JPS6167970A - 部品の取り付け構造 - Google Patents
部品の取り付け構造Info
- Publication number
- JPS6167970A JPS6167970A JP59188933A JP18893384A JPS6167970A JP S6167970 A JPS6167970 A JP S6167970A JP 59188933 A JP59188933 A JP 59188933A JP 18893384 A JP18893384 A JP 18893384A JP S6167970 A JPS6167970 A JP S6167970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- chip
- parts
- adhesive
- component mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
- H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
- H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32014—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3205—Shape
- H01L2224/32057—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83051—Forming additional members, e.g. dam structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8312—Aligning
- H01L2224/83136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、部品、例えば半導体チップ等のチップ部品
を、基板上に搭載する部品の取り付は構造に関するもの
である。
を、基板上に搭載する部品の取り付は構造に関するもの
である。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、導電性樹脂接着
剤を用いてチップ部品を基板上に固着するダイビンディ
ング法がありた。以下、その構成を図を用いて説明する
。
剤を用いてチップ部品を基板上に固着するダイビンディ
ング法がありた。以下、その構成を図を用いて説明する
。
第4図は従来の電子部品の一構成例を示す斜視図である
。この電子部品は、アルミナ等からなる平らな基板1上
に導電性エポキシ樹脂2によってLEDチップ(発光ダ
イオ−トチ、デ)3が固着され、このLEDチップ3の
電極部3aと、基板1上に設けた外部リード接続用の導
体Aラド4とが、金線等のワイヤ5によってワイヤゲン
ディング(接続)され、さらに必要に応じてツク、ケー
ジ等によって封止されている。ここで、基板1上にLE
Dチップ3をダイビンディング(接合)するには、例え
ば、予め基板1上の所定箇所に導電性エポキシ樹脂2を
塗布しておき、この導電性ニブキン樹脂2上にLEDチ
ップ3をマウントした後、導電性エポキシ樹脂2を加熱
硬化させて行う。そしてこのように構成される電子部品
は、外部電源(図示せず)から駆動電流が導体パッド4
及びワイヤ5を介してIJDチップ3へ供給されると、
該LEDチ、デ3が発光する。
。この電子部品は、アルミナ等からなる平らな基板1上
に導電性エポキシ樹脂2によってLEDチップ(発光ダ
イオ−トチ、デ)3が固着され、このLEDチップ3の
電極部3aと、基板1上に設けた外部リード接続用の導
体Aラド4とが、金線等のワイヤ5によってワイヤゲン
ディング(接続)され、さらに必要に応じてツク、ケー
ジ等によって封止されている。ここで、基板1上にLE
Dチップ3をダイビンディング(接合)するには、例え
ば、予め基板1上の所定箇所に導電性エポキシ樹脂2を
塗布しておき、この導電性ニブキン樹脂2上にLEDチ
ップ3をマウントした後、導電性エポキシ樹脂2を加熱
硬化させて行う。そしてこのように構成される電子部品
は、外部電源(図示せず)から駆動電流が導体パッド4
及びワイヤ5を介してIJDチップ3へ供給されると、
該LEDチ、デ3が発光する。
(発明が4央しようとする問題点)
しかしながら、上記構成の電子部品では、導電性エポキ
シ樹脂2を用いてLEDチップ3をダイビンディングす
るので、導電性エーキ/樹脂2の塗布量が多いと、これ
がLEDチップ3の側面にはみ出して第4図に示すよう
にはみ出し部分2aが形成され、このはみ出し部分2a
によっていわゆる工、ノ/ヨード等が生じ、LEDチッ
プ3の電気的特性が劣化するおそれがあった。そこでこ
れを防止するために、導電性エポキシ樹脂2の塗布量や
加熱温度等を制御してはみ出し部分2aが生じないよう
な手段を講じることも考えられるが、塗布量や加熱温度
等の制御が複雑になるという問題点が生じる。また、従
来の電子部品では、表面が平らな基板1上に底面が平ら
なLEDチップ3をグイボンディングするので、両者の
固着力が強いという利点を有する反面、故障したLED
チップ3を交換する場合、LEDチップ3の剥離作業に
手数を要するという問題点もあった。
シ樹脂2を用いてLEDチップ3をダイビンディングす
