JPS6138096Y2 - - Google Patents
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- JPS6138096Y2 JPS6138096Y2 JP1979004521U JP452179U JPS6138096Y2 JP S6138096 Y2 JPS6138096 Y2 JP S6138096Y2 JP 1979004521 U JP1979004521 U JP 1979004521U JP 452179 U JP452179 U JP 452179U JP S6138096 Y2 JPS6138096 Y2 JP S6138096Y2
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Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
磁気記録密度は、記録媒体の進歩に伴つて向上
してきたが、近年抗磁力が10000e以上の金属磁性
体が出現するに至つて、特にVTRにおける一層
の高密度記録化が検討されている。このような高
密度VTRにおいては記録トラツク幅が10μｍ程
度にまで小さくなるため、再生時に記録トラツク
を正確に走査することが困難となり、特開昭52−
117105号等に開示のように圧電電気わん曲体、す
なわちバイモルフを用いて、再生ヘツドを偏向さ
せて、記録トラツクを追跡するような制御法が考
えられている。本考案は、このような、バイモル
フ構造の磁気ヘツド装置に関して、高抗磁力テー
プへの適用を可能とするものである。
してきたが、近年抗磁力が10000e以上の金属磁性
体が出現するに至つて、特にVTRにおける一層
の高密度記録化が検討されている。このような高
密度VTRにおいては記録トラツク幅が10μｍ程
度にまで小さくなるため、再生時に記録トラツク
を正確に走査することが困難となり、特開昭52−
117105号等に開示のように圧電電気わん曲体、す
なわちバイモルフを用いて、再生ヘツドを偏向さ
せて、記録トラツクを追跡するような制御法が考
えられている。本考案は、このような、バイモル
フ構造の磁気ヘツド装置に関して、高抗磁力テー
プへの適用を可能とするものである。
高抗磁力テープとしては、Fe−Ni系等の合金
粉末をバインダと共にベースに塗布したタイプ
と、Co等の金属をベースに蒸着したタイプとが
考えられているが、これらは従来の酸化物磁性体
を用いた磁気テープに比較してテープ表面の固有
抵抗がはるかに小さい。特に蒸着タイプのテープ
では、テープ表面は金属であり、電気の良導体で
ある。
粉末をバインダと共にベースに塗布したタイプ
と、Co等の金属をベースに蒸着したタイプとが
考えられているが、これらは従来の酸化物磁性体
を用いた磁気テープに比較してテープ表面の固有
抵抗がはるかに小さい。特に蒸着タイプのテープ
では、テープ表面は金属であり、電気の良導体で
ある。
一方、従来のバイモルフ構造磁気ヘツドは、特
開昭52−117105号等に見られるように、バイモル
フ表面、すなわち電極面に磁気ヘツドを接着して
いる。従来のVTRのヘツドコア材としてはMn−
Zn系フエライトが多く用いられるが、その固有
抵抗は100Ω・cm程度であり、絶縁材料とは云え
ない。さらに、高抗磁力テープへの記録用ヘツド
としては、Fe−Al−Si系の合金材料が適してお
りこの場合は、コア材は電気の良導体となる。
開昭52−117105号等に見られるように、バイモル
フ表面、すなわち電極面に磁気ヘツドを接着して
いる。従来のVTRのヘツドコア材としてはMn−
Zn系フエライトが多く用いられるが、その固有
抵抗は100Ω・cm程度であり、絶縁材料とは云え
ない。さらに、高抗磁力テープへの記録用ヘツド
としては、Fe−Al−Si系の合金材料が適してお
りこの場合は、コア材は電気の良導体となる。
ここにおいて、バイモルフを偏向させるための
電圧を電極に印加するならば、バイモルフ電極面
と磁気ヘツドおよび、磁気ヘツドに接する磁気テ
ープ面とは、ほぼ等しい電位となり得る。一般の
電子機器においては、装置を接地側にしており、
VTRの場合も、磁気テープが接触しているガイ
ドポスト等の金属部品は接地電位となつている。
これより明らかな様に、従来のバイモルフ構造の
磁気ヘツド装置において、メタルテープもしくは
金属蒸着膜テープを用いると、偏向電極はヘツ
ド・テープを通じて接地へ短絡してしまい、ヘツ
ドを良好に動作できなくなる。
電圧を電極に印加するならば、バイモルフ電極面
と磁気ヘツドおよび、磁気ヘツドに接する磁気テ
