JPS61275871A - 半導体レ−ザ光源光量制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光源光量制御装置Info
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- JPS61275871A JPS61275871A JP11931685A JP11931685A JPS61275871A JP S61275871 A JPS61275871 A JP S61275871A JP 11931685 A JP11931685 A JP 11931685A JP 11931685 A JP11931685 A JP 11931685A JP S61275871 A JPS61275871 A JP S61275871A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の分野）
本発明は、複数の半導体レーザから射出されたレーザビ
ームを１本に合成するようにした半導体レーザ光源装置
において、合成ビームの光量を一定に制御する装置に関
するものである。
ームを１本に合成するようにした半導体レーザ光源装置
において、合成ビームの光量を一定に制御する装置に関
するものである。
（発明の技術的背景および先行技術）
従来より、光ビームを光偏向器により偏向して走査する
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生する手段の１
つとして、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生する手段の１
つとして、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、連続発振
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０Ｔｒ
ＬＷと小さく、したがって高エネルギ−の走査光を必要
とする光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材利く
金属膜、アモルファス膜等のＤＲＡＷ＋を利等）に記録
づる走査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０Ｔｒ
ＬＷと小さく、したがって高エネルギ−の走査光を必要
とする光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材利く
金属膜、アモルファス膜等のＤＲＡＷ＋を利等）に記録
づる走査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
また、ある種の螢光体に放射線（Ｘ線、α線、β線、γ
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照ＤＪ ７すると、蓄積されたエネルギ
ーに応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており
、このような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体
の放射線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有す
る蓄積性螢光体シー１〜に記録し、この蓄積性螢光体シ
ートをレーザ光等の励起光で・走査して輝尽発光光を生
ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み出してｉｉ
！ｉｉ像信号を得、この１ｉｉｉｉ像信号に基づき被写
体の放射線画像を写真感光材料等の記録材１３Ｉ、ＣＲ
Ｔ等に可視像として出ツノさせる放射線画像情報記録再
生システムが本出願人にＪ：り既に提案されている（特
開昭５５−１２４２９号、同５５−１１６３４０号、同
５５−１６３ ／１．７２号、同５６−１１３９５号、
同５６−１０４６４５号など）。このシステムにおいて
放１＝１線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光体シー
トを走査して画像情報の読取りを行なうのに、半導体レ
ーザを用いた光ビーム走査装置の使用が考えられている
が、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには、十分に高
エネルギーの励起光を該螢光体に照射する必要があり、
したがって前記半導体レーザを用いた光ビーム走査装置
を、この放射線画像情報記録再生システムにおいて１ｉ
ｊｉｉ像情報読取りのために使用することも極めて難し
い。
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照ＤＪ ７すると、蓄積されたエネルギ
