JPS6148799B2 - - Google Patents
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- JPS6148799B2 JPS6148799B2 JP56053063A JP5306381A JPS6148799B2 JP S6148799 B2 JPS6148799 B2 JP S6148799B2 JP 56053063 A JP56053063 A JP 56053063A JP 5306381 A JP5306381 A JP 5306381A JP S6148799 B2 JPS6148799 B2 JP S6148799B2
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-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic Table, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池に係り、さらに具体的には本
発明はタンデム（tandem）構造を有する太陽電
池に係る。
発明はタンデム（tandem）構造を有する太陽電
池に係る。
Si及びGaAsを用いる高効率のコンセントレー
タ（concentrator）太陽電池を実現しうることが
すでに発見されている。
タ（concentrator）太陽電池を実現しうることが
すでに発見されている。
“The Ｖ−groove Multijunction Solar
Cell”、by Terry I.Chappellpublished in IEEE
Transactions on Electron Devices、Vol.ED−
26 No.7、July1979においてはＶ字溝多重接合太
陽電池と称せられるタイプのシリコン光電コンバ
ータが示されている。米国特許第4200472号にお
いても同様の技術が開示されている。その太陽電
池は高電圧、低電流出力を生じるように直列に接
続された多数の独立したダイオード素子のアレイ
からなる。電池のすべての素子はＶ字溝エツチン
グを用いることによつて単一のウエハから同時に
形成される。コンピユータを用いて詳細にシユミ
レーシヨンを行つた結果にもとづいて、太陽光は
およそ100回もしくはそれ以上の回数集光された
のち、太陽光のもとで動作される場合、この電池
に関して変換効率は24％を超過するということが
予測される。他のシリコン・セルに対するこの電
池の利点は控え目なバルク・キヤリア寿命のみに
関しての20％以上の変換効率が得られること、開
路電圧が高いこと、直列抵抗が非常に低いこと、
簡単な１マスク製造工程を用いうること、前面に
ガラスを用いることによつて優れた環境保護が与
えられることなどである。
Cell”、by Terry I.Chappellpublished in IEEE
Transactions on Electron Devices、Vol.ED−
26 No.7、July1979においてはＶ字溝多重接合太
陽電池と称せられるタイプのシリコン光電コンバ
ータが示されている。米国特許第4200472号にお
いても同様の技術が開示されている。その太陽電
池は高電圧、低電流出力を生じるように直列に接
続された多数の独立したダイオード素子のアレイ
からなる。電池のすべての素子はＶ字溝エツチン
グを用いることによつて単一のウエハから同時に
形成される。コンピユータを用いて詳細にシユミ
レーシヨンを行つた結果にもとづいて、太陽光は
およそ100回もしくはそれ以上の回数集光された
のち、太陽光のもとで動作される場合、この電池
に関して変換効率は24％を超過するということが
予測される。他のシリコン・セルに対するこの電
池の利点は控え目なバルク・キヤリア寿命のみに
関しての20％以上の変換効率が得られること、開
路電圧が高いこと、直列抵抗が非常に低いこと、
簡単な１マスク製造工程を用いうること、前面に
ガラスを用いることによつて優れた環境保護が与
えられることなどである。
米国特許第4128133号においては絶縁基板の１
つの側面においてフラツトな−直接禁止帯幅
セルを有し、他の側面にフラツトな直接禁止帯
幅セルを有する形態の太陽電池が示されている。
つの側面においてフラツトな−直接禁止帯幅
セルを有し、他の側面にフラツトな直接禁止帯
幅セルを有する形態の太陽電池が示されている。
本発明の目的はシリコン太陽電池においてGaP
ヘテロ接合を用いることによつて高い開路電圧を
得る技術を与えることにある。
ヘテロ接合を用いることによつて高い開路電圧を
得る技術を与えることにある。
本発明の他の目的は全体的として梯形の断面を
有するＶ字型シリコン太陽電池上に角度をもたせ
てGaPを付着し成長させる技術を与えることにあ
る。
有するＶ字型シリコン太陽電池上に角度をもたせ
てGaPを付着し成長させる技術を与えることにあ
る。
本発明の他の目的は高い開路電圧及び高い変換
効率を呈するシリコン太陽電池を与えることにあ
る。
効率を呈するシリコン太陽電池を与えることにあ
る。
本発明の他の目的はタンデム型の電気的に絶縁
されたヘテロ接合を有する、Ｖ字溝多重接合を有
する、低電流の、高電流密度の太陽電池を与える
ことにある。
されたヘテロ接合を有する、Ｖ字溝多重接合を有
する、低電流の、高電流密度の太陽電池を与える
ことにある。
本発明の他の目的はGaAlAs−GaP（半絶縁性
の）−Siのモノリシツク・タンデム型のセル構造
体を与えることにある。
の）−Siのモノリシツク・タンデム型のセル構造
体を与えることにある。
本発明の他の目的は各々のセルが梯形の断面を
呈するＶ字構相互接続領域を有する多重接合
GaAlAsセルを与えることにある。
呈するＶ字構相互接続領域を有する多重接合
GaAlAsセルを与えることにある。
本発明の他の目的は太陽電池構造体において用
いるためのＶ字溝GaAlAs表面上に角度をもたせ
た分子ビーム・エピタキシイもしくはイオン注入
を施すことにある。
いるためのＶ字溝GaAlAs表面上に角度をもたせ
た分子ビーム・エピタキシイもしくはイオン注入
を施すことにある。
本発明の他の目的は太陽電池において用いるた
めの高キヤリア寿命及び高光学吸収を呈する半導
体材料を与えることにある。
めの高キヤリア寿命及び高光学吸収を呈する半導
体材料を与えることにある。
本発明の太陽エネルギー変換装置は第１の周波
数の光に応答する第１の半導体材料の領域と、第
１の量の溝部を有するｐ−ｎ接合と第１の周波数
とは異つた周波数の光に応答する第２の半導体材
料の領域と、第２の量の溝部を有するｐ−ｎ接合
とを有する。第１の量の接合及び第２の量の接合
は第１及び第２の半導体材料におけるｐ−ｎ接合
から比較しうる電気的特性を与えるように動作す
る。第１及び第２の領域は電気的絶縁性を有しか
つ少くとも第２の周波数の光に対して光学的に透
明な基板に隣接し、しかもそれから分離されてい
る。
数の光に応答する第１の半導体材料の領域と、第
１の量の溝部を有するｐ−ｎ接合と第１の周波数
とは異つた周波数の光に応答する第２の半導体材
料の領域と、第２の量の溝部を有するｐ−ｎ接合
とを有する。第１の量の接合及び第２の量の接合
は第１及び第２の半導体材料におけるｐ−ｎ接合
から比較しうる電気的特性を与えるように動作す
る。第１及び第２の領域は電気的絶縁性を有しか
つ少くとも第２の周波数の光に対して光学的に透
明な基板に隣接し、しかもそれから分離されてい
る。
本発明を実施することによつて、半絶縁性の光
学的に透明な基板の両側面上において異つた光周
波数に応答しうる、直列に接続されるが電気的に
絶縁された間接禁止帯幅太陽電池であるところの
Ｖ字溝ダイオード素子を用いる太陽電池が与えら
れる。そのデバイスは少くともおよそ40％の非常
に高い効率、高い開路電圧及び低い直列抵抗を有
する。一実施例の構造体は１つの側面において一
連のシリコンＶ字溝ダイオード素子よりなるSiセ
ル及び他の側面において一連のGaAlAsV字ダイ
オード素子よりなるGaAlAsセルを有する。Siセ
ル及びGaAlAsセルの特性における溝はＶ字溝の
数を制御することによつて整合される。
学的に透明な基板の両側面上において異つた光周
波数に応答しうる、直列に接続されるが電気的に
絶縁された間接禁止帯幅太陽電池であるところの
Ｖ字溝ダイオード素子を用いる太陽電池が与えら
れる。そのデバイスは少くともおよそ40％の非常
に高い効率、高い開路電圧及び低い直列抵抗を有
する。一実施例の構造体は１つの側面において一
連のシリコンＶ字溝ダイオード素子よりなるSiセ
ル及び他の側面において一連のGaAlAsV字ダイ
オード素子よりなるGaAlAsセルを有する。Siセ
ル及びGaAlAsセルの特性における溝はＶ字溝の
