JPS6154136A - 表示素子用基板の製造方法 - Google Patents
表示素子用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6154136A JPS6154136A JP59176210A JP17621084A JPS6154136A JP S6154136 A JPS6154136 A JP S6154136A JP 59176210 A JP59176210 A JP 59176210A JP 17621084 A JP17621084 A JP 17621084A JP S6154136 A JPS6154136 A JP S6154136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corrosion
- melting point
- low melting
- point glass
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する分野の説明
本発明はプラズマディスプレイパネルや螢光表示管等の
表示素子に用いるアルミニウム薄膜で電極配線を形成し
た基板の製造方法の改良に関するものである。
表示素子に用いるアルミニウム薄膜で電極配線を形成し
た基板の製造方法の改良に関するものである。
（２）従来の技術の説明
現在フラットディスプレイデバイスはそのＲ膜・経世と
いった特徴を活かして広範囲な用途に使用されている。
いった特徴を活かして広範囲な用途に使用されている。
とりわけプラズマディスプレイパネルＬ大画面表示、ち
らつきの無い視認性の良い表示という特徴から、又螢光
表示管は低駆動電圧、低価格、多色表示等それぞれの利
点からその市場を拡げている。
らつきの無い視認性の良い表示という特徴から、又螢光
表示管は低駆動電圧、低価格、多色表示等それぞれの利
点からその市場を拡げている。
これらの表示素子は現在表示のグラフィック化、表示の
高密度化の要望に答えるべく、表示素子用基板上に形成
する電極配線のファインピッチ化が進められてきている
。プラズマディスプレイおよび螢光光か管の構造向面図
を第１図および第２図にそれぞれ示す。
高密度化の要望に答えるべく、表示素子用基板上に形成
する電極配線のファインピッチ化が進められてきている
。プラズマディスプレイおよび螢光光か管の構造向面図
を第１図および第２図にそれぞれ示す。
プラズマディスプレイパネルにおいては第１図に示す如
く、後面基板用ガラス板ｌ上に電極配線２か形成され、
この上に酸化８を主成分とするη（り硅酸鉛ガラスから
成る訪電体ｒｒｌｉ３か形成されている。一方表示面ガ
ラス板４には 膜等の訪問導電膜から成る電極配線５が
形成されており、引き出し電ｆｆ１６によって外部端子
と接続されている。これら電極は稜面基板と同様誘電体
層７で俣われている。後面基板と表示面基板はネオンガ
ス等が導入される故ＴＬ空間８を形成し、同時にアリ１
．トガラス９でシーリングされている。又各表示部の誘
電体層はＭｉＯ等の耐放電材料ｌＯで被覆されている。
く、後面基板用ガラス板ｌ上に電極配線２か形成され、
この上に酸化８を主成分とするη（り硅酸鉛ガラスから
成る訪電体ｒｒｌｉ３か形成されている。一方表示面ガ
ラス板４には 膜等の訪問導電膜から成る電極配線５が
形成されており、引き出し電ｆｆ１６によって外部端子
と接続されている。これら電極は稜面基板と同様誘電体
層７で俣われている。後面基板と表示面基板はネオンガ
ス等が導入される故ＴＬ空間８を形成し、同時にアリ１
．トガラス９でシーリングされている。又各表示部の誘
電体層はＭｉＯ等の耐放電材料ｌＯで被覆されている。
螢光表示管は第２図に示す如く基板用ガラス板２１上に
７仮配線２２が形成され、この上を酸化鉛を主成分とす
る硼硅酸鉛ガラスから成る絶厩層２３が覆っている。１
１極配線はスルーホールを介してグラファイト等から成
る陽極セグメント層２４と接しており、陽極セグメント
層の上には螢光体層２５が表示パターンを形成している
。このような基板とカバーガラス２６およびスペーサー
ガラス２７が工を空容器を形成しており、この中にだ１
電子放出源である酸化物陰極フィラメ／ト２８．電子線
制御用グリッド２９が設置されている。
７仮配線２２が形成され、この上を酸化鉛を主成分とす
る硼硅酸鉛ガラスから成る絶厩層２３が覆っている。１
１極配線はスルーホールを介してグラファイト等から成
る陽極セグメント層２４と接しており、陽極セグメント
層の上には螢光体層２５が表示パターンを形成している
。このような基板とカバーガラス２６およびスペーサー
ガラス２７が工を空容器を形成しており、この中にだ１
電子放出源である酸化物陰極フィラメ／ト２８．電子線
制御用グリッド２９が設置されている。
以上の如き構造の各表示素子の電極配線は従来ガラス版
上に銀ペーストを厚膜印刷し、５５０〜６００Ｃの温度
で焼成し℃形成しくいた。しかしなからこり／！ｒ′に
スクリーン印相１法ではピッチが、０．２脳、純＋１Ｊ
Ｏ，１鴫以下の配線パターン全圏精度かつ再現性よく
