JPS6149290A - アクテイブ・メモリ・カ−ド - Google Patents
アクテイブ・メモリ・カ−ドInfo
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- JPS6149290A JPS6149290A JP59171278A JP17127884A JPS6149290A JP S6149290 A JPS6149290 A JP S6149290A JP 59171278 A JP59171278 A JP 59171278A JP 17127884 A JP17127884 A JP 17127884A JP S6149290 A JPS6149290 A JP S6149290A
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- integrated circuit
- semiconductor integrated
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、クレジット・カード大のプラスチック製カ
ードにマイクロ・コンピュータとメモリ素子などの半導
体集積回路を組み込み、情報を処理、蓄積することがで
きるように構成したアクティブ・メモリ・カードに関す
るものである。
ードにマイクロ・コンピュータとメモリ素子などの半導
体集積回路を組み込み、情報を処理、蓄積することがで
きるように構成したアクティブ・メモリ・カードに関す
るものである。
従来、プラスチック製カードに磁気ストライプを設けた
ものが、クレジット・カードや銀行のキャッシュ・カー
ドなどとして広く使用されてきた。
ものが、クレジット・カードや銀行のキャッシュ・カー
ドなどとして広く使用されてきた。
しかし、この磁気ストライプ・カードは記録できる情報
量が少なく、記録されている情報の機密保護が困難で、
かつ、カードそのものを比較的簡単に偽造できるという
ような欠点があった。
量が少なく、記録されている情報の機密保護が困難で、
かつ、カードそのものを比較的簡単に偽造できるという
ような欠点があった。
これらの欠点を除去するために、プラスチック製カード
にマイクロ・コンピュータとメモリ素子などの半導体実
積回路を組み込み、記録できる情報＃を飛躍的に増大さ
せるとともに、ある程度の情報処理能力や機密保護機能
を持たせたものが考案され、アクティブ・メモリ・カー
ド、ＩＣメモリカードまたはスマート・カードなどと呼
ばれている。（以下、単にメモリ・カードと略記するこ
ととする） 第１図は従来のこの棹のメモリ・カードの基本的な構成
を示す説明図であり、図において（１）はプラスチック
製カード、（２）ハ半導体集積回路、（３ａ）。
にマイクロ・コンピュータとメモリ素子などの半導体実
積回路を組み込み、記録できる情報＃を飛躍的に増大さ
せるとともに、ある程度の情報処理能力や機密保護機能
を持たせたものが考案され、アクティブ・メモリ・カー
ド、ＩＣメモリカードまたはスマート・カードなどと呼
ばれている。（以下、単にメモリ・カードと略記するこ
ととする） 第１図は従来のこの棹のメモリ・カードの基本的な構成
を示す説明図であり、図において（１）はプラスチック
製カード、（２）ハ半導体集積回路、（３ａ）。
（３ｂ）は当該メモリ・カードの外部から半導体集積回
路１２）に電力を供給する導線の接点となる給゛昨弔接
点、（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）、（４ｄ）は外部と
半導体集積回路（２）との間の信号を伝送する導線の接
点となる信号用接点、（５ａ）、 （５ｂ）、 （５ｃ
）、 （５ｄ）、 （５ｅ）、（５ｆ）はそれぞれ接点
（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）、
（４ｄ）と半導体集積回路（２）を接続する配線パター
ン、１６）。
路１２）に電力を供給する導線の接点となる給゛昨弔接
点、（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）、（４ｄ）は外部と
半導体集積回路（２）との間の信号を伝送する導線の接
点となる信号用接点、（５ａ）、 （５ｂ）、 （５ｃ
）、 （５ｄ）、 （５ｅ）、（５ｆ）はそれぞれ接点
（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）、
（４ｄ）と半導体集積回路（２）を接続する配線パター
ン、１６）。