数を制御することによつて整合される。
Si及びGaAsの高効率コンセントレータ太陽電
池を実現しうることをすでに説明したが、本発明
はタンデム・セルが形成される非常に高い効率の
コンセントレータ・セルを実現させるための構造
体を与える。本発明によつて別個のセルが電気的
に絶縁されないタンデム太陽電池における低効率
の問題が解決される。本発明の構造体によつて電
気的な絶縁が容易に実施される。
池を実現しうることをすでに説明したが、本発明
はタンデム・セルが形成される非常に高い効率の
コンセントレータ・セルを実現させるための構造
体を与える。本発明によつて別個のセルが電気的
に絶縁されないタンデム太陽電池における低効率
の問題が解決される。本発明の構造体によつて電
気的な絶縁が容易に実施される。
シリコン（バルク領域）及びGaP（ヘテロ接合
領域）から形成されるヘテロ接続Ｖ字溝多重接合
型の太陽電池の計算された変換効率の１例は太陽
光が300回照射された状態においておよそ30％で
ある。従来技術の最も優秀なシリコン太陽電池は
任意の強度の集光された太陽光において21％を越
える変換効率を得ることができない。即ち本発明
のヘテロ接合Ｖ字溝多重接合太陽セル（現存する
技術によつて製造することができる）は従来技術
におけるシリコン太陽電池において得られた変換
効率を上廻る変換効率を呈することができる。
領域）から形成されるヘテロ接続Ｖ字溝多重接合
型の太陽電池の計算された変換効率の１例は太陽
光が300回照射された状態においておよそ30％で
ある。従来技術の最も優秀なシリコン太陽電池は
任意の強度の集光された太陽光において21％を越
える変換効率を得ることができない。即ち本発明
のヘテロ接合Ｖ字溝多重接合太陽セル（現存する
技術によつて製造することができる）は従来技術
におけるシリコン太陽電池において得られた変換
効率を上廻る変換効率を呈することができる。
多重接合太陽電池はＶ字溝シリコン構造体の選
択された表面上にGaP領域を成長させることによ
り改良される。本発明の実施においては、シリコ
ンＶ字溝多重接合太陽電池においてｎ及びｐ型の
GaPヘテロ接合が用いられる。１つの例としてそ
のGaP領域は分子ビーム・エピタキシイ技術を用
いることによつて角度をもたせてGaPを付着させ
ることによつてＶ字溝シリコン構造体の選択され
た表面上に成長される。シリコンの禁止帯幅
（1.12eV）に対してGaP（2.25eV）の大きな禁止
帯幅によつてＶ字溝セルのｎ型及びｐ型の収集領
域の非常に高いエミツタ効率を得ることができ
る。高い太陽光照射フアクタ及び若しくは光バル
ク・キヤリア寿命のホモ接合（homojunction）
シリコン太陽電池において通常生じるエミツタ劣
化が本発明の二重ヘテロ接合太陽電池において回
避される。
択された表面上にGaP領域を成長させることによ
り改良される。本発明の実施においては、シリコ
ンＶ字溝多重接合太陽電池においてｎ及びｐ型の
GaPヘテロ接合が用いられる。１つの例としてそ
のGaP領域は分子ビーム・エピタキシイ技術を用
いることによつて角度をもたせてGaPを付着させ
ることによつてＶ字溝シリコン構造体の選択され
た表面上に成長される。シリコンの禁止帯幅
（1.12eV）に対してGaP（2.25eV）の大きな禁止
帯幅によつてＶ字溝セルのｎ型及びｐ型の収集領
域の非常に高いエミツタ効率を得ることができ
る。高い太陽光照射フアクタ及び若しくは光バル
ク・キヤリア寿命のホモ接合（homojunction）
シリコン太陽電池において通常生じるエミツタ劣
化が本発明の二重ヘテロ接合太陽電池において回
避される。
本発明の太陽電池の構造が第３図に示されてい
る。基本的には、それはGaP基板の底面上に形成
された溝部を有する多重接合シリコン太陽電池を
備えた、同じGaPの半絶縁性基板上に形成された
多重接合GaAlAsセルから構成されている。
る。基本的には、それはGaP基板の底面上に形成
された溝部を有する多重接合シリコン太陽電池を
備えた、同じGaPの半絶縁性基板上に形成された
多重接合GaAlAsセルから構成されている。
従来技術の多重接合セルは、“The Ｖ−groove
Multijunction Solar Cell”、by T.I.Chappell、
IEEE Trasactions on Electron Devices、Vol.
ED−26、No.7、July1979、USP4062698並びに
IBM Technical Research Bulletin Vol.20、
p.1612、Sep.1977に示されている。
Multijunction Solar Cell”、by T.I.Chappell、
IEEE Trasactions on Electron Devices、Vol.
ED−26、No.7、July1979、USP4062698並びに
IBM Technical Research Bulletin Vol.20、
p.1612、Sep.1977に示されている。
第３図の構造体において、シリコン梯形素子の
長い基部のパツシベーシヨンが上記従来技術に従
つてSiO2によつて与えられる。
長い基部のパツシベーシヨンが上記従来技術に従
つてSiO2によつて与えられる。
GaAlAs層は、Applied Physics Letters、Ｖ
Vol.20、No.10、15May1972、p.375 by J.M.
Woodall et al.に示されたような表面状態を回避
するために分子ビーム・エピタキシイもしくは液
相エピタキシイを用いることによつて半絶縁GaP
基板上に傾斜状態で成長される。GaAlAs層にお
ける溝部は周辺エツチングによつて形成され、
T.I.Chappellによる論文に示された角度を持たせ
たイオン注入もしくは角度を持たせた分子ビー
ム・エピタキシイ成長によつて形成された表面に
対するドーピングが実施される。シリコン層は界
面状態を回避するために分子ビーム・エピタキシ
イ技術を用いることによつて傾斜された状態で成
長される。シリコン多重接合セルのための残りの
製造ステツプはT.I.Chappellによる論文において
示されている。
Vol.20、No.10、15May1972、p.375 by J.M.
Woodall et al.に示されたような表面状態を回避
するために分子ビーム・エピタキシイもしくは液
相エピタキシイを用いることによつて半絶縁GaP
基板上に傾斜状態で成長される。GaAlAs層にお
ける溝部は周辺エツチングによつて形成され、
T.I.Chappellによる論文に示された角度を持たせ
たイオン注入もしくは角度を持たせた分子ビー
ム・エピタキシイ成長によつて形成された表面に
対するドーピングが実施される。シリコン層は界
面状態を回避するために分子ビーム・エピタキシ
イ技術を用いることによつて傾斜された状態で成
長される。シリコン多重接合セルのための残りの
製造ステツプはT.I.Chappellによる論文において
示されている。
本発明のタンデムGaAlAs−Si太陽電池は40％
を越える高い変換率を呈する。それを構成する２
つのセルは電気的に絶縁されているのでそれらの
短絡電流のマツチングは必要とされない。よつて
本発明のタンデム・セルは日没、日の出並びに曇
つた日のような変動する気象条件の下において高
い変換効率を維持する。
を越える高い変換率を呈する。それを構成する２
つのセルは電気的に絶縁されているのでそれらの
短絡電流のマツチングは必要とされない。よつて
本発明のタンデム・セルは日没、日の出並びに曇
つた日のような変動する気象条件の下において高
い変換効率を維持する。
第１図は参照すると、各々長手側面１５及び１
７を有する複数個のシリコン半導体１３が透明な
絶縁基板１０上に設けられている。半導体１３
は、酸化物でありうる領域１２において基板１０
に対して結合された別個の〔100〕結晶性配向ウ
エハである。側面１５及び１７はこれらの条件下
において〔100〕結晶性配向の方向に沿つて優先
的食刻剤においてより急速に食刻され、よつて図
示されるように傾斜をなす〔111〕結晶面が露出
される。
７を有する複数個のシリコン半導体１３が透明な
絶縁基板１０上に設けられている。半導体１３
は、酸化物でありうる領域１２において基板１０
に対して結合された別個の〔100〕結晶性配向ウ
エハである。側面１５及び１７はこれらの条件下
において〔100〕結晶性配向の方向に沿つて優先
的食刻剤においてより急速に食刻され、よつて図
示されるように傾斜をなす〔111〕結晶面が露出
される。
半導体１３はドープされないものであるか、も
しくは導電型を決定する不純物でもつて軽くドー
プされる。シリコン・ウエハからシリコン半導体
部１３をエツチングする場合の寸法制御のために
初期に段階において設けられた酸化物層２２のよ
