JPS6149463A - 一次元イメ−ジセンサ - Google Patents
一次元イメ−ジセンサInfo
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- JPS6149463A JPS6149463A JP59171876A JP17187684A JPS6149463A JP S6149463 A JPS6149463 A JP S6149463A JP 59171876 A JP59171876 A JP 59171876A JP 17187684 A JP17187684 A JP 17187684A JP S6149463 A JPS6149463 A JP S6149463A
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、−次元密着型イメージセンサの単位要素とな
る一次元イメージセンサに関するものである。
る一次元イメージセンサに関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、ファクシミリの小型化、低コスト化を目指し原稿
幅と同寸法の読取幅を持った密着型−次元イメージセン
サが重要視されてきた。
幅と同寸法の読取幅を持った密着型−次元イメージセン
サが重要視されてきた。
以下、図面を参照しながら、従来の密着型−次元イメー
ジセンサについて説明を行う。
ジセンサについて説明を行う。
第１図は、単結晶シリコンを用いて作られたＣ０Ｄ−次
元イメージセンサを二列に配列することによって形成し
た従来の密着型−次元イメージセンサの模式的な構成図
を示すものである。第１図において、１は単結晶シリコ
ン基板上に作られたＣ０Ｄ−次元イメージセンサ、２は
所定数のＣ０Ｄ−次元イメージセンサが固着される基板
である。
元イメージセンサを二列に配列することによって形成し
た従来の密着型−次元イメージセンサの模式的な構成図
を示すものである。第１図において、１は単結晶シリコ
ン基板上に作られたＣ０Ｄ−次元イメージセンサ、２は
所定数のＣ０Ｄ−次元イメージセンサが固着される基板
である。
以上のように構成された密着型イメージセンサでは、図
示するようにＣ０Ｄ−次元イメージセンサが２列に配置
されているため、ロッドレンズも２列に配置する必要が
あり、光学系が複雑になるなどの問題がある。
示するようにＣ０Ｄ−次元イメージセンサが２列に配置
されているため、ロッドレンズも２列に配置する必要が
あり、光学系が複雑になるなどの問題がある。
発明の目的
本発明は、複数個の一次元イメージセンサを隣接させて
一次元に配置することを可能にし、光学系の簡略化され
た密着型−次元イメージセンサを実現することができる
一次元イメンジセンサの提供を目的とするものである。
一次元に配置することを可能にし、光学系の簡略化され
た密着型−次元イメージセンサを実現することができる
一次元イメンジセンサの提供を目的とするものである。
発明の構成
本発明の一次元イメージセンサは、等間隔で一次元配列
される多数個の光電変換要素と、同光電変換要素に蓄積
された光信号電荷を順番に読みだすＣＣＤ水平シフトレ
ジスタとを単一の半導体基板内へ一体的に作り込むとと
もに、前記多数個の光電変換要素の両端に位置する光電
変換要素の端縁から半導体基板の端縁までの距離が、光
電変換要素の離間間隔の２分の１以下に選定された構成
となっている。この構成の一次元イメージセンサを複数
個隣接させて一次元配置した場合、前段側に配置した一
次元イメージセンサの終端部に位置する光電変換要素と
、後段側に配置した一次元イメージセンサの始端に位置
する光電変換要素との離間間隔が、各−次元イメージセ
ンサ内の光電変換要素間の離間間隔と等しいか、これよ
シ小さくなり、解像度に悪影響を及ぼすことのない一次
元イメージセンサの一次元配列が可能になる。
される多数個の光電変換要素と、同光電変換要素に蓄積
された光信号電荷を順番に読みだすＣＣＤ水平シフトレ
ジスタとを単一の半導体基板内へ一体的に作り込むとと
もに、前記多数個の光電変換要素の両端に位置する光電
変換要素の端縁から半導体基板の端縁までの距離が、光
電変換要素の離間間隔の２分の１以下に選定された構成
となっている。この構成の一次元イメージセンサを複数
個隣接させて一次元配置した場合、前段側に配置した一
次元イメージセンサの終端部に位置する光電変換要素と
、後段側に配置した一次元イメージセンサの始端に位置
する光電変換要素との離間間隔が、各−次元イメージセ
ンサ内の光電変換要素間の離間間隔と等しいか、これよ
シ小さくなり、解像度に悪影響を及ぼすことのない一次
元イメージセンサの一次元配列が可能になる。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第２図は、本発明の一次元イメージセンサを一列
に並べて形成した密着型イメージセンサの模式的構成図
である。第２図において、２１は一次元イメージセンサ
が配設される基板、２２は一次元イメージセンサ、２３
はＣＣＤイメージセンナ内に作り込まれだ光電変換要素
（ホトダイオード）である。第２図に示すように、密着
型イメージセンサの実現には、その構成主体になる各−
