JPS5821368A - Ｅｐｒｏｍの製造方法 - Google Patents
Ｅｐｒｏｍの製造方法Info
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- JPS5821368A JPS5821368A JP56117642A JP11764281A JPS5821368A JP S5821368 A JPS5821368 A JP S5821368A JP 56117642 A JP56117642 A JP 56117642A JP 11764281 A JP11764281 A JP 11764281A JP S5821368 A JPS5821368 A JP S5821368A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
こＯ発明はｌＰＲＯＭ （Ｉｒａｓａｂｌ＠＆ ＰｒＩ
ｇｒａｍｍａｂｌｅｌｅａ４０＋ａｌｙ Ｍ＠ｍｒｒｙ
） ４Ｄ製造方法にかが９、特に電気特性の向上をは
かるためＯ製造方法の改ｊＬＫ関する。
ｇｒａｍｍａｂｌｅｌｅａ４０＋ａｌｙ Ｍ＠ｍｒｒｙ
） ４Ｄ製造方法にかが９、特に電気特性の向上をは
かるためＯ製造方法の改ｊＬＫ関する。
半導体メモリで書換えを可能にするため、７０−ティン
グゲートの上にさらＫｙ−Ｆを設は九２層Ｊｐ−）ＭＯ
ＩＫよる鳶Ｐ鼠ＯＭがある。これは第１図に示すように
、酸化シリコン層１１）Ｋよってシリコン基板（２１と
も、また相互にも電気絶縁して形成され九スタックの多
結晶シリコンｙ−）０下１１１０多結晶シリコン層（３
）が電子を捕獲するいわゆるフローティング１１’−）
でＴｏ）、上側Ｏ多結晶シリコン層（４は７０−テイン
ダｌ−トに電子を注入するところの書込み用電極として
層−られている、そして、メモリ竜ルとして嬉！ｓＫ示
すようにアドレス線（５）とデータ＊（６ＪとＫｌｉ購
されて回路を形成する。また、消去するには紫外−を履
射することによって注入されて−る電子を放出させ消去
を連成する。このようｔｉｃｐｌＯＭＯ劇造にシーで、
ウェハブーセスが完了した０′ｂ１１針管用−て電気的
特性を測定するｉわゆる、ゾル−ピングテストｔＪＩし
て書込み特性、入出力リーク等の評価を施しこのｌＰＲ
ＯＭの歩留勤と品質がきまる。
グゲートの上にさらＫｙ−Ｆを設は九２層Ｊｐ−）ＭＯ
ＩＫよる鳶Ｐ鼠ＯＭがある。これは第１図に示すように
、酸化シリコン層１１）Ｋよってシリコン基板（２１と
も、また相互にも電気絶縁して形成され九スタックの多
結晶シリコンｙ−）０下１１１０多結晶シリコン層（３
）が電子を捕獲するいわゆるフローティング１１’−）
でＴｏ）、上側Ｏ多結晶シリコン層（４は７０−テイン
ダｌ−トに電子を注入するところの書込み用電極として
層−られている、そして、メモリ竜ルとして嬉！ｓＫ示
すようにアドレス線（５）とデータ＊（６ＪとＫｌｉ購
されて回路を形成する。また、消去するには紫外−を履
射することによって注入されて−る電子を放出させ消去
を連成する。このようｔｉｃｐｌＯＭＯ劇造にシーで、
ウェハブーセスが完了した０′ｂ１１針管用−て電気的
特性を測定するｉわゆる、ゾル−ピングテストｔＪＩし
て書込み特性、入出力リーク等の評価を施しこのｌＰＲ
ＯＭの歩留勤と品質がきまる。
上に述ぺたようにして形成され九ｍｉ”ＲＯＭで、クエ
ハプーセスｔ＃Ｉ了したＯちｔ） ７０−ティングｙ−
）Ｏｌｉｌｏ、とＰａ１Ｏ基職（２）とＯ関に形成され
る真因準位１度は通當雪ＸＩＯ”ａｇ＊−”以下でほと
んど無視できるＩＮＫ小さいが、工程中に形成される金
堂、電極形成時に加えられるダメージが完全Ｋｉｌ＆か
れないことが多く、こＯ免め晶質上低下し歩１ｉｆｔ悪
化するなどの欠点があった。
ハプーセスｔ＃Ｉ了したＯちｔ） ７０−ティングｙ−
）Ｏｌｉｌｏ、とＰａ１Ｏ基職（２）とＯ関に形成され
る真因準位１度は通當雪ＸＩＯ”ａｇ＊−”以下でほと
んど無視できるＩＮＫ小さいが、工程中に形成される金
堂、電極形成時に加えられるダメージが完全Ｋｉｌ＆か
れないことが多く、こＯ免め晶質上低下し歩１ｉｆｔ悪
化するなどの欠点があった。
こＯ発明状上記従来の欠点を改良するため帆なされたも
のて、ＥＰ翼ＯＭの改良された製造方法を提供する。
のて、ＥＰ翼ＯＭの改良された製造方法を提供する。
この発明にかかるＩＦ鼠ＯＭの製造方法は、多結晶シリ
コン層で構成された２層構造のゲートを有するもの０１
ａ造において、ブロービンダテストに先行して紫外線照
射を施すこと１＊像とする。
コン層で構成された２層構造のゲートを有するもの０１
ａ造において、ブロービンダテストに先行して紫外線照
射を施すこと１＊像とする。
以下に杢発明を１実施例につき詳細に説明する。
Ｐ瀝Ｏシリコン基板にウェハプロセスを施して］ＩＰＩ
ＯＭｔ−形成し、ブロービングテストｔ−施すに先行し
て、紫外１ＩＩＩ＃Ｉを麹す。この紫外！ＩＩＩ射は例
えば４０ワツトの紫外線ランプＫ Ｓ Ｃａｌの距離で
対向させて照射を施すと、第３図に示すように表面単位
−変と相−のあるスレショルド値圧（ｖ、ｒＨ）が次第
に上昇する傾向にＴｏり、約１０時間で飽和する。
ＯＭｔ−形成し、ブロービングテストｔ−施すに先行し
て、紫外１ＩＩＩ＃Ｉを麹す。この紫外！ＩＩＩ射は例
えば４０ワツトの紫外線ランプＫ Ｓ Ｃａｌの距離で
対向させて照射を施すと、第３図に示すように表面単位
−変と相−のあるスレショルド値圧（ｖ、ｒＨ）が次第
に上昇する傾向にＴｏり、約１０時間で飽和する。
すなわち、表面単位１１度が最小になることを示してい
る。
る。
上述の如く形成されたｌＰＲＯＭではプ・−ビンダテス
トを実施した際の書込み特性がきわめて良好ＫＩＤ、こ