るので、導電性エーキ/樹脂2の塗布量が多いと、これ
がLEDチップ3の側面にはみ出して第4図に示すよう
にはみ出し部分2aが形成され、このはみ出し部分2a
によっていわゆる工、ノ/ヨード等が生じ、LEDチッ
プ3の電気的特性が劣化するおそれがあった。そこでこ
れを防止するために、導電性エポキシ樹脂2の塗布量や
加熱温度等を制御してはみ出し部分2aが生じないよう
な手段を講じることも考えられるが、塗布量や加熱温度
等の制御が複雑になるという問題点が生じる。また、従
来の電子部品では、表面が平らな基板1上に底面が平ら
なLEDチップ3をグイボンディングするので、両者の
固着力が強いという利点を有する反面、故障したLED
チップ3を交換する場合、LEDチップ3の剥離作業に
手数を要するという問題点もあった。
この発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、
接着剤のはみ出しによる部品、この場合はチップ部品の
特性劣化と、不良チップ部品の剥離作業の困難性の点に
ついて解決した部品の取り付け構造を提供するものであ
る。
接着剤のはみ出しによる部品、この場合はチップ部品の
特性劣化と、不良チップ部品の剥離作業の困難性の点に
ついて解決した部品の取り付け構造を提供するものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、基板上に部品、例えばチップ部品を搭載し
た部品の取り付は構造において、基板上の部品搭載箇所
を、チップ部品の底面積よりも小さくかつ該部品搭載箇
所の周辺部よりも高くなるように前記基板表面に形成し
、前記チップ部品底面が前記部品搭載箇所からせシ出す
ように前記チップ部品を前記部品搭載箇所上に接着剤で
固着したものである。
た部品の取り付は構造において、基板上の部品搭載箇所
を、チップ部品の底面積よりも小さくかつ該部品搭載箇
所の周辺部よりも高くなるように前記基板表面に形成し
、前記チップ部品底面が前記部品搭載箇所からせシ出す
ように前記チップ部品を前記部品搭載箇所上に接着剤で
固着したものである。
(作 用)
この発明によれば、以上のように構成したので、基板上
の部品搭載箇所のまわりに形成された低位置の周辺部は
、部品搭載箇所からはみ出す接着剤の受は入れ部として
働くと共に、ダイビンディング後に部品搭載箇所からせ
シ出したチップ部品のせシ出し部は、チップ部品剥離作
業時の引掛は部として働き、したがって、前記問題点を
除去出来るのである。
の部品搭載箇所のまわりに形成された低位置の周辺部は
、部品搭載箇所からはみ出す接着剤の受は入れ部として
働くと共に、ダイビンディング後に部品搭載箇所からせ
シ出したチップ部品のせシ出し部は、チップ部品剥離作
業時の引掛は部として働き、したがって、前記問題点を
除去出来るのである。
(実施例)
第1図はこの発明の実施例を示す斜視図であって、セラ
ミック、エポキク樹脂、アルミナ等からなる基板11上
に形成した部品搭載箇所11aには、例えばAg +
Au等の微粉末を含む導電性エポキシ樹脂等からなる接
着剤12によってチップ部品13がグイボンディングさ
れている。チップ部品13は、例えばIC(集積回路)
、LED等の半導体チップで構成され、このチップ部品
13に設けられた電極部13mと、基板11上に設けら
れた外部リード接続用の導体・ぞラド14とが、金線。
ミック、エポキク樹脂、アルミナ等からなる基板11上
に形成した部品搭載箇所11aには、例えばAg +
Au等の微粉末を含む導電性エポキシ樹脂等からなる接
着剤12によってチップ部品13がグイボンディングさ
れている。チップ部品13は、例えばIC(集積回路)
、LED等の半導体チップで構成され、このチップ部品
13に設けられた電極部13mと、基板11上に設けら
れた外部リード接続用の導体・ぞラド14とが、金線。
アルミニウム線等からなる細いワイヤ15によってワイ
ヤボンディングされている。ここで、前記基板表面の部
品搭載箇所(被ダイゲンドポスト部)11mは)チップ
部品13の底面積よυも小さく、かつ部品搭載箇所11
mの周辺部11bよりも高くなるように形成されている
。第1図では、周辺部11bが溝状に形成され、この溝
の底面よりも部品搭載箇所11hの表面位置が高くなっ
ている。
ヤボンディングされている。ここで、前記基板表面の部
品搭載箇所(被ダイゲンドポスト部)11mは)チップ
部品13の底面積よυも小さく、かつ部品搭載箇所11
mの周辺部11bよりも高くなるように形成されている
。第1図では、周辺部11bが溝状に形成され、この溝
の底面よりも部品搭載箇所11hの表面位置が高くなっ
ている。
なお、溝の幅及び深さは、接着剤の流出量や、チップ部
品13と導体パッド14の設置間隔等を考慮して適宜選
定される。そして部品搭載箇所11mの表面には、チッ
プ部品底面にせり出し部(オーバーハング部)13bが
生じるようにチップ部品13が接着剤12を介してダイ
ボンディングされている。この除虫じた接着剤12のは
み出し部分12aは溝状の周辺部11bに流出している
。なお、このように構成される電子部品は、図示しない
けれども、必要に応じて金属、セラミックス。
品13と導体パッド14の設置間隔等を考慮して適宜選
定される。そして部品搭載箇所11mの表面には、チッ
プ部品底面にせり出し部(オーバーハング部)13bが
生じるようにチップ部品13が接着剤12を介してダイ
ボンディングされている。この除虫じた接着剤12のは
