JPS6142162A - 厚膜抵抗による機能調整方法 - Google Patents

厚膜抵抗による機能調整方法

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JPS6142162A
JPS6142162A JP16407184A JP16407184A JPS6142162A JP S6142162 A JPS6142162 A JP S6142162A JP 16407184 A JP16407184 A JP 16407184A JP 16407184 A JP16407184 A JP 16407184A JP S6142162 A JPS6142162 A JP S6142162A
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JP
Japan
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thick film
film resistor
trimming
conductor
trimmed
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Pending
Application number
JP16407184A
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English (en)
Inventor
Yoichi Murakami
洋一 村上
Hiroshi Goto
寛 後藤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6142162A publication Critical patent/JPS6142162A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/23Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by opening or closing resistor geometric tracks of predetermined resistive values, e.g. snapistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、回路基板上に形成した厚膜抵抗を用いた機能
調整方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、回路実装の高密度化とコストダウン等が機器の小
型化、ローコスト化に伴って要望され、ベークライトプ
リント基板に変って、アルミナを材料としたアルミナ基
板が用いられている。このアルミナ基板の最も大きな特
徴は、基板上に厚膜抵抗を形成でき、さらにこの抵抗値
のトリミングをオンボードでできることであって、アル
ミナ基板の場合には大半は厚膜抵抗が形成されている。
この厚膜抵抗は、ひとつは回路定数としてのある決まっ
た実数のものが要求される場合と、もうひとつには、厚
膜抵抗を用いて半固定ボリュームに相当する機能が要求
される場合がある。回路定数として用いる場合、必要な
定数を得るためのトリミング範囲は、形成した厚膜抵抗
の精度のばらつき範囲をカバーできるだけのトリミング
範囲をとることができればよい。しかし、半固定ボリュ
ームに相当する機能を持たせる場合は、トリミング範囲
が広くとれることが要求される。反面、トリミングから
みると、トリミング範囲を大きくしようとすると、抵抗
面積を大きくとる必要があり、またトリミング精度上か
らはトリミング範囲は狭い方が好ましい。
以下、従来の厚膜抵抗による機能調整方法について第1
図〜第3図を用いて説明する。第1図は増幅器と半固定
ボリュームとで構成した電子回路の一例を示し、1は増
幅器〈入力は省略)、2は半固定ボリュームで、増幅器
1の出力を半固定ボリューム2で調整し、出力端子3か
ら希望する出力レベルを得る。この回路をベークライト
プリント基板で構成したときは、半固定ボリューム2に
よって、出力端子3の出力レベルは、第6図矢印Aのよ
うにOから1の増幅器出力レベル、すなりち増幅器出力
の0%から100%まで幅広い調整範囲が得られる。
第2図は第1図の半固定ボリュームと同じような機能を
厚膜抵抗を用いて構成したときの回路図で、4,5は厚
膜抵抗であり、出力は厚膜抵抗4゜5の中点に接続され
た出ノ〕端子3から得ている。
この厚膜抵抗4.5を具体的に基板上に形成した例を第
3図に示す。6は厚膜抵抗4,5の下にそれぞれ形成さ
れた導体ランド、7はレーザートリミングによって厚膜
抵抗4,5に形成された切込で、この切込量を変えるこ
とによって抵抗値を変えることができる。この切込形状
は第3図に示した方法以外に多くの方式があるが、ここ
では省略する。第2図の回路を用いて、第1図の半固定
ボリューム2の代りに機能させる場合、出力端子3から
得られる信号レベルは、厚膜抵抗4又は5を1〜リミン
グすることによって変化させることができる。ここで厚
膜抵抗4または5のレーザートリミング可能な範囲が、
トリミング前の抵抗値に対して2倍までとしたとき、出
力端子3での信号レベルの変化範囲は、トリミング前の
抵抗値が厚膜抵抗4,5とも同じ抵抗値とすると、トリ
ミング前の信号レベルが0.5であるのに対して、厚膜
抵抗4を最大値までトリミングしたときは033となり
、逆に厚膜抵抗5を最大値までトリミングしたときは0
.66となる。第1図の半固定ボリューム2の場合はO
〜1まで可変できるのに対し、第2図の場合は、厚膜抵
抗トリミング範囲を2倍とすると、第6図矢印Bのよう
に0.33〜0.66の範囲しか調整できない。
次に、従来の別の方法について第4図及び第5図を用い
て説明する。第4図では、厚膜抵抗4゜5は第3図と同
じものとし、さらに厚膜抵抗4゜5間に厚膜抵抗8を形
成し、この厚膜抵抗8の両端を導体9.10で短絡した
上で、第2図の場合と同様に第1図の半固定ボリューム
2におきかえたものである。第2図と同じ条件で厚膜抵
抗4または5をトリミングすることによって、厚膜抵抗
8は短絡されているから、信号レベルは0.33〜0.
