JPS6142482A - Ｍｉｇによる初層裏波溶接用開先構造 - Google Patents
Ｍｉｇによる初層裏波溶接用開先構造Info
- Publication number
- JPS6142482A JPS6142482A JP16350384A JP16350384A JPS6142482A JP S6142482 A JPS6142482 A JP S6142482A JP 16350384 A JP16350384 A JP 16350384A JP 16350384 A JP16350384 A JP 16350384A JP S6142482 A JPS6142482 A JP S6142482A
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- JP
- Japan
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- welding
- groove
- uranami
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/02—Seam welding; Backing means; Inserts
- B23K9/028—Seam welding; Backing means; Inserts for curved planar seams
- B23K9/0282—Seam welding; Backing means; Inserts for curved planar seams for welding tube sections
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Butt Welding And Welding Of Specific Article (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＭＩＧによる初層裏波溶接用開先構造に関す
る。
る。
従来、厚内大径鋼管（１５０φ以上、２５を以上）の円
周突き合わせ溶接法として、高能率溶接法であるＭＩＧ
Ｔｈ使用して下向き溶接法が種々試行されている。この
場合、第４図に示すような両頭チャック式の仮止め溶接
は行わない。
周突き合わせ溶接法として、高能率溶接法であるＭＩＧ
Ｔｈ使用して下向き溶接法が種々試行されている。この
場合、第４図に示すような両頭チャック式の仮止め溶接
は行わない。
同図中１は、ＭＩＧ溶接ヘッド、２は、チャッキング
ターニング装置、３は１ｗ４管、４は、左右同期回転用
駆動装置である。
ターニング装置、３は１ｗ４管、４は、左右同期回転用
駆動装置である。
しかしながら、このような従来の溶接技術は。
以下に示す理由から初層裏波溶接が難しく実用に至って
いない。すなわち、従来の溶接では第５図に示すように
被溶接ｍ材５．６の突き合せ部にギャップ７を設けた開
先構造８或は、第６図に示すように被溶接部材５．６の
突き合せ部のギャップ７をなくした開先構造９が採用さ
れている。この場合、適正な裏波溶接を実施するには、
開先の溝底部の所謂ルートフェースに見合う所定のギヤ
ング７を保持する必要がある。
いない。すなわち、従来の溶接では第５図に示すように
被溶接ｍ材５．６の突き合せ部にギャップ７を設けた開
先構造８或は、第６図に示すように被溶接部材５．６の
突き合せ部のギャップ７をなくした開先構造９が採用さ
れている。この場合、適正な裏波溶接を実施するには、
開先の溝底部の所謂ルートフェースに見合う所定のギヤ
ング７を保持する必要がある。
しかし、溶接の進行に伴い収縮が生じるため。
所定のギャップ７を保持できない。また、ルートフェー
スを薄くシてギヤング７１ｋＯにすると、溶は落ち条件
と近接するため実用に適さない。
スを薄くシてギヤング７１ｋＯにすると、溶は落ち条件
と近接するため実用に適さない。
これを図で示すと、ギヤング７を有する開先構造８の場
合、第７図に示すように徐々にギャップ７が小さくな９
７Ｍ波ｉｏができなくなる。
合、第７図に示すように徐々にギャップ７が小さくな９
７Ｍ波ｉｏができなくなる。
また、ギャップ７が０の開先構造９の場合、第８図に示
すようにルートフェースの裏面側に溶は落ち部１１がで
きる。
すようにルートフェースの裏面側に溶は落ち部１１がで
きる。
本発明は、かかる点に鑑みてカされたものでおシ、Ｊｌ
波溶接を実施するに除してルートフェイスに見合う所定
のギャップを保持し、溶接工数の大幅な削減を達成した
