JPS6166284A - 磁気バブルメモリ素子の作成方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の作成方法Info
- Publication number
- JPS6166284A JPS6166284A JP59186272A JP18627284A JPS6166284A JP S6166284 A JPS6166284 A JP S6166284A JP 59186272 A JP59186272 A JP 59186272A JP 18627284 A JP18627284 A JP 18627284A JP S6166284 A JPS6166284 A JP S6166284A
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- Japan
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- pattern
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- memory element
- permalloy
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子に関し、特にその作成方法に関するもの
である。
ブルメモリ素子に関し、特にその作成方法に関するもの
である。
磁気バブルメモリ装置は半導体技術の進歩に伴ってその
記憶密度の向上が絶えず要求されている。
記憶密度の向上が絶えず要求されている。
そのため記憶要素であるパーマロイパターンは益々微細
化されて来ている。ところが情報記憶部分（マイナール
ープ）のパーマロイパターンの微細化はその形状を工夫
して可能となって来ているが、ゲート類の機能部分はコ
ンダクタパターンとパーマロイパターンとを組合わせて
構成されているためパーマロイパターンを微細化するこ
とは、その作成時にコンダクタパターンとの位置合わせ
が困難となる。そこで情報記憶部分は微細パターンで形
成し、それ以外は大きいパターンで形成する方法が開発
されている。この場合同一回転駆動磁界による駆動力を
両パターンであまり差がないようにするため、バブル結
晶の表面からパーマロイパターンまでの距離を、微細パ
ターンは小さく、大きいパターンは大きくなるようにス
ペーサ厚を調整する、いわゆるデュアルスペーサ方式が
とられている。
化されて来ている。ところが情報記憶部分（マイナール
ープ）のパーマロイパターンの微細化はその形状を工夫
して可能となって来ているが、ゲート類の機能部分はコ
ンダクタパターンとパーマロイパターンとを組合わせて
構成されているためパーマロイパターンを微細化するこ
とは、その作成時にコンダクタパターンとの位置合わせ
が困難となる。そこで情報記憶部分は微細パターンで形
成し、それ以外は大きいパターンで形成する方法が開発
されている。この場合同一回転駆動磁界による駆動力を
両パターンであまり差がないようにするため、バブル結
晶の表面からパーマロイパターンまでの距離を、微細パ
ターンは小さく、大きいパターンは大きくなるようにス
ペーサ厚を調整する、いわゆるデュアルスペーサ方式が
とられている。
従来、このデュアルスペーサ構成は第２図ａ〜ｄに示す
如き工程で作成されていた。これは先ずａ図の如くバブ
ル結晶１の上に第１スペーサ層２、コンダクタパターン
３、第２スペーサ層４を順次形成し、次いでｂ図の如く
大きいパーマロイパターンを形成する領域５をホトレジ
スト６で覆い、小さいパーマロイパターンを形成する領
域７の第１、第２スペーサ層をエツチング除去する０次
いで０図の如くホトレジストを除去した後第３スペーサ
層８を形成する。Ｉ！に後にｄ図の如く第３スペーサ層
８の上に大きいパーマロイパターン９及び小さいパーマ
ロイパターン１０を形成するのである。
如き工程で作成されていた。これは先ずａ図の如くバブ
ル結晶１の上に第１スペーサ層２、コンダクタパターン
３、第２スペーサ層４を順次形成し、次いでｂ図の如く
大きいパーマロイパターンを形成する領域５をホトレジ
スト６で覆い、小さいパーマロイパターンを形成する領
域７の第１、第２スペーサ層をエツチング除去する０次
いで０図の如くホトレジストを除去した後第３スペーサ
層８を形成する。Ｉ！に後にｄ図の如く第３スペーサ層
８の上に大きいパーマロイパターン９及び小さいパーマ
ロイパターン１０を形成するのである。
〔発明が解決しようとするｒｊＩｆｆ点〕上記の構成の
ものにあっては眉間絶縁層である第２スペーサ層４にレ
ベリング性の良い樹脂を用いる場合が多いが、この樹脂
層の上にホトレジスト６を形成する場合、両者の密着性
が悪く、ホトレジストが樹脂層から剥離するという問題
があった。
ものにあっては眉間絶縁層である第２スペーサ層４にレ
ベリング性の良い樹脂を用いる場合が多いが、この樹脂
層の上にホトレジスト６を形成する場合、両者の密着性
が悪く、ホトレジストが樹脂層から剥離するという問題
があった。
本発明は上記問題点を解消した磁気バブルメモリ素子の
作成方法を提供するもので、その手段は、バブル結晶の
上に少なくともスペーサ層、コンダクタパターン、樹脂
層間絶縁層、パーマロイパターンを順次形成する磁気バ
ブルメモリ素子の作成方法において、樹脂層間絶縁層形
成後に、その表面を僅かにエツチングして微小な凹凸を
つけることを特徴とする磁気バブルメモリ素子の作成方
法によってなされる。
作成方法を提供するもので、その手段は、バブル結晶の
上に少なくともスペーサ層、コンダクタパターン、樹脂
層間絶縁層、パーマロイパターンを順次形成する磁気バ
ブルメモリ素子の作成方法において、樹脂層間絶縁層形
成後に、その表面を僅かにエツチングして微小な凹凸を
