JPS615418A - 薄膜磁気記録媒体 - Google Patents
薄膜磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS615418A JPS615418A JP12441484A JP12441484A JPS615418A JP S615418 A JPS615418 A JP S615418A JP 12441484 A JP12441484 A JP 12441484A JP 12441484 A JP12441484 A JP 12441484A JP S615418 A JPS615418 A JP S615418A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- metal
- recording medium
- metallic
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を被着したい
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。
従来、一般に用いられている磁気記録媒体は、針状の磁
性粉と高分子結合剤と全主体とする磁性塗料を非磁性支
持体上に塗布して磁性層全形成した塗布型の磁気記録媒
体である。
性粉と高分子結合剤と全主体とする磁性塗料を非磁性支
持体上に塗布して磁性層全形成した塗布型の磁気記録媒
体である。
これに比し、Ｃｏ、ＦｅＸＮｉ等の磁性金属、あるいは
これらの合金全真空蒸着、スパンタリング、イオンブレ
ーティング等のいわゆるフイ、ジカル・ペーパー・デポ
ジション技術によって非磁性支持体上に形成する金属薄
膜型の磁気記録媒体は、その磁性層中に非磁性の結合剤
が混入されていないために著しく高い残留磁束密度會得
ることがで □きること、また磁性層を極めて
薄く形成することができるために高出力且つ短波長応答
性に優れているという利点を有する。
これらの合金全真空蒸着、スパンタリング、イオンブレ
ーティング等のいわゆるフイ、ジカル・ペーパー・デポ
ジション技術によって非磁性支持体上に形成する金属薄
膜型の磁気記録媒体は、その磁性層中に非磁性の結合剤
が混入されていないために著しく高い残留磁束密度會得
ることがで □きること、また磁性層を極めて
薄く形成することができるために高出力且つ短波長応答
性に優れているという利点を有する。
しかしながら、この種の金属薄膜型の磁気記録媒体にお
いて、Ｃｏ等の磁性金属を単に非磁性支持体上に例えば
蒸着しただけでは充分高い抗磁力Ｈｃを有する磁性層を
得ることは困難である。このような金属薄膜型磁気記録
媒体において、高い抗磁力Ｈａｓｈ有する磁性層を得る
方法としては、゛非磁性支持体に対して、上述の磁性金
属の蒸発粒子を斜めに入射させる斜め蒸着法が提案され
ている。しかしこのような斜め蒸着法による場合、蒸着
効率が低く生産性に劣るという欠点がある。
いて、Ｃｏ等の磁性金属を単に非磁性支持体上に例えば
蒸着しただけでは充分高い抗磁力Ｈｃを有する磁性層を
得ることは困難である。このような金属薄膜型磁気記録
媒体において、高い抗磁力Ｈａｓｈ有する磁性層を得る
方法としては、゛非磁性支持体に対して、上述の磁性金
属の蒸発粒子を斜めに入射させる斜め蒸着法が提案され
ている。しかしこのような斜め蒸着法による場合、蒸着
効率が低く生産性に劣るという欠点がある。
このような斜め蒸着によることなく、はぼ垂直蒸着によ
っても高い抗磁力を示し、且つ高い角型比を有する金属
薄膜型磁気記録媒体が先に本出願人によって提案さ扛た
。この磁気記録媒体は非磁性支持体上に下地層としての
例えばＢｉ等のいわゆる凝固時に体積膨張する非磁性金