のテストにおける歩留）が約５−向上をみるという顕著
な効果が認められた。また、この発明紘実施が簡単であ
る刹点もある。
トを実施した際の書込み特性がきわめて良好ＫＩＤ、こ
のテストにおける歩留）が約５−向上をみるという顕著
な効果が認められた。また、この発明紘実施が簡単であ
る刹点もある。
＄１１１はｌＰＲＯＭ０１１１０断向図、菖２図はｌＰ
ＲＯＭの一部の回路図、第３図はｘ＊ｍ＊ｏ紫外−照射
時間とスレショルド値との相関を示すｌｌ５ｌ１１″″
Ｃある。 １ ＠化シｖ：ｔｙｍ ３ 下側の多結晶シリコン層４
上１ＩＩＯ多結晶シリスン層５ アドレス− ６データ１ 代理人 弁理士 井 上 −男
ＲＯＭの一部の回路図、第３図はｘ＊ｍ＊ｏ紫外−照射
時間とスレショルド値との相関を示すｌｌ５ｌ１１″″
Ｃある。 １ ＠化シｖ：ｔｙｍ ３ 下側の多結晶シリコン層４
上１ＩＩＯ多結晶シリスン層５ アドレス− ６データ１ 代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- 多結晶シｖ′：１７層で構成された２層構造のゲートを
有するｌｃＰ鼠ＯＭＯ負造において、ブロービングテス
トに先立って紫外線照射を施すことを特徴とスルｉｃｐ
ｉｉｏｍｏｍ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117642A JPS5821368A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | Ｅｐｒｏｍの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117642A JPS5821368A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | Ｅｐｒｏｍの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821368A true JPS5821368A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS6354226B2 JPS6354226B2 (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14716740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117642A Granted JPS5821368A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | Ｅｐｒｏｍの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821368A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161872A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59184569A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
| JPH01172213U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 | ||
| US5312771A (en) * | 1990-03-24 | 1994-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical annealing method for semiconductor layer and method for producing semiconductor device employing the same semiconductor layer |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP56117642A patent/JPS5821368A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161872A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59184569A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
| JPH0534838B2 (ja) * | 1983-04-05 | 1993-05-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
| JPH01172213U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 | ||
| US5312771A (en) * | 1990-03-24 | 1994-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical annealing method for semiconductor layer and method for producing semiconductor device employing the same semiconductor layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6354226B2 (ja) | 1988-10-27 |
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