JPS6142925A - ダイボンデイング装置 - Google Patents

ダイボンデイング装置

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Publication number
JPS6142925A
JPS6142925A JP16441984A JP16441984A JPS6142925A JP S6142925 A JPS6142925 A JP S6142925A JP 16441984 A JP16441984 A JP 16441984A JP 16441984 A JP16441984 A JP 16441984A JP S6142925 A JPS6142925 A JP S6142925A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
chip
chips
positioning
mount base
Prior art date
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Pending
Application number
JP16441984A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Inoue
広 井上
Nobushi Suzuki
鈴木 悦四
Kiyoshi Chiyoda
千代田 浄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP16441984A priority Critical patent/JPS6142925A/ja
Publication of JPS6142925A publication Critical patent/JPS6142925A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、たとえば半導体レーザの製造工程において
、その半導体レーザのチップとステムとを位置決めした
のち結合するダイボンディング装置に関する。
(発明の技術的背景とその問題点) 最近、コンパクトディスクプレーヤ用、光情報処1!a
llII用として半導体レーザが多く導入されて0る。
この半導体レーザは、落8図に示すようにリードト・・
を有するステム2に半導体レーザのチップ3が取付けら
、れている。そして、このチップ−3は前記ステム2に
嵌着されるキャップ(図示しない)によって包容されて
いる。
この種の半導体レーザの製造工程においては、ステム2
に対してチップ3を結合する場合には、従来ダイボンデ
ィング装置によって行われているが、そのステム2に対
してチップ3をマウントする場合に高精度のマウントが
要求されている。すなわち、一般にステム2に対してそ
の端面よりチップ3は数μ突出して結合されるが゛、こ
のチップ3は励起時に約200” CI、″加熱される
ために、その突出mが大きいと熱伝導が少ないために耐
久性が落ちる。また、逆に突出量が少ないと光が遮断さ
れるという不都合がある。そこで、従来においては、X
Yθテーブル4に支持されたマウントベース5に前記ス
テム2を載置し、チップ3を真空吸着した状態で前記ス
テム2上に供給し、ステム2に対してチップ3を離間し
た状態で両者の位置合せを行なう。この場合、顕微鏡を
用い作業者がステム2とチップ3との相対位置を目視に
よって監視し、前記XYθテーブル4を制御して位置決
めしたのち前記チップ3をステム2をボンディングして
いた。
しかしながら、前述したボンディングの前工程として前
記ステム2をマウントベース5の所定位置に正確に位置
決めする必要があるが、従来においては作業者の手作業
によって行なっている。また、チップ3とステム2との
位置決めも顕微鏡を用い作業者が目視で監視しながら位
置決めしているため、精度に限度があり、また作業者に
よってバラツキがある。したがって、半導体レーザの品
質にもバラツキができるとともに、作業性が悪く大曇生
産には適していない。
〔発明の目的〕
この発明は、前記事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、ステムの位置決めおよびチップに
対するステムの位置決めが高11度にしかも自動的に行
なうことができるとともに、サイクルタイムを短縮する
ことができるダイボンディング装置を提供しようとする
ものである。
〔発明の概要〕
この発明は、前記目的を達成するために、位置決め機構
によってマウントベースの載置部に対するステムの位置
決めを行なうとともに、チップを前記ステムの上面と離
間した状態にチップを保持した状態で、チップとステム
との相対位置を位置測定装置によって測定し、この測定
信号に基づいてチップに対してステムを所定位置に位置
決めし、位置合せ後に・チップ保持具を下降させて前記
チップをステム上に載置してボンディングすることにあ
る。
〔発明の実施例〕
以下、この発明を図面に示す一実施例に基づいて説明す
る。
