JP2001281838A - イメージを作成するテンプレート - Google Patents

イメージを作成するテンプレート

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JP2001281838A JP2001083460A JP2001083460A JP2001281838A JP 2001281838 A JP2001281838 A JP 2001281838A JP 2001083460 A JP2001083460 A JP 2001083460A JP 2001083460 A JP2001083460 A JP 2001083460A JP 2001281838 A JP2001281838 A JP 2001281838A
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハーフトーン転写の概念に基づいて、転写イ
メージのフィーチャ寸法を、そのイメージを作成するの
に用いられるテンプレートの最小のアドレス可能な単位
よりも小さいインクリメントで制御する技術を提供す
る。 【解決手段】 最小のテンプレート・サイズまたはピク
セル・サイズの小さい割合であるインクリメントによっ
て、公称幅と異なるサイズを有するイメージを作成する
フォトマスクを作製できる。この技術によって作製され
たテンプレートは、1つ以上の縁部を有するフィーチャ
と、縁部に配置された形状(突出部または引込部)の第
1のアレイ41および第2のアレイ45とを備える。第
1および第2のアレイ41,45は、個々の区分周期を
有し、第1および第2の区分周期は異なる。各アレイ
は、対応する区分周期ごとに繰り返す複数の同一形状よ
り形成され、各形状は、所定の長さおよび所定の幅を有
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、テンプレートを用
いることによって形成されたイメージのサイズを制御す
る技術に関する。特に、本発明は、半導体処理のVLS
Iリソグラフィに用いられるフォトマスクを製造するサ
ブグリッド・バイアシング技術に関し、この技術では、
半導体ウエハ上に形成されたイメージが、フォトマスク
・フィーチャのサイズおよび形状に関連するように(同
一ではないが)、フォトマスクが、ハーフトーン・タイ
プのパターンを有する。
【0002】
【従来の技術】フォトマスクの製造は、ウエハ上により
小さくかつより正確なフィーチャを必要とする顧客の要
求を、絶えず受けている。特に、同じレチクル内のフィ
ーチャの線幅のわずかな差の必要性は、フォトマスク上
にカスタマ・パターンを描画するラスタスキャン電子ビ
ーム・システム上で、より小さいピクセル・サイズの使
用を強要している。
【0003】より小さいピクセル・サイズは、例えば、
線幅バイアシングの光近接効果補正を行うときに利点が
ある。例えば、論理ゲート・レベルでは、光近接効果
は、異なる環境に置かれた線(公称的には同じ寸法であ
る)を、異なって転写させる。この問題は、マスク・フ
ィーチャを、ピッチの関数としてバイアスすることによ
って克服することができる。
【0004】この手法の有効性は、ピクセル・サイズま
たは設計グリッドΔによって制限される。一般に、テン
プレートを用いてイメージが転写されると、テンプレー
トの線幅は、Δの整数倍に制限される。転写されたイメ
ージの誤差が、Δ/2より大きくないことを保証するた
めには、Δの設計グリッドを必要とする。ウエハ上での
転写に用いられるフォトマスクの場合は、ウエハの短寸
法(CD:Critical Dimension)
が、小さいk1 係数(k1 は、λ/NAによって分割さ
れたCDである。ここで、λは、光の波長であり、NA
は、対応する露光装置の開口数である)で、マスク寸法
誤差(マスク誤差係数MEFとして示される)に、大き
く応答するので、設計グリッドは、さらに小さくなるこ
とが強要される。Δ/2の誤差限界は、Δ/MEFの設
計グリッドを必要とする。
【0005】例えば、2.5nmの誤差限界Δ/2が所
望され(典型的には、近い将来必要とされるであろ
う)、かつ、MEFが2であるならば、マスク上で必要
とされる設計グリッドΔは、2.5nmである。しか
し、より小さい設計グリッド(より小さいピクセル・サ
イズ)の使用は、マスクにパターンを描画するのに要求
される時間を増やし、このことは、スループットを低減
し、製造コストを増大させる。図1に示すように、設計
グリッド・サイズが増大するにつれて、所定のサイズの
マスク描画時間は、二次関数的に増大する。最新式のマ
スク描画装置は、1Xの縮小につき、2.5nmの設計
グリッドΔを可能とするが、このような設計グリッドを
有する15.24cm(6インチ)四方のレチクルは、
30時間の禁止的な長さの描画時間を必要とする。従っ
て、有効なマスク描画のためには、2.5nmの設計グ
リッドは、小さすぎる。
【0006】従って、2.5nmよりかなり大きいグリ
ッド(例えば、描画時間が約1時間である、Δ=25n
m)を有して設計することが望まれるが、依然として、
2.5nmのイメージ・サイズのインクリメントを実現
しているだけである。次世代電子回路を設計する際に、
この可能性を有することは、益々重要となるであろう。
【0007】この問題を解決するための従来の技術は、
ハーフトーン・バイアシングと呼ばれる。ハーフトーン
・バイアシング技術は、フィーチャ縁部に対するサブ解
像度のハーフトーン・スクリーンの応用を含む。
【0008】図2〜図4は、通常のハーフトーン・バイ
アシング技術を示す。図2では、マスクは、幅Wより形
成された形状20を有する。マスクは、設計グリッドΔ
を有して描画されるので、幅Wは、設計グリッドΔの整
