JPS6141982B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6141982B2 JPS6141982B2 JP52108669A JP10866977A JPS6141982B2 JP S6141982 B2 JPS6141982 B2 JP S6141982B2 JP 52108669 A JP52108669 A JP 52108669A JP 10866977 A JP10866977 A JP 10866977A JP S6141982 B2 JPS6141982 B2 JP S6141982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- ribbon
- amorphous
- permeability
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 154
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 56
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 8
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 6
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/10—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of nickel or cobalt or alloys based thereon
Description
本発明は高透磁率アモルフアス磁性合金の磁気
特性改善法に関する。 高透磁率アモルフアス合金薄帯は、その著しく
高い透磁率と高い飽和磁化および、きわめて低い
抗磁力を有し、比電気抵抗が高くかつ帯厚が薄い
ために磁気的損失が小さいので極めて優秀な磁気
特性を有していると言える。しかるに透磁率が時
間とともに著しく減少する経時変化が大きく、ま
た消磁後の透磁率が時間とともに減少する所謂デ
イスアコモデーシヨンが著しく大きく、かつ温度
上昇にともなつて透磁率が低下すると言う欠点が
あり、実用上これらの諸欠点を除去する必要があ
つた。本発明はこれらの諸欠点を容易に改善する
新しい方法即ち、まず磁界および張力を加えて熱
処理し、更に安定化熱処理を施して高透磁率アモ
ルフアス合金薄帯の諸磁気特性を改善し、安定化
を行なう方法に係るものである。 まず本発明により得られる高透磁率かつデイス
アコモデーシヨンの少ない等の諸欠点の除去され
た優透な高透磁率アモルフアス合金薄帯の使用法
を例に従つて説明する。 本発明の高透磁率アモルフアス合金薄帯を一層
又は多層毎に絶縁して巻線を施し、スイツチング
レギユレータ電源等における磁性装置として用い
れば優秀な性能が発揮される。即ちこれらの装置
を駆動するに当り、矩形波状或は立上り時間、立
下り時間が短い波形の電圧により、駆動すること
のできる優秀なスイツチング変成器が得られる。
スイツチングレギユレータ用電源のチヨツピング
用変成器及びコントロール用変成器の特性には次
のことが要求される。即ち、 () 磁気特性の経時変化が少ないこと。 () 磁気特性のデイスアコモデーシヨンが少な
いこと。 () 磁気特性の温度係数が少ないこと。の他特
に () コンバータの変換効率を良くするため、磁
気的損失が高周波で少ないこと。 () 高周波数の矩形波形の大振幅電圧で駆動し
た場合のＢ−Ｈ特性が抗磁力Hcの小さい角形
であること等である。 また、高周波用トランスとしては、上記
（）、（）、（）の諸磁気特性のうち特に透磁
率および損失項に関するものが重要である。この
要求は高精度トランスには欠くことの出来ない要
件である。更に高周波トランスを含む各種磁気誘
導装置は共振器、波器、分波器、移相器、遅延
回路等のいわゆる安定な誘導装置類ばかりではな
く、空隙あるいは末端部を伴う磁気回路用磁心と
して安定な磁界検出用各種磁性装置として用いら
れる。例えば差動トランス、磁気センサ、磁気ヘ
ツド、導磁フアイバーなどがその例である。これ
らの例でもまた上述の例でも一般的に言えること
は透磁率が高く、損失が少なくまた飽和磁束が高
いこと以外に諸磁気特性の安定が不可欠である。 従来はこの種の変成器としては主としてフエラ
イトおよびパーマロイ、ケイ素鉄磁心が用いら
れ、最近高透磁率アモルフアス薄帯磁心が用いら
れようとしている。フエライト磁心は高周波数に
おいて金属に比較して損失が少なく透磁率μを高
くとるのが容易であるが、欠点は最大磁束密度
Bmが金属に比較して小さいので、例えば小型化
を押し進める上の隘路となつている。 また、パーマロイおよびケイ素鉄では、渦流損
が大きくこれを克服することが必要で、このため
材料を薄くしなければならず、これには多大の経
費がかかり、従つて従来の技術の飛躍的向上を待
たなければならないという欠点がある。アモルフ
アス強磁性薄帯は、これらの諸欠点を克服するも
のの現在の技術では諸磁気特性、特に透磁率に関
する前述（）、（）、（）の要求が満たされて
いない。本発明は、これらの諸欠点を除く高透磁
率アモルフアス合金の磁気特性改善法とその各種
磁気誘導装置用高透磁率アモルフアス合金材料お
よびその応用装置に関するものである。以下実施
例に従つて詳述する。 まず本発明の処理を行なう原アモルフアス合金
薄帯の製造について具体例を述べる。 実施例Fe5mol％、Co70mol％、Si15mol％、
B10mol％を1200℃で熔解し、石英ノズルから圧
力0.3Kg/cm2で回転数2500rpm、直径150φの銅製
ロール面に噴出急冷した。別の例では、Fe5mol
％、Co70mol％、Si12mol％、B13mol％を組成原
料としてこれを溶解し、更に回転数2500rpm、直
径300φの銅製ドラム面に偏平ノズルより噴出超
急冷することにより幅２mmの薄帯を得た。 また別の例では、Fe5mol％、Co70mol％、
Si13mol％、B12mol％を1230℃で溶解し、石英ノ
ズルより100Kgの圧力で圧着された硬鋼ロール間
に噴出したところ、厚さ18.2μｍのアモルフアス
