JPS6022346B2 - フオトマスクのパタ−ン修正方法 - Google Patents
フオトマスクのパタ−ン修正方法Info
- Publication number
- JPS6022346B2 JPS6022346B2 JP51155284A JP15528476A JPS6022346B2 JP S6022346 B2 JPS6022346 B2 JP S6022346B2 JP 51155284 A JP51155284 A JP 51155284A JP 15528476 A JP15528476 A JP 15528476A JP S6022346 B2 JPS6022346 B2 JP S6022346B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist
- light
- photoresist layer
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス基板上にすでに形成された遮光パターン
を部分的に除去したり、新しい遮光パタ−ンを追加した
りして遮光パターンを修正するフオトマスクのパターン
惨正方法に関する。
を部分的に除去したり、新しい遮光パタ−ンを追加した
りして遮光パターンを修正するフオトマスクのパターン
惨正方法に関する。
現在半導体装置の製造過程で広くフオトレジストが使用
されている。
されている。
すなわち、半導体基板への拡散領域の形成或いは電極の
形成等とともにこれらに適用するためのフオトマスクの
製造にもフオトレジストが使用されている。現在フオト
マスクはガラス坂上に金属例えばクロームを選択された
パターンに被着したものを使用している。
形成等とともにこれらに適用するためのフオトマスクの
製造にもフオトレジストが使用されている。現在フオト
マスクはガラス坂上に金属例えばクロームを選択された
パターンに被着したものを使用している。
しかしながら、フオトマスクを製造する時に、一枚のマ
スクにある程度の不良（クロム磯澄あるいはピンホール
）が発生し、このマスクを使用した半導体チップは不良
チップとなる。この際、新しくホトマスクを作製するよ
り、ピンホールＰやクロム浅薄Ｃのある既存のマスクを
修正する方が効率的である。疹正方法として、第１図ａ
，ｂにピンホールＰ、クローム銭澄Ｃが生じた場合、ホ
トレジストを全面にスピンナーでコーティングしておき
パターン疹正装直で、ピンホールＰ、クローム残澄Ｃの
ところのみ露光する。
スクにある程度の不良（クロム磯澄あるいはピンホール
）が発生し、このマスクを使用した半導体チップは不良
チップとなる。この際、新しくホトマスクを作製するよ
り、ピンホールＰやクロム浅薄Ｃのある既存のマスクを
修正する方が効率的である。疹正方法として、第１図ａ
，ｂにピンホールＰ、クローム銭澄Ｃが生じた場合、ホ
トレジストを全面にスピンナーでコーティングしておき
パターン疹正装直で、ピンホールＰ、クローム残澄Ｃの
ところのみ露光する。
弦光後現像し、ビンホールＰのときはクロムを兼着し、
クロム残澄のときはエッチング処理して不良を疹正する
。
クロム残澄のときはエッチング処理して不良を疹正する
。
このパターン修正の際、従釆はしジストを現像した後で
なければ、正確な位置に露光が行なえたか否か判定でき
なかった。
なければ、正確な位置に露光が行なえたか否か判定でき
なかった。
又設計変更などによつてパターン配置の変更或いはパタ
ーン追加をすることがある。しかし通常のマスク作成工
程で行なおうとすると長時間かかる。そこで既存のマス
クを修正するだけにすると非常に簡便である。例えば第
２図のように既存のパターンａ，ｂの間に追加パタ−ン
ｃを作る場合、１，２，３を同一蕗光では競付できず分
割露光となる。その時に１を嫌付した後に２を暁付しよ
うとした時に、現像後でなければ１の像がどこまで暁付
されているかが確認できず２の位置決めするのにかなり
の工程と時間を必要とする。さらに３を嫌付するときで
も同様である。以上述べたように従来はフオトレジスト
を使用したパタ−ン形成に於いて、正しくパターンに応
じた蕗光が行なわれたか否かは、現像後でなければ判定
できず、従って誤った蕗光がされた場合、現像後再度や
り直さなければならず、処理をスムーズに行うことが困
難であった。
ーン追加をすることがある。しかし通常のマスク作成工
程で行なおうとすると長時間かかる。そこで既存のマス
クを修正するだけにすると非常に簡便である。例えば第
２図のように既存のパターンａ，ｂの間に追加パタ−ン
ｃを作る場合、１，２，３を同一蕗光では競付できず分
割露光となる。その時に１を嫌付した後に２を暁付しよ
うとした時に、現像後でなければ１の像がどこまで暁付
されているかが確認できず２の位置決めするのにかなり
の工程と時間を必要とする。さらに３を嫌付するときで
も同様である。以上述べたように従来はフオトレジスト
を使用したパタ−ン形成に於いて、正しくパターンに応
じた蕗光が行なわれたか否かは、現像後でなければ判定
できず、従って誤った蕗光がされた場合、現像後再度や
り直さなければならず、処理をスムーズに行うことが困
難であった。
本発明は上記欠点を除去することを目的とし、遮光パタ
ーンが形成されたガラス坂上に、フオトレジストの露光
波長で且つ滋光感度以上の光が照射されると色相変化を
呈するスピロ化合物を含むポジタィプのフオトレジスト