66まで変化する。次に、調整範囲がさらに必要な場合
は、導体9または10をレーザーで切断する。導体9を
切断したときの等価回路を第5図Aに示し、また導体1
0を切断したときの等価回路を第5図Bに示す。厚膜抵
抗8も厚膜抵抗4,5と同じ抵抗値とし、トリミング範
囲も同様とすると、第4図の状態で0.33まで調整さ
れたものが、第5図Aのように導体9を切断しただけの
ときは、第6図矢印Bの033から矢印Cの0.25ま
で不連続に変化する。次にざらにM膜抵抗5または8を
トリミングすることにより、第6図矢印Cのように0.
2〜0.4の範囲を調整する。第5図Bの場合は、第6
図矢印Bの0.66から第6図矢印Oの0.75まで不
連続に変化させた後に、第6図矢印りのように06〜0
.8まで調整する。
しかながら、上記のような従来の方法においては、厚膜
抵抗4あるいは5のトリミングにより0.33〜0.6
6の範囲の調整をした後、導体9あるいは10を切断し
、次に厚膜抵抗4.8あるいは5.8をトリミングして
0.2〜0.4あるいは06〜0.8の範囲の調整をす
るという過程が必要となり、時間及び工程の[1スがあ
る。具体的に0.3の調整が必要な場合、トリミングで
0.33→切断で0.25→トリミングで0.3という
過程を通ることになる。
発明の目的 発明は上記従来の欠点を解消するもので、広い調整範囲
を得ることができしかも作業を迅速に行なえる厚膜抵抗
による機能調整方法を提供することを目的とする。
発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の機能調整方法は、抵
抗値がほぼ等しい第1及び第2の厚膜抵抗と、これら第
1及び第2の厚膜抵抗の抵抗値以下の抵抗値を有しかつ
一端が前記第1の厚膜抵抗に接続され他端が前記第2の
厚膜抵抗に接続された第3の厚膜抵抗と、前記第1の厚
膜抵抗と第3の厚膜抵抗との接続点と出力端子とを接続
する第1の導体と、前記第2の厚膜抵抗と第3の厚膜抵
抗との接続点と前記出力端子とを接続する第2の導体と
が基板上に形成された回路の抵抗値を調整するに際し丁
、前記第1または第2の厚膜抵抗のいずれかをトリミン
グしたときの限界値をあらかじめ計測し、この限界値以
上のトリミングが必要なとき、前記第1または第2の導
体を切断した後、前記第1または第2の厚膜抵抗と第3
の厚膜抵抗との少なくとも一方をトリミングするもので
ある。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
構成については、従来例で示した第4図と同様であって
、その実際の回路の平面図を第7図に示づ。まず、厚膜
抵抗4.5.8のトリミング前の抵抗値が互いに等しい
場合において、従来例同様レーザートリミング可能範囲
をトリミング前の抵抗に対して2倍までとしたとき、導
体9.10を切断しない場合、0.33〜066までの
5111m範囲が得られる。導体9を切断して第5図A
の状態にした場合、0.2〜0.5まで、逆に導体10
を切断して第5図Bの状態にした場合、0.5〜0.8
までの調整範囲が得られる。したがって、次の条件によ
り、先に導体9あるいは10を切断することが可能とな
る。
■第6図矢印Eのように0.2〜0.33の調整範囲が
必要な場合。
先ず導体9を切断し、次に厚膜抵抗4.8両方をトリミ
ングする。このとき、厚膜抵抗8は2倍にトリミングす
る。
■第6図矢印Fのように0.33〜0.5の調整範囲が
必要な場合。
厚膜抵抗4をトリミングする。
■第6図矢印Gのように05〜0.66の調整範囲が必