薄帯が得られた。 また別の例では、Fe2mol％、Ni10mol％、
Co63mol％、Si12mol％、B13mol％を1250℃で溶
融し、石英ノズルから0.5Kg/cm2の圧力で3000rpm
の一対のロール間に噴出するに当り、最初の一方
のロール面で、次いでただちに両ロール間で急冷
成形し、厚さ25μｍ、幅１mmの薄帯を得た。以下
これらの薄帯の特性改善のための方法を次の例で
説明する。 Fe5 Co70 Si15 B10の組成を有するアモルフア
ス合金薄帯試料を層間絶縁してリング状のセラミ
ツクケースに収め、高温たとえば400℃の炉中に
挿入し、その透磁率を観測した結果を第１図に示
す。第１図は横軸に温度、縦軸に初透磁率を示し
たものであり、試料の温度の上昇にともなつて最
初104程度であつた透磁率が250℃では約２×103
に低下し、極小値をとり再び上昇し、磁気変態温
度で約６×103の極大値をとり、以後急激に低下
することを示している。この状態より試料温度を
低下させると磁気変態点付近で再び透磁率がする
どく極大に達するが、以後急激に低下し室温での
値２×103に近ずく。デイスアコモデーシヨンは
この過程で約２％から一担約100℃付近で３％に
増大し、以後変態点に向かつて雰に近ずく。以後
冷却された状態ではデイスアコモデーシヨンはほ
とんど認められないが、透磁率が上述の如く著し
く低いという欠点がある。 そこで試料を400℃に加熱し、100Oeの磁界を
試料の長さ方向に印加しつつ120分保持し以後磁
界中炉冷する。この状態で室温より温度を上昇、
下降を繰返しつつ透磁率を測定すると第２図の如
き透磁率の変化が観測される。第２図において、
横軸は温度、縦軸は透磁率を示したものであり、
室温より約200℃までの温度範囲では透磁率が著
しく高く約２×104であり、保磁力、飽和磁化等
の諸特性もまた、ほとんど温度に依存しないとい
う好特性が得られた。 また、この温度範囲ではデイスアコモデーシヨ
ンと経時変化が処理前に比べて相当に改善され
る。200℃以上になると透磁率が急激に低下する
ものの、磁性材料としての通例の使用温度範囲は
200℃以下であるから問題はない。第２図の特性
値の主要な実験値を下記に示す。
特性改善法に関する。 高透磁率アモルフアス合金薄帯は、その著しく
高い透磁率と高い飽和磁化および、きわめて低い
抗磁力を有し、比電気抵抗が高くかつ帯厚が薄い
ために磁気的損失が小さいので極めて優秀な磁気
特性を有していると言える。しかるに透磁率が時
間とともに著しく減少する経時変化が大きく、ま
た消磁後の透磁率が時間とともに減少する所謂デ
イスアコモデーシヨンが著しく大きく、かつ温度
上昇にともなつて透磁率が低下すると言う欠点が
あり、実用上これらの諸欠点を除去する必要があ
つた。本発明はこれらの諸欠点を容易に改善する
新しい方法即ち、まず磁界および張力を加えて熱
処理し、更に安定化熱処理を施して高透磁率アモ
ルフアス合金薄帯の諸磁気特性を改善し、安定化
を行なう方法に係るものである。 まず本発明により得られる高透磁率かつデイス
アコモデーシヨンの少ない等の諸欠点の除去され
た優透な高透磁率アモルフアス合金薄帯の使用法
を例に従つて説明する。 本発明の高透磁率アモルフアス合金薄帯を一層
又は多層毎に絶縁して巻線を施し、スイツチング
レギユレータ電源等における磁性装置として用い
れば優秀な性能が発揮される。即ちこれらの装置
を駆動するに当り、矩形波状或は立上り時間、立
下り時間が短い波形の電圧により、駆動すること
のできる優秀なスイツチング変成器が得られる。
スイツチングレギユレータ用電源のチヨツピング
用変成器及びコントロール用変成器の特性には次
のことが要求される。即ち、 () 磁気特性の経時変化が少ないこと。 () 磁気特性のデイスアコモデーシヨンが少な
いこと。 () 磁気特性の温度係数が少ないこと。の他特
に () コンバータの変換効率を良くするため、磁
気的損失が高周波で少ないこと。 () 高周波数の矩形波形の大振幅電圧で駆動し
た場合のＢ−Ｈ特性が抗磁力Hcの小さい角形
であること等である。 また、高周波用トランスとしては、上記
（）、（）、（）の諸磁気特性のうち特に透磁
率および損失項に関するものが重要である。この
要求は高精度トランスには欠くことの出来ない要
件である。更に高周波トランスを含む各種磁気誘
導装置は共振器、波器、分波器、移相器、遅延
回路等のいわゆる安定な誘導装置類ばかりではな
く、空隙あるいは末端部を伴う磁気回路用磁心と
して安定な磁界検出用各種磁性装置として用いら
れる。例えば差動トランス、磁気センサ、磁気ヘ
ツド、導磁フアイバーなどがその例である。これ
らの例でもまた上述の例でも一般的に言えること
は透磁率が高く、損失が少なくまた飽和磁束が高
いこと以外に諸磁気特性の安定が不可欠である。 従来はこの種の変成器としては主としてフエラ
イトおよびパーマロイ、ケイ素鉄磁心が用いら
れ、最近高透磁率アモルフアス薄帯磁心が用いら
れようとしている。フエライト磁心は高周波数に
おいて金属に比較して損失が少なく透磁率μを高
くとるのが容易であるが、欠点は最大磁束密度
Bmが金属に比較して小さいので、例えば小型化
を押し進める上の隘路となつている。 また、パーマロイおよびケイ素鉄では、渦流損
が大きくこれを克服することが必要で、このため
材料を薄くしなければならず、これには多大の経
費がかかり、従つて従来の技術の飛躍的向上を待
たなければならないという欠点がある。アモルフ
アス強磁性薄帯は、これらの諸欠点を克服するも
のの現在の技術では諸磁気特性、特に透磁率に関
する前述（）、（）、（）の要求が満たされて
いない。本発明は、これらの諸欠点を除く高透磁
率アモルフアス合金の磁気特性改善法とその各種
磁気誘導装置用高透磁率アモルフアス合金材料お
よびその応用装置に関するものである。以下実施
例に従つて詳述する。 まず本発明の処理を行なう原アモルフアス合金
薄帯の製造について具体例を述べる。 実施例Fe5mol％、Co70mol％、Si15mol％、
B10mol％を1200℃で熔解し、石英ノズルから圧
力0.3Kg/cm2で回転数2500rpm、直径150φの銅製
ロール面に噴出急冷した。別の例では、Fe5mol
％、Co70mol％、Si12mol％、B13mol％を組成原
