JPS6139916A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS6139916A JPS6139916A JP16181584A JP16181584A JPS6139916A JP S6139916 A JPS6139916 A JP S6139916A JP 16181584 A JP16181584 A JP 16181584A JP 16181584 A JP16181584 A JP 16181584A JP S6139916 A JPS6139916 A JP S6139916A
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- Japan
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- head
- magnetic flux
- film
- magnetoresistive
- thin film
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
従来例の構成とその問題点
従来磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドにはＭＲ素子の一端
が媒体摺動面に露出し、その一端面から流入する媒体か
らの磁束を検出するものと、強磁性薄膜を７ラソクスガ
イド（ＦＧ）とし、この薄膜の一端面を媒体摺動面に露
出させ、この一端面から流入する媒体磁束をＦＧを介し
てＭＲ素子に伝達することにより磁束を検出する磁束環
流型のものがあった。前者のタイプではＭＲ単体型ヘッ
ド、シールド型ＭＲヘッドが知られており、後者のタイ
プではＦＭＴヘッド（ＦＪｕｘ Ｒｅｔｕｒｎ ＭＲタ
イプ、電気通信学会、磁気記録研究会資料ＭＲ８２−２
４） 、 Ｙ−ＭＲ（ヨークタイプ）ヘッドが知られて
いる。ＦＭＴヘッドは第１図ａに示す構成のものである
。１はフェライトなどの強磁性基板、２はＭＲ素子、３
はＦＧ、４は基板に設けられた溝に充てんされたガラス
などの非磁性体である。このヘッドは垂直磁気の再生用
のものであリ、５はＣｏＣｒ垂直記録膜、６はパーマロ
イなどの軟磁性膜、７はベースフィルムである。３ ノ
ＦＧから流入した媒体磁束はＭＲ膜２、磁束環流路１を
経て、媒体へ戻る。ＦＧの厚みは。、２〜０．５μｍ１
ＭＲ膜の厚みは０．０３−０ 、Ｏ５μｍである。した
がって、磁束のリターン経路の磁気抵抗はほとんどＭＲ
膜によって制限され、これによって再生効率がきまる。
が媒体摺動面に露出し、その一端面から流入する媒体か
らの磁束を検出するものと、強磁性薄膜を７ラソクスガ
イド（ＦＧ）とし、この薄膜の一端面を媒体摺動面に露
出させ、この一端面から流入する媒体磁束をＦＧを介し
てＭＲ素子に伝達することにより磁束を検出する磁束環
流型のものがあった。前者のタイプではＭＲ単体型ヘッ
ド、シールド型ＭＲヘッドが知られており、後者のタイ
プではＦＭＴヘッド（ＦＪｕｘ Ｒｅｔｕｒｎ ＭＲタ
イプ、電気通信学会、磁気記録研究会資料ＭＲ８２−２
４） 、 Ｙ−ＭＲ（ヨークタイプ）ヘッドが知られて
いる。ＦＭＴヘッドは第１図ａに示す構成のものである
。１はフェライトなどの強磁性基板、２はＭＲ素子、３
はＦＧ、４は基板に設けられた溝に充てんされたガラス
などの非磁性体である。このヘッドは垂直磁気の再生用
のものであリ、５はＣｏＣｒ垂直記録膜、６はパーマロ
イなどの軟磁性膜、７はベースフィルムである。３ ノ
ＦＧから流入した媒体磁束はＭＲ膜２、磁束環流路１を
経て、媒体へ戻る。ＦＧの厚みは。、２〜０．５μｍ１
ＭＲ膜の厚みは０．０３−０ 、Ｏ５μｍである。した
がって、磁束のリターン経路の磁気抵抗はほとんどＭＲ
膜によって制限され、これによって再生効率がきまる。
第１図すはヨークタイプ（Ｙ−）ＭＲヘッドである。構
成要素はａとほとんど同じであり同様の要素に同一の番
号を付す。媒体摺動面で、強磁性基板１とＦＧ３がギャ
ップを構成し、この部分を磁気ギヤソゲとするリングヘ
ッド動作をする。
成要素はａとほとんど同じであり同様の要素に同一の番
号を付す。媒体摺動面で、強磁性基板１とＦＧ３がギャ
ップを構成し、この部分を磁気ギヤソゲとするリングヘ
ッド動作をする。
このヘッドは面内磁化用の再生ヘッドであシ、８は面内
磁化媒体である。
磁化媒体である。
とのヘッドの場合もＭＲ膜の磁気抵抗が最も大きく、流
入磁束はこの部分によって制限されているといえる。
入磁束はこの部分によって制限されているといえる。
以上のように従来の磁束環流型ＭＲヘッドには磁束利用
率が良くないという欠点があった。
率が良くないという欠点があった。
発明の目的
本発明は磁束の利用率を大幅に改善したＭＲヘッドを提
供するものである。
供するものである。
発明の構成
本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは強磁性薄膜からなる磁
束導入部と磁気的には互いに並列に配置され、電気的に
は直列に接続された磁気抵抗素子薄膜群と磁気抵抗効果