み出し部分12aは溝状の周辺部11bに流出している
。なお、このように構成される電子部品は、図示しない
けれども、必要に応じて金属、セラミックス。
ガラス等の・蓼、ケーノ内に収納して気密封止するか、
あるいは樹脂等によって非気密封止される。
あるいは樹脂等によって非気密封止される。
以上のように構成される電子部品は、外部電源(図示せ
ず)から駆動電流が導体・ぐラド14及びワイヤ15を
介してチップ部品13へ供給されると駆動する。
ず)から駆動電流が導体・ぐラド14及びワイヤ15を
介してチップ部品13へ供給されると駆動する。
次に、搭載するチップ部品の取り付は方法の一例を説明
する。先ず、基板11の部品搭載箇所11aに接着剤1
2を印刷方式、あるいはディスインサ一方式等で塗布し
、この接着剤12上にチップ部品13を載置する。この
後、接着剤12を所定温度下で加熱硬化してチップ部品
13を固着する。この際、チップ部品13の底面から余
分な接着剤I2がはみ出すが、この余分な接着剤12は
溝状の周辺部11b内へ流出し、はみ出し部分12aと
して硬化する。グイボンディング終了後は、チップ部品
13の電極部13aと導体・ぞ、ド14とを熱圧着法、
超音波法等によってワイヤ15でボンディングした後、
必要に応じて・ぞノヶーノ等によって封止し、製造工程
を完了する。このように、本実施例では部品搭載箇所の
まわりに溝状の周辺部11bを設けたので、ダイビンデ
ィング時にチップ部品13の底面から余分な接着剤12
がはみ出しても、これが溝状の周辺部11b内へと流出
するため、チップ部品13の側面に付着しない。従って
接着剤12の塗布量や加熱温度等の高精度な制御を行な
わなくとも、エッソショート等によるチップ部品13の
電気的特性の劣化全的確に防止できる。
する。先ず、基板11の部品搭載箇所11aに接着剤1
2を印刷方式、あるいはディスインサ一方式等で塗布し
、この接着剤12上にチップ部品13を載置する。この
後、接着剤12を所定温度下で加熱硬化してチップ部品
13を固着する。この際、チップ部品13の底面から余
分な接着剤I2がはみ出すが、この余分な接着剤12は
溝状の周辺部11b内へ流出し、はみ出し部分12aと
して硬化する。グイボンディング終了後は、チップ部品
13の電極部13aと導体・ぞ、ド14とを熱圧着法、
超音波法等によってワイヤ15でボンディングした後、
必要に応じて・ぞノヶーノ等によって封止し、製造工程
を完了する。このように、本実施例では部品搭載箇所の
まわりに溝状の周辺部11bを設けたので、ダイビンデ
ィング時にチップ部品13の底面から余分な接着剤12
がはみ出しても、これが溝状の周辺部11b内へと流出
するため、チップ部品13の側面に付着しない。従って
接着剤12の塗布量や加熱温度等の高精度な制御を行な
わなくとも、エッソショート等によるチップ部品13の
電気的特性の劣化全的確に防止できる。
第2図は第1図におけるチップ部品13の交換方法の一
例を示す説明図である。何らかの原因でチップ部品13
が故障し、これを新しいものと交換する場合、例えば、
先端に鉤部20aを有する取シ外し治具2θを用いて次
のように行なう。図示するようにチップ部品13は、該
チップ部品13の底面積よりも小さく形成された部品搭
載箇所11a上にチップ部品底面にせシ出し部13bが
生じるようにダイポンディングされている。したがって
、チップ部品13の交換が必要となった場合には、先ず
該当チップ部品下面のせシ出し部13bに取シ外し治具
20の鉤部2θaを掛け、次いで接着剤のガラス転移点
以上に加熱して接着剤12を軟化させるとともに取り外
し治具2oを引き上げる。これによって、故障した不良
チップ部品12を剥離し、その後、新しいチップ部品を
ダイダンディングすれば交換が完了する。このように本
実施例では部品搭載箇所11aにチップ部品13がせシ
出してダイダンディングされているため、不良チップ部
品を簡単に剥離することができる。
例を示す説明図である。何らかの原因でチップ部品13
が故障し、これを新しいものと交換する場合、例えば、
先端に鉤部20aを有する取シ外し治具2θを用いて次
のように行なう。図示するようにチップ部品13は、該
チップ部品13の底面積よりも小さく形成された部品搭
載箇所11a上にチップ部品底面にせシ出し部13bが
生じるようにダイポンディングされている。したがって
、チップ部品13の交換が必要となった場合には、先ず
該当チップ部品下面のせシ出し部13bに取シ外し治具
20の鉤部2θaを掛け、次いで接着剤のガラス転移点
以上に加熱して接着剤12を軟化させるとともに取り外
し治具2oを引き上げる。これによって、故障した不良
チップ部品12を剥離し、その後、新しいチップ部品を
ダイダンディングすれば交換が完了する。このように本
実施例では部品搭載箇所11aにチップ部品13がせシ
出してダイダンディングされているため、不良チップ部
品を簡単に剥離することができる。
第3図はこの発明の他の実施例を示す側面図である。上
記第1図の実施例では部品搭載箇所11aのまわシの周
辺部11bは溝状に形成されているが、この実施例では
周辺部11bが部品搭載箇所11hよりも低位置の平坦
面に形成されている。
記第1図の実施例では部品搭載箇所11aのまわシの周
辺部11bは溝状に形成されているが、この実施例では
周辺部11bが部品搭載箇所11hよりも低位置の平坦
面に形成されている。