次元イメージセンサ２２において、両端に位置するホト
ダイオードを半導体基板の端縁の極く近傍に１で位置さ
せる必要がある。
する。第２図は、本発明の一次元イメージセンサを一列
に並べて形成した密着型イメージセンサの模式的構成図
である。第２図において、２１は一次元イメージセンサ
が配設される基板、２２は一次元イメージセンサ、２３
はＣＣＤイメージセンナ内に作り込まれだ光電変換要素
（ホトダイオード）である。第２図に示すように、密着
型イメージセンサの実現には、その構成主体になる各−
次元イメージセンサ２２において、両端に位置するホト
ダイオードを半導体基板の端縁の極く近傍に１で位置さ
せる必要がある。
第３図は、本発明の一次元イメージセンサの模式的構成
図である。第３図において、３２はシリコン基板、３３
１〜３３ｎは一次元に配置されたホトダイオード、３４
は信号線、３５はＣＣＤ水平シフトレジスタ、３６はア
ンプそして３７は呼び水転送部である。ところで、本発
明の一次元イメージセンサでは、各ホトダイオード間の
離間間隔をｔとし、両端に位置するホトダイオード３３
１ および３３ｎ の端からシリコン基板３２の端縁ま
での距離をｔｌ として、両者間に、ｔ１≦Ｋｌ
の関係を成立させている。このような関係を成立させる
ことによシ、第２図で示したような一次元配列構成の密
着型イメージセンサを形成した場合に、隣接配置された
一次元イメージセンサのそれぞれの最外端に位置し、し
かも隣り合うホトダイオード間の離間間隔が２ｔ１（≦
ｔ）となり、各−次元イメージセンサ内のホトダイオー
ド間の離間間隔とほぼ等しくなる。なお、このような構
造とされた本発明の一次元イメージセンサでは、ホトダ
イオード３３１〜３３ｎ で光電変換された信号電荷は
信号線３４を通り、さらに呼び水転送部３７により、内
部バイアス電荷を用いて、信号線から効率よ＜ＣＣＤ水
平シフトレジスタ３６へ信号電荷を転送し、さらにこの
信号電荷をＣＣＤ水平ソフトレジスタによシ順番にアン
プ３６へ送り込み、アンプから増幅した信号を取りだす
基本動作が実行される。
図である。第３図において、３２はシリコン基板、３３
１〜３３ｎは一次元に配置されたホトダイオード、３４
は信号線、３５はＣＣＤ水平シフトレジスタ、３６はア
ンプそして３７は呼び水転送部である。ところで、本発
明の一次元イメージセンサでは、各ホトダイオード間の
離間間隔をｔとし、両端に位置するホトダイオード３３
１ および３３ｎ の端からシリコン基板３２の端縁ま
での距離をｔｌ として、両者間に、ｔ１≦Ｋｌ
の関係を成立させている。このような関係を成立させる
ことによシ、第２図で示したような一次元配列構成の密
着型イメージセンサを形成した場合に、隣接配置された
一次元イメージセンサのそれぞれの最外端に位置し、し
かも隣り合うホトダイオード間の離間間隔が２ｔ１（≦
ｔ）となり、各−次元イメージセンサ内のホトダイオー
ド間の離間間隔とほぼ等しくなる。なお、このような構
造とされた本発明の一次元イメージセンサでは、ホトダ
イオード３３１〜３３ｎ で光電変換された信号電荷は
信号線３４を通り、さらに呼び水転送部３７により、内
部バイアス電荷を用いて、信号線から効率よ＜ＣＣＤ水
平シフトレジスタ３６へ信号電荷を転送し、さらにこの
信号電荷をＣＣＤ水平ソフトレジスタによシ順番にアン
プ３６へ送り込み、アンプから増幅した信号を取りだす
基本動作が実行される。
本発明の一実施例の一次元イメージセンサの模式的断面
図を第４図に示す。第４図において、４２はＮ型シリコ
ン基板、４３はｐ−ウェル、４４はホトダイオード形成
用のｎ＋領領域４５は信号線、４６は第１の転送ゲート
ＴＧ１．４７は蓄積ゲートＴｏ、４８は第２の転送ゲー
トＴＧ２．４９は電荷蓄積部、５０はＣＣＤ部そして５
１はＣＣＤ部の電荷転送用ゲートである。
図を第４図に示す。第４図において、４２はＮ型シリコ
ン基板、４３はｐ−ウェル、４４はホトダイオード形成
用のｎ＋領領域４５は信号線、４６は第１の転送ゲート
ＴＧ１．４７は蓄積ゲートＴｏ、４８は第２の転送ゲー
トＴＧ２．４９は電荷蓄積部、５０はＣＣＤ部そして５
１はＣＣＤ部の電荷転送用ゲートである。
以上のように構成された本発明の一次元イメージセンザ
について、以下その具体的な動作を説明する。第６図は
転送ゲートＴＧ１．ＴＧ２およびＴＧ３に印加されるク
ロックパルスφＴＧ１．φＴＧ２およびφＴＧ３のタイ
ミングチ、−１−１また、第６図はポテンシャルモデル
を示したものである。
について、以下その具体的な動作を説明する。第６図は
転送ゲートＴＧ１．ＴＧ２およびＴＧ３に印加されるク
ロックパルスφＴＧ１．φＴＧ２およびφＴＧ３のタイ
ミングチ、−１−１また、第６図はポテンシャルモデル
を示したものである。
時刻ｔ１ において、容量ＣＮを有する電荷蓄積部に
グライミングミ荷Ｑｐが蓄積され、まだ、ホトダイオー
ド（ＰＤ）には、光信号電荷Ｑｓが蓄積されている。
グライミングミ荷Ｑｐが蓄積され、まだ、ホトダイオー
ド（ＰＤ）には、光信号電荷Ｑｓが蓄積されている。
時刻ｔ２になると、ゲートＴＧ１ にノくルスφＴＧ１
が印加され、プライミング電荷Ｑ がホトダイオｐ −ドに注入される。
が印加され、プライミング電荷Ｑ がホトダイオｐ −ドに注入される。
次いで、時刻ｔ３になると蓄積ゲートＴＣにパルスφＴ