ＭＩＧによる初層裏波溶接用開先構造を提供するもので
ある。
波溶接を実施するに除してルートフェイスに見合う所定
のギャップを保持し、溶接工数の大幅な削減を達成した
ＭＩＧによる初層裏波溶接用開先構造を提供するもので
ある。
上記の技術的課題を解決するために、この発明は被溶接
部材を突合せて形成された断面略Ｕ字形の溝の底部の突
合せ領域にｂｊＮ幅が溶接ビードの幅より小さい第２擲
を形成してなるＭＩＧによる初層裏波溶接用開先構造で
ある。
部材を突合せて形成された断面略Ｕ字形の溝の底部の突
合せ領域にｂｊＮ幅が溶接ビードの幅より小さい第２擲
を形成してなるＭＩＧによる初層裏波溶接用開先構造で
ある。
上記の技術的手段は次のように作用する。本発明のｋｉ
Ｉ Ｇによる初層裏波溶接用開先構造は。
Ｉ Ｇによる初層裏波溶接用開先構造は。
第１図囚ＶＣ示すように被ｍ ｔａ ＢＢ材２１．２２
に突合せた接合部に均一幅の良ｖ２３’ｆｆ形成するも
のであ゛る。このような均−暢の裏波２３を得るために
は、第１図の）に示すように被溶接部材２１．２２を突
き合せて形成した溝２４内の所謂ルートフェース面から
の表面張力Ｆと溶金重量Ｗとを調和させることが重要な
因子となる。
に突合せた接合部に均一幅の良ｖ２３’ｆｆ形成するも
のであ゛る。このような均−暢の裏波２３を得るために
は、第１図の）に示すように被溶接部材２１．２２を突
き合せて形成した溝２４内の所謂ルートフェース面から
の表面張力Ｆと溶金重量Ｗとを調和させることが重要な
因子となる。
つまシ、消耗性電極であるＭＩＧでは、溶金量と無関係
に入熱制御かできないため、フェース厚をとかすための
入熱を投入するとどうしても溶金重量Ｗが大きくなり、
溶は下がジ酸は溶は落ちが生じることになる。（なお、
ギャッｆを突き合せ部に設けた方が裏波がきれいにでき
るのは、低入熱量すなわち小溶金量で溶接ができるので
１表面張力Ｆと溶金量ｉｔＷとの調和をとり易いからで
ある。）これに対し、上記の技術的手段の採用により、
第１図Ｃ）に示すように。
に入熱制御かできないため、フェース厚をとかすための
入熱を投入するとどうしても溶金重量Ｗが大きくなり、
溶は下がジ酸は溶は落ちが生じることになる。（なお、
ギャッｆを突き合せ部に設けた方が裏波がきれいにでき
るのは、低入熱量すなわち小溶金量で溶接ができるので
１表面張力Ｆと溶金量ｉｔＷとの調和をとり易いからで
ある。）これに対し、上記の技術的手段の採用により、
第１図Ｃ）に示すように。
突き合せ部のルート部を２段にして第２＃１２ｓを設け
ているので１人熱量を少なくして溶金蓋Ｗｔ−小さくシ
、シかも溶は込み後の表面張力Ｆは大きくなるので、ギ
ャップがある場合と同様の効果を得ることができるもの
である。また。
ているので１人熱量を少なくして溶金蓋Ｗｔ−小さくシ
、シかも溶は込み後の表面張力Ｆは大きくなるので、ギ
ャップがある場合と同様の効果を得ることができるもの
である。また。
ギャップがある場合に比べて蜜倉部があるため。
溶接中のギャップの変化がなくｈ更に開先合せ作業も容
易にできるものである。
易にできるものである。
本発明に係るＭＩＧによる初層裏波溶接用開先構造によ
れは、裏波浴接を実施するに際してルートフェイスに見
合う所定のギャップを保持し、溶接工大の大幅な削減を
達成したものである。
れは、裏波浴接を実施するに際してルートフェイスに見
合う所定のギャップを保持し、溶接工大の大幅な削減を
達成したものである。
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は１本発明の一実施例を示す説明図である。図中
２１．２２は、被溶接部材である。
２１．２２は、被溶接部材である。
被溶接部材２１．２２を突き合せて形成した開先の形状
は、断面略Ｕ字形の＃１２４の底部の突合せ領域に第２
溝２５を形成したものになっている。第２擲２５の篩幅
りは、溶接ビードの輪よりも小さい幅に設定されている
。つまり、初層溶接時に溶金が＠；ｓｉの底部の所謂ル
ート部エース内に入らないようにして第２溝２５を形成
している。
は、断面略Ｕ字形の＃１２４の底部の突合せ領域に第２
溝２５を形成したものになっている。第２擲２５の篩幅
りは、溶接ビードの輪よりも小さい幅に設定されている
。つまり、初層溶接時に溶金が＠；ｓｉの底部の所謂ル
ート部エース内に入らないようにして第２溝２５を形成
している。
このように構成され九ＭＩＧによる初層裏波溶接用開先
構造によれば、第２溝２５が設けられているので、溶接
を施すと、少ない入熱量で溶金ｉＷを小さくシ、かつ１