属全被着した後、該下地層上にＣｏ−Ｎｉ合金等の強磁
性金属薄膜層を形成するものである。
っても高い抗磁力を示し、且つ高い角型比を有する金属
薄膜型磁気記録媒体が先に本出願人によって提案さ扛た
。この磁気記録媒体は非磁性支持体上に下地層としての
例えばＢｉ等のいわゆる凝固時に体積膨張する非磁性金
属全被着した後、該下地層上にＣｏ−Ｎｉ合金等の強磁
性金属薄膜層を形成するものである。
し〃）シ抵抗加熱法、高周波誘導加熱法あるいは電子ビ
ーム加熱法等により凝固時に体積膨張する非磁性金属を
加熱蒸発させて非磁性支持体上に下地層として形成する
場合は、その下地層の均−性及び非磁性支持体との付着
強度に一層の改善が要求される。
ーム加熱法等により凝固時に体積膨張する非磁性金属を
加熱蒸発させて非磁性支持体上に下地層として形成する
場合は、その下地層の均−性及び非磁性支持体との付着
強度に一層の改善が要求される。
本発明は、上述の点に鑑みなさｎたものであって、その
目的は電磁変換特性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を
提供するものである。
目的は電磁変換特性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を
提供するものである。
すなわち本発明は非磁性支持体上に、凝固時体積膨張す
る金属の有機金属モノマーガスを導入しプラズマ重合に
より前記金属の下地層を形成し、該下地層上に金属磁性
薄膜を形成した薄膜磁気記録媒体に関するものである。
る金属の有機金属モノマーガスを導入しプラズマ重合に
より前記金属の下地層を形成し、該下地層上に金属磁性
薄膜を形成した薄膜磁気記録媒体に関するものである。
本発明に用いら詐る非磁性支持体の素材とじては通常使
用されるものであれば如伺なるものであってもよく、例
えばポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、
セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート
、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導
体、ポ、り塩化ビニノペポリ塩化ビニリデン等のビニル
系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド等
の高分子フィルム、サファイヤ若しくは表面を酸化した
金属基板等が挙げられる。また上記非磁性支持体の形態
としては、フィルム、テープ、シート、ディスク、カー
ド、ドラム等のいずれでもよい。
用されるものであれば如伺なるものであってもよく、例
えばポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、
セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート
、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導
体、ポ、り塩化ビニノペポリ塩化ビニリデン等のビニル
系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド等
の高分子フィルム、サファイヤ若しくは表面を酸化した
金属基板等が挙げられる。また上記非磁性支持体の形態
としては、フィルム、テープ、シート、ディスク、カー
ド、ドラム等のいずれでもよい。
下地層は非磁性支持体上にプラズマ重合によって被着す
るものであるが、その被着に際して非磁性支持体上で、
液相から固相に凝固、すなわち固化するとき、その体積