ーに応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており
、このような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体
の放射線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有す
る蓄積性螢光体シー１〜に記録し、この蓄積性螢光体シ
ートをレーザ光等の励起光で・走査して輝尽発光光を生
ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み出してｉｉ
！ｉｉ像信号を得、この１ｉｉｉｉ像信号に基づき被写
体の放射線画像を写真感光材料等の記録材１３Ｉ、ＣＲ
Ｔ等に可視像として出ツノさせる放射線画像情報記録再
生システムが本出願人にＪ：り既に提案されている（特
開昭５５−１２４２９号、同５５−１１６３４０号、同
５５−１６３ ／１．７２号、同５６−１１３９５号、
同５６−１０４６４５号など）。このシステムにおいて
放１＝１線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光体シー
トを走査して画像情報の読取りを行なうのに、半導体レ
ーザを用いた光ビーム走査装置の使用が考えられている
が、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには、十分に高
エネルギーの励起光を該螢光体に照射する必要があり、
したがって前記半導体レーザを用いた光ビーム走査装置
を、この放射線画像情報記録再生システムにおいて１ｉ
ｊｉｉ像情報読取りのために使用することも極めて難し
い。
そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる（この場
合、各レーザビームは走査点までの光路途中で１本に合
成されていてもよいし、また走査点上で１本に合成され
てもＪ：い）。しかしながら、周知の通り半導体レーザ
から射出されるレーザビームの光量は、半導体レーザの
経時変化や周囲温度の変化等によって変動Ｊるので、多
くの場合、合成されたビームの光量を一定に保つ制御を
行なう必要がある。従来よりレーザビームの光量を光量
検出器によって検出し、その光量信号をレーザ光量制御
回路にフィードバックしてレーザビームの光量を一定に
保つ制御が公知となっているが、前記のように複数のレ
ーザビームを合成して走査する場合、各半導体レーザに
対してそれぞれ」１記の光量一定化制御を行なうと、光
量検出器や光量制御回路が半導体レーザの数だけ必要と
なって、走査装置が大型化し、またそのコストも高くな
る難点がある。
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる（この場
合、各レーザビームは走査点までの光路途中で１本に合
成されていてもよいし、また走査点上で１本に合成され
てもＪ：い）。しかしながら、周知の通り半導体レーザ
から射出されるレーザビームの光量は、半導体レーザの
経時変化や周囲温度の変化等によって変動Ｊるので、多
くの場合、合成されたビームの光量を一定に保つ制御を
行なう必要がある。従来よりレーザビームの光量を光量
検出器によって検出し、その光量信号をレーザ光量制御
回路にフィードバックしてレーザビームの光量を一定に
保つ制御が公知となっているが、前記のように複数のレ
ーザビームを合成して走査する場合、各半導体レーザに
対してそれぞれ」１記の光量一定化制御を行なうと、光
量検出器や光量制御回路が半導体レーザの数だけ必要と
なって、走査装置が大型化し、またそのコストも高くな
る難点がある。
（発明の目的）
そこで本発明は、複数の半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成する半導体レーザ光源装置にお
いて、合成ビームの光量を一定に保つことが可能で、小
型、安価に形成されうる光量制御装置を提供することを
目的とするものである。
ーザビームを１本に合成する半導体レーザ光源装置にお
いて、合成ビームの光量を一定に保つことが可能で、小
型、安価に形成されうる光量制御装置を提供することを
目的とするものである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザ光源売足制御装置は、前述のよう
に複数の半導体レーザを有し、これらの半導体レーザか
ら射出された各レーザビームを１本のビームに合成する
ようにした半導体レーザ光源装置において、 複数の半導体レーザのうらの一部を駆動する１台の定電
流回路と、 残りの半導体レーザを駆動する１台の定出力回路と、 合成されたレーザビームの光量を検出する光量検出器と
、 この光量検出器が出力する光量信号と、合成されたレー
ザビームの所定光量を示す基準信号とを比較し、これら
光量信号と基準信号との偏差を示す偏差信号を出ノ〕す