形成することか困難であった。近年このファインパター
ン化に対応すべく厚膜印刷法のかわりに金ＦＡ ％７膜
をパターニングし−Ｃ？４を極配線を形成する方法が用
いられきつつある。薄膜用金りとし”（はアルミニウム
、釦、クロムと銅の多病脹等かあるか、高い専一率、低
コストの面からアルミニウムかＡ丈も逸し℃いる。とこ
ろか篭極配融論をしうＩ電体編成いは絶縁層に使用する
酸化鉛を主成分とする硼硅市鉛ガラス（以下、１−低融
点ガラス」と井ぷこととする）−あ食性力・高く、アル
ミニウム荀９フ化とセ曵しまう。すなわち、基板上のア
ルミニウム電極配紛上に誘電体隔成いは絶に１−を厚膜
印刷法等でも７布し、大気中５５０〜６００υの条件で
焼成うる際にアルミニウムｍ＆配廁か軸直されミしまい
、電気法２ｈ友か着しく低下し又し筐うというＩＨＪ題
か生する。
上に銀ペーストを厚膜印刷し、５５０〜６００Ｃの温度
で焼成し℃形成しくいた。しかしなからこり／！ｒ′に
スクリーン印相１法ではピッチが、０．２脳、純＋１Ｊ
Ｏ，１鴫以下の配線パターン全圏精度かつ再現性よく
形成することか困難であった。近年このファインパター
ン化に対応すべく厚膜印刷法のかわりに金ＦＡ ％７膜
をパターニングし−Ｃ？４を極配線を形成する方法が用
いられきつつある。薄膜用金りとし”（はアルミニウム
、釦、クロムと銅の多病脹等かあるか、高い専一率、低
コストの面からアルミニウムかＡ丈も逸し℃いる。とこ
ろか篭極配融論をしうＩ電体編成いは絶縁層に使用する
酸化鉛を主成分とする硼硅市鉛ガラス（以下、１−低融
点ガラス」と井ぷこととする）−あ食性力・高く、アル
ミニウム荀９フ化とセ曵しまう。すなわち、基板上のア
ルミニウム電極配紛上に誘電体隔成いは絶に１−を厚膜
印刷法等でも７布し、大気中５５０〜６００υの条件で
焼成うる際にアルミニウムｍ＆配廁か軸直されミしまい
、電気法２ｈ友か着しく低下し又し筐うというＩＨＪ題
か生する。
（３）発明の目的
この発明の目的はこの低融点ガラスによるアルミニウム
電極配線のｇ食を最小限に抑える基板の製造方法を提供
することである。
電極配線のｇ食を最小限に抑える基板の製造方法を提供
することである。
（４）発明の構成および作用の説明
低融点ガラスとアルミニウム薄膜との相互作用を詳細に
調介した結果、腐食はアルミニウム薄膜と低融点ガラス
の界面および、アルミニウム薄膜とガラス板との界面の
両者で生ずることおよび電気伝導度の低下は主に後者の
腐食に因るものであることが明らかとなった。これはア
ルミニウム電極とガラス板の界面に低融点ガラスの主成
分である酸化鉛が電極配線パターンのエツジ又はアルミ
ニウム薄Ｉ＠層の微小ピンホールから侵入拡散し、ガラ
ス板とアルミニウム薄膜層との界面で反応が生じ腐食を
起こすものである。さらにこの腐食を上記の界面状象と
してとらえｖ４査した結果、次のことが明らかとなった
。すなわちアルミニウム薄膜を蒸着法又はスパッタリン
グ法で形成する前処理とし℃のガラス板の洗浄液のＳ類
がｇ食の程度を大きく左右する。洗浄液として水あるい
は界面活性剤の水溶液等を用いた場合には腐食が著しい
、これはガラスｒ面に強く結合した水分子又は水酸基が
水酸化アルミニウムを生成し、酸化鉛との反応性を高め
る為という結論に達した。
調介した結果、腐食はアルミニウム薄膜と低融点ガラス
の界面および、アルミニウム薄膜とガラス板との界面の
両者で生ずることおよび電気伝導度の低下は主に後者の
腐食に因るものであることが明らかとなった。これはア
ルミニウム電極とガラス板の界面に低融点ガラスの主成
分である酸化鉛が電極配線パターンのエツジ又はアルミ
ニウム薄Ｉ＠層の微小ピンホールから侵入拡散し、ガラ
ス板とアルミニウム薄膜層との界面で反応が生じ腐食を
起こすものである。さらにこの腐食を上記の界面状象と
してとらえｖ４査した結果、次のことが明らかとなった
。すなわちアルミニウム薄膜を蒸着法又はスパッタリン
グ法で形成する前処理とし℃のガラス板の洗浄液のＳ類
がｇ食の程度を大きく左右する。洗浄液として水あるい
は界面活性剤の水溶液等を用いた場合には腐食が著しい
、これはガラスｒ面に強く結合した水分子又は水酸基が
水酸化アルミニウムを生成し、酸化鉛との反応性を高め
る為という結論に達した。
（５）効果の説明
上記の結論ｊに基づき洗浄液としてトリクロルテレン（
ＣＨＣ詔 ＣＣぷｘＬ トリクロロトリフルオロエタ
ン（ＣＣ右ＣＦ’Ｒ） ＠の疎水性の有機溶剤を使用し
た所、ｇ食はほとんど生じないことが判明しｆｃｏ腐食
は低融点ガラス層の焼成過程で生ずるがこの焼成温度が
高い程腐食の程度は大きい。この焼成温度を食えた試Ｐ
結果を用い本発明の効果を明らかにする。ガラス板を純
水を用いブラシ洗浄した後にスパ クリング法で厚’ｇ
１．５μｍのアルミニウム薄膜を形成した、舶用］０．
０８Ｂの細へメパターンをンオトエ、チング法でパター
ニングした後低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法
で塗布し大気中種）ｚ （７，）電波で焼、我した。こ
の舶来５７０Ｃ以上の焼成温度ですべてのサンプルで腐