数倍としなければならず、従って、W=nΔ(nは、整
数)となる。しかし、W′=W+Δ/2の短寸法が必要
とされると、すなわち、転写イメージ21が、W′の幅
を有することが望まれると仮定する(図3を参照)。こ
の結果を実現するために、ハーフトーン・バイアシング
技術を用いることができる。図4に示すように、幅Δの
突出部22のアレイが、幅Wのマスク・フィーチャ縁部
に形成される。これらの突出部(または、フィーチャ縁
部の“歯(teeth)”)は、厳格な区分周期すなわ
ちピッチPを有し、従って、線がイメージされる(例え
ば、半導体ウエハ上に転写される)と、突出部の詳細
は、解像されない。しかし、マスク上のこれら突出部の
存在は、転写イメージ幅に影響を与える。この影響の大
きさは、歯の構成の“ハーフトーン%”によって決定さ
れる。
【0009】この手法は、ハーフトーン転写に類似す
る。露光装置は、低域フィルタとして働くので、λ/N
A(1+δ)より小さい空間周期は、解像されない(δ
は、部分コヒーレンス係数である)。この解像限界以上
の周期を有するマスク・フィーチャに対しては、平均透
過率のみが、露光装置によって獲得される。
【0010】例えば、図4に示すように、突出部22
は、1つの設計グリッドΔの幅と、1つの設計グリッド
Δの長さD(フィーチャの縁部に沿った距離)とを有す
る。すなわち、これら突出部は、フィーチャ20の縁部
に、区分周期すなわちピッチP=4Δで設けられる。フ
ィーチャの1縁部当たりのハーフトーン%は、(D/
P)×100(%)によって定められる。突出部は、マ
スク・パターン上にははっきり見えるが、突出部は、転
写イメージに復元されることはない。しかし、転写イメ
ージ23は、ハーフトーン%に依存する短寸法の垂直縁
部を有する。この例では、D=ΔおよびP=4Δで、ハ
ーフトーン%は、(1/4)×100%=25%であ
る。従って、転写イメージの各縁部は、Δ/4だけシフ
トする。フィーチャの短寸法は、実際に転写されると、
W′=W+2×(Δ/4)、すなわちW′=W+Δ/2
となる。従って、ハーフトーン・バイアシング技術は、
設計グリッド(または、電子ビームマスク作成において
は、アドレス単位サイズ)を減小させることなく、転写
イメージのより細かい制御を可能にする。
【0011】一般に、縁部がnΔの周期単位に区分され
ると、Δ/n(nは、正の整数)のインクリメントで縁
部をバイアスできる(従って、Δ/nは、見かけグリッ
ドと呼ばれる)。しかし、このインクリメントは、任意
に小さくすることはできない。なぜならば、区分周期n
Δは、露光装置の解像度によって制限されるからであ
る。すなわち、nは、以下の式によって与えられる最大
値nmax を有する。
【0012】
【数1】最大値nmax Δ≦λ/NA(1+δ) λ=248nm,NA=0.68,δ=0.8,Δ=2
5nmである露光装置では、この式により、nmax =8
となる。このような露光装置では、Δのグリッドで設計
されたフィーチャ・ライン31の縁部を、Δ/8のイン
クリメントでバイアスでき、図5に示すように、縁部
が、8Δの周期単位に区分されていると、転写線32
は、W′=W+2×(Δ/8)=W+Δ/4の幅を有す
る。
【0013】使用可能なバイアシング・インクリメント
をさらに減小させる(すなわち、設計グリッドに対して
見かけグリッドを減少させる)ことができるサブグリッ
ド・バイアシング方法が必要とされている。これによ
り、転写フィーチャ・サイズの改善された制御を可能に
し、フォトマスクに必要な描画時間を制限する。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハーフトー
ン転写の概念に基づいて、転写イメージのフィーチャ寸
法を非常に小さいインクリメントで制御する技術を提供
する。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、そのイメージ
を作成するために用いられるテンプレートの最小のアド
レス可能な単位よりも小さいこれらインクリメントを可
能にする。特に、この技術は、最小のテンプレート・サ
イズまたはピクセル・サイズの小さい割合であるインク
リメントによって、公称幅と異なるサイズでイメージを
作成するフォトマスクの製造を可能にする。他の方法を
説明すると、本発明は、設計グリッドのサイズを減小す
ることなく、設計グリッドに対する見かけグリッドの割
合を減小する技術を提供する。
【0016】本発明の第1の形態によれば、イメージを
形成するテンプレートは、1つ以上の縁部を有するフィ
ーチャと、縁部に配置された、第1のアレイの形状およ
び第2のアレイの形状とを備える。第1および第2のア
レイは、それぞれ、第1および第2の区分周期を有し、
第1および第2の区分周期は、異なる。典型的な構成で
は、フィーチャは、2つの縁部を有する線であり、突出
部または引込部のアレイが、各縁部に配置される。各ア
レイは、対応する区分周期ごとに繰り返す複数の同一形
状より形成され、各形状は、所定の長さおよび所定の幅
を有する。典型的には、全ての形状は、同一幅を有す
る。
【0017】アレイの形状は、第1の複数の同一幅であ
る長さと、第2の複数の同一幅であるアレイの区分周期
とを有し、第2の複数は、第1の複数よりも大きい。
【0018】本発明の他の形態によれば、第1のアレイ
の形状および第2のアレイの形状は、異なる長さを有
し、さらに、2つのアレイは、異なる区分周期を有す
る。従って、テンプレート上の線フィーチャは、フィー
チャ縁部に沿った形状(突出部および引込部)の長さお
よび周期の両方に対して非対称に見える。
【0019】本発明の他の形態によれば、フィーチャの
少なくとも1つの縁部は、縁部に沿って配置された複数
のアレイの形状を有する。アレイの各々は、縁部に対し
