JP2000100688A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光グリッドを越える位置精度を実現できる
パターンの形成方法を提供することである。 【構成】 （ａ）第１の単位格子を用いて表現された入
力データに基づいて露光用の中間データを準備する工程
と、（ｂ）第２の単位格子を有する露光装置で用いるた
め、前記中間データを第２の単位格子で表現したパター
ンデータと補正成分を表わす中間補正データに変換する
工程とを含む。
パターンの形成方法を提供することである。 【構成】 （ａ）第１の単位格子を用いて表現された入
力データに基づいて露光用の中間データを準備する工程
と、（ｂ）第２の単位格子を有する露光装置で用いるた
め、前記中間データを第２の単位格子で表現したパター
ンデータと補正成分を表わす中間補正データに変換する
工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光技術に関し、
特に露光グリッドを単位として露光を行う露光装置を用
いたパターン形成方法に関する。
特に露光グリッドを単位として露光を行う露光装置を用
いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンの形成に、電子ビーム（Ｅ
Ｂ）露光が広く用いられている。たとえば、電子ビーム
露光を用いて、ステッパ露光装置に用いるレチクルを作
成したり、半導体基板上に塗布したレジスト層に直接描
画を行う。
Ｂ）露光が広く用いられている。たとえば、電子ビーム
露光を用いて、ステッパ露光装置に用いるレチクルを作
成したり、半導体基板上に塗布したレジスト層に直接描
画を行う。
【０００３】電子ビーム露光装置は、極めて高い分解能
を有するが、通常最小露光領域（単位領域）を定める露
光グリッドを有している。露光グリッドを細かくすれ
ば、それだけ高精度のパターンを露光できるが、露光デ
ータのビット数も増加し、メモリ、データ処理装置を大
容量のものにする必要が生じる。そこで、通常、０．１
μｍ、０．０５μｍ等の露光グリッドが採用されてい
る。
を有するが、通常最小露光領域（単位領域）を定める露
光グリッドを有している。露光グリッドを細かくすれ
ば、それだけ高精度のパターンを露光できるが、露光デ
ータのビット数も増加し、メモリ、データ処理装置を大
容量のものにする必要が生じる。そこで、通常、０．１
μｍ、０．０５μｍ等の露光グリッドが採用されてい
る。
【０００４】設計段階においても同様の事情があり、コ
ンピュータエイデッドデザイン（ＣＡＤ）においてはＣ
ＡＤグリッドが用いられる。ＣＡＤデータが莫大な量に
なるのを防止するため、ＣＡＤグリッドも適当な大きさ
に選択される。しかしながら、ＣＡＤ設計システムとＥ
Ｂ露光システムは別個の原理に基づいて設計されてお
り、ＣＡＤグリッドと露光グリッドとは必ずしも一致し
ない。
ンピュータエイデッドデザイン（ＣＡＤ）においてはＣ
ＡＤグリッドが用いられる。ＣＡＤデータが莫大な量に
なるのを防止するため、ＣＡＤグリッドも適当な大きさ
に選択される。しかしながら、ＣＡＤ設計システムとＥ
Ｂ露光システムは別個の原理に基づいて設計されてお
り、ＣＡＤグリッドと露光グリッドとは必ずしも一致し
ない。
【０００５】さらに、露光データ作成の際、設計データ
を変換処理することも行われる。たとえば、一旦作成さ
れた設計データに一定の演算処理を行って、パターンの
寸法を変更する処理が行われる。これらの処理には、縮
小投影露光の倍率に従って、実パターン寸法をレチクル
上の寸法等に変更（拡大）するスケーリング、微細化等
のため寸法を縮小するシュリンク、パターン線幅を変更
するサイジング等がある。
を変換処理することも行われる。たとえば、一旦作成さ
れた設計データに一定の演算処理を行って、パターンの
寸法を変更する処理が行われる。これらの処理には、縮
小投影露光の倍率に従って、実パターン寸法をレチクル
上の寸法等に変更（拡大）するスケーリング、微細化等
のため寸法を縮小するシュリンク、パターン線幅を変更
するサイジング等がある。
【０００６】このような事情により、設計データまたは
他の入力データに基づいて準備した露光データが、露光
グリッドと一致しないことはしばしば生じる。そこで、
露光データ中露光グリッドに一致しない成分を４捨５
入、切り捨て、切り上げ等で処理する丸め込み処理が行
われる。丸め込み処理を行った露光データは、露光グリ
ッドに一致し、効果的に利用することができるが、精度
が低下したものとなる。
他の入力データに基づいて準備した露光データが、露光
グリッドと一致しないことはしばしば生じる。そこで、
露光データ中露光グリッドに一致しない成分を４捨５
入、切り捨て、切り上げ等で処理する丸め込み処理が行
われる。丸め込み処理を行った露光データは、露光グリ
ッドに一致し、効果的に利用することができるが、精度
が低下したものとなる。
【０００７】例えば、設計上の線幅が無名数で０．２４