ｏ が印加され、ホトダイオードに蓄積された混合電荷
（Ｑｐ＋Ｑ、）は、電荷蓄積部にプライミング転送され
る。
ｏ が印加され、ホトダイオードに蓄積された混合電荷
（Ｑｐ＋Ｑ、）は、電荷蓄積部にプライミング転送され
る。
このようにしてプライミング転送がなされ、時刻ｔ４に
なると転送ゲートＴＧ１ が、オフとなシ、プライミン
グ転送が終了する。
なると転送ゲートＴＧ１ が、オフとなシ、プライミン
グ転送が終了する。
時刻ｔ６になると、ゲートＴＧ２ にパルスφＴＧ２が
印加され、さらに、蓄積グー）Ｔ。がオフとなり、電荷
蓄積部の電荷Ｑ８ のみが、ＣＣＤにスキミング転送さ
れる。
印加され、さらに、蓄積グー）Ｔ。がオフとなり、電荷
蓄積部の電荷Ｑ８ のみが、ＣＣＤにスキミング転送さ
れる。
時刻ｔ６ になると転送ゲートＴＧ２ がオフとなり
、スキミング転送が終了する。
、スキミング転送が終了する。
以上の動作で、ホトダイオードから、信号電荷Ｑ８ は
、ＣＣＤに効率よく転送される。次にＣＣＤ＄□
を駆動することにより順番に出力アンプから信
号出力を読み出す。
、ＣＣＤに効率よく転送される。次にＣＣＤ＄□
を駆動することにより順番に出力アンプから信
号出力を読み出す。
発明の詳細
な説明したように、本発明の一次元イメージセンサは、
複数個を隣接させて一次元配置することによシ、密着型
の一次元イメージセンサを構成することが可能となる。
複数個を隣接させて一次元配置することによシ、密着型
の一次元イメージセンサを構成することが可能となる。
このため、ロンドレンズの配列も一次元配列とすること
ができ光学系を簡略化することができる。また、ホトダ
イオードと、ＣＣＤ水平シフトレジスタとの間に、２つ
の転送ゲートＴＧ１．ＴＧ２ とその間にＴＣゲートに
よる電荷蓄積部とから構成された呼び水転送部を加えた
構造にすることにより、ホトダイオードから信号電荷を
ＣＣＤ水平シフトレジスタに効率よく転送することがで
き、その実用的効果は犬なるものがある。
ができ光学系を簡略化することができる。また、ホトダ
イオードと、ＣＣＤ水平シフトレジスタとの間に、２つ
の転送ゲートＴＧ１．ＴＧ２ とその間にＴＣゲートに
よる電荷蓄積部とから構成された呼び水転送部を加えた
構造にすることにより、ホトダイオードから信号電荷を
ＣＣＤ水平シフトレジスタに効率よく転送することがで
き、その実用的効果は犬なるものがある。
捷た、光電変換部と水平ＣＣＤとは離れていて、その間
を信号線で結ぶ構成になっているため、水平ＣＣＤのし
ゃ光が容易に行なえる効果も奏される。
を信号線で結ぶ構成になっているため、水平ＣＣＤのし
ゃ光が容易に行なえる効果も奏される。
第１図は、従来のＣ０Ｄ−次元イメージセンサを一松状
に配列することによって作られた密着型−次元イメージ
センサの模式的構成図、第２図は本発明の一次元イメー
ジセンサを一次元配置して形成した密着型−次元イメー
ジセンサの模式的構成図、第３図は、本発明の一実施例
にかかる一次元イメージセンサの模式的構成図、第４図
は、本発明の一実施例にかかる一次元イメージ七ンサの
模式的断面図、第５図は、駆動パルスのタイミング図、
第６図は、同一次元イメージセンサの動作説明のだめの
ポテンシャル図である。 ２１・・・・基板、２２・・・・・−次元イメージセン
サ、２３ 、３３１〜３３ｎ・・・・・・光電変換要素
、３２・・・・・・ンリコン基板、３４．４５・・印・
信号線、３５・・・・ＣＣＤ水平シフトレジスタ、３６
・・・・・・アンプ、３７・ ・・呼び水転送部、４３
・・・・・・ｐ−ウェル、４４・・・・・ｎ＋領領域４
６．４８・・旧転送ゲート、４了・・・・・蓄積ゲート
、４９・・・・・電荷蓄積部、５ｏ・・・・・・ＣＣＤ
部、５１・・・−・ＣＣＤ部の転送ゲート。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ？ 第４図 第５図 ｆｌｉｔ ｌ １ １１１１ Ｉｌ １；ｔ ｉ−ｚ ｔＪ
ど４ ｔタ ／ｌ第６図 （その１） ｆＤ （’／Ｖ ＣＣＤ第６図 （イの？ノ ヌキミングμ、蓬
に配列することによって作られた密着型−次元イメージ
センサの模式的構成図、第２図は本発明の一次元イメー
ジセンサを一次元配置して形成した密着型−次元イメー
ジセンサの模式的構成図、第３図は、本発明の一実施例
にかかる一次元イメージセンサの模式的構成図、第４図
は、本発明の一実施例にかかる一次元イメージ七ンサの
模式的断面図、第５図は、駆動パルスのタイミング図、
第６図は、同一次元イメージセンサの動作説明のだめの
ポテンシャル図である。 ２１・・・・基板、２２・・・・・−次元イメージセン
サ、２３ 、３３１〜３３ｎ・・・・・・光電変換要素
、３２・・・・・・ンリコン基板、３４．４５・・印・
信号線、３５・・・・ＣＣＤ水平シフトレジスタ、３６
・・・・・・アンプ、３７・ ・・呼び水転送部、４３
・・・・・・ｐ−ウェル、４４・・・・・ｎ＋領領域４
６．４８・・旧転送ゲート、４了・・・・・蓄積ゲート
、４９・・・・・電荷蓄積部、５ｏ・・・・・・ＣＣＤ
部、５１・・・−・ＣＣＤ部の転送ゲート。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ？ 第４図 第５図 ｆｌｉｔ ｌ １ １１１１ Ｉｌ １；ｔ ｉ−ｚ ｔＪ
ど４ ｔタ ／ｌ第６図 （その１） ｆＤ （’／Ｖ ＣＣＤ第６図 （イの？ノ ヌキミングμ、蓬
Claims (1)
- 等間隔で一次元配列される多数個の光電変換要素と、同
光電変換要素に蓄積された光信号電荷を順番に読みだす
ＣＣＤ水平シフトレジスタとを単一の半導体基板内へ一
体的に作り込むとともに、前記多数個の光電変換要素の
両端に位置する光電変換要素の端縁から半導体基板の端
縁までの距離が、光電変換要素の離間間隔の２分の１以
下に選定されていることを特徴とする一次元イメージセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171876A JPS6149463A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 一次元イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171876A JPS6149463A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 一次元イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149463A true JPS6149463A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15931428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171876A Pending JPS6149463A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 一次元イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149463A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128749A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサ |
| EP0468255A2 (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-29 | SEIKO INSTRUMENTS & ELECTRONICS LTD. | Linear image sensor of the contact type |
| EP0480775A2 (en) * | 1990-10-12 | 1992-04-15 | Seiko Instruments Inc. | An image sensor and a method of inspecting image sensors |
| WO2009151004A1 (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 分光装置及びその駆動方法 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171876A patent/JPS6149463A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128749A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサ |
| EP0468255A2 (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-29 | SEIKO INSTRUMENTS & ELECTRONICS LTD. | Linear image sensor of the contact type |
| EP0480775A2 (en) * | 1990-10-12 | 1992-04-15 | Seiko Instruments Inc. | An image sensor and a method of inspecting image sensors |
| US5329149A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-12 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with non-light-transmissive layer having photosensing windows |
| WO2009151004A1 (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 分光装置及びその駆動方法 |
| JP5317134B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-10-16 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 分光装置及びその駆動方法 |
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