JPS6159875A - 相補型半導体装置 - Google Patents
相補型半導体装置Info
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- JPS6159875A JPS6159875A JP59180361A JP18036184A JPS6159875A JP S6159875 A JPS6159875 A JP S6159875A JP 59180361 A JP59180361 A JP 59180361A JP 18036184 A JP18036184 A JP 18036184A JP S6159875 A JPS6159875 A JP S6159875A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高電子移動度トランジスタと高正孔移動度ト
ランジスタとで構成される相補型半導体装置に関する。
ランジスタとで構成される相補型半導体装置に関する。
本発明者は、さきに、高電子移動度トランジスタと高正
孔移動度トランジスタとを組み合わせて構成した相補型
半導体装置を提供した（要すれば、特願昭５７−３００
０４号：特開昭５８−１４７１６７号公報を参照）。
孔移動度トランジスタとを組み合わせて構成した相補型
半導体装置を提供した（要すれば、特願昭５７−３００
０４号：特開昭５８−１４７１６７号公報を参照）。
第３図は既提供の相補型半導体装置の要部切断側面図で
ある。
ある。
図に於いて、■は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はノン・ド
ープＧａＡｓバッファ層、３はノン・ドープＧａＡｓチ
ャネル層、４は素子間分離用溝、５はシリコン（Ｓｉ）
等のｎ型不純物を含有するＡＩ！ＧａＡｓ電子供給層、
６は亜鉛（Ｚｎ）等のｎ型不純物を含有するＡ＃ＧａＡ
ｓ正孔供給層、７はｎ型ＧａＡｓ補助層、７′はｐ型Ｇ
ａＡｓ補助層、８は２次元電子ガス層、９は２次元正孔
ガス層、ＩＯは高電子移動度トランジスタ（ｎチャネル
側）の制御電極、１１は高正孔移動度トランジスタ（ｐ
チャネル側）の制御電極、１２はｎチャネル側の入力電
極、１４はｐチャネル側の入力電極、１３はｎチャネル
側の出力電極、１５はｐチャネル側の出力電極、Ｔ、、
４は入力端子、Ｔｏ、は出力端子をそれぞれ示している
。
ープＧａＡｓバッファ層、３はノン・ドープＧａＡｓチ
ャネル層、４は素子間分離用溝、５はシリコン（Ｓｉ）
等のｎ型不純物を含有するＡＩ！ＧａＡｓ電子供給層、
６は亜鉛（Ｚｎ）等のｎ型不純物を含有するＡ＃ＧａＡ
ｓ正孔供給層、７はｎ型ＧａＡｓ補助層、７′はｐ型Ｇ
ａＡｓ補助層、８は２次元電子ガス層、９は２次元正孔
ガス層、ＩＯは高電子移動度トランジスタ（ｎチャネル
側）の制御電極、１１は高正孔移動度トランジスタ（ｐ
チャネル側）の制御電極、１２はｎチャネル側の入力電
極、１４はｐチャネル側の入力電極、１３はｎチャネル
側の出力電極、１５はｐチャネル側の出力電極、Ｔ、、
４は入力端子、Ｔｏ、は出力端子をそれぞれ示している
。
図示の構成から明らかなように、ｎチャネル側トランジ
スタにはｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５を用い、また、
ｐチャネル側トランジスタにはｐ型ＡｌＧａＡｓ正孔供
給層６を用いている。
スタにはｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５を用い、また、
ｐチャネル側トランジスタにはｐ型ＡｌＧａＡｓ正孔供
給層６を用いている。
前記従来技術に依ると、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５
及びｐ型ＡｌｌＧａＡｓ正孔供給層６を形成するのに２
回の成長工程を必要としている。
及びｐ型ＡｌｌＧａＡｓ正孔供給層６を形成するのに２
回の成長工程を必要としている。
従って、工程が複雑化すると共に選択成長で２回目に成
長される側の結晶の界面に於ける結晶性が悪（なる旨の
欠点がある。
長される側の結晶の界面に於ける結晶性が悪（なる旨の
欠点がある。
本発明は、１回のＡｊ！ＧａＡｓ層の成長で相補型半導
体装置の製造を可能とし、前記の欠点を解消するもので
ある。
体装置の製造を可能とし、前記の欠点を解消するもので
ある。
本発明者は、第３図に関して説明した相補型半導体装置
に於いて、例えば、ｐチャネル側トランジスタ、即ち、
高正孔移動度トランジスタの構造として第１図に見られ
るものを作製し、高正孔移動度トランジスタとして正常
に動作することを確認した。
に於いて、例えば、ｐチャネル側トランジスタ、即ち、