２である場合、この線幅に対応するサイジングを施した
後の実際の寸法は０，３４２μｍであり（サイジン
グ）、１／５縮小投影露光に用いるレチクルを作成する
ため、スケーリングにより×５の演算が行われる。さら
に、微細化のためにこの線幅を８０％にシュリンクする
場合を考察する。
２である場合、この線幅に対応するサイジングを施した
後の実際の寸法は０，３４２μｍであり（サイジン
グ）、１／５縮小投影露光に用いるレチクルを作成する
ため、スケーリングにより×５の演算が行われる。さら
に、微細化のためにこの線幅を８０％にシュリンクする
場合を考察する。
【０００８】線幅は、０．３４２×５×０．８（μｍ）
＝１，３６８μｍとなる。露光グリッドが２５ｎｍ（＝
０．０２５μｍ）である場合、１．３６８μｍの線幅は
表現できない。露光グリッドを用いて表現すると、１．
３６８μｍの線幅は、最良の場合でも１．３５μｍ又は
１．３７５μｍとなる。パターンが存在する位置によっ
ては、誤差はさらに大きくなる。
＝１，３６８μｍとなる。露光グリッドが２５ｎｍ（＝
０．０２５μｍ）である場合、１．３６８μｍの線幅は
表現できない。露光グリッドを用いて表現すると、１．
３６８μｍの線幅は、最良の場合でも１．３５μｍ又は
１．３７５μｍとなる。パターンが存在する位置によっ
ては、誤差はさらに大きくなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、露光パターンに
対する精度の要求が高くなり、丸め込みによる誤差も無
視できないようになった。たとえば、一定の線幅を有す
べきラインが露光グリッドに対する相対的な位置が異な
ると、丸め込みによりグリッド１つ分異なる線幅のライ
ンとなる。このグリッド１つ分の線幅の差が、例えばト
ランジスタの特性に無視できない差を与えてしまう。
対する精度の要求が高くなり、丸め込みによる誤差も無
視できないようになった。たとえば、一定の線幅を有す
べきラインが露光グリッドに対する相対的な位置が異な
ると、丸め込みによりグリッド１つ分異なる線幅のライ
ンとなる。このグリッド１つ分の線幅の差が、例えばト
ランジスタの特性に無視できない差を与えてしまう。
【００１０】露光グリッドを微細化してグリッド１つ分
の寸法の差は無視できるようにすれば、この問題は回避
できるが、その場合データを大幅に増加させることとな
り、開発工数やハードウェアの大型化が問題となる。ひ
いては新たな露光装置を開発しなければならなくなり、
開発に要する時間、費用が問題となる。
の寸法の差は無視できるようにすれば、この問題は回避
できるが、その場合データを大幅に増加させることとな
り、開発工数やハードウェアの大型化が問題となる。ひ
いては新たな露光装置を開発しなければならなくなり、
開発に要する時間、費用が問題となる。
【００１１】本発明の目的は、露光グリッドを越える位
置精度を実現できるパターンの形成方法を提供すること
である。
置精度を実現できるパターンの形成方法を提供すること
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、（ａ）第１の単位格子を用いて表現された入力デー
タに基づいて露光用の中間データを準備する工程と、
（ｂ）第２の単位格子を有する露光装置で用いるため、
前記中間データを第２の単位格子で表現したパターンデ
ータと補正成分を表わす中間補正データに変換する工程
とを含むパターン形成方法が提供される。
ば、（ａ）第１の単位格子を用いて表現された入力デー
タに基づいて露光用の中間データを準備する工程と、
（ｂ）第２の単位格子を有する露光装置で用いるため、
前記中間データを第２の単位格子で表現したパターンデ
ータと補正成分を表わす中間補正データに変換する工程
とを含むパターン形成方法が提供される。
【００１３】中間補正データを利用して誤差成分を修正
すれば、露光グリッドの制限を越えるパターン精度を実
現できる。たとえば、パターン周辺での露光量を調整す
ることにより、パターンエッジの位置を調整することが
できる。
すれば、露光グリッドの制限を越えるパターン精度を実
現できる。たとえば、パターン周辺での露光量を調整す
ることにより、パターンエッジの位置を調整することが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。説明の簡単化のため、平面パターンの
１方向のみについて考察する。
施例を説明する。説明の簡単化のため、平面パターンの
１方向のみについて考察する。
【００１５】図１（Ａ）は、露光装置の露光グリッドＧ
０、Ｇ１、Ｇ２、．．．と、入力データから作成した理
想的なパターンＰ１ａ、Ｐ２ａとの関係を示す。入力デ
ータは、設計データそのものでもよく、設計データを変
換処理したものでもよい。入力データが設計データであ
る場合は、設計データのグリッドが露光グリッドよりも
細かい場合を示す。
０、Ｇ１、Ｇ２、．．．と、入力データから作成した理
想的なパターンＰ１ａ、Ｐ２ａとの関係を示す。入力デ
ータは、設計データそのものでもよく、設計データを変