うなエツチング・マスクが半導体部１３の上部を
覆つている。半導体部１３の側面１５及び１７は
アンダーカツトされた状態にある。例として、側
面１５に沿つてｎ導電タイプのリン化ガリウムの
領域１４が設けられる。同様にして側面１７に沿
つてｐ導電タイプのリン化ガリウムの領域１６が
設けられる。GaP領域１４及び１６は角度を持た
せた電子ビーム・エピタキシヤル付着技術によつ
て形成することができる。次に真空蒸着によつて
不連続金属層（例えばアルミニウム）が設けられ
る。その金属層は酸化層２２のアンダーカツト部
の上に３つの部分１８，２０，２４のように設け
られる。それは隣接するシリコン半導体部におけ
るｎ型及びｐ型のリン化ガリウム領域の間の電気
的接点となる。さらに不連続金属層はシリコン半
導体部１３において変換されつつある太陽光のた
めの光学的反射カバーとなる。
しくは導電型を決定する不純物でもつて軽くドー
プされる。シリコン・ウエハからシリコン半導体
部１３をエツチングする場合の寸法制御のために
初期に段階において設けられた酸化物層２２のよ
うなエツチング・マスクが半導体部１３の上部を
覆つている。半導体部１３の側面１５及び１７は
アンダーカツトされた状態にある。例として、側
面１５に沿つてｎ導電タイプのリン化ガリウムの
領域１４が設けられる。同様にして側面１７に沿
つてｐ導電タイプのリン化ガリウムの領域１６が
設けられる。GaP領域１４及び１６は角度を持た
せた電子ビーム・エピタキシヤル付着技術によつ
て形成することができる。次に真空蒸着によつて
不連続金属層（例えばアルミニウム）が設けられ
る。その金属層は酸化層２２のアンダーカツト部
の上に３つの部分１８，２０，２４のように設け
られる。それは隣接するシリコン半導体部におけ
るｎ型及びｐ型のリン化ガリウム領域の間の電気
的接点となる。さらに不連続金属層はシリコン半
導体部１３において変換されつつある太陽光のた
めの光学的反射カバーとなる。
第２−１図乃至第２−３図はヘテロ接合Ｖ字溝
多重接合太陽電池（第１図）のための製造ステツ
プを示す。第２−１図は酸化層３２において透明
な絶縁基板３０（例えばコーニング社のタイプ
7070ガラス）に対して結合された〔100〕結晶方
位を有するシリコン・ウエハ３６を示す。酸化物
エツチング・マスク３８はシリコン・ウエハ３６
の優先エツチングの際の寸法制御を与える。酸化
物層３８及び３２は熱酸化によつてシリコン・ウ
エハ３６の上に形成することができる。
多重接合太陽電池（第１図）のための製造ステツ
プを示す。第２−１図は酸化層３２において透明
な絶縁基板３０（例えばコーニング社のタイプ
7070ガラス）に対して結合された〔100〕結晶方
位を有するシリコン・ウエハ３６を示す。酸化物
エツチング・マスク３８はシリコン・ウエハ３６
の優先エツチングの際の寸法制御を与える。酸化
物層３８及び３２は熱酸化によつてシリコン・ウ
エハ３６の上に形成することができる。
第２−２図において、〔111〕結晶方位の長手側
面を有する電気的に絶縁されたシリコン部４０を
形成するためにシリコン・ウエハ３６は酸化物層
３２まで優先的にエツチングされた状態が示され
ている。角度を持たせた分子ビーム・エピタキシ
ヤル付着によつてシリコン部４０の左手の長手側
面上にｎ導電型GaP４２の層が付着される。同様
にシリコン部４０の右手の長手側面上にｐ導電型
のGaP４４が付着される。
面を有する電気的に絶縁されたシリコン部４０を
形成するためにシリコン・ウエハ３６は酸化物層
３２まで優先的にエツチングされた状態が示され
ている。角度を持たせた分子ビーム・エピタキシ
ヤル付着によつてシリコン部４０の左手の長手側
面上にｎ導電型GaP４２の層が付着される。同様
にシリコン部４０の右手の長手側面上にｐ導電型
のGaP４４が付着される。
第２−３図は層４６，４８及び５０からなる金
属層によつて与えられる隣接するシリコン部のｎ
導電型GaP及びｐ導電型GaP領域の間に電気的接
点を有する完成されたヘテロ接合Ｖ字溝多重接合
太陽電池を示している。金属層４８は酸化物層３
８のための光学的に反射性のカバーとなる。
属層によつて与えられる隣接するシリコン部のｎ
導電型GaP及びｐ導電型GaP領域の間に電気的接
点を有する完成されたヘテロ接合Ｖ字溝多重接合
太陽電池を示している。金属層４８は酸化物層３
８のための光学的に反射性のカバーとなる。
第３図は本発明の実施によつて与えられるタン
デムGaAlAs−Si有溝太陽電池を示す。GaAlAs
有溝太陽電池６６は大きな禁止帯幅（2.25eV）
を有する半絶縁性GaP基板６２上に形成された長
手側面８６及び８７を有する複数個のGaAlAs半
導体から成る。そのGaAlAs半導体は、GaAlAs
−GaP界面７０における表面状態を回避するため
に傾斜した状態で液相エピタキシイ化学蒸着もし
くは分子ビーム・エピタキシイによつて成長され
たGaAlAsの３つの共面層７２，７４及び７６を
有する。反射防止被覆体７８はGaAlAs半導体内
への太陽光の有効な結合を可能にする。
デムGaAlAs−Si有溝太陽電池を示す。GaAlAs
有溝太陽電池６６は大きな禁止帯幅（2.25eV）
を有する半絶縁性GaP基板６２上に形成された長
手側面８６及び８７を有する複数個のGaAlAs半
導体から成る。そのGaAlAs半導体は、GaAlAs
−GaP界面７０における表面状態を回避するため
に傾斜した状態で液相エピタキシイ化学蒸着もし
くは分子ビーム・エピタキシイによつて成長され
たGaAlAsの３つの共面層７２，７４及び７６を
有する。反射防止被覆体７８はGaAlAs半導体内
への太陽光の有効な結合を可能にする。
GaAlAs層７６は、厚0.1マイクロメータ、高光
学的透明度及び低吸収度を得るための3.0eVの直
接禁止帯幅によつて特徴付けられるｐ型の
Ga0.05Al0.95Asよりなる。GaAlAs層７２は10マ
イクロメータの厚さ、1.95eVのエネルギよりも
小さいエネルギを有するフオトンに対して高光学
的透明度を得るための2.8eV直接禁止帯幅でもつ
て特徴づけられるｎ型のGa0.1Al0.9Asからなる。
GaAlAs層７６及び７２は、1.95eVの直接禁止帯
幅、３マイクロメータの厚さでもつて特徴付けら
れ、ｐ導電型もしくはｎ導電型決定不純物でもつ
て軽くドープされたGa0.5Al0.5As吸収層７４のい
ずれかの側面上にヘテロ接合を形成する。これら
のヘテロ接合はGaAlAs太陽電池のｐ型またはｎ
型GaAlAs集光領域７６及び７２において高いエ
ミツタ効率を与える。すなわち、吸収層７４の間
接的禁止帯幅よりも広い直接禁止帯幅をもつ層７
２及び７６は、その広い直接禁止帯幅によつて、
生成されたキヤリアの再結合を抑制し、以て
GaAlAs太陽電池６６の高開路電圧及び高変換効
率をもたらす。また、間接禁止帯幅が直接禁止帯
幅より小さい吸収層７４中では、通常の直接禁止
帯幅の方が大きい材料中とは異なり、キヤリアは
主としてオージエ再結合によつて寿命を制限され
るので、その寿命が、通常の直接禁止帯幅の方が
大きい材料中よりも長くなる。このことはまた、
変換効率の向上に寄与する。
学的透明度及び低吸収度を得るための3.0eVの直
接禁止帯幅によつて特徴付けられるｐ型の
Ga0.05Al0.95Asよりなる。GaAlAs層７２は10マ
イクロメータの厚さ、1.95eVのエネルギよりも
小さいエネルギを有するフオトンに対して高光学
的透明度を得るための2.8eV直接禁止帯幅でもつ
て特徴づけられるｎ型のGa0.1Al0.9Asからなる。
GaAlAs層７６及び７２は、1.95eVの直接禁止帯
幅、３マイクロメータの厚さでもつて特徴付けら
れ、ｐ導電型もしくはｎ導電型決定不純物でもつ
て軽くドープされたGa0.5Al0.5As吸収層７４のい
ずれかの側面上にヘテロ接合を形成する。これら
のヘテロ接合はGaAlAs太陽電池のｐ型またはｎ
型GaAlAs集光領域７６及び７２において高いエ
ミツタ効率を与える。すなわち、吸収層７４の間
接的禁止帯幅よりも広い直接禁止帯幅をもつ層７
２及び７６は、その広い直接禁止帯幅によつて、
生成されたキヤリアの再結合を抑制し、以て
GaAlAs太陽電池６６の高開路電圧及び高変換効
率をもたらす。また、間接禁止帯幅が直接禁止帯
幅より小さい吸収層７４中では、通常の直接禁止
帯幅の方が大きい材料中とは異なり、キヤリアは
主としてオージエ再結合によつて寿命を制限され
るので、その寿命が、通常の直接禁止帯幅の方が
大きい材料中よりも長くなる。このことはまた、
変換効率の向上に寄与する。
ｎ型及びｐ型のGaAlAs領域８８及び８９は厚
さ0.1マイクロメータ3.0eVの直接禁止帯幅でもつ
て特徴付けられるGa0.05Al0.95Asよりなる。それ
らは各々ｎ型及びｐ型のGaAlAs領域７２及び７
