JPS6162216A - ソ−スフオロワ回路 - Google Patents

ソ−スフオロワ回路

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Publication number
JPS6162216A
JPS6162216A JP18422884A JP18422884A JPS6162216A JP S6162216 A JPS6162216 A JP S6162216A JP 18422884 A JP18422884 A JP 18422884A JP 18422884 A JP18422884 A JP 18422884A JP S6162216 A JPS6162216 A JP S6162216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
gate
source follower
capacitor
current source
Prior art date
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Pending
Application number
JP18422884A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayoshi Makabe
真壁 隆芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP18422884A priority Critical patent/JPS6162216A/ja
Publication of JPS6162216A publication Critical patent/JPS6162216A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の属する技術分野 本発明は、MOS)ランジスタで構成されたソースフォ
ロワ回路に関する。
従来技術 第2図は、従来のソースフォロワ回路の一例を示す回路
図である。すなわち、nMO9)ランジスタで構成され
たソースフォロワトランジスタMlと。
電流源トランジスタM2とを直列に接続して、ソースフ
ォロワトランジスタH1のドレインを正電源vDDに接
続し、電流源トランジスタM2のソースを負電源vSS
に接続し、ソースフォロワトランジスタMlのソースと
電流源トランジスタM2のドレインとの接続点に負荷を
接続する。電流源トランジスタM2のゲートにはバイア
ス端子4から一定のバイアス電圧voが与えられていて
、定電流源を構成している。ソースフォロワトランジス
タに1のゲートに入力端子3から入力信号Vinを入力
させると、入力信号Minに応じた電圧が出力端子5に
出力される。上述の従来のソースフォロワ回路は、負荷
容量CLが大きいときは、以下に述べるような欠点を有
する。
入力電圧Vinが高くなるときは、ソースフォロワトラ
ンジスタ旧の抵抗が小となり、正電源VDDから負荷容
量CLへの充電速度が大きく、従って、出力電圧V o
utの入力電圧Vinに対する応答速度は大である。し
かし、入力電圧Vinが低くなるときは、ソースフォロ
ワトランジスタMlの抵抗が大またはオフとなるため、
負荷容MCLに充′屯されていた電荷は電流源トランジ
スタM2を通して負電源VSSに流入する。この電流工
は、一定電流である。従って、出力電圧Voutの応答
速度は、一定のスルーレートエ/CLで決まる。すなわ
ち、電流工が小さいときは、入力電圧に対する出力電圧
の過渡応答性が悪いという欠点がある。応答速度を大き
くするためには、定電流工を大きくする必要があり、ソ
ースフォロワ回路の消費電力が大きくなる。これは負荷
容量CLの容量が大きい程W4著となる。
発1月の目的 本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、消費電力
が少なくて、過渡応答特性の良好なソースフォロワ回路
を提供することにある。
発明の構成 本発明のソースフォロワ回路は、一定のバイアス電圧が
ゲートに入力された電流源トランジスタと、ソースフォ
ロワトランジスタとを直列にして電源に接続して、容量
性の負荷を駆動するMOSトランジスタ構成のソースフ
ォロワ回路において、前記ソース7オロワートランジス
タのゲートに入力される入力信号の極性を反転増幅する
反転増幅器を備えて、該反転増幅器の出力と前記電流源
トランジスタめゲートとをコンデンサで結合したことを
特徴とする。
発明の実施例 次に、本発明について1図面を参照して詳細に説明する
第1図は1本発明の一実施例を示す回路図である。すな
わち、MOS )ランジスタM1と、電流源トランジス
タM2とを直列に接続して、ソースフォロワトランジス
タ旧のドレインを正電源VDDに接続し、電流源トラン
ジスタM2のソースを負電源VSSに接続し、ソースフ
ォロワトランジスタ旧のソー    !′+1スと電流
源トランジスタM2のドレインとの接続点に負荷を接続
する。電流源トランジスタM2のゲートにはバイアス端
子4から一定のバイアス電圧VBが与えられている。ソ
ースフォロワトランジスタ旧のゲートに入力端子3から
入力電圧Vinを入力させると、入力電圧Winに応じ
た電圧が出力端子5に出力される0以上は従来と同様で
あるが、本実施例においては、p[ls )ランジスタ
M3とM4を直列にして買電v、VSSとアース間に接
続し。
pMOs )ランジスタM4のゲートとドレインを接続
し、pMOs )ランジスタ間のゲートは入力端子3に
接続する。pMOSトランジスタM3とPMOSトラン
ジスタM4とで反転増幅器を構成している。そして、該
増幅器の出力(PMOS )ランジスタM3とpMOs
 トランジスタM4の接続点)と前記電流源トランジス
タM2のゲートとをコンデンサCによって接続する。
次に、本実施例の動作について説明する。今、入力電圧
Vinが高いときは、9MO3)ランジスタM3は非導
通であるので、入力端子Vinが高くなるときは、従来
と同様に、ソースフォロワトランジスタMlが導通して
負荷容量CLは迅速に充電される。一方、入力電圧Vi
nが低くなるときは、あるスレショルド電圧以下では、
pros トランジスタM3で極性が反転され、9MO
8トランジスタM3と9MO3)ランジスタM4の相互
フンダクタンスの比で決まる利得で増幅される。これが
コンデンサCを通して電流源トランジスタM2のゲート
に印加されると、(バイアス電源VBのインピーダンス
は充分高いので)電流源トランジスタM2のゲート電圧
が過渡的に上昇し、その結果電流源トランジスタM2の
電流が一時的に増加する。従って、負荷容量CLの電荷
が迅速に電流源トランジスタM2を通して放電され、出
力電圧Voutの応答が速くなる。
すなわち、本実施例は、電流源トランジスタM2に定常
的に流れる電流を増加させないで、出力電圧Voutの
応答特性を改善することができるという効果がある。
発明の効果 以上のように1本発明においては、ソースフォロワトラ
ンジスタと、電流源トランジスタとを直列に接続したソ
ースフォロワ回路の前記ソースフォロワトランジスタの
ゲートに入力される信号の極性を反転させてコンデンサ
を通して前記電流源トランジスタのゲートに入力させる
ように4:I′1成したから、入力信号電圧が低くなる
ときには、前記電流源トランジスタのゲート電圧が一時
的に高くなって該電流源トランジスタの電流が増加する
ため、負荷容量が大きいときでも出力応答が速くなり、
出力電圧の過渡応答特性が改善されるという効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
のソースフォロワ回路の一例を示す回路図である。 図において、l:正電源端子、2:負電源端子、3:入
力端子、4:バイアス端子、5:出力端子、旧:ソース
フォロワトランジスタ1M2:電流源トランジスタ、M
3 、 M4 : ptlO5トランジスタ、CL :
負荷容量、C:コンデンサ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一定のバイアス電圧がゲートに入力された電流源トラン
    ジスタと、ソースフォロワトランジスタとを直列にして
    電源に接続して、容量性の負荷を駆動するMOSトラン
    ジスタ構成のソースフォロワ回路において、前記ソース
    フォロワトランジスタのゲートに入力される入力信号の
    極性を反転増幅する反転増幅器を備えて、該反転増幅器
    の出力と前記電流源トランジスタのゲートとをコンデン
    サで結合したことを特徴とするソースフォロワ回路。
JP18422884A 1984-09-03 1984-09-03 ソ−スフオロワ回路 Pending JPS6162216A (ja)

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