換処理したものでもよい。入力データが設計データであ
る場合は、設計データのグリッドが露光グリッドよりも
細かい場合を示す。
【００１６】パターンＰ１ａは、２つの辺Ｓ１ａ、Ｓ２
ａで画定されている。露光グリッドの単位幅をｇとす
る。パターンＰ１ａは４．８ｇの幅を有する。辺Ｓ１ａ
は露光グリッドＧ０上に存在するが、他の辺Ｓ２ａは露
光グリッドＧ４とＧ５の間に存在し、露光グリッドでは
表現することができない。すなわち、露光グリッドＧ４
とパターンＰ１ａの辺Ｓ２ａとの間に挟まれた幅０．８
ｇの端数領域Ｆが生じている。
ａで画定されている。露光グリッドの単位幅をｇとす
る。パターンＰ１ａは４．８ｇの幅を有する。辺Ｓ１ａ
は露光グリッドＧ０上に存在するが、他の辺Ｓ２ａは露
光グリッドＧ４とＧ５の間に存在し、露光グリッドでは
表現することができない。すなわち、露光グリッドＧ４
とパターンＰ１ａの辺Ｓ２ａとの間に挟まれた幅０．８
ｇの端数領域Ｆが生じている。
【００１７】同様に、幅４．８ｇのパターンＰ２ａは辺
Ｓ３ａと辺Ｓ４ａで画定されているが、辺Ｓ３ａ、Ｓ４
ａは共に露光グリッド上に存在せず、２つの幅０．４ｇ
の端数領域Ｆが生じている。
Ｓ３ａと辺Ｓ４ａで画定されているが、辺Ｓ３ａ、Ｓ４
ａは共に露光グリッド上に存在せず、２つの幅０．４ｇ
の端数領域Ｆが生じている。
【００１８】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した端数領
域Ｆを面積的に４捨５入する丸め込み処理を行う場合を
示す。パターンｐ１ａ、Ｐ２ａは丸め込みによりパター
ンＰ１ｂ、Ｐ２ｂとなる。パターンＰ１ａの端数領域Ｆ
は、単位幅ｇの半分以上の線幅０．８ｇを有するため、
切り上げられて露光グリッドＧ５と一致する新たな辺Ｓ
２ｂを生じる。この切り上げにより、辺Ｓ２ｂは＋０．
２ｇの誤差を生じているものとなる。この＋０．２ｇを
誤差Ｅとして検出する。パターンＰ１ｂの左辺Ｓ１ｂ
は、図１（Ａ）の左辺Ｓ１ａと同一である。
域Ｆを面積的に４捨５入する丸め込み処理を行う場合を
示す。パターンｐ１ａ、Ｐ２ａは丸め込みによりパター
ンＰ１ｂ、Ｐ２ｂとなる。パターンＰ１ａの端数領域Ｆ
は、単位幅ｇの半分以上の線幅０．８ｇを有するため、
切り上げられて露光グリッドＧ５と一致する新たな辺Ｓ
２ｂを生じる。この切り上げにより、辺Ｓ２ｂは＋０．
２ｇの誤差を生じているものとなる。この＋０．２ｇを
誤差Ｅとして検出する。パターンＰ１ｂの左辺Ｓ１ｂ
は、図１（Ａ）の左辺Ｓ１ａと同一である。
【００１９】図１（Ａ）のパターンＰ２ａは、端数領域
を面積的に４捨５入することにより、図１（Ｂ）で示す
パターンＰ２ｂとなる。パターンＰ２ｂは、新たな左辺
Ｓ３ｂと新たな右辺Ｓ４ｂを有する。これらの辺Ｓ３
ｂ、Ｓ４ｂは、共に−０．４ｇの誤差成分Ｅを有する。
を面積的に４捨５入することにより、図１（Ｂ）で示す
パターンＰ２ｂとなる。パターンＰ２ｂは、新たな左辺
Ｓ３ｂと新たな右辺Ｓ４ｂを有する。これらの辺Ｓ３
ｂ、Ｓ４ｂは、共に−０．４ｇの誤差成分Ｅを有する。
【００２０】従来は、誤差成分を無視し、４捨５入して
得たパターンＰ１ｂとＰ２ｂを露光パターンとして用い
た。図から明らかなように、パターンＰ１ｂは５ｇ分の
幅を有し、パターンＰ２ｂは４ｇ分の幅しか有さない。
得たパターンＰ１ｂとＰ２ｂを露光パターンとして用い
た。図から明らかなように、パターンＰ１ｂは５ｇ分の
幅を有し、パターンＰ２ｂは４ｇ分の幅しか有さない。
【００２１】図１（Ａ）の状態においては、パターンＰ
１ａとＰ２ａは共に４．８ｇ分の幅を有していたが、パ
ターンの存在する位置により、面積的な４捨５入を行う
丸め込み処理により、異なる線幅となってしまう。この
ような相異は半導体デバイスの性能等に重大に相異を生
じさせる可能性がある。
１ａとＰ２ａは共に４．８ｇ分の幅を有していたが、パ
ターンの存在する位置により、面積的な４捨５入を行う
丸め込み処理により、異なる線幅となってしまう。この
ような相異は半導体デバイスの性能等に重大に相異を生
じさせる可能性がある。
【００２２】各パターン（パターンの外周）に対し、誤
差成分を記録し、後の補正処理によって誤差成分を修正
できれば、本来実現すべきパターンにより近いパターン
を形成できる。
差成分を記録し、後の補正処理によって誤差成分を修正
できれば、本来実現すべきパターンにより近いパターン
を形成できる。
【００２３】図１（Ｃ）は、丸め込み処理が面積的な切
り捨てによって行われる場合を示す。
り捨てによって行われる場合を示す。
【００２４】図１（Ａ）のパターンＰ１ａとＰ２ａは、
端数領域Ｆに対する面積的な切り捨てによる丸め込み処
理により、パターンＰ１ｃとＰ２ｃとなる。パターンＰ
１ｃは左辺Ｓ１ｃと右辺Ｓ２ｃによって画定され、右辺
Ｓ２ｃは誤差Ｅ＝−０．８ｇを伴う。パターンＰ２ｃ
は、左辺Ｓ３ｃと右辺Ｓ４ｃによって画定される。辺Ｓ
３ｃとＳ４ｃは共に誤差Ｅ＝−０．４ｇを伴う。
端数領域Ｆに対する面積的な切り捨てによる丸め込み処