素子薄膜群を通過した磁束を環流させる強磁性体からな
る磁束環流コアとを備えたものである。
束導入部と磁気的には互いに並列に配置され、電気的に
は直列に接続された磁気抵抗素子薄膜群と磁気抵抗効果
素子薄膜群を通過した磁束を環流させる強磁性体からな
る磁束環流コアとを備えたものである。
このような構成としたことによりＭＲＲ子部における磁
路の厚みが大となり、高い磁束利用率を実現できる。
路の厚みが大となり、高い磁束利用率を実現できる。
実施例の説明
第２図により本願の一実施例を説明する。
第２図ａはその断面図、第２図すはその要部を示す。１
，３．４は第１図と同様であシ説明を略す。
，３．４は第１図と同様であシ説明を略す。
９ａ、９ｂ、９ｃけＭＲ膜であシ、９ａと９ｂおよび９
ｂと９０はそのトラック幅方向端部１０ａ。
ｂと９０はそのトラック幅方向端部１０ａ。
１０ｂで電気的に短絡されている。Ａ、Ｂは電流を流す
だめの端子である。これら３層のＭＲ膜の短絡部以外の
層間は互いに電気的に絶縁されている。
だめの端子である。これら３層のＭＲ膜の短絡部以外の
層間は互いに電気的に絶縁されている。
（図では省略）
このような構成としたことにより、第１図における従来
例に比べ、ＭＲ部の磁気抵抗は％に低下することになり
、環流磁路全体の磁気抵抗もほぼ同程度低下し磁路を環
流する磁束は約３倍に増える。この磁束が３層のＭＲ膜
を分流するため、すべてのＭＲ素子の抵抗変化が出力に
寄与し、約３倍の出力増となる。すなわち本実施例では
再生効率が３倍に上昇したことになる。
例に比べ、ＭＲ部の磁気抵抗は％に低下することになり
、環流磁路全体の磁気抵抗もほぼ同程度低下し磁路を環
流する磁束は約３倍に増える。この磁束が３層のＭＲ膜
を分流するため、すべてのＭＲ素子の抵抗変化が出力に
寄与し、約３倍の出力増となる。すなわち本実施例では
再生効率が３倍に上昇したことになる。
なお、本実施例はＦＭＴヘッドに適用した場合について
説明したが、Ｙ−ＭＲヘッドにおいても同様な効果が得
られることは明らかである。
説明したが、Ｙ−ＭＲヘッドにおいても同様な効果が得
られることは明らかである。
なお、ＭＲ膜に流す電流によって磁界が発生するため、
多層膜を流れる電流のそれぞれが相互に他の膜にバイア
ス磁界をかけることになる。この問題は積層するＭＲ膜
を奇数枚にしておき、互いに隣り合う層の電流の向きが
逆になるようにすればすべてのＭＲ膜において他の膜か
らの磁界の影響は相殺できる。
多層膜を流れる電流のそれぞれが相互に他の膜にバイア
ス磁界をかけることになる。この問題は積層するＭＲ膜
を奇数枚にしておき、互いに隣り合う層の電流の向きが
逆になるようにすればすべてのＭＲ膜において他の膜か
らの磁界の影響は相殺できる。
また、このような多層ＭＲ膜は上記のようにＭＲ膜が媒
体摺動面に露出しない型のヘッドに対してのみ有効であ
る。ＭＲ膜が媒体摺動面忙露出する型のものでは、ＭＲ
膜の層数を増すにしたがって分解能が低下する。これに
対し、本願のようにＭＲ膜が媒体摺動面に露出しない型
のものでは、フラックスガイドの厚みによって分解能が
決定されるため、多層膜にすることにより分解能が低下
することはない。
体摺動面に露出しない型のヘッドに対してのみ有効であ
る。ＭＲ膜が媒体摺動面忙露出する型のものでは、ＭＲ
膜の層数を増すにしたがって分解能が低下する。これに
対し、本願のようにＭＲ膜が媒体摺動面に露出しない型
のものでは、フラックスガイドの厚みによって分解能が
決定されるため、多層膜にすることにより分解能が低下
することはない。
また、ＭＲ膜を相互に電気的に接続する方法として、第
２図すではＭＲ膜を短絡するためにＭＲ膜同志を直接接
続しているが、第２の方法として別の導体で短絡しても
よい。
２図すではＭＲ膜を短絡するためにＭＲ膜同志を直接接
続しているが、第２の方法として別の導体で短絡しても
よい。
第１の方法によればさらに以下の様な利点を有する。単
層ＭＲ膜型のヘッド、あるめは第２の方法による多層Ｍ
Ｒ膜梨型ヘッドはトラック端部において反磁界の影響で
ＭＲ素子へのバイアス磁界が不均一になり効率が低下す
るため、狭トラツク再生ヘッドにおいては、ヘッド全体
としての再生効率が低下する。これに対し、第１の方法
による多層ＭＲ膜構造を使用することにより特に３層以
上ではトラック両端部での反磁界が解消され、ＭＲ膜が
トラック幅方向に均一にバイアスされ、狭トラツクにし
た場合も再生効率の低下は問題にならない。
層ＭＲ膜型のヘッド、あるめは第２の方法による多層Ｍ
Ｒ膜梨型ヘッドはトラック端部において反磁界の影響で
ＭＲ素子へのバイアス磁界が不均一になり効率が低下す
るため、狭トラツク再生ヘッドにおいては、ヘッド全体
としての再生効率が低下する。これに対し、第１の方法
による多層ＭＲ膜構造を使用することにより特に３層以
上ではトラック両端部での反磁界が解消され、ＭＲ膜が
トラック幅方向に均一にバイアスされ、狭トラツクにし
た場合も再生効率の低下は問題にならない。
発明の効果
以上詳述したように、本発明によれば再生磁束の利用率
を大幅に向上させることができ、ＭＲヘッドにおいて大
幅な出力の向上を図ることができる。