が膨張する特性ヲ示す金属１．１□え。１．８５、Ｐ６
、Ｓｒｒ、ｏ８、□。、。４、。 ′ｅ、Ｓｉ及
びこれらの合金、金属間化合物等を用いることができる
。
るものであるが、その被着に際して非磁性支持体上で、
液相から固相に凝固、すなわち固化するとき、その体積
が膨張する特性ヲ示す金属１．１□え。１．８５、Ｐ６
、Ｓｒｒ、ｏ８、□。、。４、。 ′ｅ、Ｓｉ及
びこれらの合金、金属間化合物等を用いることができる
。
プラズマ重合法は、Ａｒ、Ｈυ、Ｈ２，Ｎ２ 等の、キ
ャリヤーガスの放電プラズマとモノマーガスとを混合し
、被処理基体表面にこれら混合ガスを接触させることに
より基体表面にプラズマ重合膜を形成するものである。
ャリヤーガスの放電プラズマとモノマーガスとを混合し
、被処理基体表面にこれら混合ガスを接触させることに
より基体表面にプラズマ重合膜を形成するものである。
原理的には、気体全低圧に保ち電場を作用させると、気
体中に少量存在する自由電子は、常圧に較べ分子間距離
が非常に太きいため、電界加速を受け５〜１０ ｅＶの
速度エネルギー（電子温度）全獲得する。この速度原子
が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分子軌道全分断
して電子、イオン、中性ラジカルなど常態では不寒定な
化学種に解離される。解離した電子は再び電界加速を受
けて別の原子や分子を解離させるが、この連鎖作用で気
体はたちまち高度の解離状態となシ、これはプラズマガ
スと呼ばれている。
体中に少量存在する自由電子は、常圧に較べ分子間距離
が非常に太きいため、電界加速を受け５〜１０ ｅＶの
速度エネルギー（電子温度）全獲得する。この速度原子
が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分子軌道全分断
して電子、イオン、中性ラジカルなど常態では不寒定な
化学種に解離される。解離した電子は再び電界加速を受
けて別の原子や分子を解離させるが、この連鎖作用で気
体はたちまち高度の解離状態となシ、これはプラズマガ
スと呼ばれている。
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
？ｆ″あまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている
。このように電子の速度エネルギー（電子温度）と分子
の熱運動（ガス温度ンが分離した系は低温プラズマと呼
ばれ、ここでは化学種が比較的原形を保ったま才重合等
の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本発
明はこの状況を利用して基本にプラズマ重合膜を形成せ
んとするものである。低温プラズマを利用する為、基体
の熱影響は全くない。
？ｆ″あまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている
。このように電子の速度エネルギー（電子温度）と分子
の熱運動（ガス温度ンが分離した系は低温プラズマと呼
ばれ、ここでは化学種が比較的原形を保ったま才重合等
の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本発
明はこの状況を利用して基本にプラズマ重合膜を形成せ
んとするものである。低温プラズマを利用する為、基体
の熱影響は全くない。
凝固時体積膨張する金属の有機金属モノマーとしては、
例えば（ＣＨａ）ａＢｉ、（Ｃ２Ｈ５） ａＢ ｉ、（
Ｃ６Ｈ５）ａＢｉ、 （ＣＨ２・＝ＣＨ） ａＢｉ、（
ＣＨａ ） ａ Ｓｂ。
例えば（ＣＨａ）ａＢｉ、（Ｃ２Ｈ５） ａＢ ｉ、（
Ｃ６Ｈ５）ａＢｉ、 （ＣＨ２・＝ＣＨ） ａＢｉ、（