て内側境界および外側境界を有し、所定のアレイの内側
境界は、縁部に近接する近傍アレイの外側境界に一致
し、アレイはまた、異なる区分周期を有する。
【0020】本発明のさらに他の形態によれば、イメー
ジを形成するテンプレートは、縁部に配置された第1の
アレイおよび第2のアレイを有する1つ以上の縁部を有
する2次元フィーチャを備え、アレイは、それぞれ、第
1の区分周期および第2の区分周期を有し、第1および
第2の区分周期は、互いに異なる。フィーチャは、各縁
部に沿って配置された形状(突出部または引込部)のア
レイを有する2対の対向縁部を有する長方形とすること
ができる。対向縁部の1対のアレイの各アレイは、イメ
ージの長さおよび幅の両方の制御のための異なる区分周
期を有する。
【0021】本発明の他の形態によれば、イメージの誤
差を補正する光近接補正方法が、与えられる。この方法
は、イメージの幅が変更されるべき量を決定するステッ
プと、テンプレートを準備し、上述したような縁部およ
びアレイを有するフィーチャを有するイメージを作成す
るステップと、イメージ幅を制御するためにアレイの区
分周期を調整するステップとを含む。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明を、特に、半導体処理のV
LSIリソグラフィに用いられるフォトマスク・パター
ンを参照して説明する。本発明は、イメージ・プロセス
および転写プロセスに応用され、テンプレートのフィー
チャ・サイズは、一般に、関連する(必ずしも同一であ
る必要はない)サイズを有するイメージを形成させるこ
とが分かるであろう。
【0023】図6〜図13は、本発明の3つの実施例に
よるサブグリッド・バイアシング・フォトマスク・パタ
ーンを示す。これらの図において、Wは、第1および第
2の縁部(例えば、左右縁部)を有する長方形の形状の
主フィーチャ線の短寸法を示し、Δは、対応する設計グ
リッドの幅を示す。
【0024】本発明の第1の実施例を、図6に示す。主
フィーチャ線40の第1の縁部(左側縁部)には、複数
の同一形状かつ同一間隔の突出部(第1の突出部アレ
イ)41が、形成されている。主フィーチャ線の第2の
縁部(右側縁部)には、同一形状かつ同一間隔の突出部
(第2の突出部アレイ)42が、形成されている。第1
および第2の突出部41,42の各々は、幅Δを有す
る。第1および第2の突出部の各々は、D=Δによって
与えられた(主フィーチャ線に沿って測定された)長さ
Dを有する。
【0025】図2〜図5に示された、突出部の通常の構
成に対して、第1の突出部アレイおよび第2の突出部ア
レイの区分周期は、異なり、フォトマスク・パターンの
線の外観は非対称である。第1の縁部では、区分周期P
1 =n1 Δ(n1 =2)、第2の縁部では、区分周期P
2 =n2 Δ(n2 =5)である。
【0026】図6に示す、非対称サブグリッド・バイア
シング・フォトマスク・パターンを使用すると、Δ/1
0の見かけグリッドが可能である。転写イメージの縁部
は、それぞれ、(D/P1 )Δおよび(D/P2 )Δの
距離だけシフトする。従って、転写イメージの幅W′
は、以下の式で与えられる。
【0027】
【数2】W′=W+(D/P1 +D/P2 )Δ あるいは、D=Δ,P1 =n1 Δ,P2 =n2 Δである
ので、
【0028】
【数3】W′=W+(1/n1 +1/n2 )Δ 従って、
【0029】
【数4】W′=W+((n2 +n1 )/n1 2 )Δ となる。図6の例では、n1 =2,n2 =5で、W′=
W+(7/10)Δとなる。
【0030】線の縁部は、突出部の代わりに、あるいは
突出部に加えて、引込部またはノッチを有することがで
きる。図7は、一縁部の突出部のアレイ41と、他縁部
の引込部のアレイ45とを有するテンプレート(例え
ば、フォトマスク)のフィーチャ線40を示す。突出部
の代わりに引込部が用いられると、転写線の縁部は、フ
ィーチャ線の中心方向にバイアスされ、転写線幅W′
は、フィーチャ線40の幅Wより小さくなる。図7の例
では、第1の縁部に区分周期P1 =n1 Δ=2Δを有す
る突出部のアレイがあり、第2の縁部に区分周期P2
2 Δ=5Δを有する引込部のアレイがある。この場
合、線の転写イメージの幅は、以下の式で与えられる。
【0031】
【数5】W′=W+(D/P1 −D/P2 )Δ 従って、
【0032】
【数6】W′=W+(1/n1 −1/n2 )Δ あるいは、
【0033】
【数7】W′=W+((n2 −n1 )/(n1 2 )Δ となる。図7の例では、n1 =2,n2 =5で、W′=
W+(3/10)Δとなる。
【0034】図8は、両縁部に引込部のアレイを有する
テンプレートのフィーチャ線40を示す。この構成は、
第1の(左側)縁部の突出部のアレイ41が、引込部の
アレイ46によって置き換えられていること以外は、図
7と同様である。この場合、線の転写イメージの幅は、
以下の式で与えられる。
【0035】
【数8】W′=W−(D/P1 +D/P2 )Δ 従って、
【0036】
【数9】W′=W−(1/n1 +1/n2 )Δ あるいは、
【0037】
【数10】W′=W−((n2 +n1 )/n1 2 )Δ となる。図8では、図6および図7と同様に、n1
2,n2 =5で、従って、W′=W−(7/10)Δと
なる。
【0038】一般に、線の2つの縁部を、2つの異なる
周期(すなわち、n1 は、n2 とは異なる)で区分する
ことによって実現できる見かけグリッドは、Δ/LCM
である。ここで、LCMは、n1 およびn2 の最小公倍
数である。n1 およびn2 の上限は共に、以下のnmax
によって与えられる。
【0039】
【数11】nmax Δ≦λNA(1+δ) 上記の例のように、nmax =8であると、例えば、n1