る比較回路と、 上記定出力回路に接続され、上記偏差信号を受番プで、
上記偏差が解消されるように該定出力回路のレーザ駆動
電流を変化させる制御回路とが設けられてなるものであ
る。
に複数の半導体レーザを有し、これらの半導体レーザか
ら射出された各レーザビームを１本のビームに合成する
ようにした半導体レーザ光源装置において、 複数の半導体レーザのうらの一部を駆動する１台の定電
流回路と、 残りの半導体レーザを駆動する１台の定出力回路と、 合成されたレーザビームの光量を検出する光量検出器と
、 この光量検出器が出力する光量信号と、合成されたレー
ザビームの所定光量を示す基準信号とを比較し、これら
光量信号と基準信号との偏差を示す偏差信号を出ノ〕す
る比較回路と、 上記定出力回路に接続され、上記偏差信号を受番プで、
上記偏差が解消されるように該定出力回路のレーザ駆動
電流を変化させる制御回路とが設けられてなるものであ
る。
（実施態様）
以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明づる。
明づる。
第１図は本発明の第１実施態様にＪ：る光量制御装置を
備えた半導体レーザ光源装置を示すものである。−例と
して４つの半導体レーザ１１．１２．１３．１４はＨい
にビーム射出軸を平行に揃えて配置され、これらの半導
体レーザ１１．１２．１３．１４のそれぞれに対してコ
リメータレンズ２１．２２．２３．２４と、反射ミラー
３１．３２．３３．３４が設（）られている。各半導体
レーザ１１．１２．１３．１４から射出されたレーザビ
ームは、上記コリメータレンズ２１．２２．２３．２４
にＪ：つて平行ビーム４１．４２．４３．４４とされ、
この平行ビーム４１．４２．４３．４４は上記反射ミラ
ー３１．３２．３３．３４により反射されて、共通のガ
ルバノメータミラー５に入射する。
備えた半導体レーザ光源装置を示すものである。−例と
して４つの半導体レーザ１１．１２．１３．１４はＨい
にビーム射出軸を平行に揃えて配置され、これらの半導
体レーザ１１．１２．１３．１４のそれぞれに対してコ
リメータレンズ２１．２２．２３．２４と、反射ミラー
３１．３２．３３．３４が設（）られている。各半導体
レーザ１１．１２．１３．１４から射出されたレーザビ
ームは、上記コリメータレンズ２１．２２．２３．２４
にＪ：つて平行ビーム４１．４２．４３．４４とされ、
この平行ビーム４１．４２．４３．４４は上記反射ミラ
ー３１．３２．３３．３４により反射されて、共通のガ
ルバノメータミラー５に入射する。
ガルバノメータミラー５は図中矢印六方向に往復揺動し
、上記平行ビーム４１．４２．４３．４４を偏向する。
、上記平行ビーム４１．４２．４３．４４を偏向する。
偏向された平行ビーム４１．４２．４３．４４は、共通
の集束レンズ６によって１つの合成ビームスボッ１〜Ｓ
に集束される。したがって上記スポットＳが照射される
位置に被走査面７を配置ずれば、該被走査面７は、各半
導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出されたレー
ザビームが合成されて高エネルギーとなった合成ビーム
４５によって矢印Ｂ方向に走査される。なお通常上記被
走査面７は平面とされ、そのために集束レンズ６として
ｆθレンズが用いられる。
の集束レンズ６によって１つの合成ビームスボッ１〜Ｓ
に集束される。したがって上記スポットＳが照射される
位置に被走査面７を配置ずれば、該被走査面７は、各半
導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出されたレー
ザビームが合成されて高エネルギーとなった合成ビーム
４５によって矢印Ｂ方向に走査される。なお通常上記被
走査面７は平面とされ、そのために集束レンズ６として
ｆθレンズが用いられる。
ここで前述した半導体レーザ１１〜１４のうら、−例と
して３つの半導体レーザ１１．１２．１３は公知の定電
流回路５４により、駆動電流を一定に設定して駆動され
る。一方、残りの半導体レーザ１４は、公知の定出力回
路５５によって駆動される。この定出力回路５５は、半
導体レーザ１４のケース内に内蔵された光検出器（図示
せず）から出力された光量信号Ｓ４を受け、該光量信号
８４が所定値となるように（すなわちレーザビーム４４
の光量が所定値となるように〉レーザ駆動電流を制御す
る。こうすれば、各半導体レーザ１１〜１４が発するレ
ーザビーム（平行ビーム）４１〜４４の光量変動はある
程度抑えられるが、それでも先に述べたような理由で光
量変動が生じる。レーザビーム４１〜４４の光量が変動
すれば当然、合成ビーム４５の光量が変動することにな
る。そこで上記定出力回路５５には、該定出力回路５５
による半導体レーザ１４の設定出力を変化さゼる制御回
路５６が接続されている。
して３つの半導体レーザ１１．１２．１３は公知の定電