ＣＨａ ） ａ Ｓｂ。
（ＣｚＨｓ）ａｓｂ、（ＣａＨｓ）ａｓｂ、（ＣＨ２＝
ＣＨ）ａＳｂ、（ＣＨａ）、５ｂＣ４（ＣＨａ）ａｓｂ
Ｂｒ、（ＣＨ３）８ｓｂ２、（Ｃ２Ｈ５）ａｓｂｃｌ、
（Ｃ２Ｈｓ）ａｓｂＢｒ、（ＣａＨｓ）ａｓｂＩ、（Ｃ
Ｈａ）本Ｐｂ、（Ｃ２Ｈｓ）＋Ｐｂ、（ＣａＨｓ）４Ｐ
ｂ、（ＣａＨｓ）＋Ｐｂ、（Ｃ２Ｈｓ）ｚＰｂＣｌｌｚ
、（ＣａＨｓ）２ＰｂＢｒｚ、（Ｃ６Ｈｓ）ａＰｂ２、
（ＣＨ３）＋Ｓｎ、（ＣｚＨｓ）＋Ｓｎ、（ＣａＨ７）
ｔＳｎ、（ＣａＨｕ）ｔＳｎ、 （ＣａＨｓ’）４Ｓ
ｎ、 （ＣａＨｓ）ａｓｎｃＨａ、（ＣａＨｓ）ａｓ
ｎｃ４ （ＣａＨｓ）ａｓｎＢｒ、ＣｚＨｓＳｎＣ１１
８、（Ｃ）（ａｃａＨ４）＋ｓｎ、（ＣＨａ）ａｓｎｚ
、（Ｃ２Ｈ５） ６５ｎ ２、（０４Ｈ（１）ｌ！５１
１２、（ＣａＨｓ）ｅｓｎｚ。
ＣＨ）ａＳｂ、（ＣＨａ）、５ｂＣ４（ＣＨａ）ａｓｂ
Ｂｒ、（ＣＨ３）８ｓｂ２、（Ｃ２Ｈ５）ａｓｂｃｌ、
（Ｃ２Ｈｓ）ａｓｂＢｒ、（ＣａＨｓ）ａｓｂＩ、（Ｃ
Ｈａ）本Ｐｂ、（Ｃ２Ｈｓ）＋Ｐｂ、（ＣａＨｓ）４Ｐ
ｂ、（ＣａＨｓ）＋Ｐｂ、（Ｃ２Ｈｓ）ｚＰｂＣｌｌｚ
、（ＣａＨｓ）２ＰｂＢｒｚ、（Ｃ６Ｈｓ）ａＰｂ２、
（ＣＨ３）＋Ｓｎ、（ＣｚＨｓ）＋Ｓｎ、（ＣａＨ７）
ｔＳｎ、（ＣａＨｕ）ｔＳｎ、 （ＣａＨｓ’）４Ｓ
ｎ、 （ＣａＨｓ）ａｓｎｃＨａ、（ＣａＨｓ）ａｓ
ｎｃ４ （ＣａＨｓ）ａｓｎＢｒ、ＣｚＨｓＳｎＣ１１
８、（Ｃ）（ａｃａＨ４）＋ｓｎ、（ＣＨａ）ａｓｎｚ
、（Ｃ２Ｈ５） ６５ｎ ２、（０４Ｈ（１）ｌ！５１
１２、（ＣａＨｓ）ｅｓｎｚ。
（Ｃ６Ｈ５）ａｓｎｃ２Ｈｓ、（ＣＨ２＝−ＣＨ） ｚ
ｓｎｃｌｌ ２、（ＣＨ８Ｃ６Ｈ４） ｚｓｎ（Ｊ？
２、（ＣＩＩＨ？ ） ２８ｎｃｌｌ ２、（ＣＨｓ）
ａＧａ、 （Ｃ２Ｈｓ）ａＧａ、 （、ＣｎＨ２）ｓ
Ｇａ、、 （ＣＨａ）ａＩｎ、 （ＣｚＨ６）ｓＩｎ
、 （ＣｅＨｌｌ）ｓＩｎ、 （ＣＨａ）２ｃｄ、’
（ＣｚＨｓ）ｚｃｄ、 （ＣｏＨｓ）２ｃｄ、 （
ＣＨａ）４Ｇｅ、 （ＣｚＨｓ）＋Ｇｅ、 （Ｃａ
Ｈ２）＋Ｇｅ、 （ＣＨｓ）＋Ｓｉ、（ＣｚＨｓ）
４Ｓｉ、（ＣａＨｓ）４Ｓｉ等が挙げられる。
ｓｎｃｌｌ ２、（ＣＨ８Ｃ６Ｈ４） ｚｓｎ（Ｊ？
２、（ＣＩＩＨ？ ） ２８ｎｃｌｌ ２、（ＣＨｓ）
ａＧａ、 （Ｃ２Ｈｓ）ａＧａ、 （、ＣｎＨ２）ｓ
Ｇａ、、 （ＣＨａ）ａＩｎ、 （ＣｚＨ６）ｓＩｎ
、 （ＣｅＨｌｌ）ｓＩｎ、 （ＣＨａ）２ｃｄ、’
（ＣｚＨｓ）ｚｃｄ、 （ＣｏＨｓ）２ｃｄ、 （
ＣＨａ）４Ｇｅ、 （ＣｚＨｓ）＋Ｇｅ、 （Ｃａ
Ｈ２）＋Ｇｅ、 （ＣＨｓ）＋Ｓｉ、（ＣｚＨｓ）
４Ｓｉ、（ＣａＨｓ）４Ｓｉ等が挙げられる。
また上記金属の合金あるいは金属間化合物のプラズマ重
合膜を作製するには異なるモノマーガスを混合して導入
すればよい。
合膜を作製するには異なるモノマーガスを混合して導入
すればよい。
動作圧力は１０−８〜１０ Ｔｏｒｒ の真空度に設定
され、またプラズマ発生源は高周波放電、マイクロ波放
電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。
され、またプラズマ発生源は高周波放電、マイクロ波放
電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。
また前記下地層の厚さは３０〜３００λに選定される。
金属磁性薄膜は真空蒸着法、イオンブレーティング法あ
るいはスパッタリング法等の被着手段によりｒｅ、 Ｃ
ｏ、 Ｎｉ等の金属あるいはＣｏ −Ｎｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ 合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金