要な場合。
厚膜抵抗5をトリミングする。
■第6図矢印Hのように0.66〜0.8の調整範囲が
必要な場合。
先ず導体10を切断し、厚膜抵抗5.8両方をトリミン
グする。このとき、厚膜抵抗8は2倍にトリミングする
このように、条件をつけることにより、従来例のような
o、s(トリミング)  0.33  (切断)0.2
5(トリミング)0.3というような過程が、0.5(
切断)  0.33  (トリミング)0.3という過
程になり、かつ、厚膜抵抗8は2倍のトリミングのみで
、厚膜抵抗4あるいは5のトリミングにより微調整を行
うことが出来る。
ところで実際の場合、形成した厚膜抵抗の抵抗値のばら
つきがあり、これをカバーする必要がある。すなわち、
条件設定にあたっては、厚膜抵抗の精度、トリミングの
カット限界、カット精度等を考慮した上で適切な値を設
定しなければならない。この条件に基づき、導体9また
は10を切断した後に、厚膜抵抗4,5.8をトリミン
グすることで、機能トリミングの高速化が可能となる。
具体的には、第6図矢印E、Hのように、調整範囲が0
.2〜033あるいは0.66〜0.75までの範囲、
すなわち導体9あるい4.tioを切断した後、前にト
リミングした厚膜抵抗4あるいは5に対して反対側の厚
膜抵抗5あるいは4をカットしていかなければならない
という無駄を省くことになる。
発明の詳細 な説明したように本発明によれば、トリミングした後の
限界値をあらかじめ予測しているので、トリミングに無
駄がなく高速に処理出来るという優れた効果が得られる
。その効果により、機能トリミングの自動化ラインへの
対応にも自由度が増加し、機能トリミングの適用範囲も
拡大される。
【図面の簡単な説明】
第1図は増幅器と半固定ボリュームとを備えた回路の回
路図、第2図は第1図の半固定ボリュームを厚膜抵抗で
構成した回路の回路図、第3図は第2図に示す回路の平
面図、第4図及び第5図は別の従来例及び本発明の一実
施例における機能調整方法を説明するための回路図、第
6図は調整範囲の説明図、第7図は第4図に示す回路の
平面図である。 3・・・出力端子、4,5.8・・・厚膜抵抗、9,1
0・・・導体 代理人   森  本  義  弘 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 (A)             (β)第6図 /′、a σ 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.抵抗値がほぼ等しい第1及び第2の厚膜抵抗と、こ
    れら第1及び第2の厚膜抵抗の抵抗値以下の抵抗値を有
    しかつ一端が前記第1の厚膜抵抗に接続され他端が前記
    第2の厚膜抵抗に接続された第3の厚膜抵抗と、前記第
    1の厚膜抵抗と第3の厚膜抵抗との接続点と出力端子と
    を接続する第1の導体と、前記第2の厚膜抵抗と第3の
    厚膜抵抗との接続点と前記出力端子とを接続する第2の
    導体とが基板上に形成された回路の抵抗値を調整するに
    際して、前記第1または第2の厚膜抵抗のいずれかをト
    リミングしたときの限界値をあらかじめ計測し、この限
    界値以上のトリミングが必要なとき、前記第1または第
    2の導体を切断した後、前記第1または第2の厚膜抵抗
    と第3の厚膜抵抗との少なくとも一方をトリミングする
    厚膜抵抗による機能調整方法。
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