JPS6149419A - 荷電ビ−ム露光方法 - Google Patents
荷電ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6149419A JPS6149419A JP17176984A JP17176984A JPS6149419A JP S6149419 A JPS6149419 A JP S6149419A JP 17176984 A JP17176984 A JP 17176984A JP 17176984 A JP17176984 A JP 17176984A JP S6149419 A JPS6149419 A JP S6149419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amount
- correction
- information
- deflecting
- correcting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は荷電ビーム露光方法に係り、特に露光に際して
の偏向歪、焦点のずれ等を補正する方法に関する。
の偏向歪、焦点のずれ等を補正する方法に関する。
半導体集積回路では高集積化が進むに伴って、パターン
幅がサブミクロン領域にまで微細化されつつある。
幅がサブミクロン領域にまで微細化されつつある。
かかる状況において従来主として用いられていた光によ
る露光技術は、その波長（約０．５μｍ）の制約によっ
て実用的でなくなり、最近では理想的な状態で０．１μ
ｍ以上のパターン精度が得られる電子ビーム露光技術が
多く用いられるようになって来た。
る露光技術は、その波長（約０．５μｍ）の制約によっ
て実用的でなくなり、最近では理想的な状態で０．１μ
ｍ以上のパターン精度が得られる電子ビーム露光技術が
多く用いられるようになって来た。
しかし該電子ビーム露光技術においても上記精度を維持
するためには、電子ビームを偏向する際に生ずる偏向歪
、フォーカス、ステイグのずれ等の補正をしながら描画
露光を行う必要があり、容易で且つ高精度かえられるビ
ーム補正方法の開発が要望されている。
するためには、電子ビームを偏向する際に生ずる偏向歪
、フォーカス、ステイグのずれ等の補正をしながら描画
露光を行う必要があり、容易で且つ高精度かえられるビ
ーム補正方法の開発が要望されている。
かかる観点から、ビームの偏向フィールドを格子状に分
割し、各格子点の補正量を予め記憶しておき、ビーム偏
向時に該偏向位置に対応する格子点の補正量を読出して
ビームの補正を行う露光方法が開発されている。
割し、各格子点の補正量を予め記憶しておき、ビーム偏
向時に該偏向位置に対応する格子点の補正量を読出して
ビームの補正を行う露光方法が開発されている。
第２図は、上記補正がなされる従来のビーム制御系の構
成を示すブロック図（ａ＋、及び補正方法説明用の模式
平面図（ｂｌである。
成を示すブロック図（ａ＋、及び補正方法説明用の模式
平面図（ｂｌである。
同図ｆａｔにおいて、１は電算ｍ （ＣＰＵ） 、２は
補正メモリ、３はパターン発生装置、４は補正演算装置
、５ａ、５ｂはＤ／Ａ変換器、５ａ、５ｂは増幅器、７
は偏向位置出力、８はフォーカス。
補正メモリ、３はパターン発生装置、４は補正演算装置
、５ａ、５ｂはＤ／Ａ変換器、５ａ、５ｂは増幅器、７
は偏向位置出力、８はフォーカス。
ステイグ補正量出力を示している。
この構成においては、ＣＰＵＩから予め補正メモリ２に
各格子点の後述する各種補正テークＣＤが入力記憶され
る。
各格子点の後述する各種補正テークＣＤが入力記憶され
る。
一方ＣＰＵＩからパターンデータＰＤがパターン発生装
置３に入力され、ビーム偏向位置のビットデータＤＤが
発生される。
置３に入力され、ビーム偏向位置のビットデータＤＤが
発生される。
このビーム偏向位置データＤＤの−り位ヒノトデークＤ
Ｄｌ＋が補正メモリ２に入力され、ヒーｌ、偏向位置に
対応した所定の１格子点の補正データがアクセスされ該
補正データＣＤが補正演算装置４に入力される。
Ｄｌ＋が補正メモリ２に入力され、ヒーｌ、偏向位置に
対応した所定の１格子点の補正データがアクセスされ該
補正データＣＤが補正演算装置４に入力される。