を大幅に向上させることができ、ＭＲヘッドにおいて大
幅な出力の向上を図ることができる。
す断面図、第２図ａは本発明によるＭＲヘッドの一実施
例を示す断面図、第２図すはその要部を示す斜視図であ
る。
例を示す断面図、第２図すはその要部を示す斜視図であ
る。
１・・・・・・強磁性体基板、３・・・・・・フラック
スガイド、９ ａ 、 ９ ｂ 、 ９ ｃ−−・・−
ＭＲ膜。
スガイド、９ ａ 、 ９ ｂ 、 ９ ｃ−−・・−
ＭＲ膜。
Claims (3)
- （１）記録媒体にその一端を接するように配置された強
磁性薄膜からなる磁束導入部と、磁気抵抗効果素子薄膜
と、上記磁束導入部、磁気抵抗効果素子を通過した磁束
を上記記録媒体に還流させるように配された強磁性体磁
気コアとを備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子薄膜を複数の膜よりなる多層膜と
し、磁気的には並列に電気的には直列に接続したことを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - （２）磁気抵抗効果素子薄膜が奇数枚の多層膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。 - （３）磁気抵抗効果素子薄膜が３層以上の多層膜からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16181584A JPS6139916A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16181584A JPS6139916A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139916A true JPS6139916A (ja) | 1986-02-26 |
Family
ID=15742432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16181584A Pending JPS6139916A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139916A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6295714A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US5508868A (en) * | 1993-01-25 | 1996-04-16 | Read-Rite Corporation | Dual element magnetoresistive sensing head having in-gap flux guide and flux closure piece with particular connection of magnetoresistive sensing elements to differential amplifier |
| US5748414A (en) * | 1994-06-24 | 1998-05-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Magnetoresistive element assembly with longitudinal bias |
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
-
1984
- 1984-08-01 JP JP16181584A patent/JPS6139916A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6295714A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US5508868A (en) * | 1993-01-25 | 1996-04-16 | Read-Rite Corporation | Dual element magnetoresistive sensing head having in-gap flux guide and flux closure piece with particular connection of magnetoresistive sensing elements to differential amplifier |
| US5748414A (en) * | 1994-06-24 | 1998-05-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Magnetoresistive element assembly with longitudinal bias |
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
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