高正孔移動度トランジスタの構造として第１図に見られ
るものを作製し、高正孔移動度トランジスタとして正常
に動作することを確認した。
第１図は本発明に依る相補型半導体装置に於ける高正孔
移動度トうンジスタ側の要部切断側面図を表している。
移動度トうンジスタ側の要部切断側面図を表している。
図に於いて、２１は半絶縁性Ｇａｐｓ基板、２２はノン
・ドープＧａＡｓバッファ層、２３はノン・ドープＧａ
Ａｓチャネル層、２５はｎ型Ａ Ｉ ＸＧ ａｒ−ｘ
Ａ ｓ電子供給層（一導電型キャリヤ供給層）、３１は
高正孔移動度トランジスタ（ｐチャネル側）の制御電極
、３４はｐチャネル側の入力電極、３５はｐチャネル側
の出力電極、３６及び３７はｎ型不純物拡散領域（反対
導電型キャリヤ拡散領域）であるソース領域及びドレイ
゛ン領域をそれぞれ示している。
・ドープＧａＡｓバッファ層、２３はノン・ドープＧａ
Ａｓチャネル層、２５はｎ型Ａ Ｉ ＸＧ ａｒ−ｘ
Ａ ｓ電子供給層（一導電型キャリヤ供給層）、３１は
高正孔移動度トランジスタ（ｐチャネル側）の制御電極
、３４はｐチャネル側の入力電極、３５はｐチャネル側
の出力電極、３６及び３７はｎ型不純物拡散領域（反対
導電型キャリヤ拡散領域）であるソース領域及びドレイ
゛ン領域をそれぞれ示している。
図示の半導体装置に於けるｎ型Ａ Ｉ Ｘ Ｇ ａ １
−ｘＡｓ電子供給層２５のドナー濃度と厚さは熱平衡状
態にてヘテロ界面に電子の蓄積がないような程度、即ち
、ノーマリ・オフとなるように選択される。また、制御
電極３１は、ｎ型Ａ Ｉ Ｘ Ｇ ａ ｌ−ＸＡｓ電子
供給層２５を熱平衡状態において空乏化させる機能を有
するものであり、シダー７トキ金属、ｐ型半導体、絶縁
物／金属など、目的に応じて選択すれば良い。
−ｘＡｓ電子供給層２５のドナー濃度と厚さは熱平衡状
態にてヘテロ界面に電子の蓄積がないような程度、即ち
、ノーマリ・オフとなるように選択される。また、制御
電極３１は、ｎ型Ａ Ｉ Ｘ Ｇ ａ ｌ−ＸＡｓ電子
供給層２５を熱平衡状態において空乏化させる機能を有
するものであり、シダー７トキ金属、ｐ型半導体、絶縁
物／金属など、目的に応じて選択すれば良い。
さて、前記半導体装置に於いて、ソース傾城として動作
するｐ型不純物拡ハ（領域３６に加わる電圧に対して負
の電圧を制御電極３１に印加すると′ ノン・ドープＧ
ａＡｓチャネル［２３のへテロ界面側表面ポテンシャル
が低下し、その結果、ｐ型ソース領域３６から正孔が流
れ込んでｐチャネルが生成されてノーマリ・オフ・モー
ド動作が可能となる。尚、この場合、高電子移動度トラ
ンジスタ、即ち、ｎチャネル側トランジスタの構成及び
動作は第３図について説明した相補型半導体装置に於け
るそれと全く変わりない。
するｐ型不純物拡ハ（領域３６に加わる電圧に対して負
の電圧を制御電極３１に印加すると′ ノン・ドープＧ
ａＡｓチャネル［２３のへテロ界面側表面ポテンシャル
が低下し、その結果、ｐ型ソース領域３６から正孔が流
れ込んでｐチャネルが生成されてノーマリ・オフ・モー
ド動作が可能となる。尚、この場合、高電子移動度トラ
ンジスタ、即ち、ｎチャネル側トランジスタの構成及び
動作は第３図について説明した相補型半導体装置に於け
るそれと全く変わりない。
そこで、本発明の相補型半導体装置では、■半絶縁性結
晶基板上に形成されたノン・ドープ半導体チャネル層と
、該チャネル層上に形成され該チャネル層より小さいキ
ャリヤ親和力を有してヘテロ接合を形成する一導電型キ
ャリヤ供給層と、該一導電型キャリヤ供給層上に形成さ
れた制御電極と、該制御電極を挟んで前記一導電型キャ
リヤ供給層上に形成された入力電極及び出力電極とを有
しヘテロ界面に一導電型キャリヤを誘起して動作するノ
ーマリ・オフ・モードの一導電型チャネル・トランジス
タ、■前記−専電型キャリヤ供給層上に形成されたＲｉ
制御電極を挟んで対句し且つ該一導電型キャリヤ供給層
表面から前記ノン・ドープ半導体チャネル層内に達する
反対導電型キャリヤ拡歇領域と、該反対導電型キャリヤ
拡散領域上にそれぞれ別個に対応させて形成された入力
電極及び出力電極とを有しヘテロ界面に反対導電型キャ
リヤを誘起して動作するノーマリ・オフ・モードの反対
導電型チャネル・トランジスタ、の前記■及び■の２種
類のトランジスタからなり、その２種類のトランジスタ
に於ける制御電極を相互に接続して入力端子とし、同じ
く出力電極を相互に接続して出力端子とし、同じく人力
電極を電源接続電極としている。
晶基板上に形成されたノン・ドープ半導体チャネル層と
、該チャネル層上に形成され該チャネル層より小さいキ
ャリヤ親和力を有してヘテロ接合を形成する一導電型キ
ャリヤ供給層と、該一導電型キャリヤ供給層上に形成さ