そして一方パターン発生装置３から補正演算装置４には
、ビーム偏向位置の全ビットデータＤＤ【 が入力され、補正演算装置４において該ビーム偏向位置
データＤＤと前記補正データＣＤとの加減算がなされ″
てビーム偏向位置が補正され、該補正された偏向位置テ
ークＣＤＤ／’ｌ＜Ｄ／Ａ変換器５ｂ。
、ビーム偏向位置の全ビットデータＤＤ【 が入力され、補正演算装置４において該ビーム偏向位置
データＤＤと前記補正データＣＤとの加減算がなされ″
てビーム偏向位置が補正され、該補正された偏向位置テ
ークＣＤＤ／’ｌ＜Ｄ／Ａ変換器５ｂ。
増幅器６ｂを経て図示しないコラムの偏向系に印加され
る。
る。
また別に、補正メモリからアクセスされるフォーカス、
ステイグ等絞り関係の補正量ＦＤは、直にＤ／Δ変換器
５ａ、増幅器６ａを経て図示しないコラＪ、の絞り補正
コイルに印加される。
ステイグ等絞り関係の補正量ＦＤは、直にＤ／Δ変換器
５ａ、増幅器６ａを経て図示しないコラＪ、の絞り補正
コイルに印加される。
このような構成の場合一般的には上記のように偏向位置
のヒソ１〜データにおける上位データを使用して袖市メ
モリをアクセスするので、第２図ｆｂｌに示ず゛「面図
のように、メインデフレクタの偏向フィー月利ＭＦを格
子状に複数の小領域ＳＦ、、ＳＦ２等に分割し、各格子
点Ｇ、、Ｇ２等におけるフォーカス、ステイグ（Ｘ方向
及びＹ方向）、歪（Ｘ方向及びＹ方向）、等の実測に基
づく補正量を持つようになる。
のヒソ１〜データにおける上位データを使用して袖市メ
モリをアクセスするので、第２図ｆｂｌに示ず゛「面図
のように、メインデフレクタの偏向フィー月利ＭＦを格
子状に複数の小領域ＳＦ、、ＳＦ２等に分割し、各格子
点Ｇ、、Ｇ２等におけるフォーカス、ステイグ（Ｘ方向
及びＹ方向）、歪（Ｘ方向及びＹ方向）、等の実測に基
づく補正量を持つようになる。
上記従来の方法においては格子に囲まれた一つの小領域
例えばＳＦ、の内部全域に対して、該領域に接する所定
の一格子点（通常図示左上隅）Ｇ■の補正データを用い
て露光がなされていた。
例えばＳＦ、の内部全域に対して、該領域に接する所定
の一格子点（通常図示左上隅）Ｇ■の補正データを用い
て露光がなされていた。
またフォーカス及びステイグについ′ζも上記と同様に
アクセスされた格子点いの補正量がそのままＤ／Ａ変換
器７ｂ及び増幅器８ｂを介しアナログ信号として別巻の
フォーカスコイルに印加され、該フォーカスコイルでビ
ームを絞り直しぞ該小領域ＳＦ、の全領域に対する露光
がなされていた。
アクセスされた格子点いの補正量がそのままＤ／Ａ変換
器７ｂ及び増幅器８ｂを介しアナログ信号として別巻の
フォーカスコイルに印加され、該フォーカスコイルでビ
ームを絞り直しぞ該小領域ＳＦ、の全領域に対する露光
がなされていた。
しかし上記従来方法による場合、偏向フィールドを分割
する格子を粗くすると、格子点から遠く離れた位置の補
正が不充分になって露光精度か低下し、該露光精度の低
下を防止するために格子密度を細かくした際には補正メ
モリの容量か膨大になるという問題が生ずる。
する格子を粗くすると、格子点から遠く離れた位置の補
正が不充分になって露光精度か低下し、該露光精度の低
下を防止するために格子密度を細かくした際には補正メ
モリの容量か膨大になるという問題が生ずる。
上記問題点は、ビーム偏向フィールドを格子状に分割し
、各格子点におけるビーム補正量を予め記憶しておき、
ビーム偏向時に該ビーム偏向位置を囲む４個の格子点の
補正量を用いて該偏向位置に応したビームの内挿補正量
を算出し、該内挿補正量によりビームの補正を行って露
光する本発明による電−ｒビーム露光方法により解決さ
れる。
、各格子点におけるビーム補正量を予め記憶しておき、
ビーム偏向時に該ビーム偏向位置を囲む４個の格子点の
補正量を用いて該偏向位置に応したビームの内挿補正量
を算出し、該内挿補正量によりビームの補正を行って露
光する本発明による電−ｒビーム露光方法により解決さ
れる。
即ち本発明においては、ビーム偏向時に該ビーム偏向位
置を囲む４個の格子点の補正量を用いて該偏向位ｉδに
応じたビームの内挿補正量を算出し、該内挿補正量によ
りビームの補正を行って露光が行われる。
置を囲む４個の格子点の補正量を用いて該偏向位ｉδに
応じたビームの内挿補正量を算出し、該内挿補正量によ