、Ｆｅ −Ｃｏ−Ｂ−合金、Ｃｏ −Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ
合金あるいはこれらにＣｒ、ＡＪ、等の金属が含有され
たもの等を１００〜１００ＯＡの厚さに被着することに
よって形成し得る。
るいはスパッタリング法等の被着手段によりｒｅ、 Ｃ
ｏ、 Ｎｉ等の金属あるいはＣｏ −Ｎｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ 合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金
、Ｆｅ −Ｃｏ−Ｂ−合金、Ｃｏ −Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ
合金あるいはこれらにＣｒ、ＡＪ、等の金属が含有され
たもの等を１００〜１００ＯＡの厚さに被着することに
よって形成し得る。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
実施例１
厚さ３０μｍのポリイミドフィルムよシなる非磁性支持
体上に、基板温度ケ１５０℃に保持した状態でモノマー
ガスとして（ＣＨａ）４ Ｂｉ ｋ用いてプラズマ重合
を行い厚さ３００ＡのＢｉの下地層全形成した。プラズ
マ重合条件は以下の通りとした０ モノマーガス流量： ２０ ｃｃ ／ｍｉｎキャリヤー
ガス：アルゴン キャリヤーガス流量： ５ ｃｃ ／ｍｉｎ真空度：
５０ ｍ Ｔｏｒｒ 高周波電源：１３．５．６ＭＨｚ 、５００ｗ
Ｉ、Ｉ□い’Ｃ＃ＴｉＭｊｊＪ：、Ｖ
Ｃ７０％ Ｃｏ −３０％ Ｎｉ ’合金を
電子ビーム加熱により蒸着し厚さ３００Ａの強磁性金属
薄膜を形成した。このようにして得られた薄膜磁気記録
媒体を実施例１とした。
体上に、基板温度ケ１５０℃に保持した状態でモノマー
ガスとして（ＣＨａ）４ Ｂｉ ｋ用いてプラズマ重合
を行い厚さ３００ＡのＢｉの下地層全形成した。プラズ
マ重合条件は以下の通りとした０ モノマーガス流量： ２０ ｃｃ ／ｍｉｎキャリヤー
ガス：アルゴン キャリヤーガス流量： ５ ｃｃ ／ｍｉｎ真空度：
５０ ｍ Ｔｏｒｒ 高周波電源：１３．５．６ＭＨｚ 、５００ｗ
Ｉ、Ｉ□い’Ｃ＃ＴｉＭｊｊＪ：、Ｖ
Ｃ７０％ Ｃｏ −３０％ Ｎｉ ’合金を
電子ビーム加熱により蒸着し厚さ３００Ａの強磁性金属
薄膜を形成した。このようにして得られた薄膜磁気記録
媒体を実施例１とした。
実施例２
厚さ３０μｍのポリイミドフィルムよシなる非磁性支持
体上に、基板温度を１５０℃に保持した状態でモノマー
ガスとして（Ｃ２Ｈ５） ｓ Ｂ ｉ ｋ用いてプラズ
マ重合を行い厚さ３００ＡのＢｉの下地層−全形成した
。プラズマ重合条件は以下の通りとした０ モノマーガス流量： ２０ ｃｃ／ｍｉｎキャリヤーガ
ス：アルゴン キャリヤーガス流量： ５ ｃｃ／ｍｉｎ真空度： ５
０ｍＴｏｒｒ 高周波電源：１３．５６ＭＨｚ ５００ｗ引き続いて
該下地層上に７０１Ｃｏ−３０％Ｎｉ合金全電子ビーム
加熱により蒸着し厚さ３００Ａの強磁性金属薄膜を形成
した。このようにして得られた薄膜磁気記録媒体全実施
例２とした。
体上に、基板温度を１５０℃に保持した状態でモノマー
ガスとして（Ｃ２Ｈ５） ｓ Ｂ ｉ ｋ用いてプラズ
マ重合を行い厚さ３００ＡのＢｉの下地層−全形成した
。プラズマ重合条件は以下の通りとした０ モノマーガス流量： ２０ ｃｃ／ｍｉｎキャリヤーガ
ス：アルゴン キャリヤーガス流量： ５ ｃｃ／ｍｉｎ真空度： ５
０ｍＴｏｒｒ 高周波電源：１３．５６ＭＨｚ ５００ｗ引き続いて
該下地層上に７０１Ｃｏ−３０％Ｎｉ合金全電子ビーム