第1図ないし第3図は、半導体レーザのダイボンディン
グ装置を示すもので、11は位置補正機構としてのYθ
チー゛プルであり、θは上段に位置し、ボンディング位
置の中心に回転制御が可能なように設けられている。こ
のYθテーブル11の上面のマウントベース12にはヒ
ータ(図示しない)が内蔵され、このヒータはヒータ制
御装@13によって温度コントロールされるようになっ
ている。前記マウントベース12には前記ステム2を位
置決め載置する載置部14が凹部によって形成されてい
る。そして、このv、e1部14の側面、下面および背
面にはそれぞれXYzの3方向の基準面14a、14b
、14cが設けられている。
また、この基準面14Cに対向する部分には位置決め機
構を構成するブツシュロッド15が進退自在に設けられ
、このブツシュロッド15はエヤシリング16によって
駆動されるようになっている。
さらに、17はステムクランパであり、これは前記ステ
ム2の切欠部2a12aに係合してステム2を供給する
ようになっている。一方、18はXYθテーブルからな
る予備位置決めステージであって、この上面にはトレイ
19が設けられている。
例えばステージ18にトレイ19の方形状収容溝が設け
られ、この溝の一辺にはトレイ19の挿入を容易にする
如く開いた溝が設けられた構造で固定される。このトレ
イ19には多数個のチップ3・・・を収容する例えば長
方形状の収容凹部が設けられ、この各凹部のそれぞれ半
導体チップ3が整列した状態で収容されている。そして
、このトレイ19と前記載置部14との間にはトレイ1
9内のチップ3を後述するコンピュータ29によって制
御され、前記載置部14にピックアップ搬送供給するチ
ップ供給機構20が設けられている。このチップ供給機
構20について説明すると、21はガイドレールであり
、このガイドレール21には搬送部材22が往復運動自
在に支持されている。
この搬送部材22には上下動m tM 23を介してチ
ップ保持具24が取付けられ、このチップ保持具24に
はバキュームピン25が設けられている。
そして、このバキュームピン25によって前記トレイ1
9内のチップ3を真空吸着して前記マウントベース12
の載置部14に供給するように構成されている。また、
前記マウントベース12の近傍にはステム2とチップ3
との結合部に冷却用ガスを吹付けるノズル41が設けら
れている。
また、前記Yθテーブル11の側部に設けたXYテーブ
ル26にはマウントベース12に対向して例えば光切断
法に基づく位WIIl定装置27が設置されている。そ
して、前記バキュームピン25によって吸着されたチッ
プ3と載置部14に載置されたステム2の相対位置を光
学的に測定し、その測定信号に基づいて前記Yθテーブ
ル11を制御してステム2とチップ3とを所定の位置に
位置決めするようになっている。
′ つぎに、前記Yθテーブル11およびXYテーブル
26の制御系について説明する。まず、−Yθテーブル
11の各テーブルにはこれを駆動するモータ11a、1
1bが設けられ、これら各モータ11a、Ilbはドラ
イバ28を介して制御11[とじてのコンピュータ29
に接続されている。また、XYテーブル26の各テーブ
ルにはこれを駆動するモータ26a、26bが設けられ
、これらモータ25a、26k)はドライバ30を介し
て前記コンピュータ29に接続されている。ざらに、前
記位置測定装置27は第4図乃至第6図で示すように構
成されている。例えば、31は光源で、この光源31か
らの光を集光レンズ32を介してスリット33に通して
リボン状のスリット光とする。このスリット光を前記ス
テム2とチップ3に照射し、投射部位A、Bの光学像を
レンズ34により焦点板35に結像させると、第5図に
示すように2本の映像a、bが離開して見える。これは
第6図に示すように、このずれ量Δdはステム2とチッ
プ3の相対的位置ずれ鳳Δtに比例するので、映像A1
Bのずれ量Δdから相対的位置ずれ量Δtは求まる。こ
のように、光切断法を用いれば、ステム2とチップ3と
の相対位置(Y方向)を測定できる。ステム2とチップ
3とのθ方向の゛傾きは、光切断法による測定を2か所
以上行なうこと、により3角法で求められる。また、前
記映像a、bをITVカメラ37によってm像し、この
像は電気信号としてA/D変換器38、フレームメモリ
39およびインターフェイス4oを介して前記コンピュ
ータ29に送られる。そして、このコンピュータ29に
よって相対位置ずれmΔtが算出され、この制御信号に
もとづいて前記Yθテーブル11が駆動されてΔtの補
正が行われる。
すなわち、第7図に示すように、ITVカメラ画像の取
込みによってスリット光をIIL、このスリット光の位
ta測定を行なう。そして、チップ3とステム3のスリ
ラミ光位iにより相対゛的位匝を計算する。ここで、前
2位置が設定値で有るか否かを判定し、YESの場合に
はENDとなり、NOの場合にはYθテーブル11のフ
ィードバックmを求める。そして、Yθテーブル11を
駆°動して再び前記操作を繰返し行なう。なお、この場
