JPS6144476A - 半導体光電変換装置 - Google Patents
半導体光電変換装置Info
- Publication number
- JPS6144476A JPS6144476A JP59166863A JP16686384A JPS6144476A JP S6144476 A JPS6144476 A JP S6144476A JP 59166863 A JP59166863 A JP 59166863A JP 16686384 A JP16686384 A JP 16686384A JP S6144476 A JPS6144476 A JP S6144476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor
- photoelectric conversion
- electrode
- conversion device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910021483 silicon-carbon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は透明電極、半導体層および背ＷＪ電極などから
構成され、透明電極側から半導体層１こ入射した光を半
導体層内トこ奢いて風気に変換する半導体光電変換装置
に関し、その光電変換の効率を高めるために半導体内の
光路長が大きくなるように装置の構造を改良することに
係る。
構成され、透明電極側から半導体層１こ入射した光を半
導体層内トこ奢いて風気に変換する半導体光電変換装置
に関し、その光電変換の効率を高めるために半導体内の
光路長が大きくなるように装置の構造を改良することに
係る。
第３図に示すような平面多層積１Ｂ構造の半導体光電変
換装ｆａＥ（以後光電変換装入と略す）に入射する光は
ガラス透明基板１、ＩＴＯ透明電極３を透過し、アモル
ファスケイ素炭素合金４、アモルファスケイ素５．６な
どの半導体層で、できるだけ多くの光が吸収されて電気
に変換され、その光電変換効率が大きいことが強（望ま
れている。この変換効率を大にする方法として半導体Ｍ
１こ入射した光の光路長を大にして吸収される量を高め
る方法がある。
換装ｆａＥ（以後光電変換装入と略す）に入射する光は
ガラス透明基板１、ＩＴＯ透明電極３を透過し、アモル
ファスケイ素炭素合金４、アモルファスケイ素５．６な
どの半導体層で、できるだけ多くの光が吸収されて電気
に変換され、その光電変換効率が大きいことが強（望ま
れている。この変換効率を大にする方法として半導体Ｍ
１こ入射した光の光路長を大にして吸収される量を高め
る方法がある。
光路長を長くするには半導体層の厚みを大にする方法が
最も簡単であるが、しかしこの方法では半導体膜内にお
ける電界が不均一になり、光電変換によって発生した電
荷を有効に半導体層外の電気回路へ取り出すことが困難
になるので、光電変換効率が低下し有効な方法ではない
。また半導体層の厚みを大にすることはコストアップに
なる欠点がある。
最も簡単であるが、しかしこの方法では半導体膜内にお
ける電界が不均一になり、光電変換によって発生した電
荷を有効に半導体層外の電気回路へ取り出すことが困難
になるので、光電変換効率が低下し有効な方法ではない
。また半導体層の厚みを大にすることはコストアップに
なる欠点がある。
半導体層を光が斜めに透過すれば半導体層中の光路長は
大になる。かかる観点よりして、従来の光電変換装置に
おける表面が平滑な透明基板に種々な角度から光を照射
して該装置内における光路を調べてみたところ、半導体
層の屈折率が３〜４．５．６における面に対しほぼ困直
に横断することになる。
大になる。かかる観点よりして、従来の光電変換装置に
おける表面が平滑な透明基板に種々な角度から光を照射
して該装置内における光路を調べてみたところ、半導体
層の屈折率が３〜４．５．６における面に対しほぼ困直
に横断することになる。
これを改良するために、第４図に示すように１明基板１
の外部表面に凸凹を設は透明基板へ光を斜めに入射させ
ようとする試み、窓よび第３０回応用物理学会講演予ｆ
Ａｉ果Ｐ３４８〜３４９（昭和５８年４月）に示された
ように漣明電極側に凹凸を設けた第５図に示す構造によ
って、透明％！極３へ光を斜めに入射させようとする試
みが行われた。しかし前者の場合は、透明基板１と透明
電極３と半導体層４，５．６の各接触界面が平滑である
ので透過する光１０は固体面をほぼ重直に透過すること
になるので、半導体層へ光が斜めに入射することは期待
できない。後者の透明電極１に粗面を形成する場合では
、透明型ｒａ膜は粗大粒子を粒界を形成させながら積み
上げる方法と、まず平滑な透明導ｗＬＷＡの下地を形成
し、この上に粗大粒子を蒸着させる方法などがあるが、
いずれにおいても透明電ｉ膜と半導体膜間の電気導電率
および透明電極の透明度などの向上に対し逆行すること
になり、半導体中へ光を斜めに入射させる効果を充分に
引きだせない。
の外部表面に凸凹を設は透明基板へ光を斜めに入射させ
ようとする試み、窓よび第３０回応用物理学会講演予ｆ
Ａｉ果Ｐ３４８〜３４９（昭和５８年４月）に示された
ように漣明電極側に凹凸を設けた第５図に示す構造によ
って、透明％！極３へ光を斜めに入射させようとする試
みが行われた。しかし前者の場合は、透明基板１と透明
電極３と半導体層４，５．６の各接触界面が平滑である
ので透過する光１０は固体面をほぼ重直に透過すること