りビームの補正を行って露光が行われる。
従って、偏向位置が格子点から遠く離れている際にもこ
のことを加味してビームの補正がなされるので、格子密
度を極度に高める必要がｆｉ ＜ 、且つ露光精度も大
幅に向上する。
のことを加味してビームの補正がなされるので、格子密
度を極度に高める必要がｆｉ ＜ 、且つ露光精度も大
幅に向上する。
〔実施例〕
以下本発明を第１図に示す実施例により、具体的に説明
する。
する。
第１図において、（ａ）は本発明の方法に用いる電子ビ
ーム１７７）光装置におけるビーム制御系の一実施例を
示すブロック図で、ｆｂｌは本発明の方法における内挿
演算法を示す偏向フィールドの模式平面図である。
ーム１７７）光装置におけるビーム制御系の一実施例を
示すブロック図で、ｆｂｌは本発明の方法における内挿
演算法を示す偏向フィールドの模式平面図である。
同図において前に説明した第２図と同一対称物は同一符
号で示しである。
号で示しである。
本発明の方法に用いる電子ビーム露光装置のビーム制御
系は第１図＋ａ＋に示すように、電算機（ＣＰＵ）１、
ビーム偏向ビノトテータの上位ヒツトデータによって該
ビーム偏向位置を囲む４格子点の補正量が読み出される
４点アクセス機能を有する補正メモ１月２、従来同様の
パターン発生装置３、補正演算装置４、Ｄ／Ａ変換器５
ａ、５ｂ、増幅器６ａ、６ｂ、及び新たな補間演算装置
９によって構成される。
系は第１図＋ａ＋に示すように、電算機（ＣＰＵ）１、
ビーム偏向ビノトテータの上位ヒツトデータによって該
ビーム偏向位置を囲む４格子点の補正量が読み出される
４点アクセス機能を有する補正メモ１月２、従来同様の
パターン発生装置３、補正演算装置４、Ｄ／Ａ変換器５
ａ、５ｂ、増幅器６ａ、６ｂ、及び新たな補間演算装置
９によって構成される。
この構成においては、ＣＰＵＩから予め補正メモリ２に
各格子点の後述する各種補正データＣＩ）が入力記憶さ
れる。（従来通り） −・方ＣＰＵ１からパターンテークＰＤがパターン発生
装置３に入力され、ビーム偏向位置のヒツトデータＤＤ
が発生される。（従来通り）ｌ この
ビーム偏向位置データＤＤの上位ビットデータＤｒ）、
ｌが補正メモリ２に人力され、ビーＪ、偏向位置を囲む
４格子点の補正量データかアクセスされ該４個の補正量
データＣＤ ＋、ＣＤ ｚ、 ＣＤ ３． ＣＤ４か補
間演算装置９に人力される。
各格子点の後述する各種補正データＣＩ）が入力記憶さ
れる。（従来通り） −・方ＣＰＵ１からパターンテークＰＤがパターン発生
装置３に入力され、ビーム偏向位置のヒツトデータＤＤ
が発生される。（従来通り）ｌ この
ビーム偏向位置データＤＤの上位ビットデータＤｒ）、
ｌが補正メモリ２に人力され、ビーＪ、偏向位置を囲む
４格子点の補正量データかアクセスされ該４個の補正量
データＣＤ ＋、ＣＤ ｚ、 ＣＤ ３． ＣＤ４か補
間演算装置９に人力される。
一方パターン発生装置３から補間演算装置９には、ビー
ム偏向位置の全ヒツトデータＤＤか入力され、補間演算
装置９において前記補正データＣＤＩ、ＣＤ２．ＣＤ３
．ＣＤ４を用い該ビーム偏向位置データＤＤに対応する
偏向位置補正量（補間量）ＣＤｒ＋及び絞り補間量ＣＤ
ｒｚか内挿演算によって算出される。
ム偏向位置の全ヒツトデータＤＤか入力され、補間演算
装置９において前記補正データＣＤＩ、ＣＤ２．ＣＤ３
．ＣＤ４を用い該ビーム偏向位置データＤＤに対応する
偏向位置補正量（補間量）ＣＤｒ＋及び絞り補間量ＣＤ
ｒｚか内挿演算によって算出される。
そして偏向位置補間■ＣＤｆＩは補正演算装置４に入力
され、該補正演算装置４においてパターン発生装置３か
ら入力されるパターン偏向位置テークＤＤとの加減算が
なされ、該補正演算装置４から補間されたビーム偏向位
置テークＣＤＦが出力され、該補間されたビーム偏向位
置テークＣＤＦの信号組Ｄ／Ａ変換器５ｂ及び増幅器６
ｂを介してコラムの偏向系に印加される。
され、該補正演算装置４においてパターン発生装置３か
ら入力されるパターン偏向位置テークＤＤとの加減算が
なされ、該補正演算装置４から補間されたビーム偏向位
置テークＣＤＦが出力され、該補間されたビーム偏向位
置テークＣＤＦの信号組Ｄ／Ａ変換器５ｂ及び増幅器６
ｂを介してコラムの偏向系に印加される。
また補間演算装置９において算出された絞り補間量□ｌ