６との電気的接点を与えるために長手側面８６及
び８７に沿つて角度付けられた分子ビーム・エピ
タキシヤル付着によつて形成される。隣接する
GaAlAs部のｎ型及びｐ型のGa0.05Al0.95As領域
の間の電気的接点はインジウム−酸化錫のような
透明な導電性接点８４によつて与えられる。
さ0.1マイクロメータ3.0eVの直接禁止帯幅でもつ
て特徴付けられるGa0.05Al0.95Asよりなる。それ
らは各々ｎ型及びｐ型のGaAlAs領域７２及び７
６との電気的接点を与えるために長手側面８６及
び８７に沿つて角度付けられた分子ビーム・エピ
タキシヤル付着によつて形成される。隣接する
GaAlAs部のｎ型及びｐ型のGa0.05Al0.95As領域
の間の電気的接点はインジウム−酸化錫のような
透明な導電性接点８４によつて与えられる。
シリコン多重結合Ｖ字溝太陽電池６０は第１図
及び第２図に示されるものと同様のものである
が、次の点が異つている。(1)シリコン半導体１３
はSi−GaP界面６８における表面状態を回避する
ように電子ビーム・エピタキシイもしくは化学蒸
着によつて半絶縁性GaP基板６２上に形成された
シリコン層から吸収され、(2)パツシベーシヨン酸
化層１２はGaP−Siヘテロ接合によつて置き換え
られている。その代わりに半絶縁性GaP層６２を
分子ビーム・エピタキシイもしくは化学蒸着によ
つてシリコン半導体１３上に形成することができ
る。シリコン太陽電池６０はおよそ50マイクロメ
ータ（μｍ）の高さ寸法Ｈを有する。これは
GaAlAs太陽電池６６のGa0.5Al0.5As吸収層７４
の禁止帯幅（1.95eV）よりも小さいエネルギで
あつて、シリコン禁止帯幅（1.12eV）よりも大
きなエネルギを有する太陽光におけるほとんどの
フオトンを吸収するに十分に大きくなるように選
択される。
及び第２図に示されるものと同様のものである
が、次の点が異つている。(1)シリコン半導体１３
はSi−GaP界面６８における表面状態を回避する
ように電子ビーム・エピタキシイもしくは化学蒸
着によつて半絶縁性GaP基板６２上に形成された
シリコン層から吸収され、(2)パツシベーシヨン酸
化層１２はGaP−Siヘテロ接合によつて置き換え
られている。その代わりに半絶縁性GaP層６２を
分子ビーム・エピタキシイもしくは化学蒸着によ
つてシリコン半導体１３上に形成することができ
る。シリコン太陽電池６０はおよそ50マイクロメ
ータ（μｍ）の高さ寸法Ｈを有する。これは
GaAlAs太陽電池６６のGa0.5Al0.5As吸収層７４
の禁止帯幅（1.95eV）よりも小さいエネルギで
あつて、シリコン禁止帯幅（1.12eV）よりも大
きなエネルギを有する太陽光におけるほとんどの
フオトンを吸収するに十分に大きくなるように選
択される。
GaAlAs太陽電池６６の出力は、２つの太陽電
池の動作電圧が等しくなるように太陽電池の一方
もしくは両方について部材の周期を変化させるこ
とによつてシリコン太陽電池６０を出力と整合さ
せることができる。これによつて２つの太陽電池
の出力電流は並列に加えることができる。本発明
のタンデム太陽電池は曇り日及び日の出時、日没
時に見られるような変動する環境において高い動
作効率を維持しうる。
池の動作電圧が等しくなるように太陽電池の一方
もしくは両方について部材の周期を変化させるこ
とによつてシリコン太陽電池６０を出力と整合さ
せることができる。これによつて２つの太陽電池
の出力電流は並列に加えることができる。本発明
のタンデム太陽電池は曇り日及び日の出時、日没
時に見られるような変動する環境において高い動
作効率を維持しうる。
第３図のタンデムGaAlAs−Si Ｖ字溝太陽電池
は吸収層のために間接的禁止帯幅半導体材料及び
両方の太陽電池の集収（collection）領域のため
に異形接合を用いている。したがつて、最大可能
な変換効率は直接禁止帯幅半導体材料の場合のよ
うなband−to−band再結合によるのではなく、
或いはホモ接合集光領域を用いる太陽電池におけ
るような集収領域のエミツタ効率の損失によるも
のではなく、吸収層におけるオージエ再結合によ
つて制限される。集収領域のための吸収層及び異
形接合のための間接禁止帯幅半導体材料は本発明
のタンデムGaAlAs−Si Ｖ字溝太陽電池に対して
従来のタンデム太陽電池よりも高い変換効率を与
える。
は吸収層のために間接的禁止帯幅半導体材料及び
両方の太陽電池の集収（collection）領域のため
に異形接合を用いている。したがつて、最大可能
な変換効率は直接禁止帯幅半導体材料の場合のよ
うなband−to−band再結合によるのではなく、
或いはホモ接合集光領域を用いる太陽電池におけ
るような集収領域のエミツタ効率の損失によるも
のではなく、吸収層におけるオージエ再結合によ
つて制限される。集収領域のための吸収層及び異
形接合のための間接禁止帯幅半導体材料は本発明
のタンデムGaAlAs−Si Ｖ字溝太陽電池に対して
従来のタンデム太陽電池よりも高い変換効率を与
える。
間接的禁止帯幅を有する１つの成分（AlAs）
及び直接禁止帯幅（GaAs）を有する１つの成分
からなる３元半導体材料がタンデム太陽電池にお
ける太陽電池の吸収層のために用いられる。３元
材料の成分はGa0.5Al0.5Asに対して例えば2.05eV
の直接禁止帯幅よりもエネルギが僅かに小さい間
接禁止帯幅（例えばGa0.05Al0.5Asに対して
1.95eV）を生じるように選択される。これによ
り直接禁止帯幅よりも間接禁止帯幅がエネルギが
低いので材料のキヤリア寿命を長くすることがで
きる。
及び直接禁止帯幅（GaAs）を有する１つの成分
からなる３元半導体材料がタンデム太陽電池にお
ける太陽電池の吸収層のために用いられる。３元
材料の成分はGa0.5Al0.5Asに対して例えば2.05eV
の直接禁止帯幅よりもエネルギが僅かに小さい間
接禁止帯幅（例えばGa0.05Al0.5Asに対して
1.95eV）を生じるように選択される。これによ
り直接禁止帯幅よりも間接禁止帯幅がエネルギが
低いので材料のキヤリア寿命を長くすることがで
きる。
さらに、その直接禁止帯幅がその間接禁止帯幅
よりもエネルギにおいて僅かに高いので、直接禁
止帯幅半導体材料におけるように太陽光における
フオトンの高い光学的吸収を呈する。さらに３元
材料は非常に高いキヤリア濃度が得られることを
可能にする。その理由は間接禁止帯幅よりも高い
エネルギを有する太陽光におけるフオトンのほと
んどを吸収するために薄い材料層（３μｍ）が必
要とされるに過ぎないこと、材料のキヤリア寿命
が大であることによるものである。結果として第
３図の太陽電池６６の開路電圧は非常に高く、そ
の変換効率も非常に高くなる。
よりもエネルギにおいて僅かに高いので、直接禁
止帯幅半導体材料におけるように太陽光における
フオトンの高い光学的吸収を呈する。さらに３元
材料は非常に高いキヤリア濃度が得られることを
可能にする。その理由は間接禁止帯幅よりも高い
エネルギを有する太陽光におけるフオトンのほと
んどを吸収するために薄い材料層（３μｍ）が必
要とされるに過ぎないこと、材料のキヤリア寿命
が大であることによるものである。結果として第
３図の太陽電池６６の開路電圧は非常に高く、そ
の変換効率も非常に高くなる。
シリコン太陽電池のn+及びp+集収領域の両方
のためのGaPヘテロ接合をフオトリソグラフイを
用いることなくシリコン・セルの片面処理に設け
ることができる。Ｖ字溝幾何形状によつて角度を
持たせた付着技術によるGaPヘテロ接合の形成が
可能となる。
のためのGaPヘテロ接合をフオトリソグラフイを
用いることなくシリコン・セルの片面処理に設け
ることができる。Ｖ字溝幾何形状によつて角度を
持たせた付着技術によるGaPヘテロ接合の形成が
可能となる。
タンデム太陽電池における２つのセルの電圧出
力はそれらの電流出力が有効に並列に加え合わせ
られ得るように整合されることができる。Ｖ字溝
太陽電池の一方もしくは両方の周期を変化させる
ことによつて、その２つのセルの動作電圧を相互
に整合させることができる。セルの並列動作によ
つて曇天、日の出及び日の入において生じるよう
なタンデム太陽電地と照射する太陽光がそのスペ
クトル・エネルギを変化させつつあるような状態
のもとにおいても高い動作効率が呈せられる。
力はそれらの電流出力が有効に並列に加え合わせ
られ得るように整合されることができる。Ｖ字溝
太陽電池の一方もしくは両方の周期を変化させる
ことによつて、その２つのセルの動作電圧を相互
に整合させることができる。セルの並列動作によ
つて曇天、日の出及び日の入において生じるよう
なタンデム太陽電地と照射する太陽光がそのスペ
クトル・エネルギを変化させつつあるような状態
のもとにおいても高い動作効率が呈せられる。
本発明のタンデム太陽電池は、高い効率で２つ