になるので、半導体層へ光が斜めに入射することは期待
できない。後者の透明電極１に粗面を形成する場合では
、透明型ｒａ膜は粗大粒子を粒界を形成させながら積み
上げる方法と、まず平滑な透明導ｗＬＷＡの下地を形成
し、この上に粗大粒子を蒸着させる方法などがあるが、
いずれにおいても透明電ｉ膜と半導体膜間の電気導電率
および透明電極の透明度などの向上に対し逆行すること
になり、半導体中へ光を斜めに入射させる効果を充分に
引きだせない。
本発明は前述の欠点を解消しようとするもので体膜の限
られた膜厚内で光吸収効率の大巾な向上を計ろうとする
ものである。
られた膜厚内で光吸収効率の大巾な向上を計ろうとする
ものである。
本発明は半導体光電変換装置において透明基板の上に、
透明電極、半導体層、背面１２極の順序で。
透明電極、半導体層、背面１２極の順序で。
蒸着債層し組立る方式の場合、第１図に示すように透明
基板１の上にＳ ｉ Ｏ！など透明な物′Ｒ２を凹凸形
状に蒸着する。この上に透明電極３例えばＩＴＯ，５ｎ
ｕ１などを透明基板２の凹凸形状がそのまま残るように
蒸着する。さらにこの上にｐ型半導体層４、例えばアモ
ルファス炭素ケイ素合金層が残るように蒸着し、つぎに
ｉ型半導体層５、例えばアモルファスケイ素を蒸着する
。ｎ型半導体Ｔａｂには必ずしも凹凸形状が残ることは
必要でないが残っていても特に支障はない。該ｉ型半導
体５の上にｎ型半導体６、つぎにアルミニウム背面電極
７を蒸着する。
基板１の上にＳ ｉ Ｏ！など透明な物′Ｒ２を凹凸形
状に蒸着する。この上に透明電極３例えばＩＴＯ，５ｎ
ｕ１などを透明基板２の凹凸形状がそのまま残るように
蒸着する。さらにこの上にｐ型半導体層４、例えばアモ
ルファス炭素ケイ素合金層が残るように蒸着し、つぎに
ｉ型半導体層５、例えばアモルファスケイ素を蒸着する
。ｎ型半導体Ｔａｂには必ずしも凹凸形状が残ることは
必要でないが残っていても特に支障はない。該ｉ型半導
体５の上にｎ型半導体６、つぎにアルミニウム背面電極
７を蒸着する。
このようにして作製した光電変換装置の透明基板面に重
直な方向の断面は第１図のようであり、透明ｆｆｉ！ｉ
、３と半導体ｆｉ４，５．６との境界の凹凸はその形状
がランダムな波状的曲線であり、少なくとも該凸部は頂
上部が腕曲状で傾斜面が直線状であり、傾斜角度はおよ
そ３５度〜５５度である。
直な方向の断面は第１図のようであり、透明ｆｆｉ！ｉ
、３と半導体ｆｉ４，５．６との境界の凹凸はその形状
がランダムな波状的曲線であり、少なくとも該凸部は頂
上部が腕曲状で傾斜面が直線状であり、傾斜角度はおよ
そ３５度〜５５度である。
このようにすると半導体層中の光の光路が長くなる。
本発明の実施例で述べる光が入射する側の透光性基板と
は、透明ガラスあるいは透明プラスチックである。背面
電極基板は金属板であり、通常アルミニウム、銀、銅、
ステンレススチール板などを使用する。
は、透明ガラスあるいは透明プラスチックである。背面
電極基板は金属板であり、通常アルミニウム、銀、銅、
ステンレススチール板などを使用する。
本発明に用いる半導体膜層とは、アモルファスシリコン
層を含む通常知られている半導体材料からなる層である
。
層を含む通常知られている半導体材料からなる層である
。
以下に述べる実施例におけるｐｉｎｍ造はｐｆｆ成膜時
にはＳｉＨ，ガスにＢ＊Ｈｓガスを混合し、ｉ層成膜時
には、ＳｉＨ＜ガスのみを用い％ Ｊ成膜時にはＰＨ１
ガスをＳｉＨ４ガスに混合してプラズマＣＶＤ法で形成
する。
にはＳｉＨ，ガスにＢ＊Ｈｓガスを混合し、ｉ層成膜時
には、ＳｉＨ＜ガスのみを用い％ Ｊ成膜時にはＰＨ１
ガスをＳｉＨ４ガスに混合してプラズマＣＶＤ法で形成
する。
〔実施例１〕
表面の平滑なガラス基板の上に凹凸の高さが平と微細斜
面とのなす角度が３５〜５５度になるような条件に温度
および蒸着スピードを設定して５ｉＯ１をスパッター法
で蒸着する。このようにして形成した凹凸面上に透明１
！極ＩＴＯ，前記半導体膜層、アルミニウム電極の順に
蒸着積層する。
面とのなす角度が３５〜５５度になるような条件に温度
および蒸着スピードを設定して５ｉＯ１をスパッター法
で蒸着する。このようにして形成した凹凸面上に透明１
！極ＩＴＯ，前記半導体膜層、アルミニウム電極の順に
蒸着積層する。
ｐｉｎ構造の蒸着半導体膜全体の厚みは７０００Ａであ
る。透明電極およびアルミニウム電極の蒸着はＥＢ蒸着
法によって行った。
る。透明電極およびアルミニウム電極の蒸着はＥＢ蒸着
法によって行った。
〔実施例２〕
実施例１で使用したガラス基板上に酸素ガス雰囲気中で
ＴｉＯ□をターゲットにＥＢ蒸着法によってＴｉ Ｏ！
蒸着膜を形成する。さらにこの上に透明電極ＩＴＯＫ４
を蒸着積層する。以後実施例１と同様に半導体層、背面
ｆ’！極を蒸着形成する。
ＴｉＯ□をターゲットにＥＢ蒸着法によってＴｉ Ｏ！
蒸着膜を形成する。さらにこの上に透明電極ＩＴＯＫ４
を蒸着積層する。以後実施例１と同様に半導体層、背面
ｆ’！極を蒸着形成する。
実施例１および２で作製した半導体薄膜光電変換装置の
断面を第１図に示す。第１図の１はガラス基板、２は本
発明にもとず（Ｓｉｎ、層、あるいはＴｉ ０１層であ
る。３は透明電極、４，５．６は半導体膜層、７はアル
ミニウム電極である。
断面を第１図に示す。第１図の１はガラス基板、２は本
発明にもとず（Ｓｉｎ、層、あるいはＴｉ ０１層であ
る。３は透明電極、４，５．６は半導体膜層、７はアル
ミニウム電極である。
実施例３
凹凸の背面電極を形成するために第２図に示すように、
