JPS6143751A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6143751A JPS6143751A JP59165486A JP16548684A JPS6143751A JP S6143751 A JPS6143751 A JP S6143751A JP 59165486 A JP59165486 A JP 59165486A JP 16548684 A JP16548684 A JP 16548684A JP S6143751 A JPS6143751 A JP S6143751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- area
- parts
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント配ｋｌのレジストパターンの形成方法
に関する。
に関する。
プリント配線板のパターン形成方法にはエツチング法や
メッキ法がある。これらの方法は基板上に感光ｑ゛レジ
ストコーティングし、これをマスクパターンフィルムを
介して蕗九させ、然る後に感光性レジストをＩＡ像し、
さらにその後エツチング法やメッキ法により基板上に所
望のパターンを形成するものである。
メッキ法がある。これらの方法は基板上に感光ｑ゛レジ
ストコーティングし、これをマスクパターンフィルムを
介して蕗九させ、然る後に感光性レジストをＩＡ像し、
さらにその後エツチング法やメッキ法により基板上に所
望のパターンを形成するものである。
最近この種のプリント配線板も増々複報化し、１つの基
鈑内に異なりた密度のパターンが混在する。このような
密度の異なったパターンを従来の光が透過する部分と遮
薮する部分のみからなるデジタル的なマスクパターンフ
ィルムラ用いて露光した場合次のような問題が生じる。
鈑内に異なりた密度のパターンが混在する。このような
密度の異なったパターンを従来の光が透過する部分と遮
薮する部分のみからなるデジタル的なマスクパターンフ
ィルムラ用いて露光した場合次のような問題が生じる。
露光現像後得られるレジストラインの１】は露光針によ
って変化するが、このＩ＼ｆ、量に対するレジストライ
ン巾の変化の割合がパターン密度によりて異なりこの結
果精度のよいレジストパターンが得にくい。
って変化するが、このＩ＼ｆ、量に対するレジストライ
ン巾の変化の割合がパターン密度によりて異なりこの結
果精度のよいレジストパターンが得にくい。
また特に第２図〈示したようにレジストラインＩｓの間
隔が同じであつても、巾の広いレジストラインに隣接す
る部分やはさまれた８Ｂ分には、現像残り６が発生し易
い、これは、巾の広いレジストライン部は入射光の絶ハ
量が大きく、これらの光の回折や散乱の彩管な強く受け
るためである。
隔が同じであつても、巾の広いレジストラインに隣接す
る部分やはさまれた８Ｂ分には、現像残り６が発生し易
い、これは、巾の広いレジストライン部は入射光の絶ハ
量が大きく、これらの光の回折や散乱の彩管な強く受け
るためである。
従来はこれらの欠点をマスクパターン設計で焼太すの割
合を考慮して、得ようと１″るレジストパターンとは異
なったラインｌＪを持つマスクパターンを設計すること
で個ってきたが、これでは設計が非常に煩４°（Ｃとな
る。また後者の現像残りの間印は第３図に示すようにダ
ミーライン７を設けて、巾の広いレジストライン部ヲ分
割することで光の透過」、を減らし、解決しているが、
これでは無駄なメッギ部やエツチング部を増やし非経済
的である。
合を考慮して、得ようと１″るレジストパターンとは異
なったラインｌＪを持つマスクパターンを設計すること
で個ってきたが、これでは設計が非常に煩４°（Ｃとな
る。また後者の現像残りの間印は第３図に示すようにダ
ミーライン７を設けて、巾の広いレジストライン部ヲ分
割することで光の透過」、を減らし、解決しているが、
これでは無駄なメッギ部やエツチング部を増やし非経済
的である。
本発明は、これら従来の欠点に鑑みなされたものであり
、使用するマスクパターンフィルムを光の透過１−石部
分と辿、蔽する部分のみでなく、レジストパターン形成
な行った時、他の部分に比べ焼太りの者しい部分や、椀
像残りの発生し易いような部分に対応するマスクパター
ンフィルムの光を透過する部分について、その透過率を
小さくすることで上記問題点を解決することを目的とし
たものである。
、使用するマスクパターンフィルムを光の透過１−石部
分と辿、蔽する部分のみでなく、レジストパターン形成
な行った時、他の部分に比べ焼太りの者しい部分や、椀
像残りの発生し易いような部分に対応するマスクパター
ンフィルムの光を透過する部分について、その透過率を
小さくすることで上記問題点を解決することを目的とし
たものである。
すなわち本発明は、基板上１ｃ設けられた感光性レジス
トに回路パターン画像を形成する方法ニオいて、マスク
パターンフィルムのＤ路１１Ｊ］Ｍの広い部分と回路間
隔の挟い部分の光線透過率を変えることによりて〜光量
を調節することを特徴とするものである。
トに回路パターン画像を形成する方法ニオいて、マスク
パターンフィルムのＤ路１１Ｊ］Ｍの広い部分と回路間
隔の挟い部分の光線透過率を変えることによりて〜光量
を調節することを特徴とするものである。
以下本発明を実施例をもとに説明すると、第１図−（ａ
）にマスクパターンフィルム断面の一部を示した。この
図１中でｌＴはフィルムの中で光を透過する部分の巾を