’ｌｒｚの信号は、其の侭直にＤ／Ａ変換器５ａ及び増
幅器６ａを介して別巻の絞り補正コイルに印加される。
’ｌｒｚの信号は、其の侭直にＤ／Ａ変換器５ａ及び増
幅器６ａを介して別巻の絞り補正コイルに印加される。
上記補間演算は、例えば次のように行われる。
（第２図（ｂｌ参照）
即ちビーム偏向位置Ｂを囲む４格子点Ｇｏｏ、Ｇ１０＋
Ｇｚ、 ｃｏ＋の補正量をそれぞれｆ ＯＯ＋
ｆｌｏ＋ｆｌＩ＋ ｆ ０１とし、格子点間の距離
を１、格子点Ｇ。。を基点とするビーム偏向位置ＢのＸ
座標を一１ｘ。
Ｇｚ、 ｃｏ＋の補正量をそれぞれｆ ＯＯ＋
ｆｌｏ＋ｆｌＩ＋ ｆ ０１とし、格子点間の距離
を１、格子点Ｇ。。を基点とするビーム偏向位置ＢのＸ
座標を一１ｘ。
Ｙ座標を＋ｙとし、例えば下記の式により該ビーム偏向
位置Ｂの内挿補正量（補間量）ｆが痛覚される。
位置Ｂの内挿補正量（補間量）ｆが痛覚される。
ｆ＝ｆｏｏ＋（ｆ＋ｏ −丁 ｏｏ） ］ Ｘ
／ １→−（ｆｏ＋ ｆｏｏ） ｌ ｙ／ １
＋ （ｆ＋＋ ’ｒｌＯ−ｒ０１＋ ｆｏｏ）・
Ｉｘｌｙ／］２ ここで（ｆ＋＋ ｆ＋ｏ ｆｏ＋十ｆｏｏ） ・
Ｉ Ｘ Ｉ ｙ／１２は近似的な曲面補正の項である。
／ １→−（ｆｏ＋ ｆｏｏ） ｌ ｙ／ １
＋ （ｆ＋＋ ’ｒｌＯ−ｒ０１＋ ｆｏｏ）・
Ｉｘｌｙ／］２ ここで（ｆ＋＋ ｆ＋ｏ ｆｏ＋十ｆｏｏ） ・
Ｉ Ｘ Ｉ ｙ／１２は近似的な曲面補正の項である。
かくすることによって、四つの格子点Ｇ。ｏ、 Ｇ１
０＋ ａｌｌ、 Ｇｏ＋に囲まれるザブフィールド
内のどの位置にビームか偏向される場合でも、その偏向
位置に対応するビーム補正量が、ザブフィールドの歪み
、ローテーション、曲面性等も加味して算出されるので
、パターン描画に際しての該ビームの偏向位置及びフメ
ーカス、ステイグの補正の精度は大幅に向上する。
０＋ ａｌｌ、 Ｇｏ＋に囲まれるザブフィールド
内のどの位置にビームか偏向される場合でも、その偏向
位置に対応するビーム補正量が、ザブフィールドの歪み
、ローテーション、曲面性等も加味して算出されるので
、パターン描画に際しての該ビームの偏向位置及びフメ
ーカス、ステイグの補正の精度は大幅に向上する。
以上説明したように本発明によれば、偏向フィールドを
分割する格子密度を極度に高めメモリ量を膨大化するこ
となしに、０．１以上の高精度を有するパターン描画が
可能になる。
分割する格子密度を極度に高めメモリ量を膨大化するこ
となしに、０．１以上の高精度を有するパターン描画が
可能になる。
また近年、高精度で且つ高処理能力を持つ露光方式とし
て開発されているメイン・サブ２段偏向方式の電子ビー
ム露光に際しても、本発明は同様に適用出来る。即ち上
記の歪、フォーカス・ステイグの補正量のほかに、メイ
ンデフ位置に依存する各サブフィールドの各種補正量（
リブフィールドのゲイン、ローテーション、台形歪等）
を同様の手法で補正することにより、補正の高精度化を
図ることが出来る。
て開発されているメイン・サブ２段偏向方式の電子ビー
ム露光に際しても、本発明は同様に適用出来る。即ち上
記の歪、フォーカス・ステイグの補正量のほかに、メイ
ンデフ位置に依存する各サブフィールドの各種補正量（
リブフィールドのゲイン、ローテーション、台形歪等）
を同様の手法で補正することにより、補正の高精度化を
図ることが出来る。
従って本発明は、超ＬＳＩ等の製造に極めて有効である
。
。
なお本発明は、電子ビーム以外の荷電ビームを用いる露
光技術にも通用される。
光技術にも通用される。
第１図ｆａｌは本発明の方法に用いる電子ビーム露光装
置におけるビーム制御系の一実施例を示すブロック図、 第１図ｆｂｌは本発明の方法における内挿演算法を示す
偏向フィールドの模式平面図、 第２図（ａ）は従来のビーム制御系の構成を示すブロッ
ク図、 第２図（ｂｌは従来のビーム補正方法を示す模式平面図
である 図において、 １は電算！（ＣＰＵ）、 ３はパターン発生装置ｌ、 １．４は補正演算装置グ、 ５ａ、５ｂはＤ／Ａ変換器、 ６ａ、６ｂは増幅器、 ９ば補間演算装置 １２は補正メモリ、 ＰＤはパターンデータ、 ＣＤは各種補正量データ、 ＤＤは偏向位置データ、 ＤＤＨは偏向位置の上位データ、 ＣＤ、〜ＣＤ ａは４格子点の補正量データ、ＣＤｆ、