ステンレス鋼板９上に４μｍ厚のポリイミド膜層８を設
け、その表面を酸素プラズマで処凹凸を形成する。つぎ
に背面ｆａｉ７としてステンレス層をスパッタ蒸着する
。さらに半導体膜層４゜５．６、透明電極３の順に積層
する。その他の形成条件は実施例１と同様である。
ステンレス鋼板９上に４μｍ厚のポリイミド膜層８を設
け、その表面を酸素プラズマで処凹凸を形成する。つぎ
に背面ｆａｉ７としてステンレス層をスパッタ蒸着する
。さらに半導体膜層４゜５．６、透明電極３の順に積層
する。その他の形成条件は実施例１と同様である。
以上本発明の実施例にもとずいた半導体薄膜光電変換装
置にＡＭＩ光を照射して得られた光電変換効率を従来例
に比較して表１に示す。
置にＡＭＩ光を照射して得られた光電変換効率を従来例
に比較して表１に示す。
表１
明らかに本実施例の光電変換効率は従来例よりも高い。
この効果は第１図および第２図に示すように、透明電極
とＰ＋ ｔ５を主とする半導体層の一体凹凸構造の光
電変換装置であるがために透明基板１から入射した光１
０は必然的に半導体層の厚み方向に対し斜めに侵入する
ことになり、とくにｉ型半導体層の光路長が極めて長（
なるために通過できずに吸収されて光電変換に寄与する
光の割合が向上したことによるものである。
とＰ＋ ｔ５を主とする半導体層の一体凹凸構造の光
電変換装置であるがために透明基板１から入射した光１
０は必然的に半導体層の厚み方向に対し斜めに侵入する
ことになり、とくにｉ型半導体層の光路長が極めて長（
なるために通過できずに吸収されて光電変換に寄与する
光の割合が向上したことによるものである。
第１図は本発明にもとす〈実施例１および２の半導体光
電変換装置に関する斜視断面図である。 篤２図は本発明にもとす〈実施例３の半導体光電変換装
置に関する斜視断面図である。第３図、第４図および第
５図は半導体光電変換装置の従来例である。
電変換装置に関する斜視断面図である。 篤２図は本発明にもとす〈実施例３の半導体光電変換装
置に関する斜視断面図である。第３図、第４図および第
５図は半導体光電変換装置の従来例である。
Claims (3)
- （１）少なくとも透明電極膜、半導体膜層、および背面
電極をこの順に蒸着積層して構成した、光エネルギーを
電気エネルギーに変換する半導体光電変換装置において
、該透明電極膜は膜面に垂直方向の断面の少なくとも頂
上部が椀曲状のランダム波状的な曲線である凹凸形状の
膜であると共に、該透明電極膜と半導体膜層とが凹凸面
的に接合していることを特徴とする半導体光電変換装置
。 - （２）透明基板の少なくとも片面に凹凸形状を形成する
と共に該凹凸面の上に透明電極膜、半導体膜層、および
背面電極の順に蒸着積層する方法で製造されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体光電変換装
置。 - （３）背面電極の少なくとも片面に凹凸を形成すると共
に該凹凸面上に半導体膜層および透明電極をこの順に蒸
着積層する方法によつて製造されることを特徴とする、
特許請求の範囲第１項記載の半導体光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166863A JPS6144476A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 半導体光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166863A JPS6144476A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 半導体光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144476A true JPS6144476A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15839035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166863A Pending JPS6144476A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 半導体光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144476A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106472A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
| JPH01140676A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nippon Denso Co Ltd | 半透光性太陽電池 |
| JPH01225373A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 太陽電池用基板 |
| JPH0357952U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
| JPH04367281A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sharp Corp | 光起電力装置 |