の独立した負荷を動作させるために用いられる２
つの電気的に絶縁された、相互に異つた値の高い
電圧出力を与えることができる。本発明のタンデ
ム太陽電池における２つのセルの電圧出力はＶ字
溝部の周期を変化させることによつて制御され、
電気的に絶縁されるのでその電圧は２つの異つた
電気的負荷の動作条件に見合うように設定するこ
とができる。１例として１方の出力を24ボルトの
バツテリーを充電するために第２の出力を100ボ
ルトポンプ用モータに用いることができる。
の独立した負荷を動作させるために用いられる２
つの電気的に絶縁された、相互に異つた値の高い
電圧出力を与えることができる。本発明のタンデ
ム太陽電池における２つのセルの電圧出力はＶ字
溝部の周期を変化させることによつて制御され、
電気的に絶縁されるのでその電圧は２つの異つた
電気的負荷の動作条件に見合うように設定するこ
とができる。１例として１方の出力を24ボルトの
バツテリーを充電するために第２の出力を100ボ
ルトポンプ用モータに用いることができる。
図面をさらに詳細に説明すると、参照番号１０
はCorning社タイプ7070ガラスのような透明な絶
縁性基板である。１２は基板１０に対して結合さ
れた半導体部１３の表面をパツシベーシヨンのた
めの酸化層である。１３は優先エツチングによつ
て形成されたシリコン半導体部である。１４は半
導体部１３の側面１５上のｎ導電型のリン化ガリ
ウム層である。１５は半導体部１３の左手長手側
面である。１６は半導体部１３の側面１７におけ
るｎ導電型リン化ガリウム層である。１７は半導
体部１３の右手の長手側面である。１８はｎ型
GaP層１４を接続するための金属層である。２０
はｐ型GaP層１６を接続するための金属層であ
る。２２は半導体部１３のエツチングにおける寸
法制御を行う酸化層である。２４は酸化層２２の
ための光学的反射カバーを与える金属層である。
はCorning社タイプ7070ガラスのような透明な絶
縁性基板である。１２は基板１０に対して結合さ
れた半導体部１３の表面をパツシベーシヨンのた
めの酸化層である。１３は優先エツチングによつ
て形成されたシリコン半導体部である。１４は半
導体部１３の側面１５上のｎ導電型のリン化ガリ
ウム層である。１５は半導体部１３の左手長手側
面である。１６は半導体部１３の側面１７におけ
るｎ導電型リン化ガリウム層である。１７は半導
体部１３の右手の長手側面である。１８はｎ型
GaP層１４を接続するための金属層である。２０
はｐ型GaP層１６を接続するための金属層であ
る。２２は半導体部１３のエツチングにおける寸
法制御を行う酸化層である。２４は酸化層２２の
ための光学的反射カバーを与える金属層である。
第２−１図において３０は例えばCorning社の
タイプ7070ガラスのような透明絶縁性基板であ
る。３２はウエハ３６の下方表面のパツシベーシ
ヨンのための酸化層である。３６は軽くドープさ
れたｎ型もしくはｐ型の〔100〕のシリコン・ウ
エハである。３８はウエハ３６のエツチングにお
ける寸法制御を与える酸化層である。
タイプ7070ガラスのような透明絶縁性基板であ
る。３２はウエハ３６の下方表面のパツシベーシ
ヨンのための酸化層である。３６は軽くドープさ
れたｎ型もしくはｐ型の〔100〕のシリコン・ウ
エハである。３８はウエハ３６のエツチングにお
ける寸法制御を与える酸化層である。
第２−２図において３０はCorning社のタイプ
7070ガラスのような透明絶縁性基板である。３２
はウエハ３６の下方表面のパツシベーシヨンのた
めの酸化層である。３８はウエハ３６のエツチン
グにおける寸法制御を与える酸化層である。４０
は優先エツチングによつて形成されたシリコン半
導体である。４２は半導体４０の左手の長手側面
上のｎ型リン化ガリウム層である。４４はシリコ
ン部の右手の長手側面上のｐ型リン化ガリウム層
である。
7070ガラスのような透明絶縁性基板である。３２
はウエハ３６の下方表面のパツシベーシヨンのた
めの酸化層である。３８はウエハ３６のエツチン
グにおける寸法制御を与える酸化層である。４０
は優先エツチングによつて形成されたシリコン半
導体である。４２は半導体４０の左手の長手側面
上のｎ型リン化ガリウム層である。４４はシリコ
ン部の右手の長手側面上のｐ型リン化ガリウム層
である。
第２−３図において３０はCorning社のタイプ
7070ガラスのような透明な絶縁性基板である。３
２はウエハ３６の下方表面のパツシベーシヨンの
ための酸化層である。４６は各々ｎ型及びｐ型の
GaP層４２及び４４を相互に接続するための金属
層である。４８は酸化層３８のための光学的反射
カバーを与える金属層である。５０はｐ型GaP層
４４を接続するための金属層である。５１はｎ型
GaP層４２を接続するための金属層である。
7070ガラスのような透明な絶縁性基板である。３
２はウエハ３６の下方表面のパツシベーシヨンの
ための酸化層である。４６は各々ｎ型及びｐ型の
GaP層４２及び４４を相互に接続するための金属
層である。４８は酸化層３８のための光学的反射
カバーを与える金属層である。５０はｐ型GaP層
４４を接続するための金属層である。５１はｎ型
GaP層４２を接続するための金属層である。
第３図において、６０は素子１３乃至２４によ
つて構成される第１図のＶ字溝シリコン太陽電池
である。６２は６０及び６６の機械的な支持を与
えるGaP半絶縁性基板である。６６はＶ字溝
GaAlAs太陽電池である。６８はシリコン半導体
１３及びGaP基板６２の間の界面である。７０は
GaAlAs層７２及びGaP基板６２の間の界面であ
る。７２は2.8eVの直接禁止帯幅を有する厚さ10
μｍのｎ型Ga0.1Al0.9As層である。同じような
1.9eVの間接禁止帯幅を有する厚さ３μｍの軽く
ドープされたｎ型もしくはｐ型のGa0.5Al0.5As層
である。７６は3.0eV禁止帯を有する厚さ0.1μｍ
のｐ型Ga0.05Al0.95As層である。７８は層７６内
への太陽光の有効な結合を得るための反射防止層
である。８２は７２，７４，７６及び７８からな
るGaAlAs本体の右手の長手側面である。８４は
隣接するGaAlAs本体を相互に接続するための導
電性透明接点である。８６は層７２，７４，７６
からなるGaAlAs本体の右手の長手側面である。
８７は層７２，７４，７６からなるGaAlAs本体
の左手の長手側面である。８８はｎ型の
Ga0.1Al0.9As層７２に対する電気的接続を得るた
めのｎ型Ga0.05Al0.95As層である。８９はｎ型の
Ga0.05Al0.95As層７６に対する電気的接続を得る
ためのｐ型Ga0.05Al0.95Asである。
つて構成される第１図のＶ字溝シリコン太陽電池
である。６２は６０及び６６の機械的な支持を与
えるGaP半絶縁性基板である。６６はＶ字溝
GaAlAs太陽電池である。６８はシリコン半導体
１３及びGaP基板６２の間の界面である。７０は
GaAlAs層７２及びGaP基板６２の間の界面であ
る。７２は2.8eVの直接禁止帯幅を有する厚さ10
μｍのｎ型Ga0.1Al0.9As層である。同じような
1.9eVの間接禁止帯幅を有する厚さ３μｍの軽く
ドープされたｎ型もしくはｐ型のGa0.5Al0.5As層
である。７６は3.0eV禁止帯を有する厚さ0.1μｍ
のｐ型Ga0.05Al0.95As層である。７８は層７６内
への太陽光の有効な結合を得るための反射防止層
である。８２は７２，７４，７６及び７８からな
るGaAlAs本体の右手の長手側面である。８４は
隣接するGaAlAs本体を相互に接続するための導
電性透明接点である。８６は層７２，７４，７６
からなるGaAlAs本体の右手の長手側面である。
８７は層７２，７４，７６からなるGaAlAs本体
の左手の長手側面である。８８はｎ型の
Ga0.1Al0.9As層７２に対する電気的接続を得るた
めのｎ型Ga0.05Al0.95As層である。８９はｎ型の
Ga0.05Al0.95As層７６に対する電気的接続を得る
ためのｐ型Ga0.05Al0.95Asである。
次に、本発明の装置の変換効率を適当な例にお
いて計算してみよう。集光された太陽光により動
作する本発明のGaAlAs−Siタンデム・セルの変
換効率は、シリコン・セルの前にあるGaAlAs層
の吸収を考慮して個々のセルの出力から推定する
ことができる。それらの出力は、その短絡電流、
開路電圧及びfillフアクタの積によつて与えられ
る。1.95eVの吸収層禁止帯を有するGaAlAsセル
の場合、短絡電流は集光されない太陽光において
はおよそ16mA/cm2である（H.J.Hovel、Solar
Cells（Semiconductors and Semimetals、
Vol.11）、A.C.Beer and R.K.Willardson、Eds.