示し、！Ｓは光を遮蔽する部分の巾を示す。領域ＡはＩ
Ｔ／１ｓ＝５０１５０ｚ＋ｍ、ｉ域ＢはＩＴ／６ｓ ＝
５００／ ５０ ａｍである。このマスクを用いて感
光性レジスト（日立化成フォテック５５ ｔｔｍ厚）を
路光、机像した場合、領域Ａは露光量８５〜１０５ｍ丁
／ａｆの範囲でレジストパターンの形成か可能であるの
に対し、領域Ｂでは９０ ｍｌ／ｃｎ以上では、第２図
に示したようにレジストライン間に現像残りが発生して
しまう。そこで領域Ｂの全面に真空蒸着法によってアル
ミニウムの薄膜を形成し光の透過量を２０％減少させた
。これによって領域Ｂにおいても焼太りゃ現像残りのな
いレジストパターン形成を可能にすることができた（第
１図−（ｂ〕）。
）にマスクパターンフィルム断面の一部を示した。この
図１中でｌＴはフィルムの中で光を透過する部分の巾を
示し、！Ｓは光を遮蔽する部分の巾を示す。領域ＡはＩ
Ｔ／１ｓ＝５０１５０ｚ＋ｍ、ｉ域ＢはＩＴ／６ｓ ＝
５００／ ５０ ａｍである。このマスクを用いて感
光性レジスト（日立化成フォテック５５ ｔｔｍ厚）を
路光、机像した場合、領域Ａは露光量８５〜１０５ｍ丁
／ａｆの範囲でレジストパターンの形成か可能であるの
に対し、領域Ｂでは９０ ｍｌ／ｃｎ以上では、第２図
に示したようにレジストライン間に現像残りが発生して
しまう。そこで領域Ｂの全面に真空蒸着法によってアル
ミニウムの薄膜を形成し光の透過量を２０％減少させた
。これによって領域Ｂにおいても焼太りゃ現像残りのな
いレジストパターン形成を可能にすることができた（第
１図−（ｂ〕）。
このマスクパターンフィルムの透過率を部分的に落とす
方法には上述したように真空蒸Ｍ法によってＡＩ、Ｚｎ
、Ａｕなら種々の金鶏を使用することができ、またその
他の光吸収剤を塗布することで実現できる。また通常こ
の種のマスクパターンフィルムは拡大して描かれた原図
から、写真法により縮小して得ら几るが、この時形成す
ることも可能である。
方法には上述したように真空蒸Ｍ法によってＡＩ、Ｚｎ
、Ａｕなら種々の金鶏を使用することができ、またその
他の光吸収剤を塗布することで実現できる。また通常こ
の種のマスクパターンフィルムは拡大して描かれた原図
から、写真法により縮小して得ら几るが、この時形成す
ることも可能である。
上述の如く本発明によればマスクパターンフィルムの表
面にパターンに応じて光の透過率の差を設けることによ
って、種々のパターン密度が混在する場合でも精度よく
レジストパターンの形成が可能となり、またライン巾の
違いによる焼太すな考ＩＭ、″″ｒることな（パターン
の設計ができる。
面にパターンに応じて光の透過率の差を設けることによ
って、種々のパターン密度が混在する場合でも精度よく
レジストパターンの形成が可能となり、またライン巾の
違いによる焼太すな考ＩＭ、″″ｒることな（パターン
の設計ができる。
さらに余分なダミ一部を設ける必要がなくなり、エツチ
ングやメッギでの損失を最小限１ｃｍｊることか可能と
なった。
ングやメッギでの損失を最小限１ｃｍｊることか可能と
なった。
第１図は不発明方法に係るマスクパターンフィルム（ａ
）およびレジストパターン（ｂ）を示す断面図、第２図
および第３Δは従来方式を示す断面図である。 符号の説明
）およびレジストパターン（ｂ）を示す断面図、第２図
および第３Δは従来方式を示す断面図である。 符号の説明
Claims (1)
- １、回路パターンを形成したマスクパターンフィルムを
介して基材上に設けられた感光性レジストを露光すると
ともに現像をすることにより基板上に回路パターン画像
を形成する方法において、前記マスクパターンフィルム
の回路間隔の広い部分と回路間隔の挟い部分の光線透過
率を変えることによって露光量を調節することを特徴と
するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59165486A JPS6143751A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59165486A JPS6143751A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143751A true JPS6143751A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15813314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59165486A Pending JPS6143751A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020050720A (ko) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 구리다 히데유키 | 다층 플렉시블 배선판의 제조 방법 |
-
1984
- 1984-08-07 JP JP59165486A patent/JPS6143751A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020050720A (ko) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 구리다 히데유키 | 다층 플렉시블 배선판의 제조 방법 |
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