=7およびn2 =8では、Δ/56ほどに小さい見かけ
グリッドを実現できる。
【0040】図9,図10,図11は、本発明の第2の
実施例によるテンプレート(例えば、フォトマスク)の
サブグリッド・バイアシング・パターンを示す。図9で
は、フィーチャ線50は、第1の(左側)縁部の複数の
突出部(第1の突出部アレイ)51と、第2の(右側)
縁部の複数の他の突出部(第2の突出部アレイ)52と
を有する。この実施例では、第1および第2のアレイに
おける突出部/引込部は、(フィーチャの縁部に沿って
測定された)異なる長さを有し、例えば、図9では、第
1の突出部51は、長さD1 =aΔ(a=1)を有し、
第2の突出部52は、長さD2 =bΔ(b=2)を有す
る。
【0041】第1の実施例のように、第1および第2の
突出部アレイの区分周期は、異なる。第1の縁部では、
区分周期P1 =n1 Δ(n1 =2)、第2の縁部では、
区分周期P2 =n2 Δ(n2 =5)である。
【0042】また、非対称サブグリッド・バイアシング
・フォトマスク・パターンの使用は、Δ/10の見かけ
グリッドを可能にするが、バイアシング結果は、図6と
は異なる。図9では、転写イメージの第1および第2の
縁部は、それぞれ、(D1 /P1 )Δおよび(D2 /P
2 )Δの距離だけシフトする。従って、転写イメージの
幅W′は、以下の式によって与えられる。
【0043】
【数12】W′=W+(D1 /P1 +D2 /P2 )Δ あるいは、D1 =aΔ,D2 =bΔ,P1 =n1 Δ,P
2 =n2 Δであるので、
【0044】
【数13】W′=W+(a/n1 +b/n2 )Δ 従って、
【0045】
【数14】 W′=W+((an2 +bn1 )/n1 2 )Δ となる。図9の例では、a=1,b=2,n1 =2,n
2 =5で、W′=W+(9/10)Δとなる。
【0046】図10は、突出部のアレイ51が、フィー
チャ線50の第1の縁部にあり、引込部のアレイ55
が、第2の縁部にある構成を示す。この場合、線の転写
イメージの幅は、
【0047】
【数15】W′=W+(a/n1 −b/n2 )Δ であり、従って、
【0048】
【数16】 W′=W+((an2 −bn1 )/n1 2 )Δ となる。図9のように、a=1,b=2,n1 =2,n
2 =5である。従って、図10のパターンでは、W′=
W+(1/10)Δとなる。
【0049】再度、nmax =8とすると、n1 =7およ
びn2 =8で、Δ/56の見かけグリッドが実現でき
る。これらの区分周期が用いられ、長さD1 =Δおよび
2 =3Δの突出部の2つのアレイが、用いられると、
その構成は、図11に示すようになる。従って、線の転
写イメージの幅は、W′=W+((8+21)/56)
Δ=W+(29/56)Δとなる。
【0050】前述した2つの実施例では、フィーチャ線
の各縁部が、突出部(または、引込部)の1つのアレイ
を有し、従って、各縁部は、1つの所定の区分周期を有
するものとした。本発明の第3の実施例では、各縁部に
対して1つ以上の区分周期があり、このことは、見かけ
グリッドをさらに改良することを可能にする。例えば、
max =8であり、1縁部当たり2つの区分周期がある
と、第1の(左側)縁部は、n11=7およびn12=8で
区分でき、第2の(右側)縁部は、n21=3およびn22
=5で区分できる。この実施例を、図12および図13
に示す。
【0051】図12では、フィーチャ線60は、左側縁
部および右側縁部に、それぞれ区分周期7Δおよび8Δ
を有する突出部のアレイ61,63を有する。図12で
分かるように、追加アレイ62,64は各々、突出部ア
レイ61,63の外側境界にそれぞれ一致する内側境界
62i,64iを有する。このことは、アレイ62,6
4が、一般に、フィーチャ線60に接続されていない
が、縁部から距離Δを置いた領域を有することを意味す
る。相対的区分周期に依存して、アレイ61および62
は、縁部から垂直な突出部(縁部に沿った方向に一致す
る領域61aおよび62aによって生じる),縁部から
の突出部が1つの角部で他の領域(例えば、領域61
b,62b)に接触する形状,あるいは、62cのよう
な領域がフィーチャ線60から完全に分離されている場
合を生じる。
【0052】図12の構成では、線の転写イメージの幅
W′は、以下の式で与えられる。
【0053】
【数17】W′=W+(1/n11+1/n12+1/n21
+1/n22)Δ 従って、
【0054】
【数18】W′=W+((n122122+n112122
+n111222+n111221)/n11122122
Δ である。この例では、n11=7,n12=8,n21=3,
22=5であるので、
【0055】
【数19】W′=W+((120+105+280+1
68)/840)Δ=W+(673/840)Δ となる。
【0056】図13は、突出部のアレイ61,63が、
それぞれ、第1および第2の縁部の引込部のアレイ6
5,67によって置き換えられている点を除いては、図
12と同様である。従って、追加アレイ66,68の内
側境界は、フィーチャ線の縁部に一致するように、内側
にシフトしている。これらアレイの形状は、しばしば、
フィーチャ線からの突出部のように見えることもある。
また、アレイ65,66,67,68の区分周期は、そ
れぞれ、7Δ,8Δ,3Δ,5Δである。この場合、転
写イメージの幅は、以下の式によって与えられる。
【0057】
【数20】W′=W+(−1/n11+1/n12−1/n
21+1/n22)Δ 従って、
【0058】
【数21】W′=W+((−n122122+n1121
22−n111222+n111221)/n1112
2122)Δ である。従って、
【0059】
【数22】W′=W+((−120+105−280+
168)/840)Δ=W−(127/840)Δ となる。
【0060】図12および図13に示すように、1つの
縁部における複数の区分周期の使用は、Δ/(8×7×
3×5)=Δ/840の見かけグリッドを生じる。従っ
て、本発明のこの実施例では、見かけグリッドは、対応
する設計グリッドより約3倍小さくすることができる。
【0061】第3の実施例のこれらの例では、アレイの
形状の全て(種々のアレイの要素)は、同じ長さΔを有
する。第2の実施例のように、アレイの形状は、異なる
長さ(すなわち、Δの種々の整数倍)を有することが分
かる。これにより、転写イメージの幅W′をさらに大き
く制御することができる。
【0062】前述の第3の実施例の説明では、2つの形
状のアレイが、フィーチャ線の各縁部に沿って配置され
ている。この構成は、フィーチャ線の両側の3つ以上の
形状のアレイまで拡げることができることが分かる。各
アレイは、フィーチャ線の縁部に近接する近傍アレイの
外側境界に一致する内側境界を有する。
【0063】マスク描画時間に関する本発明の利点は、
多くの例から容易に分かる。すなわち、見かけグリッド
が、Δ/20(n1 =4およびn2 =5である第1の実
施例のような)であり、設計グリッドΔが、25nmで
あるならば、バイアシング・インクリメントは、1.2
5nmとなる。本発明による非対称ハーフトーン・バイ
アシングが、適用されると、描画時間は、1.25nm
の設計グリッドでの描画時間よりも(漸近的に)202
=400倍速い。
【0064】これらの実施例の説明においては、1次元
のフィーチャ線が仮定されている。本発明はまた、長さ
および幅の両方の制御に対して、長方形のような2次元
フィーチャに応用できることが分かるであろう。図14
に示すように、2次元フィーチャの縁部は、前に詳細に
説明したように、種々の長さの突出部または引込部を有
することができる。さらに、本発明では、テンプレート
(フォトマスクのような)のフィーチャは、フィーチャ
が公称的に全て同じサイズであっても、転写イメージが
異なるサイズとなるように制御することができることが
分かるであろう。このことが望まれる応用の1つは、個
別のnゲートおよびpゲートの補正に対するパターン補
正および制御である。
【0065】本発明は、転写パターンのサイズの制御に
対する光近接効果補正(OPC)の一般的技術に応用で
きる。OPCは、回路の短寸法の変化を減小させる際
に、非常に有用であることが分かっている。一般には、
図15に示すように、OPCプロセスは、プロセス特性
化(ステップ701),誤差決定(ステップ702),
補正テーブル作成(ステップ703)のステップを含
む。通常のOPCプロセスは、線幅バイアシングを用い
て、短寸法の制御を実現する(ステップ704a)。Δ
の設計グリッドに対しては、寸法制御限界は、Δのオー
ダーである。ハーフトーン線幅バイアシング・プロセス
を代わりに用いると(ステップ704b)、寸法制御限
界は、Δ/nmax であり、これは、上述したように、典
型的には、約Δ/8である。しかし、本発明の非対称バ
イアシング技術を用いる(ステップ704c)と、寸法
制御限界は、実質的には、Δ/100より小さくするこ
とができる。
【0066】本発明を特定の実施例によって説明した
が、前述した説明によって、多くの改良,変更,変形
が、当業者にとっては明らかであることが分かる。従っ
て、本発明は、本発明および特許請求の範囲の趣旨およ
び範囲内にあるこのような改良,変更,変形の全てを含
むことを意図している。
【0067】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 (1)イメージを作成するテンプレートであって、1つ
以上の縁部を有するフィーチャと、前記縁部に配置され
た第1のアレイの形状および第2のアレイの形状とを備
え、前記第1のアレイおよび前記第2のアレイの各々
は、前記フィーチャの突出部のアレイ、および前記フィ
ーチャの引込部のアレイのうちの1つであり、前記第1
のアレイおよび前記第2のアレイは、それぞれ、第1の
区分周期および第2の区分周期を有し、前記第1の区分
周期は、前記第2の区分周期と異なる、テンプレート。 (2)前記フィーチャは、第1の縁部および第2の縁部
を有する線であり、前記第1のアレイおよび前記第2の
アレイは、それぞれ、前記第1の縁部および前記第2の
縁部に配置される、上記(1)に記載のテンプレート。 (3)前記第1のアレイおよび前記第2のアレイの各々
は、外側境界を有し、前記第1のアレイおよび前記第2
のアレイのうちの1つの外側境界に一致する内側境界を
有する少なくとも1つの追加アレイの形状をさらに備
え、前記第1のアレイ,前記第2のアレイ,および前記
追加アレイは、異なる区分周期を有する、上記(2)に
記載のテンプレート。 (4)各アレイは、対応する区分周期ごとに繰り返す複
数の同一形状より形成され、前記同一形状の各々は、前
記縁部に沿った所定の長さおよび所定の幅を有する、上
記(1)に記載のテンプレート。 (5)前記アレイの各々の全ての形状は、同一幅を有す
る、上記(4)に記載のテンプレート。 (6)各形状は、第1の複数の同一幅である長さを有
し、各アレイの区分周期は、第2の複数の同一幅であ
り、前記第2の複数は、前記第1の複数よりも大きい、
上記(5)に記載のテンプレート。 (7)少なくとも1つの縁部が、前記縁部に沿って配置
された複数のアレイの形状を有し、前記アレイの各々
は、前記縁部について内側境界および外側境界を有し、
所定のアレイの内側境界が、前記縁部に近接する近傍ア
レイの外側境界に一致し、前記アレイは、異なる区分周
期を有する、上記(3)に記載のテンプレート。 (8)前記第1のアレイは、第1の長さを有する形状よ
り形成され、前記第2のアレイは、前記第1の長さと異
なる第2の長さを有する形状より形成される、上記
(4)に記載のテンプレート。 (9)イメージを作成するテンプレートであって、第1
の縁部および第2の縁部を有するフィーチャと、前記第
1の縁部に配置され、第1の区分周期を有する第1のア
レイの形状と、前記第2の縁部に配置され、第2の区分
周期を有する第2のアレイの形状とを備え、前記第1の
区分周期は、前記第2の区分周期と異なり、前記形状の
各々は、前記フィーチャの突出部および前記フィーチャ
の引込部のうちの1つである、テンプレート。 (10)前記第1のアレイおよび前記第2のアレイの各
々は、外側境界を有し、前記第1のアレイおよび前記第
2のアレイのうちの1つの外側境界に一致する内側境界
を有する少なくとも1つの追加アレイの形状をさらに備
え、前記第1のアレイ,前記第2のアレイ,および前記
追加アレイは、異なる区分周期を有する、上記(9)に
記載のテンプレート。 (11)各アレイは、対応する区分周期ごとに繰り返す
複数の同一形状より形成され、各形状は、前記縁部に沿
った所定の長さおよび所定の幅を有する、上記(9)に
記載のテンプレート。 (12)前記アレイの各々の全ての形状は、同一幅を有
する、上記(11)に記載のテンプレート。 (13)各形状は、第1の複数の同一幅である長さを有
し、各アレイの区分周期は、第2の複数の同一幅であ
り、前記第2の複数は、前記第1の複数よりも大きい、
上記(12)に記載のテンプレート。 (14)前記第1の縁部および前記第2の縁部の各々
は、2つのアレイの形状を有する、上記(10)に記載
のテンプレート。 (15)前記アレイの各々は、対応する区分周期ごとに
繰り返す複数の同一形状より形成され、各形状は、前記
縁部に沿った所定の長さおよび所定の幅を有し、各縁部
における2つのアレイは、各々、形状長さおよび区分周
期によって特徴付けられ、異なる区分周期および異なる
形状長さを有する、上記(14)に記載のテンプレー
ト。 (16)イメージを作成するテンプレートであって、1
つ以上の縁部を持つ2次元フィーチャと、前記縁部に配
置された第1のアレイの形状および第2のアレイの形状
とを有し、前記第1のアレイおよび前記第2のアレイ
は、それぞれ、第1の区分周期および第2の区分周期を
有し、前記第1の区分周期および前記第2の区分周期
は、互いに異なる、テンプレート。 (17)前記2次元フィーチャが、2対の対向縁部を有
する長方形であり、前記縁部の各々に沿って配置された
アレイの形状をさらに備え、各アレイは、前記フィーチ
ャの突出部のアレイおよび前記フィーチャの引込部のア
レイのうちの1つであり、対向縁部の1対のアレイの各
アレイは、長さおよび幅の両方の制御のための異なる区
分周期を有する、上記(16)に記載のテンプレート。 (18)イメージの誤差を補正する光近接効果補正方法
であって、前記方法は、イメージの幅が変更されるべき
量を決定するステップと、テンプレートを準備し、前記
テンプレートにフィーチャを形成することによってイメ
ージを作成するステップとを含み、前記フィーチャは、
1つ以上の縁部と、前記縁部に配置された第1のアレイ
の形状および第2のアレイの形状とを有し、前記第1の
アレイおよび前記第2のアレイは、それぞれ、第1の区
分周期および第2の区分周期を有し、前記第1の区分周
期は、前記第2の区分周期と異なり、前記イメージの幅
を制御するために、前記第1の区分周期および前記第2
の区分周期を調整するステップを含む、光近接効果補正
方法。 (19)前記第1のアレイおよび前記第2のアレイは、
各々、前記縁部に沿った長さを有する複数の形状より形
成され、前記第1のアレイは第1の長さを有する形状を
有し、前記第2のアレイは第2の長さを有する形状を有
し、前記第1の長さが前記第2の長さと異なり、前記イ
メージの幅を調整するために、前記第1の長さおよび前
記第2の長さを調整するステップをさらに含む、上記
(18)に記載の光近接効果補正方法。 (20)各縁部は、前記縁部に沿って配置された複数の
アレイを有し、前記調整するステップは、互いに関して
前記アレイの前記区分周期を調整するステップをさらに
含む、上記(18)に記載の光近接効果補正方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】典型的なフォトマスクに対する設計グリッドと
描画時間との間の関係を示すグラフである。
【図2】通常のハーフトーン・バイアシング技術を示す
図である。
【図3】通常のハーフトーン・バイアシング技術を示す
図である。
【図4】通常のハーフトーン・バイアシング技術を示す
図である。
【図5】通常のハーフトーン・バイアシング技術によっ
て、縁部が、8Δの周期単位に区分されると、グリッド
幅Δおよび長さΔで設計されたフィーチャ線がいかにし
てΔ/8のインクリメントでバイアスできるかを示す図
である。
【図6】本発明の第1の実施例によるサブグリッド・バ
イアシング・パターンを示す図である。
【図7】本発明の第1の実施例によるサブグリッド・バ
イアシング・パターンを示す図である。
【図8】本発明の第1の実施例によるサブグリッド・バ
イアシング・パターンを示す図である。
【図9】本発明の第2の実施例によるサブグリッド・バ
イアシング・パターンを示す図である。
【図10】本発明の第2の実施例によるサブグリッド・
バイアシング・パターンを示す図である。
【図11】本発明の第2の実施例によるサブグリッド・
バイアシング・パターンを示す図である。
【図12】本発明の第3の実施例によるサブグリッド・
バイアシング・パターンを示す図である。
【図13】本発明の第3の実施例によるサブグリッド・
バイアシング・パターンを示す図である。
【図14】本発明の2次元パターン・フィーチャへの応
用を示す図である。