加熱により蒸着し厚さ３００Ａの強磁性金属薄膜を形成
した。このようにして得られた薄膜磁気記録媒体全実施
例２とした。
比較例
厚さ３０μｍのポリイミドフィルムよりなる非磁性支持
体上に、基板温度を１５０℃に保持した状態でＢｉを電
子ビーム加熱により蒸着し厚さ３００ＡのＢｉの下地層
を形成し、引き続いて該下地層上に７０％ｃｏ−３０％
Ｎｉ合金を電子ビーム加熱により蒸着し厚さ３００Ａの
強磁性金属薄膜を形成した。このようにして得られた薄
膜磁気記録媒体を比較例とした。
体上に、基板温度を１５０℃に保持した状態でＢｉを電
子ビーム加熱により蒸着し厚さ３００ＡのＢｉの下地層
を形成し、引き続いて該下地層上に７０％ｃｏ−３０％
Ｎｉ合金を電子ビーム加熱により蒸着し厚さ３００Ａの
強磁性金属薄膜を形成した。このようにして得られた薄
膜磁気記録媒体を比較例とした。
上記谷側の薄膜磁気記録媒体の抗磁力Ｈｅ、角型比Ｒｓ
及びステル特性を測定した。尚スチル特性は磁気記録媒
体に４．２ＭＨｚの映像信号を記録し、この再生出力が
５０％に減衰するまでの時間として測定した。その結果
を表１に示す。
及びステル特性を測定した。尚スチル特性は磁気記録媒
体に４．２ＭＨｚの映像信号を記録し、この再生出力が
５０％に減衰するまでの時間として測定した。その結果
を表１に示す。
以上本発明による薄膜磁気記録媒体は耐久性に優れ、特
にプラズマ重合法により下地層を形成しており、均一な
下地層が得られるので、特性のバランキがなく、磁気ヘ
ッドとの当シのよい磁気記録媒体を得ることができる。
にプラズマ重合法により下地層を形成しており、均一な
下地層が得られるので、特性のバランキがなく、磁気ヘ
ッドとの当シのよい磁気記録媒体を得ることができる。
Claims (1)
- 非磁性支持体上に、凝固時体積膨張する金属の有機金属
モノマーガスを導入しプラズマ重合により前記金属の下
地層を形成し、該下地層上に金属磁性薄膜を形成したこ
とを特徴とする薄膜磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12441484A JPS615418A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 薄膜磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12441484A JPS615418A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 薄膜磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615418A true JPS615418A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14884883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12441484A Pending JPS615418A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 薄膜磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615418A (ja) |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12441484A patent/JPS615418A/ja active Pending
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