流回路５４により、駆動電流を一定に設定して駆動され
る。一方、残りの半導体レーザ１４は、公知の定出力回
路５５によって駆動される。この定出力回路５５は、半
導体レーザ１４のケース内に内蔵された光検出器（図示
せず）から出力された光量信号Ｓ４を受け、該光量信号
８４が所定値となるように（すなわちレーザビーム４４
の光量が所定値となるように〉レーザ駆動電流を制御す
る。こうすれば、各半導体レーザ１１〜１４が発するレ
ーザビーム（平行ビーム）４１〜４４の光量変動はある
程度抑えられるが、それでも先に述べたような理由で光
量変動が生じる。レーザビーム４１〜４４の光量が変動
すれば当然、合成ビーム４５の光量が変動することにな
る。そこで上記定出力回路５５には、該定出力回路５５
による半導体レーザ１４の設定出力を変化さゼる制御回
路５６が接続されている。
一方、被走査面７上の有効走査幅から外れた位置には、
前記合成ビーム４５のスポットＳの光量を検出する例え
ばフォトダイオード等からなる光量検出器５２が配され
、該光量検出器５２の出力は増幅器５３によって増幅さ
れ、光量信号Ｐとして比較回路５１に入力される。それ
とともにこの比較回路５１には、合成ビーム４５のスポ
ットＳの所定光量を示す基準信号３ｒが入力される。
前記合成ビーム４５のスポットＳの光量を検出する例え
ばフォトダイオード等からなる光量検出器５２が配され
、該光量検出器５２の出力は増幅器５３によって増幅さ
れ、光量信号Ｐとして比較回路５１に入力される。それ
とともにこの比較回路５１には、合成ビーム４５のスポ
ットＳの所定光量を示す基準信号３ｒが入力される。
合成ビーム４５のスポットＳの光量は、走査１回ごとに
上記光量検出器５２によって検出され、その光量を示す
光量信号Ｐが上記の通り比較回路５１に入力される。比
較回路５１はこの光量信号Ｐと、前記所定光量を担持す
る基準信号Ｓｒとを比較し、光量信号Ｐが基準信号３ｒ
を上回ると（すなわちビームスポットＳの光量が上記所
定光量を上回ると）ハイレベルの１」信号を出力する。
上記光量検出器５２によって検出され、その光量を示す
光量信号Ｐが上記の通り比較回路５１に入力される。比
較回路５１はこの光量信号Ｐと、前記所定光量を担持す
る基準信号Ｓｒとを比較し、光量信号Ｐが基準信号３ｒ
を上回ると（すなわちビームスポットＳの光量が上記所
定光量を上回ると）ハイレベルの１」信号を出力する。
反対に光量信号Ｐが基準信号３ｒ以下の場合（ビームス
ポットＳの光量が上記所定光量以下の場合）、比較回路
５１はローレベルのし信号を出力する。
ポットＳの光量が上記所定光量以下の場合）、比較回路
５１はローレベルのし信号を出力する。
このＬ信号あるいはＨ信号は、前記制御回路５６に入力
される。この制御回路５６は１」信号を受りている間は
、定出力回路５５による半導体レーザ１４の設定出力を
低下させる。それにより半導体レーザ１４の光出力が低
下し、合成ビーム４５のスポットＳの光量が低下して上
記所定光量に近づく。反対にＬ信号が入力されていると
き制御回路５６は、定出力回路５５による半導体レーザ
１４の設定用ノｊを増大さゼる。それにより半導体レー
ザ１４の光出力が増大し、合成ビーム４５のスポットＳ
の光量が上記所定光量に近づく。以上のような制御が行
なわれることにより、合成ビーム４５のスポットＳの光
量は所定光量に維持されるようになる。なおこの場合、
制御回路５６による定出力回路５５の設定出力制御量（
増大量、低下量）は、微小な一定量とされるが、比較回
路５１として光量信号Ｐと基準信＠Ｓｒとの偏差に対応
しＩＣレベルの信号を出力する回路を用い、この偏差の
大ぎさに応じて上記制御（イ）を変えるようにしてもよ
い。
される。この制御回路５６は１」信号を受りている間は
、定出力回路５５による半導体レーザ１４の設定出力を
低下させる。それにより半導体レーザ１４の光出力が低
下し、合成ビーム４５のスポットＳの光量が低下して上
記所定光量に近づく。反対にＬ信号が入力されていると
き制御回路５６は、定出力回路５５による半導体レーザ
１４の設定用ノｊを増大さゼる。それにより半導体レー
ザ１４の光出力が増大し、合成ビーム４５のスポットＳ
の光量が上記所定光量に近づく。以上のような制御が行
なわれることにより、合成ビーム４５のスポットＳの光
量は所定光量に維持されるようになる。なおこの場合、
制御回路５６による定出力回路５５の設定出力制御量（
増大量、低下量）は、微小な一定量とされるが、比較回
路５１として光量信号Ｐと基準信＠Ｓｒとの偏差に対応
しＩＣレベルの信号を出力する回路を用い、この偏差の
大ぎさに応じて上記制御（イ）を変えるようにしてもよ
い。
なお前）ホしたような理由による半導体レーザ１１．１
２．１３．１４の光量変動のザイクルは、合成ビームス
ポットＳの走査の周期に比べれば極度に長いものである
から、１走査の間に合成ビームスポットＳの光量が変動
することはなく、したがって上記のように１回の走査毎