【図15】従来のOPCプロセスとは対照的な、本発明
による光近接効果補正(OPC)プロセスにおけるステ
ップを示す図である。
【符号の説明】
40 主フィーチャ線 41,51 第1のアレイ 42,52 第2のアレイ 45,46,55,65,67 引込部アレイ 50,60 フィーチャ線 61,63 突出部アレイ 61a,62a 領域 61b,62b 他の領域 62,64,66,68 追加アレイ 62i,64i 内側境界
フロントページの続き (72)発明者 アルフレッド・ケイ・ウォング アメリカ合衆国 12508 ニューヨーク州 ビーコン ヴァン コートランド ディ ーアール 5エイ (72)発明者 リチャード・エイ・ファーガソン アメリカ合衆国 12569 ニューヨーク州 プレザント ブイエルワイ ヴィレッジ パーク エイピーティーエス 18−104 (72)発明者 ラース・ダブリュ・リーブマン アメリカ合衆国 12570 ニューヨーク州 ポウクェイグ コーンウェル ストリー ト 5

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】イメージを作成するテンプレートであっ
    て、 1つ以上の縁部を有するフィーチャと、 前記縁部に配置された第1のアレイの形状および第2の
    アレイの形状とを備え、前記第1のアレイおよび前記第
    2のアレイの各々は、前記フィーチャの突出部のアレ
    イ、および前記フィーチャの引込部のアレイのうちの1
    つであり、前記第1のアレイおよび前記第2のアレイ
    は、それぞれ、第1の区分周期および第2の区分周期を
    有し、前記第1の区分周期は、前記第2の区分周期と異
    なる、テンプレート。
  2. 【請求項2】前記フィーチャは、第1の縁部および第2
    の縁部を有する線であり、前記第1のアレイおよび前記
    第2のアレイは、それぞれ、前記第1の縁部および前記
    第2の縁部に配置される、請求項1に記載のテンプレー
    ト。
  3. 【請求項3】前記第1のアレイおよび前記第2のアレイ
    の各々は、外側境界を有し、前記第1のアレイおよび前
    記第2のアレイのうちの1つの外側境界に一致する内側
    境界を有する少なくとも1つの追加アレイの形状をさら
    に備え、前記第1のアレイ,前記第2のアレイ,および
    前記追加アレイは、異なる区分周期を有する、請求項2
    に記載のテンプレート。
  4. 【請求項4】各アレイは、対応する区分周期ごとに繰り
    返す複数の同一形状より形成され、前記同一形状の各々
    は、前記縁部に沿った所定の長さおよび所定の幅を有す
    る、請求項1に記載のテンプレート。
  5. 【請求項5】前記アレイの各々の全ての形状は、同一幅
    を有する、請求項4に記載のテンプレート。
  6. 【請求項6】各形状は、第1の複数の同一幅である長さ
    を有し、各アレイの区分周期は、第2の複数の同一幅で
    あり、前記第2の複数は、前記第1の複数よりも大き
    い、請求項5に記載のテンプレート。
  7. 【請求項7】少なくとも1つの縁部が、前記縁部に沿っ
    て配置された複数のアレイの形状を有し、前記アレイの
    各々は、前記縁部について内側境界および外側境界を有
    し、所定のアレイの内側境界が、前記縁部に近接する近
    傍アレイの外側境界に一致し、前記アレイは、異なる区
    分周期を有する、請求項3に記載のテンプレート。
  8. 【請求項8】前記第1のアレイは、第1の長さを有する
    形状より形成され、前記第2のアレイは、前記第1の長
    さと異なる第2の長さを有する形状より形成される、請
    求項4に記載のテンプレート。
  9. 【請求項9】イメージを作成するテンプレートであっ
    て、 第1の縁部および第2の縁部を有するフィーチャと、 前記第1の縁部に配置され、第1の区分周期を有する第
    1のアレイの形状と、 前記第2の縁部に配置され、第2の区分周期を有する第
    2のアレイの形状とを備え、 前記第1の区分周期は、前記第2の区分周期と異なり、
    前記形状の各々は、前記フィーチャの突出部および前記
    フィーチャの引込部のうちの1つである、テンプレー
    ト。
  10. 【請求項10】前記第1のアレイおよび前記第2のアレ
    イの各々は、外側境界を有し、前記第1のアレイおよび
    前記第2のアレイのうちの1つの外側境界に一致する内
    側境界を有する少なくとも1つの追加アレイの形状をさ
    らに備え、前記第1のアレイ,前記第2のアレイ,およ
    び前記追加アレイは、異なる区分周期を有する、請求項
    9に記載のテンプレート。
  11. 【請求項11】各アレイは、対応する区分周期ごとに繰
    り返す複数の同一形状より形成され、各形状は、前記縁
    部に沿った所定の長さおよび所定の幅を有する、請求項
    9に記載のテンプレート。
  12. 【請求項12】前記アレイの各々の全ての形状は、同一
    幅を有する、請求項11に記載のテンプレート。
  13. 【請求項13】各形状は、第1の複数の同一幅である長
    さを有し、各アレイの区分周期は、第2の複数の同一幅
    であり、前記第2の複数は、前記第1の複数よりも大き
    い、請求項12に記載のテンプレート。
  14. 【請求項14】前記第1の縁部および前記第2の縁部の
    各々は、2つのアレイの形状を有する、請求項10に記
    載のテンプレート。
  15. 【請求項15】前記アレイの各々は、対応する区分周期
    ごとに繰り返す複数の同一形状より形成され、各形状
    は、前記縁部に沿った所定の長さおよび所定の幅を有