理により、パターンＰ１ｃとＰ２ｃとなる。パターンＰ
１ｃは左辺Ｓ１ｃと右辺Ｓ２ｃによって画定され、右辺
Ｓ２ｃは誤差Ｅ＝−０．８ｇを伴う。パターンＰ２ｃ
は、左辺Ｓ３ｃと右辺Ｓ４ｃによって画定される。辺Ｓ
３ｃとＳ４ｃは共に誤差Ｅ＝−０．４ｇを伴う。
【００２５】図１（Ｃ）においては、パターンＰ１ｃ、
Ｐ２ｃは同一の線幅４ｇを有するが、端数領域切り捨て
による丸め込みでもパターンの線幅、位置によっては、
同一であるべき線幅が異なる線幅となってしまう。
Ｐ２ｃは同一の線幅４ｇを有するが、端数領域切り捨て
による丸め込みでもパターンの線幅、位置によっては、
同一であるべき線幅が異なる線幅となってしまう。
【００２６】図１（Ｄ）は、面積的な切り上げにより端
数領域の丸め込み処理を行う場合を示す。図１（Ａ）の
パターンＰ１ａとＰ２ａは、面積的な切り上げによる端
数領域の丸め込み処理によりパターンＰ１ｄとＰ２ｄと
なる。
数領域の丸め込み処理を行う場合を示す。図１（Ａ）の
パターンＰ１ａとＰ２ａは、面積的な切り上げによる端
数領域の丸め込み処理によりパターンＰ１ｄとＰ２ｄと
なる。
【００２７】パターンＰ１ｄは、左辺Ｓ１ｄと右辺Ｓ２
ｄによって画定される。右辺Ｓ２ｄは、誤差Ｅ＝＋０．
２ｇを伴う。パターンＰ２ｄは、左辺Ｓ３ｄと右辺Ｓ４
ｄによって画定される。これらの辺Ｓ３ｄとＳ４ｄは、
共に誤差Ｅ＝＋０．６ｇを伴う。この場合も、パターン
Ｐ１ｄは５ｇ分の線幅を有するのに対し、パターンＰ２
ｄは６ｇ分の線幅を有している。
ｄによって画定される。右辺Ｓ２ｄは、誤差Ｅ＝＋０．
２ｇを伴う。パターンＰ２ｄは、左辺Ｓ３ｄと右辺Ｓ４
ｄによって画定される。これらの辺Ｓ３ｄとＳ４ｄは、
共に誤差Ｅ＝＋０．６ｇを伴う。この場合も、パターン
Ｐ１ｄは５ｇ分の線幅を有するのに対し、パターンＰ２
ｄは６ｇ分の線幅を有している。
【００２８】ホトリソグラフィーにおいては、同一パタ
ーンを用いても現像される線幅は露光量に応じて変化す
る。従って、露光量を積極的に変化させると、同一パタ
ーンを用いても現像されるパターンの寸法は変化する。
ーンを用いても現像される線幅は露光量に応じて変化す
る。従って、露光量を積極的に変化させると、同一パタ
ーンを用いても現像されるパターンの寸法は変化する。
【００２９】図２は、レジスト層を電子ビームあるいは
光学的レーザビームを用いて露光した場合の露光量と現
像されるパターン寸法との関係を示す。横軸が露光量を
単位ｍＪ／ｃｍ2 で示し、縦軸がパターン寸法を単位μ
ｍで示す。また、白丸は設計値２μｍ幅のストライプ状
のスペース部を形成する抜きパターンの場合を示し、黒
丸は設計値２μｍ幅のストライプ状のラインを形成する
残しパターンの場合を示す。図に示す特性の場合、露光
量を約６４ｍＪ／ｃｍ2 に選択すると、抜きパターンの
場合も残しパターンの場合も同一の寸法が得られる。
光学的レーザビームを用いて露光した場合の露光量と現
像されるパターン寸法との関係を示す。横軸が露光量を
単位ｍＪ／ｃｍ2 で示し、縦軸がパターン寸法を単位μ
ｍで示す。また、白丸は設計値２μｍ幅のストライプ状
のスペース部を形成する抜きパターンの場合を示し、黒
丸は設計値２μｍ幅のストライプ状のラインを形成する
残しパターンの場合を示す。図に示す特性の場合、露光
量を約６４ｍＪ／ｃｍ2 に選択すると、抜きパターンの
場合も残しパターンの場合も同一の寸法が得られる。
【００３０】露光量を減少させると、抜きパターンのパ
ターン寸法は減少し、残しパターンのパターン寸法は増
大する。逆に露光量を増加すると、抜きパターンのパタ
ーン寸法は増大し、残しパターンのパターン寸法は減少
する。例えば、露光量を５８ｍＪ／ｃｍ2 から７２ｍＪ
／ｃｍ2 の範囲内で変化させると、標準状態のパターン
寸法２．０μｍを１．９μｍから２．１μｍの範囲内で
変化させることができる。
ターン寸法は減少し、残しパターンのパターン寸法は増
大する。逆に露光量を増加すると、抜きパターンのパタ
ーン寸法は増大し、残しパターンのパターン寸法は減少
する。例えば、露光量を５８ｍＪ／ｃｍ2 から７２ｍＪ
／ｃｍ2 の範囲内で変化させると、標準状態のパターン
寸法２．０μｍを１．９μｍから２．１μｍの範囲内で
変化させることができる。
【００３１】露光グリッド間隔は通常０．０５μｍ又は
０．０２５μｍであり、より小さな露光量変化により１
グリッド分の線幅を変化できることが容易に理解されよ
う。
０．０２５μｍであり、より小さな露光量変化により１
グリッド分の線幅を変化できることが容易に理解されよ
う。
【００３２】なお、図２の特性は、線幅２．０μｍのパ
ターンを用いた場合であり、パターン寸法が変化する場
合には特性も変化する。
ターンを用いた場合であり、パターン寸法が変化する場
合には特性も変化する。
【００３３】図３、４は、本発明の実施例による露光デ
ータ作成方法を示すフローチャートである。図３におい
て、設計データ１に基づき、入力データ２を準備する。
入力データ２は、ＣＡＤにより作成されたデータであ