New York：Academic Press、1975、ch.3とい
う文献の第２０図を参照されたい）。また、開路
電圧Vocは次の式で与えられることが知られてい
る。
いて計算してみよう。集光された太陽光により動
作する本発明のGaAlAs−Siタンデム・セルの変
換効率は、シリコン・セルの前にあるGaAlAs層
の吸収を考慮して個々のセルの出力から推定する
ことができる。それらの出力は、その短絡電流、
開路電圧及びfillフアクタの積によつて与えられ
る。1.95eVの吸収層禁止帯を有するGaAlAsセル
の場合、短絡電流は集光されない太陽光において
はおよそ16mA/cm2である（H.J.Hovel、Solar
Cells（Semiconductors and Semimetals、
Vol.11）、A.C.Beer and R.K.Willardson、Eds.
New York：Academic Press、1975、ch.3とい
う文献の第２０図を参照されたい）。また、開路
電圧Vocは次の式で与えられることが知られてい
る。
Voc＝kT／ｑ・ln（Δｎ・Ｐ／n2 i）
この式でｋはボルツマン定数、Ｔはケルビン温
度、ｑは電子１個分の電荷、Δｎは光の照射によ
つて半導体内に生成された電子の密度、Ｐは半導
体内のｐ型ドーパントの密度、ｎiは熱平衡状態
で半導体内に存在する電子密度である。
度、ｑは電子１個分の電荷、Δｎは光の照射によ
つて半導体内に生成された電子の密度、Ｐは半導
体内のｐ型ドーパントの密度、ｎiは熱平衡状態
で半導体内に存在する電子密度である。
さらに、Δｎ＝τo・ＧLとあらわされる。この
式で、τoは生成された電子の平均寿命、ＧLは単
位体積あたりの電子生成速度である。さらに、Ｇ
L＝16mA/cm2×Xc／（qW）、この式で、Xcは太
陽光集光フアクタ、Ｗは照射領域の幅である。
式で、τoは生成された電子の平均寿命、ＧLは単
位体積あたりの電子生成速度である。さらに、Ｇ
L＝16mA/cm2×Xc／（qW）、この式で、Xcは太
陽光集光フアクタ、Ｗは照射領域の幅である。
ここでVocを具体的に計算するために、上記各
パラメータに、本発明のGaAlAsセルにつき適当
であると考えられる数値を代入する。先ず、Ｔに
ついては室温である300〓を選ぶ。すると、ｋ＝
1.380622×10-23J・K-1、ｑ＝1.6021917×10-19C
であるので、kT／ｑはほぼ0.026Vとなる。ま
た、Ｐ＝1.0×1018cm-3、n2 i＝2.0×104cm-6である
とする。τoは、上記GaAlAsセルではほぼ1.0×
10-6秒である。さらにXc＝500、Ｗ＝3.0×10-4cm
とする。
パラメータに、本発明のGaAlAsセルにつき適当
であると考えられる数値を代入する。先ず、Ｔに
ついては室温である300〓を選ぶ。すると、ｋ＝
1.380622×10-23J・K-1、ｑ＝1.6021917×10-19C
であるので、kT／ｑはほぼ0.026Vとなる。ま
た、Ｐ＝1.0×1018cm-3、n2 i＝2.0×104cm-6である
とする。τoは、上記GaAlAsセルではほぼ1.0×
10-6秒である。さらにXc＝500、Ｗ＝3.0×10-4cm
とする。
これらから先ず、ＧL＝16×10-3×500／
（1.6021917×10-19×3.0×10-4）＝1.664×1023／
（cm3・秒）、よつてΔｎ＝τoＧL＝1.664×1017／cm3 さらに、Δｎ・Ｐ／n2i＝1.664×1017×1.0×
1018／2.0×104＝8.332×1030 よつて、Voc＝0.26×ln（8.332×1030）＝0.026
×（30＋log108.332）／log10e＝1.852V そのfillフアクタは0.9である。即ち500の太陽
光集光フアクタにおけるGaAlAsセルの出力は、 ＰGaAlAs＝500×16mA/cm2×0.852V×0.9 ＝13.33W/cm2 シリコン・セルに関しては集光されない光陽光
において（40.5mA/cm2−16mA/cm2）＝24.5mA/cm2
の短絡電流が存在し（前述のH.J.Hovelの著書の
第２０図を参照されたい）、バルク・キヤリア寿
命がオージエ再結合によつて制限される場合には
開路電圧Vocが次の式で与えられることが知られ
ている。
（1.6021917×10-19×3.0×10-4）＝1.664×1023／
（cm3・秒）、よつてΔｎ＝τoＧL＝1.664×1017／cm3 さらに、Δｎ・Ｐ／n2i＝1.664×1017×1.0×
1018／2.0×104＝8.332×1030 よつて、Voc＝0.26×ln（8.332×1030）＝0.026
×（30＋log108.332）／log10e＝1.852V そのfillフアクタは0.9である。即ち500の太陽
光集光フアクタにおけるGaAlAsセルの出力は、 ＰGaAlAs＝500×16mA/cm2×0.852V×0.9 ＝13.33W/cm2 シリコン・セルに関しては集光されない光陽光
において（40.5mA/cm2−16mA/cm2）＝24.5mA/cm2
の短絡電流が存在し（前述のH.J.Hovelの著書の
第２０図を参照されたい）、バルク・キヤリア寿
命がオージエ再結合によつて制限される場合には
開路電圧Vocが次の式で与えられることが知られ
ている。
Voc＝kT／ｑ・ln（Δｎ・Δｐ／n2 i）
この式で、Δｎ、Δｐはそれぞれ、光の照射に
よつて半導体内に発生された、電子及び正孔の密
度であり、他の記号の意味は前記と同様である。
特にΔｎ＝Δｐ＝τＧLであり、τはキヤリアの
平均寿命、ＧLは単位体積あたりのキヤリア生成
速度である。また、キヤリア再結合率αを用いて
τ＝１／（αΔｎ）２、Δｎ＝（ＧL／α）1/3と
あらわすことができる。さらに、ＧL＝24.5mA/
cm2×Xc／（qH／1.93）である。この式でＨはシ
リコン半導体領域の高さ寸法である。
よつて半導体内に発生された、電子及び正孔の密
度であり、他の記号の意味は前記と同様である。
特にΔｎ＝Δｐ＝τＧLであり、τはキヤリアの
平均寿命、ＧLは単位体積あたりのキヤリア生成
速度である。また、キヤリア再結合率αを用いて
τ＝１／（αΔｎ）２、Δｎ＝（ＧL／α）1/3と
あらわすことができる。さらに、ＧL＝24.5mA/
cm2×Xc／（qH／1.93）である。この式でＨはシ
リコン半導体領域の高さ寸法である。
ここでVocを具体的に計算するために、n2i＝
2.1×1020cm-6、Ｈ＝5.0×10-3cm、α＝3.8×10-31
cm６／秒、Xc＝500であるとする。すると、ＧL
＝500×24.5×10-3×1.93／（5.0×10-3×
1.6021917×10-19）＝2.951×1022／（cm3・秒）、よ
つてΔｎ＝（2.951×1022／3.8×10-31）1/3＝
（7.766×1052）1/3＝4.266×1017cm-3、これから、
Voc＝0.026×ln（（4.266×1017）2／2.1×1020）＝
0.026×ln（8.666×1014）＝0.895V この場合において、fillフアクタは0.8であつて
（前述のH.J.Hovelの著書の第３４図を参照）、太
陽光集光フアクタが500である場合のSiセルの出
力は、 ＰSi＝500×24.5mA/cm2×0.895V×0.8 ＝8.77W/cm2 従つて、GaAlAs−Siタンデム・セルの結合さ
れた出力及び効率は次のようになる。
2.1×1020cm-6、Ｈ＝5.0×10-3cm、α＝3.8×10-31
cm６／秒、Xc＝500であるとする。すると、ＧL
＝500×24.5×10-3×1.93／（5.0×10-3×
1.6021917×10-19）＝2.951×1022／（cm3・秒）、よ
つてΔｎ＝（2.951×1022／3.8×10-31）1/3＝
（7.766×1052）1/3＝4.266×1017cm-3、これから、
Voc＝0.026×ln（（4.266×1017）2／2.1×1020）＝
0.026×ln（8.666×1014）＝0.895V この場合において、fillフアクタは0.8であつて
（前述のH.J.Hovelの著書の第３４図を参照）、太
陽光集光フアクタが500である場合のSiセルの出
力は、 ＰSi＝500×24.5mA/cm2×0.895V×0.8 ＝8.77W/cm2 従つて、GaAlAs−Siタンデム・セルの結合さ
れた出力及び効率は次のようになる。
Pout＝ＰGaAlSi＋ＰSi＝13.33W/cm2
＋8.77W/cm2＝22.1W/cm2
一方、Air Mass1、すなわち大気圏を垂直に通
過してくる太陽輻射の強度は95.6mW/cm2である
から、Pin＝500×95.6mW/cm2＝47.8W/cm2 よつて、変換効率＝Pout／Pin＝22.1／47.8＝
0.462 すなわち変換効率は46.2％である。
過してくる太陽輻射の強度は95.6mW/cm2である
から、Pin＝500×95.6mW/cm2＝47.8W/cm2 よつて、変換効率＝Pout／Pin＝22.1／47.8＝