食か観莱された。これに対しニガラス板の洗浄をトリク
ロ、門−レンを用いたブラシ洗浄で実施したサンプルで
は６２０Ｃ以下の焼成温度では全く腐食は認められず、
６３０ｔ：’の条件で約５チのサンプルで腐食が生じた
にすぎなかった、通常の低融点ガラスの焼成温度が５６
Ｑ ’（〜６００Ｃであることを考えれば本発明による
基板の製造方法の有効性は明らかである。
ＣＨＣ詔 ＣＣぷｘＬ トリクロロトリフルオロエタ
ン（ＣＣ右ＣＦ’Ｒ） ＠の疎水性の有機溶剤を使用し
た所、ｇ食はほとんど生じないことが判明しｆｃｏ腐食
は低融点ガラス層の焼成過程で生ずるがこの焼成温度が
高い程腐食の程度は大きい。この焼成温度を食えた試Ｐ
結果を用い本発明の効果を明らかにする。ガラス板を純
水を用いブラシ洗浄した後にスパ クリング法で厚’ｇ
１．５μｍのアルミニウム薄膜を形成した、舶用］０．
０８Ｂの細へメパターンをンオトエ、チング法でパター
ニングした後低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法
で塗布し大気中種）ｚ （７，）電波で焼、我した。こ
の舶来５７０Ｃ以上の焼成温度ですべてのサンプルで腐
食か観莱された。これに対しニガラス板の洗浄をトリク
ロ、門−レンを用いたブラシ洗浄で実施したサンプルで
は６２０Ｃ以下の焼成温度では全く腐食は認められず、
６３０ｔ：’の条件で約５チのサンプルで腐食が生じた
にすぎなかった、通常の低融点ガラスの焼成温度が５６
Ｑ ’（〜６００Ｃであることを考えれば本発明による
基板の製造方法の有効性は明らかである。
４ 図面のｆ”が、な説明
第１図はプラズマディスプレイパネルの構造断面図、第
２図は螢光表示管の構造断面図である１、ｌ・・・・・
・後面基板ガラス板、２・・・・・・電極配線、３゜７
・・・・−・誘電体層、４・・・・・・表示面ガラス板
、５・・・・・・誘明導電膜電極配線、６・・・・・・
引き出し電極、８・・・放電空間、９・・・・・・フリ
ットガラス、２１・・・・・・基板用ガラス板、２２・
・・・・・電極配線、２３・・・・・・絶縁層、２４・
・・・・・陽極上グメント層、２５・・・・・・螢光体
層、２６・・・・・・カバー〃ラス、２７・・・・・・
スペーサーガラス、２８・・・・・・醇化物陰極フィラ
メント、２９・・・・・・グリッド１、 粥１図
２図は螢光表示管の構造断面図である１、ｌ・・・・・
・後面基板ガラス板、２・・・・・・電極配線、３゜７
・・・・−・誘電体層、４・・・・・・表示面ガラス板
、５・・・・・・誘明導電膜電極配線、６・・・・・・
引き出し電極、８・・・放電空間、９・・・・・・フリ
ットガラス、２１・・・・・・基板用ガラス板、２２・
・・・・・電極配線、２３・・・・・・絶縁層、２４・
・・・・・陽極上グメント層、２５・・・・・・螢光体
層、２６・・・・・・カバー〃ラス、２７・・・・・・
スペーサーガラス、２８・・・・・・醇化物陰極フィラ
メント、２９・・・・・・グリッド１、 粥１図
Claims (1)
- ガラス板上にアルミニウム薄膜で電極配線を形成しこ
の上に酸化鉛を主成分とする低融点ガラスを誘電体層或
いは絶縁層として塗布形成する表示素子用基板の製造方
法において、ガラス板を疎水性の有機溶剤で洗浄した後
にアルミニウム薄膜を蒸着法或いはスパッタリング法で
形成することを特徴とする表示素子用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176210A JPS6154136A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 表示素子用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176210A JPS6154136A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 表示素子用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154136A true JPS6154136A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16009545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176210A Pending JPS6154136A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 表示素子用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154136A (ja) |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59176210A patent/JPS6154136A/ja active Pending
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