このように周辺部11bを平坦面にしても上記実施例と
略同様の効果を期待できるばかυか、基板11の表面形
状の形成が第1図のものよりも簡単に行えるという利点
がある。
略同様の効果を期待できるばかυか、基板11の表面形
状の形成が第1図のものよりも簡単に行えるという利点
がある。
なお、上記実施例では、搭載部品を半導体チップで構成
したが、この発明はこれに限定されず、接着剤を用いて
固着出来るコンデンサ、抵抗等の取り付けにも利用出来
、したがって、各種のハイブリッド集積回路等に適用出
来る。
したが、この発明はこれに限定されず、接着剤を用いて
固着出来るコンデンサ、抵抗等の取り付けにも利用出来
、したがって、各種のハイブリッド集積回路等に適用出
来る。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、この発明によれば、基板上
の部品搭載箇所を、搭載部品の底面積よりも小さくかつ
該部品搭載箇所の周辺部よりも高くなるように基板表面
に形成すると共に該部品搭載箇所に、搭載部品底面が部
品搭載箇所からせり出すように接着剤で固着するように
したので、ダイビンディング時に接着剤がはみ出しても
、これが周辺部へ流出するため、搭載部品側面への付着
を防止でき、従って接着剤のはみ出しによる搭載部品の
電気的特性の劣化を簡易にして的確に防止出来る。しか
も、搭載部品底面が部品搭載箇所からせり出すように該
部品搭載箇所に固着するようにしたので、不良部品等の
交換時に部品底面のせシ出し部品を引掛けて該不良部品
を簡単に剥離することが出来る効果が期待出来るのであ
る。
の部品搭載箇所を、搭載部品の底面積よりも小さくかつ
該部品搭載箇所の周辺部よりも高くなるように基板表面
に形成すると共に該部品搭載箇所に、搭載部品底面が部
品搭載箇所からせり出すように接着剤で固着するように
したので、ダイビンディング時に接着剤がはみ出しても
、これが周辺部へ流出するため、搭載部品側面への付着
を防止でき、従って接着剤のはみ出しによる搭載部品の
電気的特性の劣化を簡易にして的確に防止出来る。しか
も、搭載部品底面が部品搭載箇所からせり出すように該
部品搭載箇所に固着するようにしたので、不良部品等の
交換時に部品底面のせシ出し部品を引掛けて該不良部品
を簡単に剥離することが出来る効果が期待出来るのであ
る。
第1図はこの発明の実施例を示す電子部品の斜視図、第
2図は第1図におけるチップ部品の交換方法の一例を示
す説明図、第3図はこの発明の他の実施例を示す電子部
品の側面図、第4図は従来の電子部品の斜視図である。 11・・・基板、Ila・・・部品搭載箇所、Ilb・
・・周辺部、12・・・接着剤、12a・・・接着剤の
はみ出し部分、13・・・チップ部品、13b・・・チ
ップ部品のせり出し部、14・・・導体ノクッド、15
・・・ワイヤ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 区 派
2図は第1図におけるチップ部品の交換方法の一例を示
す説明図、第3図はこの発明の他の実施例を示す電子部
品の側面図、第4図は従来の電子部品の斜視図である。 11・・・基板、Ila・・・部品搭載箇所、Ilb・
・・周辺部、12・・・接着剤、12a・・・接着剤の
はみ出し部分、13・・・チップ部品、13b・・・チ
ップ部品のせり出し部、14・・・導体ノクッド、15
・・・ワイヤ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 区 派
Claims (2)
- (1)基板上に搭載する部品の取り付け構造において、 基板上には、搭載部品の底面積より小さく、かつ周辺部
よりも高い部品搭載部を形成し、搭載部品をその底面が
前記部品搭載部からせり出すように固着したことを特徴
とする部品の取り付け構造。 - (2)部品搭載部を、その周辺部に溝を設けて形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の部品
の取り付け構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59188933A JPS6167970A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 部品の取り付け構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59188933A JPS6167970A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 部品の取り付け構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6167970A true JPS6167970A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16232433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59188933A Pending JPS6167970A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 部品の取り付け構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6167970A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61102787A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光半導体装置 |