0.462 すなわち変換効率は46.2％である。
本発明を実施するために用いられるGaAlAs及
びSi太陽電池は全く無視しうる直列抵抗損失を呈
する多重結合太陽電池である。したがつて上に示
した計算においては、直列抵抗による損失は考慮
されなかつた。通常は、集光された太陽光のもと
において太陽電池が動作される場合、直列抵抗は
重要な要素となる。さらに、第３図に示されるよ
うにデバイス全体の面積の僅かに小さい部分にお
いて透明電極が用いられるのでシヤドウ損失は本
質的に無視できる。
びSi太陽電池は全く無視しうる直列抵抗損失を呈
する多重結合太陽電池である。したがつて上に示
した計算においては、直列抵抗による損失は考慮
されなかつた。通常は、集光された太陽光のもと
において太陽電池が動作される場合、直列抵抗は
重要な要素となる。さらに、第３図に示されるよ
うにデバイス全体の面積の僅かに小さい部分にお
いて透明電極が用いられるのでシヤドウ損失は本
質的に無視できる。
本発明の第１の局面は絶縁性基板の１つの側面
上の第１のタイプの光学的に能動的な半導体材料
と関連する第１の多重ｐ−ｎヘテロ接合を含む第
１の太陽電池と、絶縁基板の反対側の第２のタイ
プの光学的に能動的な半導体材料と関連する第２
の多重ｐ−ｎヘテロ接合を有する第２の太陽電池
からなる太陽エネルギ変換装置である。
上の第１のタイプの光学的に能動的な半導体材料
と関連する第１の多重ｐ−ｎヘテロ接合を含む第
１の太陽電池と、絶縁基板の反対側の第２のタイ
プの光学的に能動的な半導体材料と関連する第２
の多重ｐ−ｎヘテロ接合を有する第２の太陽電池
からなる太陽エネルギ変換装置である。
本発明の第２の局面は、第１のタイプの半導体
材料がGaAlAsであり、第２のタイプの半導体材
料がSiであり、基板が半絶縁性GaPであるような
上記の第１の局面に示された太陽エネルギ変換装
置である。
材料がGaAlAsであり、第２のタイプの半導体材
料がSiであり、基板が半絶縁性GaPであるような
上記の第１の局面に示された太陽エネルギ変換装
置である。
本発明の第３の局面は、次のような特徴を有す
る上記第１の局面に示された太陽エネルギ変換装
置である。即ち上記第１の材料Ａが間接禁止帯幅
及びオージエ再結合によつて制限されるキヤリア
寿命を有し、Ａの一方のが側面がn+導電型とな
るようにドープされた材料A′oの間に異形接合を
有し、Ａよりも大きい禁止帯幅を有し、そしてＡ
に対して格子整合されている。Ａの他の側面は、
ｐ導電型となるようにドープされたヘテロ接合
A′pを有し、Ａよりも大きい禁止帯幅を有し、そ
してＡに対して格子整合されている。A′pに隣接
して絶縁層が設けられる。その禁止帯幅はＡ材料
よりも大きいかもしくは等しく、またそのセル１
及びセル２の間の界面は各々原子的に適合してい
る。上記第２の材料Ｂは材料Ａよりも小さい禁止
帯幅およびオージエ再結合によつて制限されるキ
ヤリア寿命を有する。Ｂの１つの側面はｎ導電型
にドープされた材料B′oのヘテロ接合を有し、Ｂ
と格子整合される。Ｂの他の側面はｐ導電型にド
ープされた材料B′pのヘテロ接合を有し、Ｂと格
子整合されている。
る上記第１の局面に示された太陽エネルギ変換装
置である。即ち上記第１の材料Ａが間接禁止帯幅
及びオージエ再結合によつて制限されるキヤリア
寿命を有し、Ａの一方のが側面がn+導電型とな
るようにドープされた材料A′oの間に異形接合を
有し、Ａよりも大きい禁止帯幅を有し、そしてＡ
に対して格子整合されている。Ａの他の側面は、
ｐ導電型となるようにドープされたヘテロ接合
A′pを有し、Ａよりも大きい禁止帯幅を有し、そ
してＡに対して格子整合されている。A′pに隣接
して絶縁層が設けられる。その禁止帯幅はＡ材料
よりも大きいかもしくは等しく、またそのセル１
及びセル２の間の界面は各々原子的に適合してい
る。上記第２の材料Ｂは材料Ａよりも小さい禁止
帯幅およびオージエ再結合によつて制限されるキ
ヤリア寿命を有する。Ｂの１つの側面はｎ導電型
にドープされた材料B′oのヘテロ接合を有し、Ｂ
と格子整合される。Ｂの他の側面はｐ導電型にド
ープされた材料B′pのヘテロ接合を有し、Ｂと格
子整合されている。
本発明の第４の局面は上記第３の局面において
示された太陽エネルギ変換装置であつて次のよう
な特徴を有する。上記第１の材料Ａは
Ga1-xAlxAsであつて、間接禁止帯及びオージエ
再結合によつて制限されるキヤリア寿命を有す
る。Ａの１つの側面はｎ＋の導電型にドープされ
た材料A′o（ｎ−Ga1-xAlyAs）のヘテロ接合を有
し、Ａよりも大きな禁止帯幅を有し、Ａに対して
格子整合されている。Ａの他の側面はｐ導電型に
ドープされたA′p（ｐ−Ga1-yAlyAs）の異形接合
を有し、Ａよりも大きい禁止帯幅を有し、Ａに対
して格子整合されている。上記の絶縁基板はその
禁止帯幅がＡ材料の禁止帯幅よりも大きいかもし
くは等しく、そのセル１及び２の間の界面が各々
原子的に適合された絶縁層である。上記第２の材
料Ｂ（Si）は材料Ａよりも小さい間接禁止帯幅を
有する。Ｂの１つの側面はｎ導電型にドープされ
た材料B′o（ｎ−GaP）のヘテロ接合を有し、Ｂ
に対して格子整合されている。Ｂの他の側面はｐ
導電型にドープされた材料B′p（ｐ−GaP）のヘ
テロ接合を有し、Ｂに対して格子整合されてい
る。
示された太陽エネルギ変換装置であつて次のよう
な特徴を有する。上記第１の材料Ａは
Ga1-xAlxAsであつて、間接禁止帯及びオージエ
再結合によつて制限されるキヤリア寿命を有す
る。Ａの１つの側面はｎ＋の導電型にドープされ
た材料A′o（ｎ−Ga1-xAlyAs）のヘテロ接合を有
し、Ａよりも大きな禁止帯幅を有し、Ａに対して
格子整合されている。Ａの他の側面はｐ導電型に
ドープされたA′p（ｐ−Ga1-yAlyAs）の異形接合
を有し、Ａよりも大きい禁止帯幅を有し、Ａに対
して格子整合されている。上記の絶縁基板はその
禁止帯幅がＡ材料の禁止帯幅よりも大きいかもし
くは等しく、そのセル１及び２の間の界面が各々
原子的に適合された絶縁層である。上記第２の材
料Ｂ（Si）は材料Ａよりも小さい間接禁止帯幅を
有する。Ｂの１つの側面はｎ導電型にドープされ
た材料B′o（ｎ−GaP）のヘテロ接合を有し、Ｂ
に対して格子整合されている。Ｂの他の側面はｐ
導電型にドープされた材料B′p（ｐ−GaP）のヘ
テロ接合を有し、Ｂに対して格子整合されてい
る。
本発明の第５の局面は上記第４の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、次のような特
徴と有する。上記第１の材料Ａはその直接禁止帯
幅におけるよりもこのエネルギが幾分低い間接禁
止帯幅を有し、よつて長いキヤリア寿命並びに間
接禁止帯幅よりもエネルギが僅かに大きいフオト
ンの高度の光学的吸収を呈する。
た太陽エネルギ変換装置であつて、次のような特
徴と有する。上記第１の材料Ａはその直接禁止帯
幅におけるよりもこのエネルギが幾分低い間接禁
止帯幅を有し、よつて長いキヤリア寿命並びに間
接禁止帯幅よりもエネルギが僅かに大きいフオト
ンの高度の光学的吸収を呈する。
本発明の第６の局面は上記第５の局面において
示された太陽エネルギ変換装置であつて、上記材
料Ａが間接禁止帯幅半導体材料及び直接禁止帯幅
半導体材料の３元半導体材料化合物である。
示された太陽エネルギ変換装置であつて、上記材
料Ａが間接禁止帯幅半導体材料及び直接禁止帯幅
半導体材料の３元半導体材料化合物である。
本発明の第７の局面は上記第６の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記材料Ａが
−族３元半導体材料である。
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記材料Ａが
−族３元半導体材料である。
本発明の第８の局面は上記第７の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて上記第１の材料
ＡがGa1-xAlxAsであつてｘは0.5である。
た太陽エネルギ変換装置であつて上記第１の材料
ＡがGa1-xAlxAsであつてｘは0.5である。
本発明の第９の局面は上記第７の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、Ａが
Ga1-xAlxAsであつてｘが0.4×0.6である。
た太陽エネルギ変換装置であつて、Ａが
Ga1-xAlxAsであつてｘが0.4×0.6である。
本発明の第10の局面は太陽エネルギ変換装置で
あつて次のような特徴を有する。第１の半導体材
料の領域が第１の周波数の光に応答するものであ
つて、第１の量の溝が設けられたｐ−ｎ接合を有
する。第２の半導体材料の領域は上記第１の周波
数光とは異つた周波数の光に応答し第２の量の溝
の設けられたｐ−ｎ接合を有する。上記第１の量
の接合第２の量の接合は上記第１及び上記第２の
半導体材料におけるｐ−ｎ接合からの比肩しうる
電気的特性を与えるように働く。上記第１及び第
２の領域は相互に隣接しており、しかも電気的な