ｆｉ＋ 、 ｊ８１は半導体集積回路（２）の構成ブロ
ックを示し、（６１は入出力回路、（７）はメモリ、；
８；はマイクロ・プロセッサである。
ックを示し、（６１は入出力回路、（７）はメモリ、；
８；はマイクロ・プロセッサである。
第１図は入出力口＠Ｉ６）、メモリ（７）、マイクロ・
プロセッサ：８１が１個の半導体集積回路１２）内に存
在する例を示したが、これらが複数個の半導体集積回路
に分散していることもある。また、第１図に示すものよ
り多くの接点を備えていることもある。
プロセッサ：８１が１個の半導体集積回路１２）内に存
在する例を示したが、これらが複数個の半導体集積回路
に分散していることもある。また、第１図に示すものよ
り多くの接点を備えていることもある。
通常、メモリ・カードの表面に露出しているのは、給゛
亀用接点（３ａ）、（３）））と信号用接点（４ａ）、
（４ｂ）、（４ｃ）。
亀用接点（３ａ）、（３）））と信号用接点（４ａ）、
（４ｂ）、（４ｃ）。
（４ｄ）だけで、他の部分は内部に埋め込まれている。
上記のように構成され念メモリ・カード全専用の端末装
置に挿入すると、メモリ・カードの給電用接点（３ａ）
、 （ａｂ）及び信号用接点（４ａ） 、 （４ｂ）
。
置に挿入すると、メモリ・カードの給電用接点（３ａ）
、 （ａｂ）及び信号用接点（４ａ） 、 （４ｂ）
。
（４ｃ）、（４ｄ）がそれぞれ端末装置の対応する接点
と接触し、給電用接点（３ａ）、（３ｂ） ｋ通じて、
端末装置側からメモリ・カード半導体集積回路（２１に
電力が供給され、半導体集積回路（２）が動作可能状態
になったところで、信号用接点（４ａ）、（４ｂ）、（
４ｃ）、（４ｄ）を通じて、端末装置と入出力回路（６
）との間で信号のヤシとりが開始される。半導体実積回
路（２）においては、マイクロ・プロセッサ：８）が入
出力回路１６）からの情報を処理、加工し几り、メモリ
（７）に書き込んだ９、また、逆にメモリ（７）から情
報を読み出して入出力回路（６）を通じて端末装置へ出
力したりする。端末装置側では、メモリ・カードから送
られてきた情報を処理したり、さらに上位のホスト計算
機へ送ったりする。
と接触し、給電用接点（３ａ）、（３ｂ） ｋ通じて、
端末装置側からメモリ・カード半導体集積回路（２１に
電力が供給され、半導体集積回路（２）が動作可能状態
になったところで、信号用接点（４ａ）、（４ｂ）、（
４ｃ）、（４ｄ）を通じて、端末装置と入出力回路（６
）との間で信号のヤシとりが開始される。半導体実積回
路（２）においては、マイクロ・プロセッサ：８）が入
出力回路１６）からの情報を処理、加工し几り、メモリ
（７）に書き込んだ９、また、逆にメモリ（７）から情
報を読み出して入出力回路（６）を通じて端末装置へ出
力したりする。端末装置側では、メモリ・カードから送
られてきた情報を処理したり、さらに上位のホスト計算
機へ送ったりする。
従来のメモリ・カードは以上のように構成されているの
で、電力の供給と信号の授受が、メモリ・カードの表面
に露出している各接点と端末装置の対応する接点の機械
的接触を介して行われるので、接触不良などによる信頓
性の低下は避けられないという欠点があった。しかも、
メモリ・カードの端末装置への着脱は頻繁に行われるの
で、接点の摩耗の進行度が激しい。
で、電力の供給と信号の授受が、メモリ・カードの表面
に露出している各接点と端末装置の対応する接点の機械
的接触を介して行われるので、接触不良などによる信頓
性の低下は避けられないという欠点があった。しかも、
メモリ・カードの端末装置への着脱は頻繁に行われるの
で、接点の摩耗の進行度が激しい。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去する之
めになされたもので、メモリ・カードの半導体集積回路
への電力の供給及び端末装置と半導体集積回路との間の
信号の授受を機械的接触を介することなく、光を媒体と
して行うことができるように構成したメモリ・カードを
提供することを目的とするものである。
めになされたもので、メモリ・カードの半導体集積回路
への電力の供給及び端末装置と半導体集積回路との間の
信号の授受を機械的接触を介することなく、光を媒体と
して行うことができるように構成したメモリ・カードを
提供することを目的とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す説明図であり、図に
おいてはｌ 、（２） ｙ （５ａ）、（５ｂ）、（５
ｃ）、（５ｄ）。
おいてはｌ 、（２） ｙ （５ａ）、（５ｂ）、（５