料としてこれを溶解し、更に回転数2500rpm、直
径300φの銅製ドラム面に偏平ノズルより噴出超
急冷することにより幅２mmの薄帯を得た。 また別の例では、Fe5mol％、Co70mol％、
Si13mol％、B12mol％を1230℃で溶解し、石英ノ
ズルより100Kgの圧力で圧着された硬鋼ロール間
に噴出したところ、厚さ18.2μｍのアモルフアス
薄帯が得られた。 また別の例では、Fe2mol％、Ni10mol％、
Co63mol％、Si12mol％、B13mol％を1250℃で溶
融し、石英ノズルから0.5Kg/cm2の圧力で3000rpm
の一対のロール間に噴出するに当り、最初の一方
のロール面で、次いでただちに両ロール間で急冷
成形し、厚さ25μｍ、幅１mmの薄帯を得た。以下
これらの薄帯の特性改善のための方法を次の例で
説明する。 Fe5 Co70 Si15 B10の組成を有するアモルフア
ス合金薄帯試料を層間絶縁してリング状のセラミ
ツクケースに収め、高温たとえば400℃の炉中に
挿入し、その透磁率を観測した結果を第１図に示
す。第１図は横軸に温度、縦軸に初透磁率を示し
たものであり、試料の温度の上昇にともなつて最
初104程度であつた透磁率が250℃では約２×103
に低下し、極小値をとり再び上昇し、磁気変態温
度で約６×103の極大値をとり、以後急激に低下
することを示している。この状態より試料温度を
低下させると磁気変態点付近で再び透磁率がする
どく極大に達するが、以後急激に低下し室温での
値２×103に近ずく。デイスアコモデーシヨンは
この過程で約２％から一担約100℃付近で３％に
増大し、以後変態点に向かつて雰に近ずく。以後
冷却された状態ではデイスアコモデーシヨンはほ
とんど認められないが、透磁率が上述の如く著し
く低いという欠点がある。 そこで試料を400℃に加熱し、100Oeの磁界を
試料の長さ方向に印加しつつ120分保持し以後磁
界中炉冷する。この状態で室温より温度を上昇、
下降を繰返しつつ透磁率を測定すると第２図の如
き透磁率の変化が観測される。第２図において、
横軸は温度、縦軸は透磁率を示したものであり、
室温より約200℃までの温度範囲では透磁率が著
しく高く約２×104であり、保磁力、飽和磁化等
の諸特性もまた、ほとんど温度に依存しないとい
う好特性が得られた。 また、この温度範囲ではデイスアコモデーシヨ
ンと経時変化が処理前に比べて相当に改善され
る。200℃以上になると透磁率が急激に低下する
ものの、磁性材料としての通例の使用温度範囲は
200℃以下であるから問題はない。第２図の特性
値の主要な実験値を下記に示す。
【表】
次に下降特性を示し、200℃にてμi7500を示す
が、更に下降のμｉ特性値は第２図にプロツトし
た傾向を示す。これらの特性の概略を示したのが
第３図である。第３図は横軸に熱処理時間、縦軸
に熱処理温度を示したものであり、同様な実験を
断続磁界、交流磁界中冷却処理、また断続するこ
とを含む50ｇ/mm2ないし20Kg/mm2の張力を加えた処
理を行なつてもさしたる特性の変化は認められな
い。張力の印加は磁界の印加と同傾向の改善効果
を与える。磁界の印加方向を薄帯の巾方向、厚み
方向に加える場合は、最終的に得られる透磁率の
値がそれぞれ多少異なるものの経時変化およびデ
イスアコモデーシヨンが改善される効果はほぼ同
様である。 更に、経時変化とデイスアコモデーシヨンを減
少させるために、磁界中処理を行なつた試料に更
に安定化を行なうために200℃で約48時間焼鈍し
た。その結果、透磁率の温度変化が室温より180
℃まで実験の誤差範囲で1.8×104と多少低下する
ものの一定値を示すとともに経時変化もデイスア
コモデーシヨンもほとんど認められなかつた。こ
の際、磁界の印加は安定性を向上する傾向にある
が著しい効果は認められない。この特性は上記成
分にかかわらず、ほとんどの高透磁率アモルフア
ス磁性薄帯に共通の効果をもたらすものである。 次に、本発明の応用例について説明する。 第４図ａ，ｂは、本発明によるアモルフアス磁
心を高精度変成器に適用した例を示し、第４図ａ
は高精度変成器の結線図、第４図ｂはその等価回
路を示す。 第４図ａにおいて、３個の同軸上に置かれたト
ロイダル・アモルフアス鉄心に、図示の如く１，
２を端子とするn1回および３，４を端子とする捲
線を行なうと、端子１，２に電圧eiの入力があれ
ば、高い精度で端子３，４に捲線比n2／n1に比例
した電圧が得られる。第４図ｂにおいて、Z1，
Z2，Z3，Z4，Z5，Z6はn1回の捲線のインダクタン
ス、z1，z2，z3，z4，z5，z6はリーケージインピ
ーダンス、また、Z7，Z8，Z9はn2回の捲線のイン
ダクタンスであり、z7，z8，z9はリーケージイン
ピーダンスである。本例の高精度トランスでは、
その等価回路からわかるようにeoとeiの比は高精
度でn2とn1の比に比例する。この関係式は eo／ei＝n2／n1〔１−（ｚ１／ｚ１＋Ｚ１）（ｚ２＋ｚ３／Ｚ３）（ｚ４＋ｚ５＋ｚ６／Ｚ６）〕 となる。この式からわかるように、誤差はリーケ
ージインピーダンスとインダクタンスの比の略々
３乗となり、本発明の特性改善されたアモルフア
ス薄帯を鉄心とした場合には誤差は（1/100〜1/1
０００）３となり極めて小さくなる。 次に、アモルフアス薄帯磁気ヘツドについて説
明する。 本例は改善されたアモルフアス高透磁率薄帯の
優れた特性を利用して、主たる磁化が磁気記録媒
体即ち磁気テープまたはデイスクの厚み方向にあ
る磁化モードを利用する磁気記録器用アモルフア
ス薄帯磁気ヘツドに関するものである。 従来の磁気記録方式では、磁気記録媒体の運動
方向が記録磁化の主たる方向にあるが、岩崎俊一
氏は記録磁化の主たる方向が媒体の厚み方向とな
る新しい磁気記録方式を発明し、その記録密度が
従来のものに比べ飛躍的に高いことを明らかに
し、その際メツキ、スパツタリング、あるいは圧
延したパーマロイ薄膜を媒体面に垂直に設置した
磁気ヘツドを用いた。 本発明では上記パーマロイ薄膜の代りに、改善
されたアモルフアス高透磁率薄帯を用い、高密度
特性を発揮する様に薄帯を傾ける。 本例の磁気ヘツドの構造を第５図に示す。 第５図において、１は必要により設ける磁気ヨ
ーク、２はアモルフアス薄帯で図には厚みｄを有