にスポットＳの光量に応じて半導体レーザ１４の出力を
制御するだ（プで、スボッｌ−Ｓの光量は一定に保たれ
る。また上記の半導体レーザ光源装置は、平行ビーム４
１．４２．４３．４４を集束レンズ６によって１点に集
束させるものであるが、複数の集れんビームを、それぞ
れの集れん点が共通のスボツ１〜において重なるように
合成する半導体レーザ光源装置においても、本発明は同
様に適用可能である。
２．１３．１４の光量変動のザイクルは、合成ビームス
ポットＳの走査の周期に比べれば極度に長いものである
から、１走査の間に合成ビームスポットＳの光量が変動
することはなく、したがって上記のように１回の走査毎
にスポットＳの光量に応じて半導体レーザ１４の出力を
制御するだ（プで、スボッｌ−Ｓの光量は一定に保たれ
る。また上記の半導体レーザ光源装置は、平行ビーム４
１．４２．４３．４４を集束レンズ６によって１点に集
束させるものであるが、複数の集れんビームを、それぞ
れの集れん点が共通のスボツ１〜において重なるように
合成する半導体レーザ光源装置においても、本発明は同
様に適用可能である。
次に第２図は、本発明の第２実施態様装置を概略的に示
すものである。この第２図の半導体ローザ光源装置にお
いては、６つの半導体レーザ６１．６２．６３．６４．
６５．６６から射出されたレーザビームがコリメータレ
ンズ７１．７２．７３．７４．７５．７６を通して平行
ビーム８１．８２．８３．８４．８５．８６とされ、こ
れら平行ビーム８１．８２．８３．８４．８５．８６が
ホログラム素子９０によって１本の高エネルギーのビー
ム８７に合成されている。この合成ビーム８７は一例と
して回転多面鏡９１によって偏向され、図示しない被走
査面」二を走査する。なお上記のＪ：うに複数のレーザ
ビームを１本に合成するためには、ホログラム素子９ｏ
の他、例えば２軸性結晶素子など公知のビーム合成手段
が用いられてもよい。
すものである。この第２図の半導体ローザ光源装置にお
いては、６つの半導体レーザ６１．６２．６３．６４．
６５．６６から射出されたレーザビームがコリメータレ
ンズ７１．７２．７３．７４．７５．７６を通して平行
ビーム８１．８２．８３．８４．８５．８６とされ、こ
れら平行ビーム８１．８２．８３．８４．８５．８６が
ホログラム素子９０によって１本の高エネルギーのビー
ム８７に合成されている。この合成ビーム８７は一例と
して回転多面鏡９１によって偏向され、図示しない被走
査面」二を走査する。なお上記のＪ：うに複数のレーザ
ビームを１本に合成するためには、ホログラム素子９ｏ
の他、例えば２軸性結晶素子など公知のビーム合成手段
が用いられてもよい。
上記６つの半導体レーザ６１〜６６のうち、−例として
５つの半導体レーザ６１．６２．６３．６４．６５は、
前記第１図の装置におけるのと同様に、定電流回路５４
によって電流一定で駆動される。一方、残りの半導体レ
ーザ６６は、定出）ｊ回路５５によって駆動される。こ
の定出力回路５５は、半導体レーザ６６のケース内に内
蔵された光検出器（図示せず）から出力された光量信号
Ｓ６を受（プ、該光量信号Ｓ６が所定値となるように（
すなわちレーザビーム８６の光量が所定値となるにうに
）レーザ駆動電流を制御する。そして合成ビーム８７の
光路途中にはハーフミラ−９２が配設され、該ハーフミ
ラ−９２にＪ：って分岐された合成ビームの一部（ビー
ム８７ａ）の光量が、光量検出器５２によって検出され
る。上記ビーム８７ａの光量と、走査される合成ビーム
８７ｂの光量は対応しているので、ビーム８７ａの光量
を検出することにより、ビーム８７ｂの光量を検出でき
る。この装置においても、ビーム８７ｂの光量を示す光
量信号Ｐを比較回路５１に入力し、該比較回路５１から
の１１信号あるいはＬ信号を制御回路５６に入力して、
第１図の装置におけるのと同様に定出力回路５５の設定
出力を制御すれば、合成ビーム８７ｂが所定光量に保た
れる。
５つの半導体レーザ６１．６２．６３．６４．６５は、
前記第１図の装置におけるのと同様に、定電流回路５４
によって電流一定で駆動される。一方、残りの半導体レ
ーザ６６は、定出）ｊ回路５５によって駆動される。こ
の定出力回路５５は、半導体レーザ６６のケース内に内
蔵された光検出器（図示せず）から出力された光量信号
Ｓ６を受（プ、該光量信号Ｓ６が所定値となるように（
すなわちレーザビーム８６の光量が所定値となるにうに
）レーザ駆動電流を制御する。そして合成ビーム８７の
光路途中にはハーフミラ−９２が配設され、該ハーフミ
ラ−９２にＪ：って分岐された合成ビームの一部（ビー
ム８７ａ）の光量が、光量検出器５２によって検出され
る。上記ビーム８７ａの光量と、走査される合成ビーム
８７ｂの光量は対応しているので、ビーム８７ａの光量
を検出することにより、ビーム８７ｂの光量を検出でき
る。この装置においても、ビーム８７ｂの光量を示す光
量信号Ｐを比較回路５１に入力し、該比較回路５１から