層を形成する工程と、次いで蕗光すべきパターンを分割
し、直前に蕗光した分割パターンの露光領域を前記スピ
ロ化合物の色相変化によって確認し、色相変化を呈した
領域に対して次の分割パターンを位贋決めして順次分割
露光していき、前記フオトレジスト層を所望のパターン
に露光する工程と、前記フオトレジスト層を現像し露光
された部分のフオｉ・レジスト層を除去して開口を形成
する工程と、前記関口内の遮光パターンをエッチング又
は前記関口内に遮光材料を被着することにより前記遮光
パターンの修正を行う工程とを含むことを特徴とするも
のである。
ーンが形成されたガラス坂上に、フオトレジストの露光
波長で且つ滋光感度以上の光が照射されると色相変化を
呈するスピロ化合物を含むポジタィプのフオトレジスト
層を形成する工程と、次いで蕗光すべきパターンを分割
し、直前に蕗光した分割パターンの露光領域を前記スピ
ロ化合物の色相変化によって確認し、色相変化を呈した
領域に対して次の分割パターンを位贋決めして順次分割
露光していき、前記フオトレジスト層を所望のパターン
に露光する工程と、前記フオトレジスト層を現像し露光
された部分のフオｉ・レジスト層を除去して開口を形成
する工程と、前記関口内の遮光パターンをエッチング又
は前記関口内に遮光材料を被着することにより前記遮光
パターンの修正を行う工程とを含むことを特徴とするも
のである。
これによって、フオトマスクのパターン修正を容易且つ
確実に実施することができる。以下本発明を更に詳細に
説明する。本発明で使用するホトクロミック材料とは光
を照射することにより吸収波長が変化する物質であり、
一般には通常は無色であって紫外線を照射することによ
り特定の色を発色する。
確実に実施することができる。以下本発明を更に詳細に
説明する。本発明で使用するホトクロミック材料とは光
を照射することにより吸収波長が変化する物質であり、
一般には通常は無色であって紫外線を照射することによ
り特定の色を発色する。
又ホトクロミック材料は光可逆性があり、ある色に着色
されたものは階中に放置すると元の状態（無色）に戻る
。本発明で使用できるホトクロミック材料としては種々
のものを使用できるが、感度や寿命等から考えてスピロ
化合物がもっとも効果的である。スピロ化合物の一例と
して、１，３，３−トリメチルィンドリノーベンゾ−ピ
リルスビラン誘導体（下記構造式‘１’で示す）があり
、これに紫外線を照射すると下記構造敦■で示すように
なり、有色を呈する。他に置換基の種類と溶媒により吸
収波長や感度を変えることができる。
されたものは階中に放置すると元の状態（無色）に戻る
。本発明で使用できるホトクロミック材料としては種々
のものを使用できるが、感度や寿命等から考えてスピロ
化合物がもっとも効果的である。スピロ化合物の一例と
して、１，３，３−トリメチルィンドリノーベンゾ−ピ
リルスビラン誘導体（下記構造式‘１’で示す）があり
、これに紫外線を照射すると下記構造敦■で示すように
なり、有色を呈する。他に置換基の種類と溶媒により吸
収波長や感度を変えることができる。
溶媒としてエタノール、ベンゼン、トルエン、キシレン
、シクロヘキサン・ｎーヘキサン、四塩化炭素等がある
。下記第一表に溶媒をエタノールとした時の置換基の種
類による吸収波長及び発色色相を示す。
、シクロヘキサン・ｎーヘキサン、四塩化炭素等がある
。下記第一表に溶媒をエタノールとした時の置換基の種
類による吸収波長及び発色色相を示す。
第１表以下本発明の実施例を記す。
第３図に於いて、４はガラス基版、５はクローム等の金
属層、６は本発明によるフオトレジストとフオトクロミ
ック材料の混合物よりなる層である。
属層、６は本発明によるフオトレジストとフオトクロミ
ック材料の混合物よりなる層である。
フオトレジストとしては通常使用しているレジストを使
用し、フオトクロミツク材料としては前述のものを使用
する。このフオトレジストとフオトクロミック材料を完
全に溶解させ混合した形でクローム上にスピンナ−等で
コーティングする。第３図に示すようにこの混合物層６
を所定のパターンに蕗光する。フオトレジストとフオト
クロミック材料の量は物質や使用条件によって相違する
が、フオトレジストに対する感光感度とフオトクロミツ
ク材料の感光感度のバランスをとる必要がある。
用し、フオトクロミツク材料としては前述のものを使用
する。このフオトレジストとフオトクロミック材料を完
全に溶解させ混合した形でクローム上にスピンナ−等で
コーティングする。第３図に示すようにこの混合物層６
を所定のパターンに蕗光する。フオトレジストとフオト
クロミック材料の量は物質や使用条件によって相違する
が、フオトレジストに対する感光感度とフオトクロミツ
ク材料の感光感度のバランスをとる必要がある。
すなわち、フオトレジストを作用させるための光童によ
って同時にフオトクロミック材料も色相の変化が現われ
るようにすることが望ましい。第４図は本発明の他の実
施例で、４，５は第３図と同じガラス、クローム等の金
属層であり、７がフオトレジスト届、８がフオトクロミ
ック材料層である。
って同時にフオトクロミック材料も色相の変化が現われ
るようにすることが望ましい。第４図は本発明の他の実
施例で、４，５は第３図と同じガラス、クローム等の金
属層であり、７がフオトレジスト届、８がフオトクロミ
ック材料層である。
８のフオトクロミツク材料層はゼラチンやレジスト上に