絶縁特性を有する基板によつて分離されている。
又それらの領域は少くとも上記第２の周波数の光
に対して光学的に透明である。
あつて次のような特徴を有する。第１の半導体材
料の領域が第１の周波数の光に応答するものであ
つて、第１の量の溝が設けられたｐ−ｎ接合を有
する。第２の半導体材料の領域は上記第１の周波
数光とは異つた周波数の光に応答し第２の量の溝
の設けられたｐ−ｎ接合を有する。上記第１の量
の接合第２の量の接合は上記第１及び上記第２の
半導体材料におけるｐ−ｎ接合からの比肩しうる
電気的特性を与えるように働く。上記第１及び第
２の領域は相互に隣接しており、しかも電気的な
絶縁特性を有する基板によつて分離されている。
又それらの領域は少くとも上記第２の周波数の光
に対して光学的に透明である。
本発明の第11の局面は半導体エネルギ変換装置
に係り、次のような特性を有する。第１の材料Ａ
が間接禁止帯幅を有し、キヤリア寿命がオージエ
再結合によつて制限されている。材料Ａの一方の
側面はｎ＋導電型にドープされた材料のA′oの間
に異形接合を有しＡよりも大きな禁止帯幅を有
し、Ａに対して格子整合されている。Ａの他の側
面はｐ導電型にドープされたヘテロ接合A′pを有
しＡよりも大きな禁止帯幅を有し、Ａに対して格
子整合されている。
に係り、次のような特性を有する。第１の材料Ａ
が間接禁止帯幅を有し、キヤリア寿命がオージエ
再結合によつて制限されている。材料Ａの一方の
側面はｎ＋導電型にドープされた材料のA′oの間
に異形接合を有しＡよりも大きな禁止帯幅を有
し、Ａに対して格子整合されている。Ａの他の側
面はｐ導電型にドープされたヘテロ接合A′pを有
しＡよりも大きな禁止帯幅を有し、Ａに対して格
子整合されている。
本発明の第12の局面は上記第11の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて次のような特性
を有する。上記第１の材料Ａがその直接禁止帯幅
よりもエネルギが幾分低い間接禁止帯幅を有し、
よつて長いキヤリア寿命を有し、上記間接禁止帯
幅よりもエネルギにおいて僅かに大きいフオトン
につき高度の光学的吸収を呈する。
た太陽エネルギ変換装置であつて次のような特性
を有する。上記第１の材料Ａがその直接禁止帯幅
よりもエネルギが幾分低い間接禁止帯幅を有し、
よつて長いキヤリア寿命を有し、上記間接禁止帯
幅よりもエネルギにおいて僅かに大きいフオトン
につき高度の光学的吸収を呈する。
本発明の第13の局面は上記第12の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記材料が間
接禁止帯幅半導体材料及び直接禁止帯幅半導体材
料の３元半導体材料化合物である。
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記材料が間
接禁止帯幅半導体材料及び直接禁止帯幅半導体材
料の３元半導体材料化合物である。
本発明の第14の局面は上記第13の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記材料Ａが
乃至族の３元半導体材料である。
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記材料Ａが
乃至族の３元半導体材料である。
本発明の第15の局面は上記第14の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記第１の材
料ＡがGa1-xAlxAsであつてｘがおよそ0.5であ
る。
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記第１の材
料ＡがGa1-xAlxAsであつてｘがおよそ0.5であ
る。
本発明の第16の局面は上記第14の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつてＡが
Ga1-xAlxAsであつてｘが0.4×0.6である。
た太陽エネルギ変換装置であつてＡが
Ga1-xAlxAsであつてｘが0.4×0.6である。
本発明の第17の局面は次のような特徴を有する
太陽エネルギ変換装置である。半導体材料Ａが間
接禁止帯幅を有し、キヤリア寿命がオージエ再結
合によつて制限されている。Ａの１つの側面はｎ
型にドープされた半導体材料Ａoのヘテロ接合を
有する。Ａの他の側面はｐ型にドープされた半導
体材料Ａpのヘテロ接合を有する。上記材料Ａo及
びＡpは上記材料Ａよりも大きな禁止帯幅を有す
る。
太陽エネルギ変換装置である。半導体材料Ａが間
接禁止帯幅を有し、キヤリア寿命がオージエ再結
合によつて制限されている。Ａの１つの側面はｎ
型にドープされた半導体材料Ａoのヘテロ接合を
有する。Ａの他の側面はｐ型にドープされた半導
体材料Ａpのヘテロ接合を有する。上記材料Ａo及
びＡpは上記材料Ａよりも大きな禁止帯幅を有す
る。
本発明の第18の局面は上記第17の局面に示され
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記半導体材
料Ａがシリコンであり、上記半導体材料Ａoがｎ
型のリン化ガリウムであり、そして上記半導体材
料Ａpがｐ型のリン化ガリウムである。
た太陽エネルギ変換装置であつて、上記半導体材
料Ａがシリコンであり、上記半導体材料Ａoがｎ
型のリン化ガリウムであり、そして上記半導体材
料Ａpがｐ型のリン化ガリウムである。
第１図は本発明に係るシリコン２重ヘテロ接合
Ｖ字溝多重接合太陽電池を示す図である。第２図
は第１図の太陽電池のための主要な製造ステツプ
を示す図である。第３図は本発明に係る太陽エネ
ルギ変換装置の１実施例を示す図である。 １０……透明絶縁基板、１２……酸化層、１３
……シリコン半導体ウエハ、１４……n+リン化
ガリウム領域、１５，１７……長手側面、１６…
…p+リン化ガリウム領域、１８，２０，２４…
…金属層、２２……酸化層。
Ｖ字溝多重接合太陽電池を示す図である。第２図
は第１図の太陽電池のための主要な製造ステツプ
を示す図である。第３図は本発明に係る太陽エネ
ルギ変換装置の１実施例を示す図である。 １０……透明絶縁基板、１２……酸化層、１３
……シリコン半導体ウエハ、１４……n+リン化
ガリウム領域、１５，１７……長手側面、１６…
…p+リン化ガリウム領域、１８，２０，２４…
…金属層、２２……酸化層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 光学的に透明な絶縁性の基板と、 (b) 上記基板の一側面に形成され、直接禁止帯幅
よりも小さい間接禁止帯幅をもち、キヤリアの
寿命がオージエ再結合によつて制限される、光
学的に活性の第１の半導体領域と、 (c) ｎ型にドープされ、上記第１の領域の間接禁
止帯幅よりも大きい禁止帯幅をもち、上記第１
の領域とヘテロ接合を形成する第２の半導体領
域と、 (d) ｐ型にドープされ、上記第１の領域の間接禁
止帯幅よりも大きい禁止帯幅をもち、上記第１
の領域とヘテロ接合を形成する第３の半導体領
域と、 (e) 上記基板の反対側面に形成され、上記第１の
領域の間接禁止帯幅よりも小さい間接禁止帯幅
をもち、キヤリアの寿命がオージエ再結合によ
つて制限される、光学的に活性の第４の半導体
領域と、 (f) ｎ型にドープされ、上記第４の領域の間接禁
止帯幅よりも大きい禁止帯幅をもち、上記第４
の領域とヘテロ接合を形成する第５の半導体領
域と、 (g) ｐ型にドープされ、上記第４の領域の間接禁
止帯幅よりも大きい禁止帯幅をもち、上記第４
の領域とヘテロ接合を形成する第６の半導体領
域を具備する太陽エネルギー変換装置。 ２ 上記第１の半導体領域がGa1-xAlxAsであ
り、 上記第２の半導体領域がｎ−Ga1-yAlyAs（ｙ
＞ｘ）であり、 上記第３の半導体領域がｐ−Ga1-zAlzAs（ｚ
＞ｘ）であり、 上記第４の半導体領域がSiであり、 上記第５の半導体領域がｎ−GaPであり、 上記第６の半導体領域がｐ−GaPである特許請
求の範囲第１項記載の太陽エネルギー変換装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=22582886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306381A Granted JPS5715474A (en) | 1980-06-23 | 1981-04-10 | Solar energy converter |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US4295002A (ja) |
| EP (1) | EP0044396B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5715474A (ja) |
| DE (1) | DE3177028D1 (ja) |
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