り、ＣＡＤに適したフォーマットを有する。露光装置で
入力データを利用するためには、露光装置に適したフォ
ーマットに変換することが望ましい。
ータ作成方法を示すフローチャートである。図３におい
て、設計データ１に基づき、入力データ２を準備する。
入力データ２は、ＣＡＤにより作成されたデータであ
り、ＣＡＤに適したフォーマットを有する。露光装置で
入力データを利用するためには、露光装置に適したフォ
ーマットに変換することが望ましい。
【００３４】入力データ２を、中間フォーマットに変換
する処理３を行い、中間フォーマットのデータ４とす
る。
する処理３を行い、中間フォーマットのデータ４とす
る。
【００３５】さらに、中間フォーマットのデータ４に対
し、サイジング、スケーリング等の各種処理５を行い、
中間フォーマットのデータ６を得る。この中間フォーマ
ットのデータ６は、所望の露光パターンを表すものであ
るが、露光グリッドとの一致は取られていない。
し、サイジング、スケーリング等の各種処理５を行い、
中間フォーマットのデータ６を得る。この中間フォーマ
ットのデータ６は、所望の露光パターンを表すものであ
るが、露光グリッドとの一致は取られていない。
【００３６】そこで、中間フォーマットのデータ６に対
し、丸め込みを行うか否かの判断７を行い、露光用デー
タに変換、登録する処理８を行う。この露光用データ
は、図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示したように、露光
グリッドに合わせた丸め込みを行い、さらに丸め込みに
伴う誤差を記録したデータである。このようにして得ら
れた露光用データ９を記録媒体に記録する。
し、丸め込みを行うか否かの判断７を行い、露光用デー
タに変換、登録する処理８を行う。この露光用データ
は、図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示したように、露光
グリッドに合わせた丸め込みを行い、さらに丸め込みに
伴う誤差を記録したデータである。このようにして得ら
れた露光用データ９を記録媒体に記録する。
【００３７】例えば、図５（Ａ）に示す設計データから
露光データを作成する場合を考える。パターンＰ１１ａ
とパターンＰ１４ａは対称的な形状であり、縦方向に延
在するストライプは線幅ｄを有する。また、パターンＰ
１２ａとパターンＰ１３ａも対称的なパターンであり、
縦方向に延在するストライプは全て同一の線幅ｄを有す
る。
露光データを作成する場合を考える。パターンＰ１１ａ
とパターンＰ１４ａは対称的な形状であり、縦方向に延
在するストライプは線幅ｄを有する。また、パターンＰ
１２ａとパターンＰ１３ａも対称的なパターンであり、
縦方向に延在するストライプは全て同一の線幅ｄを有す
る。
【００３８】図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のパターンを処
理した後得られた露光用データである。変換処理、丸め
込み処理の結果、パターンＰ１１ａ〜Ｐ１４ａは、それ
ぞれパターンＰ１１ｂ〜Ｐ１４ｂとなる。ここで、パタ
ーンの一部の線幅ｄ２が、同等であるべき他の部分の線
幅ｄ１よりも小さなものとなっている。ただし、線幅ｄ
２のパターンには、丸め込みにより減少した線幅が誤差
として付随している。
理した後得られた露光用データである。変換処理、丸め
込み処理の結果、パターンＰ１１ａ〜Ｐ１４ａは、それ
ぞれパターンＰ１１ｂ〜Ｐ１４ｂとなる。ここで、パタ
ーンの一部の線幅ｄ２が、同等であるべき他の部分の線
幅ｄ１よりも小さなものとなっている。ただし、線幅ｄ
２のパターンには、丸め込みにより減少した線幅が誤差
として付随している。
【００３９】なお、丸め込みにより生じた誤差は、全て
補正の対象としても良いが、実質上影響を与えない範囲
の誤差は無視し、所定しきい値以上の誤差のみを補正対
象としてもよい。例えば、単位グリッド幅ｇの１／ｎを
しきい値とし、（１／ｎ）ｇ以上の誤差を生じている辺
を補正対象とする。この場合、（０〜１）ｇをｎ個に分
割し、誤差をｎ個のグループに分類することができる。
補正の対象としても良いが、実質上影響を与えない範囲
の誤差は無視し、所定しきい値以上の誤差のみを補正対
象としてもよい。例えば、単位グリッド幅ｇの１／ｎを
しきい値とし、（１／ｎ）ｇ以上の誤差を生じている辺
を補正対象とする。この場合、（０〜１）ｇをｎ個に分
割し、誤差をｎ個のグループに分類することができる。
【００４０】誤差を補正するためには、パターン全体の
露光量を変化させてもよいが、パターンの周辺部のみの
露光量を変化させてもよい。パターンの中央領域は全て
基準露光量で露光すれば、露光量を変化させて露光する
領域の面積が減少し、効率的である。この場合、パター
ンの周辺部に補正領域を設定することになる。図１
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、このような補正領域ＣＡの
例も示している。
露光量を変化させてもよいが、パターンの周辺部のみの