ープ面とは、ほぼ等しい電位となり得る。一般の
電子機器においては、装置を接地側にしており、
VTRの場合も、磁気テープが接触しているガイ
ドポスト等の金属部品は接地電位となつている。
これより明らかな様に、従来のバイモルフ構造の
磁気ヘツド装置において、メタルテープもしくは
金属蒸着膜テープを用いると、偏向電極はヘツ
ド・テープを通じて接地へ短絡してしまい、ヘツ
ドを良好に動作できなくなる。
本考案は、この問題を解決せんとするものであ
り、以下図面を参照して、その一実施例を説明す
る。
り、以下図面を参照して、その一実施例を説明す
る。
第１図は本考案の一実施例を示すもので、１は
バイモルフで構成される支持アームであり、電極
５，６，７からリード線２，３，４が導びかれて
いる。
バイモルフで構成される支持アームであり、電極
５，６，７からリード線２，３，４が導びかれて
いる。
この例で示すバイモルフは、両面に電極を形成
した圧電セラミツクの板材８，９を切断、打抜き
等の手段で成形して、２枚を貼り合わせたもので
あるが、貼り合わせ面において、一方の電極面が
露出する様に、他方を部分的に欠除された形状と
したものであつて、電極５，６，７はそれぞれの
位置する平面の全面におよんでいる。支持アーム
１の一端部の電極５上には電気絶縁物１０が接着
されており、その上に磁気ヘツド１１が装着され
ている。また、支持アーム１の他端は、VTRの
回転軸に固定され、片持ちはりを構成している。
絶縁板１０の代りに、接着剤等の膜を利用するの
は不適当である。バイモルフの駆動電圧は100V
程度が必要とされており、接着剤膜程度では磁気
ヘツド１１と電極５間が絶縁不良となる可能性が
あるのと、バイモルフの偏向は数十ヘルツ〜数百
ヘルツの周波数で行なわれるため、絶縁層が薄い
と容量が小さくなり、交流インピーダンスが低下
することがその理由である。このために、絶縁材
としては、誘電率10以下の材料で、厚み0.1mm以
上とすることが望ましい。すなわち、材料として
は、各種絶縁セラミツク、ガラスが効果的であ
る。接着に用いる接着剤としては、エポキシ系の
熱硬化性樹脂が多く用いられるが、硬化時に100
℃程度の加熱が必要であり、硬化後に熱応力が残
留することがあり、バイモルフは圧電セラミツク
のため、不要な応力が残留すると偏向感度が変化
して好ましくない。よつて、常温で接着可能な接
着剤を用いるべきである。シアノアクリレート系
の接着剤は、常温で接着されるが、硬化速度が極
めて速く、絶縁板１０の位置決めが困難である。
ここで、絶縁板としてガラスを用いる場合には、
紫外線を硬化開始エネルギーとする樹脂を用いる
ことが可能となる。すなわち、接着面に、紫外線
硬化型樹脂を薄く塗布し、押圧して均一な厚みと
した後に、バイモルフ１上で絶縁板１０の位置を
正確に調整し、その後、ガラス面側から紫外線を
照射すれば、ほぼ常温で精密な接着がなされる。
この時、ガラスとしては紫外線吸収率の小さい組
成であることが望ましいが、0.1〜0.2mmの厚みで
あれば、ほとんどの透明ガラスが使用可能であ
る。
した圧電セラミツクの板材８，９を切断、打抜き
等の手段で成形して、２枚を貼り合わせたもので
あるが、貼り合わせ面において、一方の電極面が
露出する様に、他方を部分的に欠除された形状と
したものであつて、電極５，６，７はそれぞれの
位置する平面の全面におよんでいる。支持アーム
１の一端部の電極５上には電気絶縁物１０が接着
されており、その上に磁気ヘツド１１が装着され
ている。また、支持アーム１の他端は、VTRの
回転軸に固定され、片持ちはりを構成している。
絶縁板１０の代りに、接着剤等の膜を利用するの
は不適当である。バイモルフの駆動電圧は100V
程度が必要とされており、接着剤膜程度では磁気
ヘツド１１と電極５間が絶縁不良となる可能性が
あるのと、バイモルフの偏向は数十ヘルツ〜数百
ヘルツの周波数で行なわれるため、絶縁層が薄い
と容量が小さくなり、交流インピーダンスが低下
することがその理由である。このために、絶縁材
としては、誘電率10以下の材料で、厚み0.1mm以
上とすることが望ましい。すなわち、材料として
は、各種絶縁セラミツク、ガラスが効果的であ
る。接着に用いる接着剤としては、エポキシ系の
熱硬化性樹脂が多く用いられるが、硬化時に100
℃程度の加熱が必要であり、硬化後に熱応力が残
留することがあり、バイモルフは圧電セラミツク
のため、不要な応力が残留すると偏向感度が変化
して好ましくない。よつて、常温で接着可能な接
着剤を用いるべきである。シアノアクリレート系
の接着剤は、常温で接着されるが、硬化速度が極