合、X方向の相対位置はマウント精度として許容値が大
きいので予備位置決めのみで特に補正は行なっていない
。しかしマウント精度が要求される場合には補正を行な
ってもちよい。
つぎに、前述のように構成されたダイボンディング装置
を用いて半導体レーザのチップ3をステム2に対してダ
イボンディングする方法について説明する。
まず、ステムクランパ17によってクランプされたステ
ム2はマウントベース12の載置部14に載置される。
載置部14にステム2が載置されると、基準面14a、
14bによってx、z方向の位置決めができ、ステムク
ランパ17は一旦、開となりブツシュロッド15がエヤ
シリンダ16によって前進する。したがって、ステム2
はY方向の基準面14Gに押付けられ、載置部14の所
定位置に位置決めされる。一方、このときマウントベー
ス12はヒータによっである程度加熱されているため、
ステム2は加熱され、チップ取付は部の表面の溶融剤た
とえばインジュウムは溶融される。この状態で、前記予
備位置決めステージ18のトレイ19に収容されたチッ
プ3・・・はチップ供給懇構20のチップ保持具24に
設けたバキュームビン25によって1個づつ真空吸着さ
れる。
そして、このチップ保持具24はガイドレール21に沿
って搬送され、バキュームビン25に吸着されたチップ
3がマロン1〜ベース12上のステム2に対向すると停
止する。つぎに、コンピュータ29からの制御信号によ
って上下動機構23が作動しチップ保持具24が下降し
、チップ3がステム2の上面と僅かに離間した状態で保
持される。
ここで、位置測定装置27による前述した光切断法によ
ってステム2とチップ3とをマウント時に要求される位
置になるように自動的に位置合せを行なう。このように
してステム2とチップ3とを所定位首に位置決めしたの
ち、前記上下動機構23によってチップ保持具24を下
降させると、バキュームビン25に吸着されたチップ3
はステム2に載置される。このとき、ステム2の表面の
インジュウムは溶融されているためチップ3はステム2
上に融着される。この状態で、一定時間保持したのち、
ヒータ制御装置13によりヒータをオフにし、冷却用ガ
スをノズル41から噴出し、ステム2とチップ3との結
合部へ吹付けると、溶融状態のインジュウムは冷却固化
されてボンディングが完了する。
〔発明の効果) 以上説明したように、この発明によれば、マウントベー
スの載置部に対するステムの供給位置決めおよびチップ
に対するステムの位置決めが高精度にしかも自動的に行
なうことができる。したがって、作業能率の向上と品質
の向上を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すダイボンディング装
置の概略的正面図、第2図は同じく平面図、第3図は同
じくステムとチップとの関係を示す斜視図、第4図乃至
第6図は同じく位置測定装置の作用説明図、第7図は位
置測定方法のフローチャート図、第8図は一般的な半導
体レーザを示す側面図である。 2・・・ステム、3・・・チップ、11・・・Yθテー
ブル、12・・・マウントベース、14・・・載置部、
15・・・ブツシュロッド(位置決め機構)、20・・
・チップ供給機構、23・・・上下動機構、27・・・
位置測定装置、2つ・・・コンピュータ(制御装置)。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ステムを載置する載置部を有したマウントベースと、こ
    のマウントベースにステムを供給し前記載置部の所定位
    置に位置決めする位置決め機構と、予備位置決めされた
    チップをチップ保持具によって吸着し前記ステム上に供
    給するとともにステムの上面と離間した状態にチップを
    保持するチップ供給機構と、前記チップとステムを離間
    した状態でチップとステムとの相対位置を測定する位置
    測定装置と、この位置測定装置によって測定された測定
    信号に基づいて前記マウントベースを微動させチップと
    ステムとの相対位置を調整する制御装置と、前記チップ
    供給機構に設けられチップ保持具を下降させてチップを
    前記ステム上に載置する上下動機構とを具備したことを
    特徴とするダイボンディング装置。
JP16441984A 1984-08-06 1984-08-06 ダイボンデイング装置 Pending JPS6142925A (ja)

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JP16441984A JPS6142925A (ja) 1984-08-06 1984-08-06 ダイボンデイング装置

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JPS6142925A true JPS6142925A (ja) 1986-03-01

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