で表されるアルカリハライド螢光体等が挙げ
られる。

（発明の効果）以上説明したように、本発明によれば、複数の光ビーム
を蓄積性螢光体における走査線上の点に集中させるよう
にしているので、その複数ビームでなる励起光のパワー
を増大させることが可能となり、この結果螢光体の輝尽
発光量を増大させることができ、読取速度を従来と同様
とすればそのを読取Ｓ／Ｎ比向上向上、読取精度を向上
させることができ、またその読取速度を増大させても読
取Ｓ／Ｎ比を従来と同程度にすることが可能となり、高
速読取処理が可能となる。

また、このように励起光のパワーは光ビームの数を増せ
ば如何様にも増大させることができるので、半導体レー
ザ（出力は小さいが、小型軽量で信頼性が高く量産性に
優れ、トランジスタ回路と組み合わせて直接的に制御・
変調ができる。）をビーム発生部に使用すれば、小出力
の点を補いその半導体レーザの特徴を充分に生かすこと
ができる。

また、上記複数の光ビーム入射点（交差点）が走査線上
の各点と光学的共役関係にあるように、その入射点から
走査線までの後段の光学系を構成すれば、その交差点に
複数の光ビームを入射させる前段光学系をそれ以降の光
学系とは独立に、構成することができるので、光学系全
体の設計が容易となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は蓄積性螢光体への放射線画像の記録の説明図、
第２図は従来の放射線画像読取装置の光学系の構成図、
第３図は本発明の一実施例の同装置の光学系の構成図、
第４図は光学系の走査部を示す図で＋ａ）は上面図、（
ｂ）は側面図、第５図は輝尽発光特性図、第６図は読取
Ｓ／Ｎ比特性図、第７図は２本の光ビームを共軸的集光
させるための構成図、第８図は同様の別の例の構成図、
第９図〜第１６図は人力光ビーム交差点を走査線上の各
点と光学的共役関係を持たせるよう構成した光学系の走
査部を示す図で、ｔａ＋は上面図、ｌｂ）は側面図、第
１７図は光学的共役関係を説明するための図で、（ａｌ
は斜視図、（ｂｌは平面図である。 ■・・・放射光源、２・・・被写体、３・・−Ｍ積性螢
光体、４・・・光ビーム発生部、５・・・ミラー、６・
・・ビームエキスパンダ、７・・・ミラー、８・・・偏
向器、９・・・収束レンズ、９′・・・第二収束レンズ
、９″・・・第三収束レンズ、ｌＯ・・・ミラー、１１
・・・光伝導体、１２・・・光検出器、１３．１４・・
・光ビーム発生部、１５．１６・・・−３１７メータ、
１７・・・偏光ビームスプリフタ、１８・・・コリメー
タ、１９・・・トロイダルレンズ。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）、蓄積性螢光体を励起光で走査して得られる該螢
光体の発光光を光検出器で検出して、上記螢光体に記録
されている放射線画像を読み取る装置において、上記励起光を、複数の光ビームを少なくとも上記螢光体
面で集光させて形成したことを特徴とする放射線画像読
取装置。