れた制御電極と、該制御電極を挟んで前記一導電型キャ
リヤ供給層上に形成された入力電極及び出力電極とを有
しヘテロ界面に一導電型キャリヤを誘起して動作するノ
ーマリ・オフ・モードの一導電型チャネル・トランジス
タ、■前記−専電型キャリヤ供給層上に形成されたＲｉ
制御電極を挟んで対句し且つ該一導電型キャリヤ供給層
表面から前記ノン・ドープ半導体チャネル層内に達する
反対導電型キャリヤ拡歇領域と、該反対導電型キャリヤ
拡散領域上にそれぞれ別個に対応させて形成された入力
電極及び出力電極とを有しヘテロ界面に反対導電型キャ
リヤを誘起して動作するノーマリ・オフ・モードの反対
導電型チャネル・トランジスタ、の前記■及び■の２種
類のトランジスタからなり、その２種類のトランジスタ
に於ける制御電極を相互に接続して入力端子とし、同じ
く出力電極を相互に接続して出力端子とし、同じく人力
電極を電源接続電極としている。
前記のような構成を採ると、ノン・ドープ半導体チャネ
ル層上に形成され該チャネル層より小さいキャリヤ親和
力を有してヘテロ接合を生成する一導電型キャリヤ供給
層は、一導電型チャネル・トランジスタ及び反対導電型
チャネル・トランジスタの両者に共通とすることができ
る。
ル層上に形成され該チャネル層より小さいキャリヤ親和
力を有してヘテロ接合を生成する一導電型キャリヤ供給
層は、一導電型チャネル・トランジスタ及び反対導電型
チャネル・トランジスタの両者に共通とすることができ
る。
従って、キャリヤ供給層は１回の成長工程で完成させる
ことが可能であるから、第３図に関して説明した従来技
術に依る相補型半導体装置のように、選択成長で２回目
に成長させるキャリヤ供給層の結晶性が悪くなる旨の欠
点は完全に解消される。
ことが可能であるから、第３図に関して説明した従来技
術に依る相補型半導体装置のように、選択成長で２回目
に成長させるキャリヤ供給層の結晶性が悪くなる旨の欠
点は完全に解消される。
（実施例〕
第２図は本発明一実施例の要部切断側面図を表し、第１
図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しであ
る。
図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しであ
る。
図に於いて、２４は素子間分離用溝、２８は２次元電子
ガス層、３０は高電子移動度トランジスタ（ｎチャネル
側）の制御電極、３２はｎチャネル側の入力電極、３３
はｎチャネル側の出力電極をそれぞれ示している。
ガス層、３０は高電子移動度トランジスタ（ｎチャネル
側）の制御電極、３２はｎチャネル側の入力電極、３３
はｎチャネル側の出力電極をそれぞれ示している。
図から判るように、本実施例では、ｎチャネル側トラン
ジスタに於けるｎ型Ａ１えＧａ、−、Ａ５電子供給層２
５をそのままｐチャネル側トランジスタにも用いている
ので、従来技術に於けるように、２回の成長を行う必要
はない。
ジスタに於けるｎ型Ａ１えＧａ、−、Ａ５電子供給層２
５をそのままｐチャネル側トランジスタにも用いている
ので、従来技術に於けるように、２回の成長を行う必要
はない。
本発明の相補型半導体装置では、ｐチャネル側トランジ
スタの構造が第３図に見られる従来例と相違しているの
で、−それを製造する場合の要点について説明する。
スタの構造が第３図に見られる従来例と相違しているの
で、−それを製造する場合の要点について説明する。
（１）制御電極３１は、例えばチタン（Ｔｉ） ／タ
ングステン（Ｗ） 、Ｗ／シリコン（Ｓｉ）等の高融点
金属で作製する。
ングステン（Ｗ） 、Ｗ／シリコン（Ｓｉ）等の高融点
金属で作製する。
（２）ｎチャネル側トランジスタの部分にフォト・レジ
ストなどで保護膜を形成し、制御電極３１をマスクとし
て、例えばベリリウム（Ｂｅ）などのｐ型ドーパントを
イオン注入し、その後、アニールを行ってｐ型ソース領
域３′６及びｐ型ドレイン領域３７を形成する。
ストなどで保護膜を形成し、制御電極３１をマスクとし
て、例えばベリリウム（Ｂｅ）などのｐ型ドーパントを
イオン注入し、その後、アニールを行ってｐ型ソース領
域３′６及びｐ型ドレイン領域３７を形成する。
この場合の条件は次の通りである。
■イオン注入
注入形式：保護膜スルー注入
ドーパント：Ｂｅ
加速エネルギ：１７５ｒＫｅＶ）
保護膜：窒化アルミニウム（Ａｌ’Ｎ）ト −ズ＠
： Ｉ Ｘ １ ０ ” （ｃｍ−”）■ア
ニール アニール形式：ランプ・アニール 温度：９５０（’ｃ） 時間：１０〔秒〕 （３）ｎチャネル側のオーミック電極、即ち、入力電極
３２及び出力電極３３は金（Ａｕ） ・ゲルマニウム
（Ｇｅ）／Ａｕで形成し、温度４５０Ｃ°Ｃ〕で時間２