| WO2005027229A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜付き基体およびその製造方法 |
| WO2010029751A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | 株式会社アルバック | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59166863A patent/JPS6144476A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106472A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
| JPH01140676A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nippon Denso Co Ltd | 半透光性太陽電池 |
| JPH01225373A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 太陽電池用基板 |
| JPH0357952U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
| JPH04367281A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sharp Corp | 光起電力装置 |
| WO2005027229A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜付き基体およびその製造方法 |
| WO2010029751A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | 株式会社アルバック | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JPWO2010029751A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2012-02-02 | 株式会社アルバック | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| TWI397186B (zh) * | 2008-09-12 | 2013-05-21 | Ulvac Inc | 太陽電池及太陽電池之製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59104185A (ja) | 反射体を隔設した光起電半導体装置 | |
| JPS6049679A (ja) | 光路を延長した光電変換素子 | |
| JPS6144476A (ja) | 半導体光電変換装置 | |
| US4376228A (en) | Solar cells having ultrathin active layers | |
| JP2003101059A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| TWI495123B (zh) | 太陽能電池的製備方法 | |
| JPS61278171A (ja) | 薄膜光電変換素子 | |
| US20110056557A1 (en) | Thin film solar cell and method of manufacturing the same | |
| JPH0473305B2 (ja) | ||
| TWI482295B (zh) | 太陽能電池 | |
| JPS6245079A (ja) | 太陽電池用基板およびその製法 | |
| KR101643132B1 (ko) | 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 | |
| JP2013115434A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| US4514581A (en) | Solar cells having ultrathin active layers | |
| JPS60201668A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPS5828878A (ja) | 半導体装置 | |
| TWI489645B (zh) | 太陽能電池的製備方法 | |
| JP2994716B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS6010788A (ja) | 太陽電池用基板 | |
| JPH05343715A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| TW201327881A (zh) | 太陽能電池 | |
| JPS62123781A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP3253449B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6154680A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS61116886A (ja) | 光起電力装置の製造方法 |