ば偏向位置補間データ、 ＣＤ ｆ ２は絞り補間データ、 ＣＤＦは補間された偏向位置データ、 Ｇ、、、Ｇ、、、Ｇ、、、Ｇ、、は格子点、ＳＦ、、Ｓ
Ｆ２はザブフィールド、 ｆ ＯＯ＋ ’ ＩＯ＋ ｆ ＩＩ＋ ｆ ０１
は格子点の補正量、１は格子間隔、 Ｂはビーム位置、 １ｘ及び１ｙはビーム位置の座標寸法、を示す。 第 １ ｍ 午 ２８
置におけるビーム制御系の一実施例を示すブロック図、 第１図ｆｂｌは本発明の方法における内挿演算法を示す
偏向フィールドの模式平面図、 第２図（ａ）は従来のビーム制御系の構成を示すブロッ
ク図、 第２図（ｂｌは従来のビーム補正方法を示す模式平面図
である 図において、 １は電算！（ＣＰＵ）、 ３はパターン発生装置ｌ、 １．４は補正演算装置グ、 ５ａ、５ｂはＤ／Ａ変換器、 ６ａ、６ｂは増幅器、 ９ば補間演算装置 １２は補正メモリ、 ＰＤはパターンデータ、 ＣＤは各種補正量データ、 ＤＤは偏向位置データ、 ＤＤＨは偏向位置の上位データ、 ＣＤ、〜ＣＤ ａは４格子点の補正量データ、ＣＤｆ、
ば偏向位置補間データ、 ＣＤ ｆ ２は絞り補間データ、 ＣＤＦは補間された偏向位置データ、 Ｇ、、、Ｇ、、、Ｇ、、、Ｇ、、は格子点、ＳＦ、、Ｓ
Ｆ２はザブフィールド、 ｆ ＯＯ＋ ’ ＩＯ＋ ｆ ＩＩ＋ ｆ ０１
は格子点の補正量、１は格子間隔、 Ｂはビーム位置、 １ｘ及び１ｙはビーム位置の座標寸法、を示す。 第 １ ｍ 午 ２８
Claims (1)
- ビーム偏向フィールドを格子状に分割し、各格子点にお
けるビーム補正量を予め記憶しておき、ビーム偏向時に
該ビーム偏向位置を囲む４個の格子点の補正量を用いて
該ビーム偏向位置に応じたビームの内挿補正量を算出し
、該内挿補正量により該ビームの補正を行って露光する
ことを特徴とする荷電ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17176984A JPS6149419A (ja) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17176984A JPS6149419A (ja) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149419A true JPS6149419A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15929333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17176984A Pending JPS6149419A (ja) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110732A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光における位置合わせ方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642340A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Hitachi Ltd | Dynamic forcusing method in electron beam drawing device |
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
-
1984
- 1984-08-18 JP JP17176984A patent/JPS6149419A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642340A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Hitachi Ltd | Dynamic forcusing method in electron beam drawing device |
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110732A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光における位置合わせ方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4362942A (en) | Electron beam exposure system and an apparatus for carrying out the same | |
| JP2512184B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置及び描画方法 | |
| US6313476B1 (en) | Charged beam lithography system | |
| EP0002957B1 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| JP3340387B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JP2002148779A (ja) | マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| EP0657916A1 (en) | Electron beam direct writing system for ULSI lithography with easy rotation and gain corrections of shot patterns and electron beam direct writing method for the same | |
| JP3508617B2 (ja) | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 | |
| US6200710B1 (en) | Methods for producing segmented reticles | |
| JPS6149419A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JP2862532B2 (ja) | 荷電粒子線描画方法およびその装置 | |
| JP3344347B2 (ja) | 近接効果補正方法及びｅｂマスク | |
| KR102366045B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
| JP3244766B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 | |
| JP3518400B2 (ja) | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 | |
| JPS59167018A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JP2000100688A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2862825B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置 | |
| US5434795A (en) | Method of forming pattern having optical angle in charged particle exposure system | |
| JP3458778B2 (ja) | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 | |
| JP3330306B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH06349718A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
| JPH07111943B2 (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JP2874096B2 (ja) | 露光データ生成方法 | |
| JP2815965B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置 |