表面張力Ｆを大きくして、第３図に示すように均一な幅
の裏波２３を容易に得ることができる。第２溝２５の直
下に被溶接部材ｘｚ、ｘｉの密着部が存在するので、溶
接中に第２擲２５（ギャップ）の収ｗ４ヲ抑えて、上記
効果を更に助長できると共に。
構造によれば、第２溝２５が設けられているので、溶接
を施すと、少ない入熱量で溶金ｉＷを小さくシ、かつ１
表面張力Ｆを大きくして、第３図に示すように均一な幅
の裏波２３を容易に得ることができる。第２溝２５の直
下に被溶接部材ｘｚ、ｘｉの密着部が存在するので、溶
接中に第２擲２５（ギャップ）の収ｗ４ヲ抑えて、上記
効果を更に助長できると共に。
開先合せ作業を容易にできるものである。
第１図は１本発明の作用を示す説明図、第２図は１本発
明の一実施例の説明図、第３図は。 同実施例の開先構造に溶接を施した状態１示す説明図、
第４図は１両頭チャック方式の溶接装置の説明図、第５
図及び第６図社、従来の開先構造の説明図、第７図及び
第８図は、従来の開先構造に溶接を施した状ｎを示す説
明図である。 ２１．２２・・・被溶接部材、２３・・・裏波、２４・
・・溝、２５・・・第２溝。 出願人後代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第４図 第５図 第７図 第８図
明の一実施例の説明図、第３図は。 同実施例の開先構造に溶接を施した状態１示す説明図、
第４図は１両頭チャック方式の溶接装置の説明図、第５
図及び第６図社、従来の開先構造の説明図、第７図及び
第８図は、従来の開先構造に溶接を施した状ｎを示す説
明図である。 ２１．２２・・・被溶接部材、２３・・・裏波、２４・
・・溝、２５・・・第２溝。 出願人後代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第４図 第５図 第７図 第８図
Claims (1)
- 被溶接部材を突合せて形成された断面略ｕ字形の溝の底
部の突合せ領域に、溝幅が溶接ビードの幅より小さい第
２溝を形成してなることを特徴とするＭＩＧによる初層
裏波溶接用開先構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16350384A JPS6142482A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | Ｍｉｇによる初層裏波溶接用開先構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16350384A JPS6142482A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | Ｍｉｇによる初層裏波溶接用開先構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142482A true JPS6142482A (ja) | 1986-02-28 |
Family
ID=15775098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16350384A Pending JPS6142482A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | Ｍｉｇによる初層裏波溶接用開先構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566149B1 (en) | 1998-09-16 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing substrate for inspecting semiconductor device |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP16350384A patent/JPS6142482A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566149B1 (en) | 1998-09-16 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing substrate for inspecting semiconductor device |
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