露光量を変化させてもよい。パターンの中央領域は全て
基準露光量で露光すれば、露光量を変化させて露光する
領域の面積が減少し、効率的である。この場合、パター
ンの周辺部に補正領域を設定することになる。図１
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、このような補正領域ＣＡの
例も示している。
【００４１】図４は、誤差を伴う露光用データを用いて
誤差を補正できる露光データを作成する処理のフローを
示す。まず、露光様データ９を読み出し、丸め込みの行
われた補正対象辺とその丸め込み量（誤差）とを認識す
る（ステップ１０）。
誤差を補正できる露光データを作成する処理のフローを
示す。まず、露光様データ９を読み出し、丸め込みの行
われた補正対象辺とその丸め込み量（誤差）とを認識す
る（ステップ１０）。
【００４２】補正領域を設定するため対象辺をパターン
内側に移動して新たな辺を作成する。このため、誤差に
応じて対象辺を移動する移動量を算出する処理を行う
（ステップ１１）。続いて、算出した移動量に従い、補
正対象辺を移動させる（ステップ１２）。
内側に移動して新たな辺を作成する。このため、誤差に
応じて対象辺を移動する移動量を算出する処理を行う
（ステップ１１）。続いて、算出した移動量に従い、補
正対象辺を移動させる（ステップ１２）。
【００４３】図５（Ｃ）で示すように、パターンＰ２０
が左辺Ｓ２０ａと右辺Ｓ２０ｂとで画定され、右辺Ｓ２
０ｂが誤差±Δｘを有するものとする。誤差±Δｘに応
じ、露光量を変化させる領域の幅を算出する。算出値に
基づき、右辺Ｓ２０ｂを辺Ｓ２０ｃまで移動する。この
ようにして、パターンＰ２０の内部に右辺Ｓ２０ｂを左
側に移動した新たな辺Ｓ２０ｃが設定される。この結
果、パターンＰ２０は、補正を必要としない正常領域Ｎ
Ａと補正を行う補正領域ＣＡとに分割される。正常領域
ＮＡは、基準露光量Ｉ１で露光し、補正領域ＣＡは、誤
差±Δｘに応じた露光量±ΔＩを補正した補正露光量Ｉ
２＝Ｉ１±ΔＩで露光する。
が左辺Ｓ２０ａと右辺Ｓ２０ｂとで画定され、右辺Ｓ２
０ｂが誤差±Δｘを有するものとする。誤差±Δｘに応
じ、露光量を変化させる領域の幅を算出する。算出値に
基づき、右辺Ｓ２０ｂを辺Ｓ２０ｃまで移動する。この
ようにして、パターンＰ２０の内部に右辺Ｓ２０ｂを左
側に移動した新たな辺Ｓ２０ｃが設定される。この結
果、パターンＰ２０は、補正を必要としない正常領域Ｎ
Ａと補正を行う補正領域ＣＡとに分割される。正常領域
ＮＡは、基準露光量Ｉ１で露光し、補正領域ＣＡは、誤
差±Δｘに応じた露光量±ΔＩを補正した補正露光量Ｉ
２＝Ｉ１±ΔＩで露光する。
【００４４】このように、ステップ１２で補正対象辺を
移動させ、正常領域ＮＡについては、露光データに変換
し、登録する（ステップ１３）。この露光データは、正
常露光データとして記録媒体１４に記録する。
移動させ、正常領域ＮＡについては、露光データに変換
し、登録する（ステップ１３）。この露光データは、正
常露光データとして記録媒体１４に記録する。
【００４５】また、補正を行う補正領域ＣＡについて
は、補正パターンを発生させ（ステップ１５）、露光デ
ータに変換し、登録する（ステップ１６）。
は、補正パターンを発生させ（ステップ１５）、露光デ
ータに変換し、登録する（ステップ１６）。
【００４６】さらに、補正領域に関しては、丸め込み量
の判断を行い、補正量毎に分類し、露光補正量を付加し
て登録する（ステップ１７）。露光補正量は、露光量に
応じてそれぞれ分類し、別個のファイル１８ａ、１８
ｂ、１８ｃとして記録媒体に記録する。各ファイルは同
一露光量で露光するパターン群を記録する。
の判断を行い、補正量毎に分類し、露光補正量を付加し
て登録する（ステップ１７）。露光補正量は、露光量に
応じてそれぞれ分類し、別個のファイル１８ａ、１８
ｂ、１８ｃとして記録媒体に記録する。各ファイルは同
一露光量で露光するパターン群を記録する。
【００４７】上記は、１パターン毎に露光量を変化させ
ることができない場合、別個のファイル毎に露光量を与
える手法である。仮に、１パターン毎に露光量補正が可
能な露光装置の場合、各パターン毎に露光量補正の情報
を付加してやればよい。この場合、ファイルは１つ（例
えば１８ａのみ）でよい。
ることができない場合、別個のファイル毎に露光量を与
える手法である。仮に、１パターン毎に露光量補正が可
能な露光装置の場合、各パターン毎に露光量補正の情報
を付加してやればよい。この場合、ファイルは１つ（例
えば１８ａのみ）でよい。
【００４８】図１（Ｂ）に示すように、端数領域Ｆを面
積に応じて４捨５入した場合、誤差は±両方向に生じ
る。これに対し、図１（Ｃ）、（Ｄ）に示すような面積
による切り捨て又は面積による切り上げを行った場合
は、誤差は−又は＋の１極性でのみ生じる。
積に応じて４捨５入した場合、誤差は±両方向に生じ
る。これに対し、図１（Ｃ）、（Ｄ）に示すような面積
による切り捨て又は面積による切り上げを行った場合