の１１信号あるいはＬ信号を制御回路５６に入力して、
第１図の装置におけるのと同様に定出力回路５５の設定
出力を制御すれば、合成ビーム８７ｂが所定光量に保た
れる。
なお本発明において合成するレーザビームの本数は、以
上説明の実施態様における４本、６本に限られるもので
はない。また光量制御駆動される半導体レーザも１台に
限られるものではなく、合成するレーザビームの数が増
大して合成ビームの光量変動幅が大きくなる場合には、
光量制御駆動する半導体レーザの数を適宜増やして、合
成ビームの先回変動幅以上の光量制御範囲を確保すれば
よい。
上説明の実施態様における４本、６本に限られるもので
はない。また光量制御駆動される半導体レーザも１台に
限られるものではなく、合成するレーザビームの数が増
大して合成ビームの光量変動幅が大きくなる場合には、
光量制御駆動する半導体レーザの数を適宜増やして、合
成ビームの先回変動幅以上の光量制御範囲を確保すれば
よい。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ光源光量
制御装置によれば、合成ビームの光量を正確に一定に保
つことが可能であり、そして複数の半導体レーザを各１
台ずつの定電流回路と定出力回路とにＪ：って駆動する
とともに、上記光量の一定化を、一部の半導体レーザの
光量制御により達成するＪ：うにしているので回路が簡
素化され、本装置は極めて小型、安価に形成されるもの
となる。
制御装置によれば、合成ビームの光量を正確に一定に保
つことが可能であり、そして複数の半導体レーザを各１
台ずつの定電流回路と定出力回路とにＪ：って駆動する
とともに、上記光量の一定化を、一部の半導体レーザの
光量制御により達成するＪ：うにしているので回路が簡
素化され、本装置は極めて小型、安価に形成されるもの
となる。
第１図および第２図はそれぞれ、本発明の第１および第
２実施態様装四が適用された半導体レーザ光源装置を示
す概略図である。 １１．１２．１３．１４．６１．６２．６３．６４．６
５．６６・・・半導体レーザ ４１．４２．４３．４４．８１．８２．８３．８４．８
５．８６・・・平行ビーム（レーザビーム） ４５．８７・・・合成ビーム ５１・・・比較回路
５２・・・光Φ検出器 ５４・・・定電流回路
５５・・・定出力回路 ５６・・・制御回路９
０・・・ホログラム索子 Ｐ・・・先部信号Ｓｒ・
・・基準信号 （自発）手続ネ１１１正書 特許庁長官 殿 昭和６０年７月
３０日１、事件の表示 特願昭６０−１１９３１６号 ２、発明の名称 半導体レーザ光源光聞制御装圓 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼２１０番地名 称
富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル ７階 ８、補正の内容 図面の第２図を添付の通り補正し
ます。
２実施態様装四が適用された半導体レーザ光源装置を示
す概略図である。 １１．１２．１３．１４．６１．６２．６３．６４．６
５．６６・・・半導体レーザ ４１．４２．４３．４４．８１．８２．８３．８４．８
５．８６・・・平行ビーム（レーザビーム） ４５．８７・・・合成ビーム ５１・・・比較回路
５２・・・光Φ検出器 ５４・・・定電流回路
５５・・・定出力回路 ５６・・・制御回路９
０・・・ホログラム索子 Ｐ・・・先部信号Ｓｒ・
・・基準信号 （自発）手続ネ１１１正書 特許庁長官 殿 昭和６０年７月
３０日１、事件の表示 特願昭６０−１１９３１６号 ２、発明の名称 半導体レーザ光源光聞制御装圓 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼２１０番地名 称
富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル ７階 ８、補正の内容 図面の第２図を添付の通り補正し
ます。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の半導体レーザから射出された各レーザビームを１
本に合成するようにした半導体レーザ光源装置において
、 前記複数の半導体レーザのうちの一部を駆動する１台の
定電流回路と、 残りの半導体レーザを駆動する１台の定出力回路と、 合成されたレーザビームの光量を検出する光量検出器と
、 この光量検出器が出力する光量信号と、合成されたレー
ザビームの所定光量を示す基準信号とを比較し、これら
光量信号と基準信号との偏差を示す偏差信号を出力する
比較回路と、 前記定出力回路に接続され、前記偏差信号を受けて、前
記偏差が解消されるように該定出力回路のレーザ駆動電
流を変化させる制御回路とが設けられてなる半導体レー