    し、各縁部における2つのアレイは、各々、形状長さお
    よび区分周期によって特徴付けられ、異なる区分周期お
    よび異なる形状長さを有する、請求項14に記載のテン
    プレート。
  16. 【請求項16】イメージを作成するテンプレートであっ
    て、 1つ以上の縁部を持つ2次元フィーチャと、 前記縁部に配置された第1のアレイの形状および第2の
    アレイの形状とを有し、前記第1のアレイおよび前記第
    2のアレイは、それぞれ、第1の区分周期および第2の
    区分周期を有し、前記第1の区分周期および前記第2の
    区分周期は、互いに異なる、テンプレート。
  17. 【請求項17】前記2次元フィーチャが、2対の対向縁
    部を有する長方形であり、前記縁部の各々に沿って配置
    されたアレイの形状をさらに備え、各アレイは、前記フ
    ィーチャの突出部のアレイおよび前記フィーチャの引込
    部のアレイのうちの1つであり、対向縁部の1対のアレ
    イの各アレイは、長さおよび幅の両方の制御のための異
    なる区分周期を有する、請求項16に記載のテンプレー
    ト。
  18. 【請求項18】イメージの誤差を補正する光近接効果補
    正方法であって、 前記方法は、 イメージの幅が変更されるべき量を決定するステップ
    と、 テンプレートを準備し、前記テンプレートにフィーチャ
    を形成することによってイメージを作成するステップと
    を含み、前記フィーチャは、1つ以上の縁部と、前記縁
    部に配置された第1のアレイの形状および第2のアレイ
    の形状とを有し、前記第1のアレイおよび前記第2のア
    レイは、それぞれ、第1の区分周期および第2の区分周
    期を有し、前記第1の区分周期は、前記第2の区分周期
    と異なり、 前記イメージの幅を制御するために、前記第1の区分周
    期および前記第2の区分周期を調整するステップを含
    む、光近接効果補正方法。
  19. 【請求項19】前記第1のアレイおよび前記第2のアレ
    イは、各々、前記縁部に沿った長さを有する複数の形状
    より形成され、前記第1のアレイは第1の長さを有する
    形状を有し、前記第2のアレイは第2の長さを有する形
    状を有し、前記第1の長さが前記第2の長さと異なり、
    前記イメージの幅を調整するために、前記第1の長さお
    よび前記第2の長さを調整するステップをさらに含む、
    請求項18に記載の光近接効果補正方法。
  20. 【請求項20】各縁部は、前記縁部に沿って配置された
    複数のアレイを有し、前記調整するステップは、互いに
    関して前記アレイの前記区分周期を調整するステップを
    さらに含む、請求項18に記載の光近接効果補正方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012159659A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Dainippon Printing Co Ltd 光変調素子および光変調素子の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4691322B2 (ja) * 2001-09-24 2011-06-01 ワルソー・オーソペディック,インコーポレイテッド 多孔質セラミック複合体骨移植片
CN107798651B (zh) * 2017-09-29 2021-04-20 惠州华阳通用电子有限公司 一种提高图像填充效率的方法及装置
CN112415864B (zh) * 2020-11-24 2023-04-07 上海华力集成电路制造有限公司 一种确定opc最小分割长度的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3290862B2 (ja) 1994-09-29 2002-06-10 株式会社東芝 フォトマスクとこのフォトマスクを用いた露光方法及びこのフォトマスクの製造方法
JP2917879B2 (ja) 1995-10-31 1999-07-12 日本電気株式会社 フォトマスク及びその製造方法
JP3934719B2 (ja) 1995-12-22 2007-06-20 株式会社東芝 光近接効果補正方法
US5705301A (en) * 1996-02-27 1998-01-06 Lsi Logic Corporation Performing optical proximity correction with the aid of design rule checkers
US6174630B1 (en) * 1998-03-03 2001-01-16 Lsi Logic Corporation Method of proximity correction with relative segmentation
US6044007A (en) * 1999-03-24 2000-03-28 Advanced Micro Devices, Inc. Modification of mask layout data to improve writeability of OPC

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012159659A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Dainippon Printing Co Ltd 光変調素子および光変調素子の製造方法

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