は、誤差は−又は＋の１極性でのみ生じる。
【００４９】面積による端数領域の切り捨てを行った丸
め込みにおいては、補正はパターンを拡大する方向であ
り、補正領域ＣＡは、必ず本来発生すべきパターン内に
設定される。補正領域ＣＡにおいて、露光量を正常領域
の露光量よりも増大することにより、線幅が増大し、誤
差が補正される。
め込みにおいては、補正はパターンを拡大する方向であ
り、補正領域ＣＡは、必ず本来発生すべきパターン内に
設定される。補正領域ＣＡにおいて、露光量を正常領域
の露光量よりも増大することにより、線幅が増大し、誤
差が補正される。
【００５０】なお、補正領域ＣＡは図１（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）においては１グリッド幅分又は２グリッ
ド幅分で示されているが、実際の露光においては補正領
域ＣＡの幅は少なくとも数グリッド数分設定することが
好ましい。
（Ｃ）、（Ｄ）においては１グリッド幅分又は２グリッ
ド幅分で示されているが、実際の露光においては補正領
域ＣＡの幅は少なくとも数グリッド数分設定することが
好ましい。
【００５１】なお、１次元方向の補正について説明した
が、２次元パターンの補正も同様に行えることは自明で
あろう。
が、２次元パターンの補正も同様に行えることは自明で
あろう。
【００５２】図５（Ｄ）は、２次元パターンＰ３０の例
を示す。パターンＰ３０の外周の３辺は丸め込み誤差が
生じており、外側の３辺に沿って補正領域ＣＡが設定さ
れている。
を示す。パターンＰ３０の外周の３辺は丸め込み誤差が
生じており、外側の３辺に沿って補正領域ＣＡが設定さ
れている。
【００５３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明は実施例に限定されないことは当業者に自明であ
ろう。例えば、種々の変更、改良、組み合わせが可能な
ことは当業者に自明であろう。
本発明は実施例に限定されないことは当業者に自明であ
ろう。例えば、種々の変更、改良、組み合わせが可能な
ことは当業者に自明であろう。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光データにとしてパターン情報と共に誤差を記録し、
誤差に応じた補正を行うことにより、露光グリッドに制
限されない精度を実現することができる。
露光データにとしてパターン情報と共に誤差を記録し、
誤差に応じた補正を行うことにより、露光グリッドに制
限されない精度を実現することができる。
【図１】本発明の実施例を説明するための露光グリッド
とパターンの関係を示す平面図である。
とパターンの関係を示す平面図である。
【図２】露光量とパターン寸法の関係を示すグラフであ
る。
る。
【図３】本発明の実施例による処理を示すフローチャー
トである。
トである。
【図４】本発明の実施例による処理を示すフローチャー
トである。
トである。
【図５】本発明の実施例を説明するためのパターンの平
面図である。
面図である。
Claims (7)
- 【請求項１】 （ａ）第１の単位格子を用いて表現され
た入力データに基づいて露光用の中間データを準備する
工程と、 （ｂ）第２の単位格子を有する露光装置で用いるため、
前記中間データを第２の単位格子で表現したパターンデ
ータと補正成分を表わす中間補正データに変換する工程
とを含むパターン形成方法。 - 【請求項２】 さらに、（ｃ）露光量と露光線幅との関
係を予め準備する工程と、 （ｄ）前記補正成分を表す中間補正データから前記関係
を用いて前記補正成分を修正する補正露光量を含む補正
データを作成する工程とを含む請求項１記載のパターン
形成方法。 - 【請求項３】 さらに、第２の単位格子を有する露光装
置を用いて、前記露光データと前記補正データを用いて
露光対象物を露光する工程を含む請求項２記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項４】 前記パターンデータが面積あるいはパタ
ーンエッジの端数切り捨てによって得られるものであ
り、前記補正データが露光量増加を示すパラメータを含
むものである請求項２または３に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項５】 前記パターンデータが面積あるいはパタ
ーンエッジの端数切り上げによって得られるものであ
り、前記補正データが露光量減少を示すパラメータを含
むものである請求項２または３に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項６】 前記補正データが、露光量を変化させる
領域を示すパラメータを含む請求項２〜３のいずれかに
記載のパターン形成方法。 - 【請求項７】 前記露光装置が基準露光量を有し、前記
工程（ｄ）が前記パターンデータの領域内で補正露光量
で露光すべき補正領域のデータを作成することを含む請
