JPS5974632A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5974632A JPS5974632A JP18485182A JP18485182A JPS5974632A JP S5974632 A JPS5974632 A JP S5974632A JP 18485182 A JP18485182 A JP 18485182A JP 18485182 A JP18485182 A JP 18485182A JP S5974632 A JPS5974632 A JP S5974632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- section
- substrate
- central section
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ドライエツチング装置、特に半導体基板（以
下、ウェハーという）上に形成された膜をドライエツチ
ングする場合、ウェハー内の膜のエツチング速度を均一
にするようにしたドライエツチング装置に関するもので
ある。
下、ウェハーという）上に形成された膜をドライエツチ
ングする場合、ウェハー内の膜のエツチング速度を均一
にするようにしたドライエツチング装置に関するもので
ある。
半導体装置におけるパターン形成にドライエツチングを
利用するのは有効である。特（こ平行平板電極枚葉型ド
ライエツチング装置を使用することによって、従来のバ
ッチ型ドライエツチング装置に托べ、再現性、均一性に
すぐれたエツチングを行うことができるが、ウェハー内
での均一なエツチング方法が見い出されていないのが現
状である。
利用するのは有効である。特（こ平行平板電極枚葉型ド
ライエツチング装置を使用することによって、従来のバ
ッチ型ドライエツチング装置に托べ、再現性、均一性に
すぐれたエツチングを行うことができるが、ウェハー内
での均一なエツチング方法が見い出されていないのが現
状である。
従来の均一な電極冷却方法では、プラズマ放電密度の不
均一性やエツチングガスの流れ方によってウェハー内の
外周部が中央部に比ベエッチング速度が速（なり、ウェ
ハー内で均ニなエツチングが行なわれないという欠点が
あった。
均一性やエツチングガスの流れ方によってウェハー内の
外周部が中央部に比ベエッチング速度が速（なり、ウェ
ハー内で均ニなエツチングが行なわれないという欠点が
あった。
本発明は前記問題点を解消するもので、ガス導入口を上
部電極の中央部に設け、半導体基板設置用電極内にその
中央部から外周部の範囲内で冷却通路を形成し、半導体
基板の中央部分及び外周部に対応させて半導体基板設置
用電極の板厚を異ならせ、中央部を厚肉にするとともに
外周部に向けて漸次その板厚を減少させたことを特徴と
するものである。
部電極の中央部に設け、半導体基板設置用電極内にその
中央部から外周部の範囲内で冷却通路を形成し、半導体
基板の中央部分及び外周部に対応させて半導体基板設置
用電極の板厚を異ならせ、中央部を厚肉にするとともに
外周部に向けて漸次その板厚を減少させたことを特徴と
するものである。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する。
図に示すように、処理室１内（こ半導体基板設置用電極
２と上部電極３とを対向させて設置し、電極２上に設置
されるウェハー４の中央部分に向けたガス導入口５を上
部電極６に設け、また処理室１にガス排気口６を設ける
。さらに、中央部から外周部の範囲内で′電極２の中空
部内に冷却通路７を形成し、設置されたウェハー４の各
部に対応する電極２の板厚を異ならぜ、中央部を厚肉に
するきともに外周部に向けてその板厚を減少させる。
２と上部電極３とを対向させて設置し、電極２上に設置
されるウェハー４の中央部分に向けたガス導入口５を上
部電極６に設け、また処理室１にガス排気口６を設ける
。さらに、中央部から外周部の範囲内で′電極２の中空
部内に冷却通路７を形成し、設置されたウェハー４の各
部に対応する電極２の板厚を異ならぜ、中央部を厚肉に
するきともに外周部に向けてその板厚を減少させる。
具体的ｌこは図示のように電極２の上面を平面とし、天
井下面に中央の傾斜面を形成する。また、電極２の中央
部分で冷却通路７に導入パイペ８を連結するとともに排
出バイープ９を連結し、パイプ８より冷却水を冷却通路
７に供給してこれを電極２全面に行き渡らせ、電極２内
の冷却通路７から排出パイプ９を通して冷却水を排出す
るようζこ構成する。１０Ｌｔ、ＲＦマツチングボック
スである。
井下面に中央の傾斜面を形成する。また、電極２の中央
部分で冷却通路７に導入パイペ８を連結するとともに排