JP2007287896A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010245481A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
EP2365519A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-14 | Nxp B.V. | Semiconductor Die Package |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP59188933A patent/JPS6167970A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61102787A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光半導体装置 |
JP2007287896A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010245481A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
EP2365519A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-14 | Nxp B.V. | Semiconductor Die Package |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6137183A (en) | Flip chip mounting method and semiconductor apparatus manufactured by the method | |
US5783865A (en) | Wiring substrate and semiconductor device | |
US6613607B2 (en) | Method for manufacturing encapsulated electronic components, particularly integrated circuits | |
KR20070045461A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR100214552B1 (ko) | 캐리어프레임 및 서브스트레이트와 이들을 이용한 볼 그리드 어 레이 패키지의 제조방법 | |
JPH10303358A (ja) | 半導体装置及びその実装構造及びその製造方法 | |
JPS6167970A (ja) | 部品の取り付け構造 | |
US6242280B1 (en) | Method of interconnecting an electronic device | |
JPH11163249A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR940006580B1 (ko) | 접착리드를 이용한 반도체 패키지 구조 및 그 제조방법 | |
JPH07170048A (ja) | フレキシブルプリント配線板の部品実装構造及び部品実装方法 | |
JP4573472B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPH09181244A (ja) | 半導体装置 | |
JP2564487B2 (ja) | 回路基板及びその混成集積回路 | |
CN115397095A (zh) | 一种半导体模块及其制造方法 | |
JPH09129784A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2535573B2 (ja) | プラスチック・ピングリッドアレイの製造方法 | |
CN111554651A (zh) | 表面安装半导体器件及其制造方法 | |
CN115279024A (zh) | 一种线路板以及线路板加工方法 | |
JP2023091272A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
CN113594103A (zh) | 半导体电路 | |
JP2002124596A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
EP0762494B1 (en) | Silicon semiconductor diode, its circuit module and structure with an insulation body and preparation method thereof | |
JPH10247697A (ja) | 表面実装型半導体プラスチックパッケージ及びその製造方法 | |
JP3711669B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 |