つけることを特徴とする磁気バブルメモリ素子の作成方
法によってなされる。
上記磁気バブルメモリ素子の作成方法は中間絶縁層であ
る樹脂層の表面を僅かにエツチングして微小な凹凸を形
成することによりその上に形成される膜との密着性を改
善することができる。
る樹脂層の表面を僅かにエツチングして微小な凹凸を形
成することによりその上に形成される膜との密着性を改
善することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の詳細な説明するための工程図である０
本実施例はデュアルスペーサ方式の磁気バブルメモリ素
子の作成を例にとってものであり、先１：ａ図の如くバ
ブル結晶１１の上に第１スペーサ層１２、コンダクタパ
ターン１３、第２スペーサ層としての樹脂層間絶縁層１
４を順次形成することは第２図で説明した従来例と同様
である。
本実施例はデュアルスペーサ方式の磁気バブルメモリ素
子の作成を例にとってものであり、先１：ａ図の如くバ
ブル結晶１１の上に第１スペーサ層１２、コンダクタパ
ターン１３、第２スペーサ層としての樹脂層間絶縁層１
４を順次形成することは第２図で説明した従来例と同様
である。
次いでｂ図の如く樹脂層間絶縁層１４の表面をＣＦ。
等のガスを用いたプラズマドライエツチング装置にて僅
かにエツチングし表面に微小な凹凸を形成することが本
実施例の要点である。次いで０図の如く大きいパーマロ
イパターンを形成する領域１５をホトレジスト１６で覆
い、小さいパーマロイパターンを形成する？ｔＩＭ１７
の第１．第２スペーサ層１２．１４をエツチング除去し
、次いでｄ図の如く第３スペーサ層１８を形成し、最後
にｅ図の如（第３スペーサ１８の上に大きいパーマロイ
パターン１９および小さいパーマロイパターン２０を形
成するのである。
かにエツチングし表面に微小な凹凸を形成することが本
実施例の要点である。次いで０図の如く大きいパーマロ
イパターンを形成する領域１５をホトレジスト１６で覆
い、小さいパーマロイパターンを形成する？ｔＩＭ１７
の第１．第２スペーサ層１２．１４をエツチング除去し
、次いでｄ図の如く第３スペーサ層１８を形成し、最後
にｅ図の如（第３スペーサ１８の上に大きいパーマロイ
パターン１９および小さいパーマロイパターン２０を形
成するのである。
以上の本実施例によれば樹脂層間絶縁層の表面をエツチ
ングし微小な凹凸を形成しているため、その上に形成さ
れる膜の密着性が向上される。
ングし微小な凹凸を形成しているため、その上に形成さ
れる膜の密着性が向上される。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブルメモリ
素子の作成方法において、樹脂層間絶縁層の表面をエツ
チングにより微小な凹凸を形成することにより、その上
に成膜される膜の密着力を向上し、素子作成の信鯨性を
向上するといった効果は著しい。
素子の作成方法において、樹脂層間絶縁層の表面をエツ
チングにより微小な凹凸を形成することにより、その上
に成膜される膜の密着力を向上し、素子作成の信鯨性を
向上するといった効果は著しい。
第１図は本発明の磁気バブルメモリ素子の作成方法を説
明するための工程図、第２図は従来の磁気バブルメモリ
素子の作成方法を説明するための工程図である。 図中、１１はバブル結晶、１２は第１スペーサ、１３は
コンダクタ−パターン、１４は樹脂層間絶縁層、１５は
大きいパーマロイパターンを形成する領域、１６はホト
レジスト、１７は小さいパーマロイパターンを形成する
領域、１８は第３スペーサ層、１９は大きいパーマロイ
パターン、２０は小さいパーマロイパターンをそれぞれ
示す。 ｗＪｌ 図 第２図
明するための工程図、第２図は従来の磁気バブルメモリ
素子の作成方法を説明するための工程図である。 図中、１１はバブル結晶、１２は第１スペーサ、１３は
コンダクタ−パターン、１４は樹脂層間絶縁層、１５は
大きいパーマロイパターンを形成する領域、１６はホト
レジスト、１７は小さいパーマロイパターンを形成する
領域、１８は第３スペーサ層、１９は大きいパーマロイ
パターン、２０は小さいパーマロイパターンをそれぞれ
示す。 ｗＪｌ 図 第２図
Claims (1)
- １、バブル結晶の上に、少なくともスペーサ層、コンダ
クタパターン、樹脂層間絶縁層、パーマロイパターンを
順次形成する磁気バブルメモリ素子の作成方法において
、樹脂層間絶縁層形成後に、その表面を僅かにエッチン
グして微小な凹凸をつけることを特徴とする磁気バブル
メモリ素子作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186272A JPS6166284A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186272A JPS6166284A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166284A true JPS6166284A (ja) | 1986-04-05 |
Family
ID=16185388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186272A Pending JPS6166284A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166284A (ja) |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59186272A patent/JPS6166284A/ja active Pending
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