出バイープ９を連結し、パイプ８より冷却水を冷却通路
７に供給してこれを電極２全面に行き渡らせ、電極２内
の冷却通路７から排出パイプ９を通して冷却水を排出す
るようζこ構成する。１０Ｌｔ、ＲＦマツチングボック
スである。
本発明（こよれば、上部電極６のガス導入口５からエツ
チングガスを電極２上に置かれたウニ／Ｎ −４の中央
部分に向けて噴射し、ウェハー４の外周部からガス排気
ロ６全通して排気させる。ここにウェハー４の中央部分
ζこ対応する電極２の板厚を厚肉とし、ウェハー４の外
周部分に向けで漸次減少させて板厚を薄肉としであるか
ら、電極２上の温度分布は、外周側が低く、中心部に向
けて次第ζこ高くなり、ウェハー４内でのエツチング速
度のバラツキが補正され、ウェハーの全域にわたってエ
ツチング速度が均一となる。
チングガスを電極２上に置かれたウニ／Ｎ −４の中央
部分に向けて噴射し、ウェハー４の外周部からガス排気
ロ６全通して排気させる。ここにウェハー４の中央部分
ζこ対応する電極２の板厚を厚肉とし、ウェハー４の外
周部分に向けで漸次減少させて板厚を薄肉としであるか
ら、電極２上の温度分布は、外周側が低く、中心部に向
けて次第ζこ高くなり、ウェハー４内でのエツチング速
度のバラツキが補正され、ウェハーの全域にわたってエ
ツチング速度が均一となる。
以上のように、本発明はウニ／１−の中央部と外周部と
に対応するウェハー設置用電極の板厚を異ならせて電極
２の各部の温度分布を均一とし、エツチングガスをウェ
ハー中央部から外周部（こ流動させるため、ウェハー内
のエツチング速度を補正してウェハー内でのバラツキを
±５％以下にすることができる効果を有するものである
。
に対応するウェハー設置用電極の板厚を異ならせて電極
２の各部の温度分布を均一とし、エツチングガスをウェ
ハー中央部から外周部（こ流動させるため、ウェハー内
のエツチング速度を補正してウェハー内でのバラツキを
±５％以下にすることができる効果を有するものである
。
図は本発明の一実施例を示す構成図である。
２・・・半導体基板設置用ウェハー ３・・・上部電極
、４・・・半導体基板（ウェハー）、５・・・ガス導入
口、７・・・冷却通路
、４・・・半導体基板（ウェハー）、５・・・ガス導入
口、７・・・冷却通路
Claims (1)
- （１）半導体基板設置用電極と該電極に対向した上部電
極とを有するドライエツチング装置において、上部電極
の中央にガス導入口を設け、半導体基板設置用電極にそ
の中央部から外周部の範囲内で冷却通路を形成し、設置
すべき半導体基板の中央部及び外周部（こ対応して半導
体基板設置用電極の板厚を変化させ、中央部を厚肉にす
るとともに外周部に向けて漸次その板厚を減少させたこ
とを特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18485182A JPS5974632A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18485182A JPS5974632A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974632A true JPS5974632A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16160412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18485182A Pending JPS5974632A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112289670A (zh) * | 2019-07-24 | 2021-01-29 | 东京毅力科创株式会社 | 温度调整装置 |
-
1982
- 1982-10-21 JP JP18485182A patent/JPS5974632A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112289670A (zh) * | 2019-07-24 | 2021-01-29 | 东京毅力科创株式会社 | 温度调整装置 |
| JP2021022587A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整装置 |
| US11715654B2 (en) | 2019-07-24 | 2023-08-01 | Tokyo Electron Limited | Temperature adjusting device |
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