ｃ）、（５ｄ）。
（５ｅ）、（５ｆ）＝ １１３）．１７１ ｐ ｆ８１
は第１図に示す同一符号と同一または相当する部分を示
し、（９）は太陽電池、ｌＩＧは外部からの光信号全眠
気信号に変換するフォト・トランジスタまたはフォト・
ダイオードのような光電変換素子、１１１１は半導体集
積回路（２）からの電気信号を光信号に変換する発光ダ
イオードである。
は第１図に示す同一符号と同一または相当する部分を示
し、（９）は太陽電池、ｌＩＧは外部からの光信号全眠
気信号に変換するフォト・トランジスタまたはフォト・
ダイオードのような光電変換素子、１１１１は半導体集
積回路（２）からの電気信号を光信号に変換する発光ダ
イオードである。
このメモリ・カードを専用の端末装置に挿入すると、端
末装置ｉｔ内部の゛電力供給用ランプが点燈し、メモリ
・カードの太陽電池ｆ９１ ｔ−照射する。太陽電池（
９）はこの光を電力に変換し、半導体集積回路（２）に
耐力を供給する。半導体集積回路（２１が動作可能状態
になったところで、端末装置の発光ダイオードなどから
光信号がメモリ・カードの光電変ｙ８素子ｔｌＯに送ら
れてぐる。光電変換素子（至）はこの光信号を電気信号
に変換して半導体集積回路（２）へ送る。
末装置ｉｔ内部の゛電力供給用ランプが点燈し、メモリ
・カードの太陽電池ｆ９１ ｔ−照射する。太陽電池（
９）はこの光を電力に変換し、半導体集積回路（２）に
耐力を供給する。半導体集積回路（２１が動作可能状態
になったところで、端末装置の発光ダイオードなどから
光信号がメモリ・カードの光電変ｙ８素子ｔｌＯに送ら
れてぐる。光電変換素子（至）はこの光信号を電気信号
に変換して半導体集積回路（２）へ送る。
一方、半導体集積回路（２）からの電気信号は発光ダイ
オードαηによって光信号に変換され、端末装置へ送ら
れる。
オードαηによって光信号に変換され、端末装置へ送ら
れる。
端末装置側では、送られてきた光信号をフォト・トラン
ジスタなどの光電変換素子で電気信号に変換し、端末装
置自体で処理したシ、上位のホスト計算機へ送ったシす
る。
ジスタなどの光電変換素子で電気信号に変換し、端末装
置自体で処理したシ、上位のホスト計算機へ送ったシす
る。
上記の実施例は、光電変換素子αＯと発光ダイオードα
ηをそれぞれ１個づつ組み込んだものであるが、複数個
づつ組み込む構成とすることもできる。
ηをそれぞれ１個づつ組み込んだものであるが、複数個
づつ組み込む構成とすることもできる。
第３図はこの発明の他の実施例を示す説明図であり、図
においてｆｉｔ 、 （２） 、 （５ａ）、（５ｂ）
、（５ｃ）、（５ｄ）。
においてｆｉｔ 、 （２） 、 （５ａ）、（５ｂ）
、（５ｃ）、（５ｄ）。
（５ｅ）、 （５ｆ）、 ＋６＞ 、 （７） 、 ｔ
ｓ＞ 、 ＋９） 、 （１０は＋８２図の同一符号と
同一または相当する部分を示し、（６）は電気信号を印
加すると光の透過を阻止する液晶素子である。
ｓ＞ 、 ＋９） 、 （１０は＋８２図の同一符号と
同一または相当する部分を示し、（６）は電気信号を印
加すると光の透過を阻止する液晶素子である。
太陽電池（９）から半導体集積回路（２）に電力が供給
され、端末装置ｔからの光信号が光電変換素子叫におい
て電気信号に変換されて半導体集積回路（２）へ送られ
ることは第２図に示す実施例の場合と全く同じであり、
半導体集積回路（２）からの電気信号が、液晶水子（２
）を介して端末装置に送られる構成部分が異なる。
され、端末装置ｔからの光信号が光電変換素子叫におい
て電気信号に変換されて半導体集積回路（２）へ送られ
ることは第２図に示す実施例の場合と全く同じであり、
半導体集積回路（２）からの電気信号が、液晶水子（２
）を介して端末装置に送られる構成部分が異なる。
第４図は第３図に示す液晶素子＋１２の一例として最も
一般的なツィステッド・ネマティック形液晶素子の構造
を示す説明図であり、図において（１３ａ）。
一般的なツィステッド・ネマティック形液晶素子の構造
を示す説明図であり、図において（１３ａ）。
（１３ｂ）は偏光板、（１４ａ）、（１４ｂ）はガラス
板、（１５ａ）。
板、（１５ａ）。
（１５ｂ）、（１５ｃ）、（１５ｄ）はガラス板（１４
ａ）、（１４ｂ）上に形成された透明な゛成極、（ＩＱ
は液晶である。
ａ）、（１４ｂ）上に形成された透明な゛成極、（ＩＱ
は液晶である。
今、電極（１５ａ）、（１５ｂ）間に駆動電圧が加えら
れていないとすると、偏光板（１３ａ）を通って電極（
１５ａ）、（１５ｂ）部分に入射する光は偏光板（１３
ｂ）を透過する。一方、電極（１５ｃ）、（１５ｄ）に
