JPS6154628A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPS6154628A JPS6154628A JP17664684A JP17664684A JPS6154628A JP S6154628 A JPS6154628 A JP S6154628A JP 17664684 A JP17664684 A JP 17664684A JP 17664684 A JP17664684 A JP 17664684A JP S6154628 A JPS6154628 A JP S6154628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- electrode
- etching
- controlled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハのエツチングに好適なエツチン
グ装置に関するものである。
グ装置に関するものである。
半導体ウェーハの製造工程において、エツチングの均一
性の向上は製品歩留りを向上する上で極めて重要な事項
である。エツチングの均一性に影響を与える因子として
は、プロセスガスの流れがある。従来のエツチング装置
は、電子材料（１９８３年３月号、工業調査会発行）の
最近の超ＬＳＩ技術と製造装置と題する特集記事にも詳
記されているようにプロセスガスの流れを均一化するた
めに上部電極を貫通させた多数のガス導入口によりガス
をシャワー化し、ウェーハ外周部に多数の排気口を設け
ている。
性の向上は製品歩留りを向上する上で極めて重要な事項
である。エツチングの均一性に影響を与える因子として
は、プロセスガスの流れがある。従来のエツチング装置
は、電子材料（１９８３年３月号、工業調査会発行）の
最近の超ＬＳＩ技術と製造装置と題する特集記事にも詳
記されているようにプロセスガスの流れを均一化するた
めに上部電極を貫通させた多数のガス導入口によりガス
をシャワー化し、ウェーハ外周部に多数の排気口を設け
ている。
しかしながら、このように構成されるエツチング装置は
、排気口がウェーハ外周部にあるので、ウェーハ中心部
とウェーハ外周部とでガスの流れが不均一となり、ウェ
ーハ内でエツチングの変動、つまりバラツキが発生する
という問題があった。
、排気口がウェーハ外周部にあるので、ウェーハ中心部
とウェーハ外周部とでガスの流れが不均一となり、ウェ
ーハ内でエツチングの変動、つまりバラツキが発生する
という問題があった。
したがって本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、プロセスガス
の流れを制御し、エツチングの変動をなくシ、パターン
の高精度化を歩留り向上を実現し得るドライエツチング
装置を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、プロセスガス
の流れを制御し、エツチングの変動をなくシ、パターン
の高精度化を歩留り向上を実現し得るドライエツチング
装置を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明によるエツチン
グ装置は、上部電極を貫通させた多数のガス導入口のウ
ェーハ内外部にあたるガス導入を各々制御できるように
構成したものである。
グ装置は、上部電極を貫通させた多数のガス導入口のウ
ェーハ内外部にあたるガス導入を各々制御できるように
構成したものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
図は本発明姥よるエツチング装置の一例を示す断面図で
ある。同図において、所定値の真空度に保持されるチャ
ンバ１内には上部電極２および下部電極３が対向配置さ
れており、このチャンバ１内は多数個の排気口４により
排気され、またプロセスガスはガス導入管５から導入さ
れ、各々のマスフロ−コントローラ６により流量制御さ
れ、上部電極２を貫通する多数のガス導入口Ｔからチャ
ンバ１内に導入される。ウェーハ８は下部電極３上に搬
送され、ガス導入、排気により一定の雰囲気に保持され
た状態で上部電極２に印加した高周波電圧９によりプラ
ズマ化したガスによりエツチングされる。
ある。同図において、所定値の真空度に保持されるチャ
ンバ１内には上部電極２および下部電極３が対向配置さ
れており、このチャンバ１内は多数個の排気口４により
排気され、またプロセスガスはガス導入管５から導入さ
れ、各々のマスフロ−コントローラ６により流量制御さ
れ、上部電極２を貫通する多数のガス導入口Ｔからチャ
ンバ１内に導入される。ウェーハ８は下部電極３上に搬
送され、ガス導入、排気により一定の雰囲気に保持され
た状態で上部電極２に印加した高周波電圧９によりプラ
ズマ化したガスによりエツチングされる。
このような構成によれば、ウェーハ８の内外周部のガス
流量を各々制御することができるので、排気口４の影響
を受けずにウェーハ８内部のエツチングを均一かつ容易
に制御することができる。
流量を各々制御することができるので、排気口４の影響
を受けずにウェーハ８内部のエツチングを均一かつ容易
に制御することができる。
以上説明したように本発明によれば、上部電極を貫通す
る多数のガス導入口と、ウェーハ外周部に多数の排気口
とを設け、ウェーハ内外周部におけるガス導入口の内外
周部のガス流量を各々制御することにより、ウェーハ内
外周部のエツチング速度を一定に保持することができる
ので、エツチング対象膜の違いによるエツチング状態の
差異にモ容易に対処でき、エツチングの均一化が可能と
なり、パターンの高精度化および歩留り向上効果が得ら
れる。
る多数のガス導入口と、ウェーハ外周部に多数の排気口
とを設け、ウェーハ内外周部におけるガス導入口の内外
周部のガス流量を各々制御することにより、ウェーハ内
外周部のエツチング速度を一定に保持することができる
ので、エツチング対象膜の違いによるエツチング状態の
差異にモ容易に対処でき、エツチングの均一化が可能と
なり、パターンの高精度化および歩留り向上効果が得ら
れる。
図は本発明によるエツチング装置の一例を示す断面図で
ある。 １・０．・チャンバ、：２＠＊＠ｍ上部電極、３・・・
・下部電極、４−・・ｅ排気口、５・・赤・ガス導入管
、６１１６・・マスフローコントローラ、Ｔ壷・・・ガ
ス導入口、８・・・・ウェーハ、９・・・・高周波電圧
。 一５１’Ｊｄ−
ある。 １・０．・チャンバ、：２＠＊＠ｍ上部電極、３・・・
・下部電極、４−・・ｅ排気口、５・・赤・ガス導入管
、６１１６・・マスフローコントローラ、Ｔ壷・・・ガ
ス導入口、８・・・・ウェーハ、９・・・・高周波電圧
。 一５１’Ｊｄ−
Claims (1)
- チャンバ内に一対の上部電極と下部電極とを対向配置さ
せ、前記上部電極には多数のガス導入口が設けられ、前
記下部電極にはウェハーと多数の排気口が設けられたエ
ッチング装置において、前記上部電極のガス導入口に連
結してチャンバ内外周部のガス流量を単独に制御する手
段を設け、前記ウェーハ上のエッチング速度を均一化さ
せたことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664684A JPS6154628A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664684A JPS6154628A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154628A true JPS6154628A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16017217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664684A Pending JPS6154628A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05112881A (ja) * | 1991-05-15 | 1993-05-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置のガス導入系 |
| US6780250B2 (en) * | 2000-01-28 | 2004-08-24 | Texas Instruments Incorporated | System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17664684A patent/JPS6154628A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05112881A (ja) * | 1991-05-15 | 1993-05-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置のガス導入系 |
| US6780250B2 (en) * | 2000-01-28 | 2004-08-24 | Texas Instruments Incorporated | System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer |
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