〔分〕の合金化アニールを行った。
： Ｉ Ｘ １ ０ ” （ｃｍ−”）■ア
ニール アニール形式：ランプ・アニール 温度：９５０（’ｃ） 時間：１０〔秒〕 （３）ｎチャネル側のオーミック電極、即ち、入力電極
３２及び出力電極３３は金（Ａｕ） ・ゲルマニウム
（Ｇｅ）／Ａｕで形成し、温度４５０Ｃ°Ｃ〕で時間２
〔分〕の合金化アニールを行った。
また、ｐチャネル側のオーミック電極、即ち、入力電極
３４及び出力電極３５はＡｕ・亜鉛（Ｚｎ）／Ａｕで形
成し、ｎチャネル側と同じ条件で合金化アニールを行っ
た。
３４及び出力電極３５はＡｕ・亜鉛（Ｚｎ）／Ａｕで形
成し、ｎチャネル側と同じ条件で合金化アニールを行っ
た。
前記説明した実施例では、ノン・ドープＧａＡｓチャネ
ル層２３上に成長させた半導体層はｎ型Ａ １１ Ｘ
Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ ｓ電子供給層２５であるが、これ
をｐ型Ａ ’ｘ Ｇ ａＩ−Ｘ Ａ ｓに変えて正札供
給層とし、ヘテロ界面のノン・ドープＧａＡｓチャネル
層２３側に２次元正孔ガス層を生成させてｐチャネル側
トランジスタを構成し、ｎチャネル側トランジスタには
不純物拡散に依リｎ型ソース領域及、びｎ型ドレイン領
域を形成するようにしても良い。
ル層２３上に成長させた半導体層はｎ型Ａ １１ Ｘ
Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ ｓ電子供給層２５であるが、これ
をｐ型Ａ ’ｘ Ｇ ａＩ−Ｘ Ａ ｓに変えて正札供
給層とし、ヘテロ界面のノン・ドープＧａＡｓチャネル
層２３側に２次元正孔ガス層を生成させてｐチャネル側
トランジスタを構成し、ｎチャネル側トランジスタには
不純物拡散に依リｎ型ソース領域及、びｎ型ドレイン領
域を形成するようにしても良い。
本発明の相補型半導体装置では、電子供給層或いは正孔
供給層として用いられる半導体層をｎチャネル側とｐチ
ャネル側とで共通に用い、その半導体層の導電型の如何
に依りｎチャネル側或いはｐチャネル側に該半導体層と
反対導電型の領域を形成し、そこからペテロ界面近傍の
チャネル層に正孔或いは電子を供給してチャネルを生成
させて相補型半導体装置の一方のトランジスタとして動
作させるようにしている。
供給層として用いられる半導体層をｎチャネル側とｐチ
ャネル側とで共通に用い、その半導体層の導電型の如何
に依りｎチャネル側或いはｐチャネル側に該半導体層と
反対導電型の領域を形成し、そこからペテロ界面近傍の
チャネル層に正孔或いは電子を供給してチャネルを生成
させて相補型半導体装置の一方のトランジスタとして動
作させるようにしている。
従って、電子供給層或いは正孔供給層として用いられる
前記半導体層は１回の成長で形成され、その結果、従来
、電子供給層と正孔供給層と２回に分けて成長させる場
合のような結晶性の不良は解消され、簡単な製造工程で
高速且つ低消費電力の相補型半導体装置が得られる。
前記半導体層は１回の成長で形成され、その結果、従来
、電子供給層と正孔供給層と２回に分けて成長させる場
合のような結晶性の不良は解消され、簡単な製造工程で
高速且つ低消費電力の相補型半導体装置が得られる。
第１図及び第２図は本発明一実施例の要部切断側面図、
第３図は従来例の要部切断側面図をそれぞれ表している
。 図に於いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はノン
・ドープＧａＡｓバッファ層、２３はノン・ドープＧａ
Ａｓチャネル層、２４は素子間分離用溝、２５はｎ型Ａ
ｌＸＧａ、−ＸＡｓ電子供給層、２８は２次元電子ガス
層、３０は高電子移動度トランジスタ（ｎチャネル側）
の制御電極、３１は高正孔移動度トランジスタ（ｐチャ
ネル側）の制御電極、３２はｎチャネル側の入力電極、
３３はｎチャネル側の出力電極、３４はｐチャネル側の
入力電極、３５はｐチャネル側の出力電極、３６支び３
７はｐ型不純物拡散領域であるソース領域及びドレイン
領域をそれぞれ示している。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 ｎ 〜 − へＩＮ 〜
第３図は従来例の要部切断側面図をそれぞれ表している
。 図に於いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はノン
・ドープＧａＡｓバッファ層、２３はノン・ドープＧａ
Ａｓチャネル層、２４は素子間分離用溝、２５はｎ型Ａ
ｌＸＧａ、−ＸＡｓ電子供給層、２８は２次元電子ガス
層、３０は高電子移動度トランジスタ（ｎチャネル側）
の制御電極、３１は高正孔移動度トランジスタ（ｐチャ