する薄帯断面が示されている。３は記録媒体であ
り、４はプラスチツク等からなる非磁性支持構造
体であり、垂直磁化モードで作用する捲線および
周囲の磁気回路、補助磁極、磁気シヤヘイ等は省
略してあるが、垂直磁化方式で考案されているも
のと大差はない。本例では、磁気ヨークとしてビ
デオヘツド用フエライト材料を用い、改善された
アモルフアス薄帯としてFe5Co70Si15B10薄帯の
15μｍ厚幅0.5mmをエツチング法で表面部を取除
き厚さ10μｍとし、長さ１cmに切断し磁気ヨーク
の先端に接着した。捲線はこの部分に0.08mmφの
フオルマル銅線を100回施した。これを樹脂にう
め込み、媒体との対向面が第５図に示す如くなる
ように研摩した。この時、薄帯の先端部分約200
μｍがヨークより突出しており、かつ媒体面と数
10度傾けてある（傾斜角95度乃至150度が望まし
い）ことが特徴で、媒体と摺動することにより薄
帯の先端が研摩、摩耗を受けてもその形状が常に
保たれ、特に記録時に媒体を磁化する能力が大き
い鋭角部分が鋭い磁界分布を発生する。また、鈍
角部分の発生する磁界分布強度より鋭角部分のそ
れがはるかに強いので、記録時の分解能は薄帯の
厚さから期待されるものよりはるかに高い。この
磁気ヘツドでは、改善されたアモルフアス高透磁
率薄帯が用いられるので、パーマロイ圧延体に比
して透磁率が高く、また寿命も長い。またパーマ
ロイ薄膜を用いた場合に比べても長寿命高感度で
あることは言をまたない。本ヘツドを用いて記録
した信号を再生すると、従来方式の記録、再生特
性に比してはるかに高密度領域までの信号を得る
ことができる。本構造の磁気ヘツドに用いるアモ
ルフアス薄帯の幅はトラツク幅を指定することに
よつて自動的に決定される。薄帯の厚さは薄いほ
ど理論的には分解能が向上するものの、薄帯を傾
けて使用するため実用的には数μｍ以下にしても
さしたる効果はなく、かえつて摩耗を受けやすく
なり寿命が低下する。薄帯の厚さを厚くし20μｍ
以上とすると分解能の低減が著しくなる。記録媒
体と薄帯との傾き角が垂直に近ければ、薄帯の先
端部が発生する磁界分布の双峯特性が顕著にな
り、理想的再生信号から遠ざかり、傾き角が垂直
から傾くに従つて記録磁界が強くなるとともに分
布も尖鋭化し、再生信号が理想形に近づき、かつ
大きくなるが、傾き角が大になりすぎると薄帯先
端部の形状も劣化し、磁化度も低下すると同時に
触媒と対向する薄帯の小口幅も拡大するため再生
特性が劣化する。 次に本発明の応用例として導磁フアイバー装置
について説明する。 高透磁率薄帯は高透磁率であるばかりではな
く、機械的強度が高く、かつ弾性的にも優れてい
るので１枚の薄帯の１端を検知しようとする磁界
分布内に置くと、他端には相当する磁極が現れ
る。薄帯は幅が狭く厚さが薄く、かつ長いので反
磁界の影響が比較的小さい。そこで通例の磁気セ
ンサを設置するには寸法的に制限を受ける時、こ
の導磁フアイバーの１端を目的位置に置き、他端
を広い空間に導き、そこに磁気センサを設けるこ
とによつて従来よりはるかに狭い部分の磁界の情
報を得ることができる。例えば、検知しようとす
る微小部分に微小磁石を接着し、その近傍と磁界
センサの間に導磁フアイバーとしての改善された
高透磁率アモルフアス薄帯を用いることによつて
微小部分の変位を容易に知りたい時に効果が発揮
される。もし、外界の磁界による擾乱が著しいと
きは導磁フアイバーに磁気シールドをほどこす必
要がある。 次に、空隙を有する改善された高透磁率アモル
フアス合金薄帯束を用いた変位検知器について述
べる。 従来の変位検知器としてはインピーダンス・ブ
リツジ型及び差動トランス型があり、磁心はパー
マロイ系、場合によりケイ素鋼板、パーメンダ
ー、フエライト等の高透磁率材料が知られている
が、これらの高透磁率磁性材料を用いた磁心によ
つて構成されるインピーダンス・ブリツジ型およ
び差動トランス型の変位検知器には、下に述べる
如く特性上および使用上の欠点がある。即ち従来
の金属磁性体材料は、特に渦電流損失が大きく、
又、フエライト系磁性体材料は、機械的強度が弱
い欠点がある。又、従来のインピーダンス・ブリ
ツジ型および差動トランス型の変位検知器を高感
度にするには、磁心の透磁率を高くするか、イン
ピーダンス・ブリツジ型の場合にはピツク・アツ
プ・コイルの巻数を大きくするか、又は差動トラ
ンス型の場合には、１次コイルと２次コイルの巻
数比を大きくするか、又は１次コイルの励振電流
を大きくしなければならない欠点があつた。 そこで前記の欠点を解決するために、インピー
ダンス・ブリツジ型および差動トランス型の変位
検知器の磁心としてアモルフアス高透磁率合金の
１片あるいは複数片を積層、接着してなる積層物
を用いることにより、渦電流損失を小さくし、機
械的強度を大にし、かつ、アモルフアス高透磁率
合金に近接して、永久磁石を配置し、アモルフア
ス高透磁率合金と永久磁石との間隙が変化するこ
とにより、アモルフアス高透磁率合金に印加され
るバイアス磁界が変化し、著しく大きいインピー
ダンス変化量が取り出せる為に、変位検知器を著
しく高感度とすることが可能となつた。ここでは
改善された長さ５cmのアモルフアス高透磁率合金
薄帯を用い、それらの30枚をセメダイン3000（商
品名）を用いて一体として磁心とし、インピーダ
ンス・ブリツジ型の変位検知器を構成した。 前記インピーダンス・ブリツジ型変位検知器は
第６図に示すインピーダンスによる測微器の可動
鉄片Ａを永久磁石とするか、又は可動鉄片Ａ上に
徴少な永久磁石片を固着させるか、電着、蒸着、
スパツタリングにより生成させるとか、または導
磁フアイバーの１端を挿入することによつて容易
に実施することができた。なお、同図中Ｓは測定
スピンドル、Ｆは板ばね支点、Ａは可動鉄片、Ｐ
はアモルフアス合金磁心、Ｌはピツク・アツプ・
コイル、L2は固定インダクタンス、RECは整流
器、ＲMは指示倍率変化用抵抗である。 この磁心に永久磁石等によりバイアス磁界を印
加した場合のコイル両端のインダクタンスはバイ
アス磁界によつて変化しアモルフアス高透磁率合
金を用いた磁心と従来のパーマロイを用いた磁心
にそれぞれバイアス磁界が印加されたとき、アモ
ルフアス高透磁率合金を用いた磁心にバイアス磁
界が印加された場合の方がインピーダンス変化量