求項２〜６のいずれかに記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26420898A JP2000100688A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26420898A JP2000100688A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100688A true JP2000100688A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17400001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26420898A Withdrawn JP2000100688A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100688A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006350201A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Dainippon Printing Co Ltd | チャープトグレーティング形成基板の作製方法および該作製方法により作製されたチャープトグレーティング形成マスク |
| JP2012047892A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8713505B2 (en) | 2008-05-15 | 2014-04-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Pattern generation method and pattern generation program |
| JP2016058714A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法 |
| WO2018016485A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスク、フォトマスク製造方法、及びフォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法 |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP26420898A patent/JP2000100688A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006350201A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Dainippon Printing Co Ltd | チャープトグレーティング形成基板の作製方法および該作製方法により作製されたチャープトグレーティング形成マスク |
| JP4668696B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-04-13 | 大日本印刷株式会社 | チャープトグレーティング形成基板の作製方法 |
| US8713505B2 (en) | 2008-05-15 | 2014-04-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Pattern generation method and pattern generation program |
| JP2012047892A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016058714A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法 |
| WO2018016485A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスク、フォトマスク製造方法、及びフォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| CN109690402A (zh) * | 2016-07-21 | 2019-04-26 | 凸版印刷株式会社 | 光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法 |
| JPWO2018016485A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2019-05-09 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスク、フォトマスク製造方法、及びフォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |