JP2532583B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2532583B2
JP2532583B2 JP63142175A JP14217588A JP2532583B2 JP 2532583 B2 JP2532583 B2 JP 2532583B2 JP 63142175 A JP63142175 A JP 63142175A JP 14217588 A JP14217588 A JP 14217588A JP 2532583 B2 JP2532583 B2 JP 2532583B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は一体型ビデオカメラ等に利用できる固体撮像
素子に関するものである。
従来の技術 近年、固体撮像素子は、一体型ビデオカメラの撮像部
などに、広く実用化され、中でもインターライン転送方
式電荷転送装置(以下IT−CCDと記す)は、低雑音特性
を有するため、特に注力されている。さらにスミア特性
の良いフレーム・インターライン・トランスファ(FI
T)型CCDの開発も盛んに進められている(例えば特開昭
60−137174)。
以下、従来の固体撮像素子について図面を参照しなが
ら説明する。
第3図は従来の固体撮像素子の構成を示す概略平面図
である。第3図において、1は光電変換機能を有するフ
ォトダイオード、2はフォトダイオードに蓄積された信
号電荷を読み出す読み出しゲートとして機能するエンハ
ンスメントMOS型トランジスタ、3は信号電荷を垂直方
向に転送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送部、
4は垂直転送を制御する垂直転送ゲート、5は信号電荷
を水平方向に転送する水平転送部、6は出力部、7はイ
メージエリア、そして、8はイメージエリア7内の垂直
転送部と同数の段数を持つ蓄積部である。
なお、垂直転送部3と蓄積部8は、垂直方向に向けて
隣り合う4個の転送ゲートを含んで1ビットが形成され
る4ゲート1ビット構成であり、また垂直転送部3は読
み出しゲートが1ビット当たり2個付設された構成とな
っている。さらに、各ビットを形成する転送ゲートに
は、パルス印加用電極G1〜G8が接続されるとともに、電
極G1とG3は、読み出しゲート2にも接続される。
第4図は、上記の電極G1,G2,G3,G4,G5,G6,G7およびG8
に印加するパルスφG1,φG2,φG3,φG4,φG5,φG6,φG7
およびφG8の駆動パルス波形図であり、電極G1に印加す
るパルスφG1と電極G3に印加するパルスφG3は読み出し
と転送を制御し、ハイレベルのときには読み出しがなさ
れ、ミドルレベルとローレベルのときには転送がなされ
る。電極G2に印加するパルスφG2と電極G4に印加するパ
ルスφG4、ならびに電極G5に印加するパルスφG5,電極G
6に印加するパルスφG6,電極G7に印加するパルスφG7,
電極G8に印加するパルスφG8は、それぞれ転送を制御
し、ハイレベルとローレベルのときには転送がなされ
る。
まず、第1フィールドでの時刻t=t1の時、パルスφ
G1,φG3がハイレベルになり、フォトダイオード1に蓄
積された信号電荷が垂直転送部3に読み出され、その
後、垂直方向にとなり合う2個の信号電荷を混ぜ合わせ
る。つぎに、t=t2の時に、パルスφG1,φG2,φG3,φG
4,φG5,φG6,φG7,φG8の全てが高速転送期間になり、
信号電荷が蓄積部8に転送される。つぎに、t=t3〜t4
の期間の時に、1水平のブランキング期間に一段ずつ水
平転送部に転送し出力する。そして、第2フィールドで
の時刻t=t5〜t7の時にも同様に動作する。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような従来の固体撮像素子で
は、フォトダイオード2個に対して垂直転送部が一段に
なっているため、転送する際には、垂直方向にとなり合
う2個の信号電荷を混ぜ合わせて転送せざる得ず、垂直
方向の解像度が低下して画質を著しく低下するという問
題点を有していた。
課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明は、光電変換機
能を有する要素をn行m列に配列してなる光電変換部
と、同光電変換部で発生した信号電荷を列方向に転送す
る転送部と、前記光電変換部と転送部とを結合させて同
光電変換部の奇数行もしくは偶数行に蓄積された信号電
荷の読み出しを制御する第1の読み出しスイッチ部と、
偶数行もしくは奇数行に蓄積された信号電荷の読み出し
を制御する第2の読み出しスイッチ部と、一列おきに配
置されて少なくとも1フィールド分の電荷を蓄積するこ
とができる第1の蓄積部と、もう一方の一列おきに配置
されて少なくとも1フィールド分の電荷を蓄積すること
ができる第2の蓄積部と、水平転送部と、出力部とを備
え、第1および第2の蓄積部の転送を制御する電極は4
ゲートで1セル構成の電荷転送デバイスで、第1および
第2の蓄積部の転送を制御する電極は、1ゲートおきの
2ゲートの電極で共通で、もう一つの1ゲートおきの2
ゲートの電極は第1および第2の蓄積部で独立に接続す
る構成となっている。
作用 上記構成により、第1の読み出しスイッチ部により読
み出された信号電荷を第1の蓄積部に転送し、第2の読
み出しスイッチ部により読み出された信号電荷を第2の
蓄積部に転送することになり、垂直方向にとなり合う2
個の信号電荷を混ぜ合わせることなく転送することがで
き、垂直方向の解像度を大幅に改善することができる。
実施例 以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図は本発明の実施例固体撮像装置の構成を示す概
略平面図である。