ネル側）の制御電極、３２はｎチャネル側の入力電極、
３３はｎチャネル側の出力電極、３４はｐチャネル側の
入力電極、３５はｐチャネル側の出力電極、３６支び３
７はｐ型不純物拡散領域であるソース領域及びドレイン
領域をそれぞれ示している。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 ｎ 〜 − へＩＮ 〜
Claims (2)
- （１）半絶縁性結晶基板上に形成されたノン・ドープ半
導体チャネル層と、該チャネル層上に形成され該チャネ
ル層より小さいキャリヤ親和力を有してヘテロ接合を形
成する一導電型キャリヤ供給層と、該一導電型キャリヤ
供給層上に形成された制御電極と、該制御電極を挟んで
前記一導電型キャリヤ供給層上に形成された入力電極及
び出力電極とを有するノーマリ・オフ・モードの一導電
型チャネル・トランジスタ、 - （２）前記一導電型キャリヤ供給層上に形成された制御
電極を挟んで対向し且つ該一導電型キャリヤ供給層表面
から前記ノン・ドープ半導体チャネル層内に達する反対
導電型キャリヤ拡散領域と、該反対導電型キャリヤ拡散
領域上にそれぞれ別個に対応させて形成された入力電極
及び出力電極とを有するノーマリ・オフ・モードの反対
導電型チャネル・トランジスタ、 の２種類のトランジスタからなり、該２種類のトランジ
スタに於ける制御電極を相互に接続して入力端子、同じ
く出力電極を相互に接続して出力端子、同じく入力電極
を電源接続電極としてなることを特徴とする相補型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180361A JPS6159875A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 相補型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180361A JPS6159875A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 相補型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159875A true JPS6159875A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0439775B2 JPH0439775B2 (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=16081899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180361A Granted JPS6159875A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 相補型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0637119A (ja) * | 1992-03-17 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 化合物半導体集積回路 |
| JP2008508717A (ja) * | 2004-07-30 | 2008-03-21 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180361A patent/JPS6159875A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0637119A (ja) * | 1992-03-17 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 化合物半導体集積回路 |
| JP2008508717A (ja) * | 2004-07-30 | 2008-03-21 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造 |
| TWI395329B (zh) * | 2004-07-30 | 2013-05-01 | Freescale Semiconductor Inc | 互補式金屬-氧化物-半導體場效電晶體結構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439775B2 (ja) | 1992-06-30 |
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