保護膜として使用される溶液中に溶かしてコーティング
する。
保護膜として使用される溶液中に溶かしてコーティング
する。
この場合は図の如くフオトレジスト層とフオトクロミツ
ク層を二層にして基板に形成する方法である。７′，８
′は磯光部分であり、効果は第３図の場合と同様である
。
ク層を二層にして基板に形成する方法である。７′，８
′は磯光部分であり、効果は第３図の場合と同様である
。
第３図の一層構造による方法はフオトレジストとフォト
クロミック材料の感渡のバランスをうまく考慮しなけれ
ばならないが、工程的には簡単な方法である。第４図の
二層穣造による方法は二回コーティングしなければなら
ず工程が増えるが、フオトレジストとフオトクロミツク
材料とは別の膜にしてあるので、感度の調整が容易にで
きる。次に更に詳細に実施例を説明する。
クロミック材料の感渡のバランスをうまく考慮しなけれ
ばならないが、工程的には簡単な方法である。第４図の
二層穣造による方法は二回コーティングしなければなら
ず工程が増えるが、フオトレジストとフオトクロミツク
材料とは別の膜にしてあるので、感度の調整が容易にで
きる。次に更に詳細に実施例を説明する。
フオトレジストとしては例えばシップレィ社の製造して
いるフオトレジストＡＺ１３５０を使用し、フオトクロ
ミック材料として、下記の機造式を有する１′，３′，
３′ートリメチルー６−ニトロスピロ−〔２Ｈ−１−ペ
ンゾピランー２，２−インドリン〕を使用した。
いるフオトレジストＡＺ１３５０を使用し、フオトクロ
ミック材料として、下記の機造式を有する１′，３′，
３′ートリメチルー６−ニトロスピロ−〔２Ｈ−１−ペ
ンゾピランー２，２−インドリン〕を使用した。
これをフオトレジスト５０ｃｃに対し、１〜滋の割合で
混合し、クローム基板にスピンナーで約５０００Ａの膜
厚に塗布した。
混合し、クローム基板にスピンナーで約５０００Ａの膜
厚に塗布した。
次にこれをベイク炉に入れ、１０５ｑ０でｌｄ分間保持
した。この操作により技初無色であったこの混合層は赤
紫色に変化した。その後３５０皿血〜４５０仇ｍに極大
エネルギーを持つ紫外線により所定部分を露光した。こ
の露光した部分は黄色に変化した。以上の方法で露光さ
れたパターンは露光直後に確認できた。
した。この操作により技初無色であったこの混合層は赤
紫色に変化した。その後３５０皿血〜４５０仇ｍに極大
エネルギーを持つ紫外線により所定部分を露光した。こ
の露光した部分は黄色に変化した。以上の方法で露光さ
れたパターンは露光直後に確認できた。
色相の濃度は露光部と未露光部を判断するに十分であっ
た。又、蕗光したパターンは通常の工程で行なったもの
と同様に形成できた。
た。又、蕗光したパターンは通常の工程で行なったもの
と同様に形成できた。
なお、フオトクロミック材料として下記の横造式を有す
る１′，３′，３′ートリメチルーハイドロキシスピロ
ー〔２Ｈ−１ーベンゾピラン−２，２ーィンドリン〕を
使用した場合も同様の結果を得た。
る１′，３′，３′ートリメチルーハイドロキシスピロ
ー〔２Ｈ−１ーベンゾピラン−２，２ーィンドリン〕を
使用した場合も同様の結果を得た。
第１図及び第２図は本発明の説明図であり、第３図及び
第４図は本発明の実施例である。 図において、４はガラス基板、５はクローム等の金属層
、６はフオトレジストとフオトクロミック材料の混合層
、７はフオトレジスト層、８はフオトミツク材料層、６
′，７′，８′はそれぞれ蕗光部分を示す。繁′囚 嫌ぐ囚 ○Ｊ幻 あて蟹
第４図は本発明の実施例である。 図において、４はガラス基板、５はクローム等の金属層
、６はフオトレジストとフオトクロミック材料の混合層
、７はフオトレジスト層、８はフオトミツク材料層、６
′，７′，８′はそれぞれ蕗光部分を示す。繁′囚 嫌ぐ囚 ○Ｊ幻 あて蟹
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 遮光パターンが形成されたガラス板上に、フオトレ
ジストの露光波長で且つ露光感度以上の光が照射される
と色相変化を呈するスピロ化合物を含むポジタイプのフ
オトレジスト層を形成する工程と、次いで露光すべきパ
ターンを分割し、直前に露光した分割パターンの露光領
域を前記スピロ化合物の色相変化によつて確認し、色相
変化を呈した領域に対して次の分割パターンを位置決め
して順次分割露光していき、前記フオトレジスト層を所
望のパターンに露光する工程と、前記フオトレジスト層
を現像し、露光された部分のフオトレジスト層を除去し
て開口を形成する工程と、前記開口内の遮光パターンを
エツチング又は前記開口内に遮光材料を被着することに
より前記遮光パターンの修正を行う工程とを含むことを
特徴とするフオトマスクのパターン修正方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に於いて、前記スピロ化合物
をフオトレジストと混合させたことを特徴とするフオト
マスクのパターン修正方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に於いて、前記フオトレジス
トと前記スピロ化合物を２層構造にして形成したことを