ザ光源光量制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11931685A JPS61275871A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 |
| EP85304186A EP0165060B1 (en) | 1984-06-13 | 1985-06-12 | Semiconductor laser beam scanning device |
| DE8585304186T DE3583969D1 (de) | 1984-06-13 | 1985-06-12 | Abtastvorrichtung mit halbleiterlaser. |
| US06/744,413 US4689482A (en) | 1984-06-13 | 1985-06-13 | Multiple laser beam scanner with beam intensity control |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11931685A JPS61275871A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275871A true JPS61275871A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0477911B2 JPH0477911B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=14758429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11931685A Granted JPS61275871A (ja) | 1984-06-13 | 1985-05-31 | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275871A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8189632B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Laser emission device and image display device using the same |
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2022523693A (ja) * | 2019-01-28 | 2022-04-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長ビーム結合共振器のアライメントのためのシステムおよび方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365711A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-03-20 | Rexroth Sigma Sa | 負荷を通る平均電流の調整方法とシステム、および、これを応用したマニュピュレータタイプの遠隔制御装置 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11931685A patent/JPS61275871A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365711A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-03-20 | Rexroth Sigma Sa | 負荷を通る平均電流の調整方法とシステム、および、これを応用したマニュピュレータタイプの遠隔制御装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8189632B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Laser emission device and image display device using the same |
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2022523693A (ja) * | 2019-01-28 | 2022-04-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長ビーム結合共振器のアライメントのためのシステムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477911B2 (ja) | 1992-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |