JPS6149475A - 紫外線照射型半導体装置 - Google Patents
紫外線照射型半導体装置Info
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- JPS6149475A JPS6149475A JP17186884A JP17186884A JPS6149475A JP S6149475 A JPS6149475 A JP S6149475A JP 17186884 A JP17186884 A JP 17186884A JP 17186884 A JP17186884 A JP 17186884A JP S6149475 A JPS6149475 A JP S6149475A
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- Japan
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- ultraviolet
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、紫外線消去型半導体装置(以下UV−EPR
OMと略す)に関するものである。
OMと略す)に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、UV−EPROMにおいては紫外線の照射総時間
については全く認知不可能であった。しかしこれらの量
はUV−EFROMの信頼性で非常に重要な位置を占め
ている。すなわち紫外線の照射総時間に関しては、長時
間紫外線を照射した場合、絶縁層内の電子が高いエネル
ギーを与えられ、これら電子による結晶欠陥が生成され
る可能性がある。
については全く認知不可能であった。しかしこれらの量
はUV−EFROMの信頼性で非常に重要な位置を占め
ている。すなわち紫外線の照射総時間に関しては、長時
間紫外線を照射した場合、絶縁層内の電子が高いエネル
ギーを与えられ、これら電子による結晶欠陥が生成され
る可能性がある。
一方、書き込み/消去総回数に関しては、メモリ・セル
・トランジスタのゲート酸化膜中に注入された電子がS
I S i02界面ヘトラップすることによるメモ
リ・セル・トランジスタのしきい値電圧変化の問題など
と係わりがある。
・トランジスタのゲート酸化膜中に注入された電子がS
I S i02界面ヘトラップすることによるメモ
リ・セル・トランジスタのしきい値電圧変化の問題など
と係わりがある。
発明の目的
本発明はUV−EPROMの紫外線の照射総時間、書き
込み/消去総回数をモニタすることが可能な紫外線照射
型半導体装置を提供するものである。
込み/消去総回数をモニタすることが可能な紫外線照射
型半導体装置を提供するものである。
発明の構成
半導体基板上にソース、ドレイン拡散層と、絶縁膜を介
して二層のゲート電極とを有し、且つ、前記ソース、ド
レイン拡散層の一方に接触した電極配線を、絶縁膜を介
して、前記二層のゲート電極および前記ソース、ドレイ
ン拡散層の他方の領域まで延長配設した紫外線照射型半
導体装置であシ、これにより、しきい値の変化から紫外
線照射量を判定することができる。
して二層のゲート電極とを有し、且つ、前記ソース、ド
レイン拡散層の一方に接触した電極配線を、絶縁膜を介
して、前記二層のゲート電極および前記ソース、ドレイ
ン拡散層の他方の領域まで延長配設した紫外線照射型半
導体装置であシ、これにより、しきい値の変化から紫外
線照射量を判定することができる。
実施例の説明
第1図a、bに本発明の紫外線照射型半導体装置の平面
図および断面図を示す。
図および断面図を示す。
最表部全面にアルミニウム層1を有し、その下方に、酸
化膜を介して、チャンネルホットエレクトロンを蓄積す
るための電気的なフローティングゲート電極2およびコ
ントロールゲート電極3ならびに、自己整合的に形成さ
れたソース、ドレイン拡散層4.6をそなえ、さらに、
アルミニウム層1は、コンタクト用アルミニウム層6に
よって、ドレイン拡散層5に接続している。なお、第1
図a、bで、7は絶縁膜、8は半導体基板である。
化膜を介して、チャンネルホットエレクトロンを蓄積す
るための電気的なフローティングゲート電極2およびコ
ントロールゲート電極3ならびに、自己整合的に形成さ
れたソース、ドレイン拡散層4.6をそなえ、さらに、
アルミニウム層1は、コンタクト用アルミニウム層6に
よって、ドレイン拡散層5に接続している。なお、第1
図a、bで、7は絶縁膜、8は半導体基板である。
第1図すに示すようにメモリ・セル・トランジスタはア
ルミニウム層1で被覆されているために、入射紫外線は
半導体基板8あるいはソース拡散層と 4とアルミニウム層1七の間を多重反射を繰シ返しなか
らフローティングゲートtで到達するので、その光学的
距離は長くなる。照射時間に対するvTの測定結果を第
2図に示す。紫外線照射時間に対する書き込みによるし
きい値電圧vT値の減少は、第1図すのアルミニウム層
1の長さLを大きくすると、アルミニウム層1の被膜が
ない場合に比べ合はメモリ・セル・トランジスタのしき
い値電圧(以下vTと呼ぶ)は初期値(t−o)vTf
からほとんど書込み前のしきい値vTi1で下るのに対
し、アルミニウム層1の被覆がある場合にはvTlとい
う、前記の書込み前のしきい値vTiよりも高い電圧を
示す。従ってアルミニウム層1による被覆がある場合、
さらに紫外線を時間2t1だけ照射すると第2図に示す
ように、しきい値vTはvT2となる、同様にn回の照
射によシ時間n−T1だけ紫外線を照射した場合、しき
い値■TはvTn となる。
ルミニウム層1で被覆されているために、入射紫外線は
半導体基板8あるいはソース拡散層と 4とアルミニウム層1七の間を多重反射を繰シ返しなか
らフローティングゲートtで到達するので、その光学的
距離は長くなる。照射時間に対するvTの測定結果を第
2図に示す。紫外線照射時間に対する書き込みによるし
きい値電圧vT値の減少は、第1図すのアルミニウム層
1の長さLを大きくすると、アルミニウム層1の被膜が
ない場合に比べ合はメモリ・セル・トランジスタのしき
い値電圧(以下vTと呼ぶ)は初期値(t−o)vTf
からほとんど書込み前のしきい値vTi1で下るのに対
し、アルミニウム層1の被覆がある場合にはvTlとい
う、前記の書込み前のしきい値vTiよりも高い電圧を
示す。従ってアルミニウム層1による被覆がある場合、
さらに紫外線を時間2t1だけ照射すると第2図に示す
ように、しきい値vTはvT2となる、同様にn回の照
射によシ時間n−T1だけ紫外線を照射した場合、しき
い値■TはvTn となる。
従って、第3図に示すように、アルミニウム層1の被覆
の長さLを適当に選ぶことによシ、そのしきい値■Tの
変化から逆に、紫外線の照射総時間を知ることが可能と
なる。
の長さLを適当に選ぶことによシ、そのしきい値■Tの
変化から逆に、紫外線の照射総時間を知ることが可能と
なる。
発明の効果
本発明の紫外線照射型半導体装置によると、使用中のU
V−EPROMのそれまでの紫外線照射総時間、書き込
み/消去回数を知ることができ、したがって、本発明装
置は、UV−EFROMの信頼性を評価する上で非常に
有用な紫外線照射モニターの機能を発揮するものである
。
V−EPROMのそれまでの紫外線照射総時間、書き込
み/消去回数を知ることができ、したがって、本発明装
置は、UV−EFROMの信頼性を評価する上で非常に
有用な紫外線照射モニターの機能を発揮するものである
。
第1図a、bは本発明の紫外線照射時間モニタの平面図
および断面図、第2図は紫外線照射時間に対するしきい
値電圧■Tの変化を示す図、第3図はしきい値電圧の変
化に対して紫外線累積照射時間を、AL被覆層の長さL
をパラメー・夕として表わした図である。 1・・・・・・AL被覆層、2・・・・・・フローティ
ングゲート、3・・・・・・コントロールゲート、4・
・川・トレイン拡散層、6・・・・・・ソース拡散層、
6・・・・・・コンタクト、7・・・・・・絶縁層、8
・・・・・・Si 半導体基板。 第1図 第2図 第3図 y、(sl 1 =77−
および断面図、第2図は紫外線照射時間に対するしきい
値電圧■Tの変化を示す図、第3図はしきい値電圧の変
化に対して紫外線累積照射時間を、AL被覆層の長さL
をパラメー・夕として表わした図である。 1・・・・・・AL被覆層、2・・・・・・フローティ
ングゲート、3・・・・・・コントロールゲート、4・
・川・トレイン拡散層、6・・・・・・ソース拡散層、
6・・・・・・コンタクト、7・・・・・・絶縁層、8
・・・・・・Si 半導体基板。 第1図 第2図 第3図 y、(sl 1 =77−
Claims (1)
- 半導体基板上にソース、ドレイン拡散層と、絶縁膜を介
して二層のゲート電極とを有し、且つ前記ソース、ドレ
イン拡散層の一方に接触した電極配線を絶縁膜を介して
、前記二層ゲート電極および前記ソース、ドレイン拡散
層の他方の領域まで延長配設したことを特徴とする紫外
線照射型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17186884A JPS6149475A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 紫外線照射型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17186884A JPS6149475A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 紫外線照射型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6149475A true JPS6149475A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15931275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17186884A Pending JPS6149475A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 紫外線照射型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6149475A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5034786A (en) * | 1986-08-29 | 1991-07-23 | Waferscale Integration, Inc. | Opaque cover for preventing erasure of an EPROM |
US5070378A (en) * | 1988-09-22 | 1991-12-03 | Nec Corporation | Eprom erasable by uv radiation having redundant circuit |
JPH06158993A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Koichi Uemura | オープンシールド工法およびオープンシールド機 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP17186884A patent/JPS6149475A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5034786A (en) * | 1986-08-29 | 1991-07-23 | Waferscale Integration, Inc. | Opaque cover for preventing erasure of an EPROM |
US5070378A (en) * | 1988-09-22 | 1991-12-03 | Nec Corporation | Eprom erasable by uv radiation having redundant circuit |
JPH06158993A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Koichi Uemura | オープンシールド工法およびオープンシールド機 |
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