駆動電圧が加えられているとすると、偏光板（１３ａ）
ｆ通って電極（１５ｃ）、（１５ｄ）部分に入射する
光は偏光板（１３ｂ）で阻止される。
れていないとすると、偏光板（１３ａ）を通って電極（
１５ａ）、（１５ｂ）部分に入射する光は偏光板（１３
ｂ）を透過する。一方、電極（１５ｃ）、（１５ｄ）に
駆動電圧が加えられているとすると、偏光板（１３ａ）
ｆ通って電極（１５ｃ）、（１５ｄ）部分に入射する
光は偏光板（１３ｂ）で阻止される。
従って、メモリ・カードに設けた液晶素子α２に、端末
装置側のランプから光を照射し、液晶素子（６）の裏側
にフォト・トランジスタなどの光′厖変換素子（１７ａ
）、（１７ｂ）を配置しておけば、電極（１５ａ）。
装置側のランプから光を照射し、液晶素子（６）の裏側
にフォト・トランジスタなどの光′厖変換素子（１７ａ
）、（１７ｂ）を配置しておけば、電極（１５ａ）。
（１５ｂ）間及び（１５ｃ）、（１５ｄ）間に加えられ
る ゛電気信号が透過光の有無となって端末装置側に伝
えられる。
る ゛電気信号が透過光の有無となって端末装置側に伝
えられる。
以上は透過形の液晶素子（１のについて説明したが、反
射型の液晶素子を用いて構成することもできる。
射型の液晶素子を用いて構成することもできる。
このような液晶素子を用いる場合は、液晶の反応速度が
比較的遅いため、発光ダイオードを用いる場合に比べ、
信号の伝達速度が遅くなる。しかし、液晶素子四では、
発光ダイオードに比べ、消費電力が著しく少ないという
利点があるため、伝達速度を上げるため、多数組の電極
に分割し、その組数だけのビットを同時に伝送できる構
造にすることが可能である。
比較的遅いため、発光ダイオードを用いる場合に比べ、
信号の伝達速度が遅くなる。しかし、液晶素子四では、
発光ダイオードに比べ、消費電力が著しく少ないという
利点があるため、伝達速度を上げるため、多数組の電極
に分割し、その組数だけのビットを同時に伝送できる構
造にすることが可能である。
以上のように、この発明によれば、半導体集積回路への
電力の供給及び外部と半導体集積回路との信号の授受を
光を媒体として行うので、従来のメモリ・カードのよう
に接点の機械的接触に頼る必要がなくなり、信頼性が高
まり、耐久性が増すという効果がある。
電力の供給及び外部と半導体集積回路との信号の授受を
光を媒体として行うので、従来のメモリ・カードのよう
に接点の機械的接触に頼る必要がなくなり、信頼性が高
まり、耐久性が増すという効果がある。
第１図は従来のこの種のメモリ・カードの基本的な構成
を示す説明図、第２図はこの発明の一実施例を示す説明
図、ニア３図はこの発明の他の実施例を示す説明図、第
４図は液晶素子の一例のツィステッド・ネマティック形
液晶素子の構造を示す説明図である。 図において（１］はプラスチック製カード、（２）は半
導体集積回路、（５ａ）、（５ｂ）、（５ｃ）、（５ｄ
）、（５ｅ）、（５ｆ）は配線パターン、１６）は入出
力回路、＋７１ ｆ′ｉメモリ、１８１マイクロ・プロ
セッサ、（９）は太陽電池、ｄαは光電変換素子、ｄυ
は発光ダイオード、（２）は液晶素子である。 なお各図中同一符号は同一ま几は相当する部分を示すも
のとする。
を示す説明図、第２図はこの発明の一実施例を示す説明
図、ニア３図はこの発明の他の実施例を示す説明図、第
４図は液晶素子の一例のツィステッド・ネマティック形
液晶素子の構造を示す説明図である。 図において（１］はプラスチック製カード、（２）は半
導体集積回路、（５ａ）、（５ｂ）、（５ｃ）、（５ｄ
）、（５ｅ）、（５ｆ）は配線パターン、１６）は入出
力回路、＋７１ ｆ′ｉメモリ、１８１マイクロ・プロ
セッサ、（９）は太陽電池、ｄαは光電変換素子、ｄυ
は発光ダイオード、（２）は液晶素子である。 なお各図中同一符号は同一ま几は相当する部分を示すも
のとする。
Claims (3)
- （１）１枚のプラスチック製カードに半導体集積回路を
組み込み情報を処理、蓄積することができるように構成
したアクティブ・メモリ・カードにおいて、１枚のプラ
スチック製カードに半導体集積回路の外に外部からの光
を電力に変換する太陽電池と、外部からの光信号を電気
信号に変換する光電変換素子と、上記半導体集積回路か
らの電気信号を光信号に変換する素子を組み込み、外部
からの上記半導体集積回路への電力の供給及び外部と上
記半導体集積回路との信号の授受を光を媒体として行う
ことができるように構成したことを特徴とするアクティ
ブ・メモリ・カード。 - （２）半導体集積回路からの電気信号を光信号に変換す