第1図において、1は光電変換機能を有するフォトダ
イオード、2はフォトダイオードに蓄積された信号電荷
を読み出す読み出しゲートとして機能するエンハンスメ
ントMOS型トランジスタ、3は信号電荷を垂直方向に転
送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送部、4は垂
直転送を制御する垂直転送ゲート、5は信号電荷を水平
方向に転送する行方向にフォトダイオード1の2倍のビ
ット数を持つ水平転送部、6は出力部、7はイメージエ
リア、8はイメージエリア7内の垂直転送部と同数の段
数を持つメモリーエリア、9はフォトダイオード1に蓄
積された偶数行の信号電荷を蓄積する第1の蓄積部、10
はフォトダイオード1に蓄積された奇数行の信号電荷を
蓄積する第2の蓄積部である。
なお、垂直転送部3と第1および第2の各蓄積部9,10
は、垂直方向に向けて隣合う4個の転送ゲートを含んで
1ビットが形成される4ゲート1ビット構成であり、ま
た、垂直転送部3は読み出しゲート2が1ビット当たり
2個付設された構成となっている。さらに、各ビットを
形成する転送ゲートには、パルス印加用電極GI1〜GI4
接続されるとともに、電極GI1とGI3は、読み出しゲート
2にも接続される。さらに、パルス印加用電極GM1a,G
M2,GM3a,GM4により第1の蓄積部9の転送を制御し、電
極GM1b,GM2,GM3b,GM4により第2の蓄積部10の転送を制
御する。
第2図は、上記の電極GI1,GI2,GI3,GI4,GM1a,GM1b,GM
2,GM3a,GM3b,およびGM4に印加するパルスφI1,φI2,φI
3,φI4,φM1a,φM1b,φM2,φM3a,φM3bφM4のタイミン
グを示す駆動パルス波形図である。
まず、時刻t=t1の時、パルスφI1がハイレベルにな
り、フォトダイオード1の偶数行に蓄積された信号電荷
が垂直転送部に読み出される。つぎに、時刻t=t2の時
にパルスφI1,φI2,φI3,φI4,φM1a,φM2,φM3a,φM4
が高速転送期間になり、垂直転送部の信号電荷が第1の
蓄積部9に転送される。つぎに、時刻t=t3の時パルス
φI3がハイレベルになり、フォトダイオード1の奇数行
に蓄積された信号電荷が垂直転送部に読み出される。つ
ぎに、時刻t=t4の時に、パルスφI1,φI2,φI3,φI4,
φM1b,φM2,φM3b,φM4が高速転送期間になり、垂直転
送部の信号電荷が第2の蓄積部10に転送される。この
後、第1の蓄積部9と第2の蓄積部10から同時に1行ず
つ順次水平転送部5に転送し、出力部6より出力する。
以上のように本実施例では、第1および第2の蓄積部
を設けることにより、信号電荷を混ぜ合わせることなく
転送することができる。
なお、実施例では、水平転送部をフォトダイオード1
の2倍のビット数に構成しているが、フォトダイオード
1と同数のビット数を2本並べた構成でもよい。
発明の効果 本発明によれば、第1および第2の蓄積部を設け、そ
れら第1及び第2の蓄積部に蓄積された蓄積電荷の転送
を制御する電極は、1ゲートおきの2ゲートの電極で共
通で、もう一つの1ゲートおきの2ゲートの電極は前記
第1および第2の蓄積部で独立に接続する構成をとるこ
とにより、垂直解像度を大幅に向上することができ、そ
の実用的効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例における固体撮像素子の概略平
面図、第2図は本発明の実施例における固体撮像素子の
駆動パルス波形図、第3図は従来の固体撮像素子の概略
平面図、第4図は従来の固体撮像素子の駆動パルス波形
図である。 1……フォトダイオード、2……読み出しゲート、3…
…垂直転送部、4……垂直転送部ゲート、5……水平転
送部、6……出力部、7……イメージエリア、8……メ
モリーエリア、G1,G2,G3,G4,GI1,GI2,GI3,GI4,GM1a,GM
1b,GM2,GM3a,GM3b,GM4,……電極、φG1,φG2,φG3
G4,φI1,φI2,φI3,φI4,φGM1a,φGM1b,φM2,φM3a
M3b,φM4……パルス波形。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光電変換機能を有する要素を二次元行列状
    に配列した光電変換部と、前記光電変換部で発生した信
    号電荷を列方向に転送する転送部と、前記光電変換部お
    よび前記転送部を互いに結合させて前記光電変換部の奇
    数行および偶数行の各行に蓄積された信号電荷の読み出
    しを各行ごとに制御する第1スイッチ部及び第2スイッ
    チ部と、前記光電変換部の奇数行および偶数行に対応し
    て交互に列状に配置されて少なくとも1フィールド分の
    前記信号電荷を蓄積することができる第1および第2の
    蓄積部と、水平転送部と出力部とをそなえ、前記第1お
    よび前記第2の蓄積部に蓄積された信号電荷の転送を制
    御する電極は、前記第1および前記第2の蓄積部におい
    て、1ゲートおきの2ゲートは共通に、もう一つの1ゲ
    ートおきの2ゲートの電極は独立に接続していることを
    特徴とする固体撮像装置。
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JPH0685582B2 (ja) * 1986-04-07 1994-10-26 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置
JPH0644823B2 (ja) * 1986-08-22 1994-06-08 日本ビクター株式会社 固体撮像装置

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