特徴とするフオトマスクのパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51155284A JPS6022346B2 (ja) | 1976-12-23 | 1976-12-23 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51155284A JPS6022346B2 (ja) | 1976-12-23 | 1976-12-23 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5379528A JPS5379528A (en) | 1978-07-14 |
| JPS6022346B2 true JPS6022346B2 (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=15602527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51155284A Expired JPS6022346B2 (ja) | 1976-12-23 | 1976-12-23 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022346B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137658A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Canon Inc | インク供給装置 |
| JPS62500512A (ja) * | 1985-04-12 | 1987-03-05 | イ−ストマン コダック カンパニ− | インクカ−トリッジ及びそれを使う連続インクジェットプリンタ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110240A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Fujitsu Ltd | Photoresist |
| JPS5616676A (en) * | 1979-07-21 | 1981-02-17 | Hokuriku Denki Kogyo Kk | Preparation of minute pattern |
| JPS57112744A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Fujitsu Ltd | Photoresist |
| DE3602215A1 (de) * | 1986-01-25 | 1987-07-30 | Hoechst Ag | Photopolymerisierbares gemisch und dieses enthaltendes photopolymerisierbares aufzeichnungsmaterial |
| JPS62245251A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| NL8601096A (nl) * | 1986-04-29 | 1987-11-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij op een halfgeleidersubstraat een negatief beeld wordt gevormd in een positieve fotolak. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3804628A (en) * | 1971-06-23 | 1974-04-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive compositions comprising a photosensitive polymer and a photochromic compound |
-
1976
- 1976-12-23 JP JP51155284A patent/JPS6022346B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3804628A (en) * | 1971-06-23 | 1974-04-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive compositions comprising a photosensitive polymer and a photochromic compound |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137658A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Canon Inc | インク供給装置 |
| JPS62500512A (ja) * | 1985-04-12 | 1987-03-05 | イ−ストマン コダック カンパニ− | インクカ−トリッジ及びそれを使う連続インクジェットプリンタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5379528A (en) | 1978-07-14 |
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