る素子として発光ダイオードを用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のアクティブ・メモリ・カー
ド。 - （３）半導体集積回路からの電気信号を光信号に変換す
る素子として電気信号を印加すると光の透過または反射
を阻止する液晶素子を用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のアクティブ・メモリ・カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171278A JPS6149290A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | アクテイブ・メモリ・カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171278A JPS6149290A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | アクテイブ・メモリ・カ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149290A true JPS6149290A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15920360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171278A Pending JPS6149290A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | アクテイブ・メモリ・カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149290A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341194A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | 任天堂株式会社 | 集積回路カードおよびそれとデータを送受するための光学情報読書装置 |
| JPH01258193A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Touken:Kk | タグ・カード及びその認識システム |
| EP0459477A2 (de) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | MICO-DATA ELEKTRONISCHE STEUEREINRICHTUNGEN GmbH | Datenträger |
| EP0647836A1 (de) * | 1993-10-06 | 1995-04-12 | ABUS Kransysteme GmbH & Co. KG. | Lastmesseinrichtung für Hebezeuge |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171278A patent/JPS6149290A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341194A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | 任天堂株式会社 | 集積回路カードおよびそれとデータを送受するための光学情報読書装置 |
| JPH01258193A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Touken:Kk | タグ・カード及びその認識システム |
| EP0459477A2 (de) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | MICO-DATA ELEKTRONISCHE STEUEREINRICHTUNGEN GmbH | Datenträger |
| EP0647836A1 (de) * | 1993-10-06 | 1995-04-12 | ABUS Kransysteme GmbH & Co. KG. | Lastmesseinrichtung für Hebezeuge |
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