が著しく大きくなつた。 この結果アモルフアス高透磁率合金薄帯を積
層、接着させてなる積層物を磁心とするため、渦
電流損失が少なく、機械的強度が大きく、かつバ
イアス磁界印加用コイル又は永久磁石等により外
部磁界を印加することによつて、前記インピーダ
ンス・ブリツジ型変位検知器の感度は著しく高く
なる。この上記磁心として改善された高透磁率ア
モルフアス薄帯を用いると、従来の高透磁率アモ
ルフアス薄帯を用いた場合に比較して信号が著し
く安定化され、精度をはるかに高くすることがで
きる。 次に、本発明の磁気特性改善法の範囲限定理由
について説明する。 磁界中冷却温度の上限を、当該合金の磁気変態
温度＋150℃に限定した理由は、当該合金の結晶
化温度が高々＋200℃以下であるのできわめて短
時間であつても＋150℃以上で加熱を受けると当
該合金がゼイ化するので、＋150℃以上で熱処理す
ることは好ましくはい。また、下限を−250℃と
限定した理由は、−250℃以下で磁界中冷却を行な
つてもほとんどデイスアコモデーシヨンが改善さ
れないからである。磁界中冷却の磁界強度の上限
を24KOeと限定した理由は、これ以上の磁界を
作用させるには磁界発生装置が著しく高価となる
ことと、これ以上の磁界を発生させてもデイスア
コモデーシヨンの減少がこれ以下の磁界と殆んど
変わりがないことによる。磁界強度の下限を当該
合金の抗磁力とした理由は、これ以下の磁界中の
冷却効果がデイスアコモデーシヨンをほとんど減
少させないことによる。 磁界中冷却の時間の下限を0.1秒とした理由
は、該合金の磁気変態温度＋150℃では0.1秒以上
の加熱時間をへて、デイスアコモデーシヨンの減
少が顕著になる。また、上限を24時間と限定した
理由は、当該合金を−250℃の温度で充分な磁界
を作用させつつ熱処理を行なつて24時間以上経過
してもデイスアコモデーシヨンの減少がほとんど
認められないことによるものである。 張力の下限を５ｇ/mm2とした理由は、加熱トン
ネル炉中に懸垂した状態でも加えられる張力であ
ること、張力下の加熱がデイスアコモデーシヨン
を減少し始める最小張力が５ｇ/mm2であることに
よる。また、張力が増加するとデイスアコモデー
シヨンを減少させる効果が一定に近づき、熱処理
温度に依存したある張力以上では破壊する。安定
化処理温度の上限を250℃とした理由は、この温
度以上での安定化加熱処理は透磁率を著しく減少
させることにより、また下限の150℃以下では一
週間以上安定化処理を行なつても殆んど経時変化
率が減少しないことによる。安定化処理時間の上
限を10分とした理由は、210℃で10分以上安定化
処理を行なうと透磁率の経時変化は減少するもの
の、透磁率が著しく低下し始めることによる。
が、更に下降のμｉ特性値は第２図にプロツトし
た傾向を示す。これらの特性の概略を示したのが
第３図である。第３図は横軸に熱処理時間、縦軸
に熱処理温度を示したものであり、同様な実験を
断続磁界、交流磁界中冷却処理、また断続するこ
とを含む50ｇ/mm2ないし20Kg/mm2の張力を加えた処
理を行なつてもさしたる特性の変化は認められな
い。張力の印加は磁界の印加と同傾向の改善効果
を与える。磁界の印加方向を薄帯の巾方向、厚み
方向に加える場合は、最終的に得られる透磁率の
値がそれぞれ多少異なるものの経時変化およびデ
イスアコモデーシヨンが改善される効果はほぼ同
様である。 更に、経時変化とデイスアコモデーシヨンを減
少させるために、磁界中処理を行なつた試料に更
に安定化を行なうために200℃で約48時間焼鈍し
た。その結果、透磁率の温度変化が室温より180
℃まで実験の誤差範囲で1.8×104と多少低下する
ものの一定値を示すとともに経時変化もデイスア
コモデーシヨンもほとんど認められなかつた。こ
の際、磁界の印加は安定性を向上する傾向にある
が著しい効果は認められない。この特性は上記成
分にかかわらず、ほとんどの高透磁率アモルフア
ス磁性薄帯に共通の効果をもたらすものである。 次に、本発明の応用例について説明する。 第４図ａ，ｂは、本発明によるアモルフアス磁
心を高精度変成器に適用した例を示し、第４図ａ
は高精度変成器の結線図、第４図ｂはその等価回
路を示す。 第４図ａにおいて、３個の同軸上に置かれたト
ロイダル・アモルフアス鉄心に、図示の如く１，
２を端子とするn1回および３，４を端子とする捲
線を行なうと、端子１，２に電圧eiの入力があれ
ば、高い精度で端子３，４に捲線比n2／n1に比例
した電圧が得られる。第４図ｂにおいて、Z1，
Z2，Z3，Z4，Z5，Z6はn1回の捲線のインダクタン
ス、z1，z2，z3，z4，z5，z6はリーケージインピ
ーダンス、また、Z7，Z8，Z9はn2回の捲線のイン
ダクタンスであり、z7，z8，z9はリーケージイン
ピーダンスである。本例の高精度トランスでは、
その等価回路からわかるようにeoとeiの比は高精
度でn2とn1の比に比例する。この関係式は eo／ei＝n2／n1〔１−（ｚ１／ｚ１＋Ｚ１）（ｚ２＋ｚ３／Ｚ３）（ｚ４＋ｚ５＋ｚ６／Ｚ６）〕 となる。この式からわかるように、誤差はリーケ
ージインピーダンスとインダクタンスの比の略々
３乗となり、本発明の特性改善されたアモルフア
ス薄帯を鉄心とした場合には誤差は（1/100〜1/1
０００）３となり極めて小さくなる。 次に、アモルフアス薄帯磁気ヘツドについて説
明する。 本例は改善されたアモルフアス高透磁率薄帯の
優れた特性を利用して、主たる磁化が磁気記録媒
体即ち磁気テープまたはデイスクの厚み方向にあ
る磁化モードを利用する磁気記録器用アモルフア
ス薄帯磁気ヘツドに関するものである。 従来の磁気記録方式では、磁気記録媒体の運動
方向が記録磁化の主たる方向にあるが、岩崎俊一
氏は記録磁化の主たる方向が媒体の厚み方向とな
る新しい磁気記録方式を発明し、その記録密度が
従来のものに比べ飛躍的に高いことを明らかに
し、その際メツキ、スパツタリング、あるいは圧
延したパーマロイ薄膜を媒体面に垂直に設置した
磁気ヘツドを用いた。 本発明では上記パーマロイ薄膜の代りに、改善
されたアモルフアス高透磁率薄帯を用い、高密度
特性を発揮する様に薄帯を傾ける。 本例の磁気ヘツドの構造を第５図に示す。 第５図において、１は必要により設ける磁気ヨ
ーク、２はアモルフアス薄帯で図には厚みｄを有
する薄帯断面が示されている。３は記録媒体であ
り、４はプラスチツク等からなる非磁性支持構造
体であり、垂直磁化モードで作用する捲線および
周囲の磁気回路、補助磁極、磁気シヤヘイ等は省
略してあるが、垂直磁化方式で考案されているも
のと大差はない。本例では、磁気ヨークとしてビ
デオヘツド用フエライト材料を用い、改善された
アモルフアス薄帯としてFe5Co70Si15B10薄帯の
15μｍ厚幅0.5mmをエツチング法で表面部を取除
き厚さ10μｍとし、長さ１cmに切断し磁気ヨーク
の先端に接着した。捲線はこの部分に0.08mmφの
フオルマル銅線を100回施した。これを樹脂にう
め込み、媒体との対向面が第５図に示す如くなる
ように研摩した。この時、薄帯の先端部分約200
μｍがヨークより突出しており、かつ媒体面と数
10度傾けてある（傾斜角95度乃至150度が望まし
い）ことが特徴で、媒体と摺動することにより薄
帯の先端が研摩、摩耗を受けてもその形状が常に
保たれ、特に記録時に媒体を磁化する能力が大き
い鋭角部分が鋭い磁界分布を発生する。また、鈍
角部分の発生する磁界分布強度より鋭角部分のそ
れがはるかに強いので、記録時の分解能は薄帯の
厚さから期待されるものよりはるかに高い。この
磁気ヘツドでは、改善されたアモルフアス高透磁
率薄帯が用いられるので、パーマロイ圧延体に比
して透磁率が高く、また寿命も長い。またパーマ
ロイ薄膜を用いた場合に比べても長寿命高感度で
あることは言をまたない。本ヘツドを用いて記録
した信号を再生すると、従来方式の記録、再生特
性に比してはるかに高密度領域までの信号を得る
ことができる。本構造の磁気ヘツドに用いるアモ
ルフアス薄帯の幅はトラツク幅を指定することに
よつて自動的に決定される。薄帯の厚さは薄いほ
ど理論的には分解能が向上するものの、薄帯を傾
けて使用するため実用的には数μｍ以下にしても
さしたる効果はなく、かえつて摩耗を受けやすく
なり寿命が低下する。薄帯の厚さを厚くし20μｍ
以上とすると分解能の低減が著しくなる。記録媒
体と薄帯との傾き角が垂直に近ければ、薄帯の先
端部が発生する磁界分布の双峯特性が顕著にな
り、理想的再生信号から遠ざかり、傾き角が垂直
から傾くに従つて記録磁界が強くなるとともに分
布も尖鋭化し、再生信号が理想形に近づき、かつ
大きくなるが、傾き角が大になりすぎると薄帯先
端部の形状も劣化し、磁化度も低下すると同時に
触媒と対向する薄帯の小口幅も拡大するため再生
特性が劣化する。 次に本発明の応用例として導磁フアイバー装置
について説明する。 高透磁率薄帯は高透磁率であるばかりではな
く、機械的強度が高く、かつ弾性的にも優れてい
るので１枚の薄帯の１端を検知しようとする磁界
分布内に置くと、他端には相当する磁極が現れ
る。薄帯は幅が狭く厚さが薄く、かつ長いので反
磁界の影響が比較的小さい。そこで通例の磁気セ
ンサを設置するには寸法的に制限を受ける時、こ
の導磁フアイバーの１端を目的位置に置き、他端
を広い空間に導き、そこに磁気センサを設けるこ
とによつて従来よりはるかに狭い部分の磁界の情
報を得ることができる。例えば、検知しようとす
る微小部分に微小磁石を接着し、その近傍と磁界
センサの間に導磁フアイバーとしての改善された
高透磁率アモルフアス薄帯を用いることによつて
微小部分の変位を容易に知りたい時に効果が発揮
される。もし、外界の磁界による擾乱が著しいと
きは導磁フアイバーに磁気シールドをほどこす必
要がある。 次に、空隙を有する改善された高透磁率アモル
フアス合金薄帯束を用いた変位検知器について述
べる。 従来の変位検知器としてはインピーダンス・ブ
リツジ型及び差動トランス型があり、磁心はパー
マロイ系、場合によりケイ素鋼板、パーメンダ
ー、フエライト等の高透磁率材料が知られている
が、これらの高透磁率磁性材料を用いた磁心によ
つて構成されるインピーダンス・ブリツジ型およ
び差動トランス型の変位検知器には、下に述べる
如く特性上および使用上の欠点がある。即ち従来
の金属磁性体材料は、特に渦電流損失が大きく、
又、フエライト系磁性体材料は、機械的強度が弱
い欠点がある。又、従来のインピーダンス・ブリ
ツジ型および差動トランス型の変位検知器を高感
度にするには、磁心の透磁率を高くするか、イン
ピーダンス・ブリツジ型の場合にはピツク・アツ
プ・コイルの巻数を大きくするか、又は差動トラ
ンス型の場合には、１次コイルと２次コイルの巻
数比を大きくするか、又は１次コイルの励振電流
を大きくしなければならない欠点があつた。 そこで前記の欠点を解決するために、インピー
ダンス・ブリツジ型および差動トランス型の変位
検知器の磁心としてアモルフアス高透磁率合金の
１片あるいは複数片を積層、接着してなる積層物
を用いることにより、渦電流損失を小さくし、機
械的強度を大にし、かつ、アモルフアス高透磁率
合金に近接して、永久磁石を配置し、アモルフア
ス高透磁率合金と永久磁石との間隙が変化するこ
とにより、アモルフアス高透磁率合金に印加され
るバイアス磁界が変化し、著しく大きいインピー
ダンス変化量が取り出せる為に、変位検知器を著
しく高感度とすることが可能となつた。ここでは
改善された長さ５cmのアモルフアス高透磁率合金
薄帯を用い、それらの30枚をセメダイン3000（商
品名）を用いて一体として磁心とし、インピーダ
ンス・ブリツジ型の変位検知器を構成した。 前記インピーダンス・ブリツジ型変位検知器は
第６図に示すインピーダンスによる測微器の可動
鉄片Ａを永久磁石とするか、又は可動鉄片Ａ上に
徴少な永久磁石片を固着させるか、電着、蒸着、
スパツタリングにより生成させるとか、または導
磁フアイバーの１端を挿入することによつて容易
に実施することができた。なお、同図中Ｓは測定
スピンドル、Ｆは板ばね支点、Ａは可動鉄片、Ｐ
はアモルフアス合金磁心、Ｌはピツク・アツプ・
コイル、L2は固定インダクタンス、RECは整流
器、ＲMは指示倍率変化用抵抗である。 この磁心に永久磁石等によりバイアス磁界を印
加した場合のコイル両端のインダクタンスはバイ
アス磁界によつて変化しアモルフアス高透磁率合
金を用いた磁心と従来のパーマロイを用いた磁心
にそれぞれバイアス磁界が印加されたとき、アモ
ルフアス高透磁率合金を用いた磁心にバイアス磁
界が印加された場合の方がインピーダンス変化量
が著しく大きくなつた。 この結果アモルフアス高透磁率合金薄帯を積
層、接着させてなる積層物を磁心とするため、渦
電流損失が少なく、機械的強度が大きく、かつバ
イアス磁界印加用コイル又は永久磁石等により外
部磁界を印加することによつて、前記インピーダ
ンス・ブリツジ型変位検知器の感度は著しく高く
なる。この上記磁心として改善された高透磁率ア
モルフアス薄帯を用いると、従来の高透磁率アモ
ルフアス薄帯を用いた場合に比較して信号が著し
く安定化され、精度をはるかに高くすることがで
きる。 次に、本発明の磁気特性改善法の範囲限定理由
について説明する。 磁界中冷却温度の上限を、当該合金の磁気変態
温度＋150℃に限定した理由は、当該合金の結晶
化温度が高々＋200℃以下であるのできわめて短
時間であつても＋150℃以上で加熱を受けると当
該合金がゼイ化するので、＋150℃以上で熱処理す
ることは好ましくはい。また、下限を−250℃と
限定した理由は、−250℃以下で磁界中冷却を行な
つてもほとんどデイスアコモデーシヨンが改善さ
れないからである。磁界中冷却の磁界強度の上限
を24KOeと限定した理由は、これ以上の磁界を
作用させるには磁界発生装置が著しく高価となる
ことと、これ以上の磁界を発生させてもデイスア
コモデーシヨンの減少がこれ以下の磁界と殆んど
変わりがないことによる。磁界強度の下限を当該
合金の抗磁力とした理由は、これ以下の磁界中の
冷却効果がデイスアコモデーシヨンをほとんど減
少させないことによる。 磁界中冷却の時間の下限を0.1秒とした理由
は、該合金の磁気変態温度＋150℃では0.1秒以上
の加熱時間をへて、デイスアコモデーシヨンの減
少が顕著になる。また、上限を24時間と限定した
理由は、当該合金を−250℃の温度で充分な磁界
を作用させつつ熱処理を行なつて24時間以上経過
してもデイスアコモデーシヨンの減少がほとんど
認められないことによるものである。 張力の下限を５ｇ/mm2とした理由は、加熱トン
ネル炉中に懸垂した状態でも加えられる張力であ
ること、張力下の加熱がデイスアコモデーシヨン
を減少し始める最小張力が５ｇ/mm2であることに
よる。また、張力が増加するとデイスアコモデー
シヨンを減少させる効果が一定に近づき、熱処理
温度に依存したある張力以上では破壊する。安定
化処理温度の上限を250℃とした理由は、この温
度以上での安定化加熱処理は透磁率を著しく減少
させることにより、また下限の150℃以下では一
週間以上安定化処理を行なつても殆んど経時変化
率が減少しないことによる。安定化処理時間の上
限を10分とした理由は、210℃で10分以上安定化
処理を行なうと透磁率の経時変化は減少するもの
の、透磁率が著しく低下し始めることによる。
第１図は、Fe5Co70Si15B10アモルフアス薄帯
試料の初透磁率μｉの温度特性を示す。第２図
は、第１図に示す試料を、熱処理磁界中冷却した
後、その試料に対し温度上昇と下降を繰返した時
の透磁率−温度特性を示す。第３図は、
Fe5Co70Si15B10アモルフアス薄帯試料の透磁率
μｉの熱処理温度と熱処理時間依存性を示す。第
４図ａは、本発明によるアモルフアス磁心を適用
した高精度変成器の結線図、同ｂはその等価回路
を示す。第５図は、本発明によるアモルフアス薄
帯を適用した磁気ヘツドの断面構造を示す。第６
図は、本発明によるアモルフアス薄帯を適用した
変位検知器の回路図を示す。
試料の初透磁率μｉの温度特性を示す。第２図
は、第１図に示す試料を、熱処理磁界中冷却した
後、その試料に対し温度上昇と下降を繰返した時
の透磁率−温度特性を示す。第３図は、
Fe5Co70Si15B10アモルフアス薄帯試料の透磁率
μｉの熱処理温度と熱処理時間依存性を示す。第
４図ａは、本発明によるアモルフアス磁心を適用
した高精度変成器の結線図、同ｂはその等価回路
を示す。第５図は、本発明によるアモルフアス薄
帯を適用した磁気ヘツドの断面構造を示す。第６
図は、本発明によるアモルフアス薄帯を適用した
変位検知器の回路図を示す。
Claims (1)
- １ 高透磁率アモルフアス磁性合金薄帯を当該合
金の磁気変態温度−250℃ないし＋150℃におい
て、0.1秒ないし24時間の間磁界強度を当該合金
の抗磁力ないし24KOe以下の磁界中冷却する過
程、および上記温度および時間範囲で５ｇ/mm2な
いし当該合金薄帯の破壊強度以下の張力を加える
過程の少なくともいずれか一方を含む処理と、
150℃ないし250℃以下の温度で10分ないし１週間
安定化熱処理を行なうことを特徴とする高透磁率
アモルフアス磁性合金の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10866977A JPS5441223A (en) | 1977-09-08 | 1977-09-08 | Magnetic characteristics improving method for high permeability amorphous magnetic alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10866977A JPS5441223A (en) | 1977-09-08 | 1977-09-08 | Magnetic characteristics improving method for high permeability amorphous magnetic alloy |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5441223A JPS5441223A (en) | 1979-04-02 |
| JPS6141982B2 true JPS6141982B2 (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=14490668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10866977A Granted JPS5441223A (en) | 1977-09-08 | 1977-09-08 | Magnetic characteristics improving method for high permeability amorphous magnetic alloy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5441223A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638808A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat treatment for amorphous magnetic alloy in magnetic field |
| JPS57140824A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-31 | Sony Corp | Heat treatment of thin strip of amorphous magnetic alloy for magnetostrictive delay wire |
| JPS58139408A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Hitachi Metals Ltd | 巻鉄心の製造方法 |
| JPS60103163A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質磁性合金薄帯の処理方法および処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5173923A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-26 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo |
-
1977
- 1977-09-08 JP JP10866977A patent/JPS5441223A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5173923A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-26 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5441223A (en) | 1979-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4608297A (en) | Multilayer composite soft magnetic material comprising amorphous and insulating layers and a method for manufacturing the core of a magnetic head and a reactor | |
| US5032947A (en) | Method of improving magnetic devices by applying AC or pulsed current | |
| USRE38594E1 (en) | Magnetic sensing apparatus having a central core with wire therethrough | |
| EP0314172A2 (en) | Film magnetic head | |
| JPH0778858B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| EP0185406B1 (en) | Magnetic head having core parts of an amorphous ferromagnetic metal | |
| JPS6141982B2 (ja) | ||
| KR910009970B1 (ko) | Co-Nb-Zr계 비정질 자성합금 및 이를 사용한 자기헤드 | |
| Shiiki et al. | Magnetic properties, aging effects and application potential for magnetic heads of Co‐Fe‐Si‐B amorphous alloys | |
| US2912515A (en) | Magnetic transducer head for tape recording, playback and erasing | |
| JPH0283809A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製法 | |
| JPS58179921A (ja) | 磁気ヘツド | |
| US2848555A (en) | Means for recording | |
| JPH01175707A (ja) | 積層軟磁性薄膜 | |
| JP2520670B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2782994B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| Ohmori et al. | High frequency iron loss of sendust thin ribbons made by a rapid quenching method | |
| KR100209438B1 (ko) | 금속 유리 리본 및 운모지 층간 절연재를 이용한 자심 | |
| JP3036891B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5880118A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS6043202A (ja) | 垂直磁気記録再生装置 | |
| JPH0296306A (ja) | 非晶質磁性薄帯巻鉄心 | |
| JPS58125220A (ja) | 垂直磁化記録再生磁気ヘツド | |
| JPH04134603A (ja) | 垂直磁気ヘッド | |
| JPH1166501A (ja) | 磁気ヘッド |