めて速く、絶縁板１０の位置決めが困難である。
ここで、絶縁板としてガラスを用いる場合には、
紫外線を硬化開始エネルギーとする樹脂を用いる
ことが可能となる。すなわち、接着面に、紫外線
硬化型樹脂を薄く塗布し、押圧して均一な厚みと
した後に、バイモルフ１上で絶縁板１０の位置を
正確に調整し、その後、ガラス面側から紫外線を
照射すれば、ほぼ常温で精密な接着がなされる。
この時、ガラスとしては紫外線吸収率の小さい組
成であることが望ましいが、0.1〜0.2mmの厚みで
あれば、ほとんどの透明ガラスが使用可能であ
る。
第２図は、本考案による磁気ヘツド装置の動作
を説明する図である。バイモルフ１の中度電極６
と両側面電極５，７にはリード線３，２，４が半
田付け等で接続され、偏向信号電圧発生器２０と
つながつている。本例ではバイモルフ１は一端を
固定部１９とし、他端に絶縁板１０を介して磁気
ヘツド１１が装着されており、電極６に正電位を
与えると、たとえば矢印２１の方向にバイモルフ
がわん曲し、電極６に負電位を与えると矢印２２
の方向にわん曲する。すなわち偏向信号電圧発生
器２０によつて与えられる偏向信号の電位によつ
て偏向方向と偏向量を制御することができる。
を説明する図である。バイモルフ１の中度電極６
と両側面電極５，７にはリード線３，２，４が半
田付け等で接続され、偏向信号電圧発生器２０と
つながつている。本例ではバイモルフ１は一端を
固定部１９とし、他端に絶縁板１０を介して磁気
ヘツド１１が装着されており、電極６に正電位を
与えると、たとえば矢印２１の方向にバイモルフ
がわん曲し、電極６に負電位を与えると矢印２２
の方向にわん曲する。すなわち偏向信号電圧発生
器２０によつて与えられる偏向信号の電位によつ
て偏向方向と偏向量を制御することができる。
以上のように本考案の実施例によれば、上述の
如く、メタルテープ、金属蒸着膜テープ等を記録
媒体とした。VTRにおいて、バイモルフ構造を
持つヘツド装置を容易に実現できるものである
が、特に絶縁板としてガラスを用い、紫外線硬化
型接着剤を用いることにより、さらに次のような
効果を持つことが確認された。
如く、メタルテープ、金属蒸着膜テープ等を記録
媒体とした。VTRにおいて、バイモルフ構造を
持つヘツド装置を容易に実現できるものである
が、特に絶縁板としてガラスを用い、紫外線硬化
型接着剤を用いることにより、さらに次のような
効果を持つことが確認された。
１ 紫外線を照射するまでは接着剤が硬化しない
ため、絶縁板の貼付け位置調整が正確に実施で
き、かつ硬化時に接着剤の粘性が低下すること
なく硬化するために（エポキシ系の熱硬化型接
着剤は加熱によつて、いつたん粘性が低下す
る）、接着剤厚みの均一性が維持される。VTR
においては、テープに対してヘツドが対接する
状態が再生信号レベルに影響するため、三次元
的に位置設定を行なう必要があり、バイモルフ
構造の磁気ヘツド装置においては、上記接着剤
の厚みの不均一性にもとづくヘツドの位置誤差
は、偏向信号電圧発生器２０にバイアス電圧を
与えて、位置誤差を補正するだけの偏向を与え
ている。熱硬化型接着剤を紫外線硬化型接着剤
に変えることによつて、上記バイアス電圧の最
大値が約3dB減少し、バイモルフの偏向余裕を
大きく設定できるようになつた。
ため、絶縁板の貼付け位置調整が正確に実施で
き、かつ硬化時に接着剤の粘性が低下すること
なく硬化するために（エポキシ系の熱硬化型接
着剤は加熱によつて、いつたん粘性が低下す
る）、接着剤厚みの均一性が維持される。VTR
においては、テープに対してヘツドが対接する
状態が再生信号レベルに影響するため、三次元
的に位置設定を行なう必要があり、バイモルフ
構造の磁気ヘツド装置においては、上記接着剤
の厚みの不均一性にもとづくヘツドの位置誤差
は、偏向信号電圧発生器２０にバイアス電圧を
与えて、位置誤差を補正するだけの偏向を与え
ている。熱硬化型接着剤を紫外線硬化型接着剤
に変えることによつて、上記バイアス電圧の最
大値が約3dB減少し、バイモルフの偏向余裕を
大きく設定できるようになつた。
２ ガラスを通して紫外線を照射して接着剤を硬
化させる結果、既述の様に、ほぼ常温で接着す
ることが可能である。このために、バイモルフ
に対して熱応力が残留しない。残留応力がある
場合には、印加電圧に対する偏向の感度および
直線性が劣化し、熱硬化型接着剤と常温硬化型
接着剤（紫外線硬化型接着剤）とでは、後者の
方が約10％高い感度を示した。また後者の方が
直線性も優れていた。
化させる結果、既述の様に、ほぼ常温で接着す
ることが可能である。このために、バイモルフ
に対して熱応力が残留しない。残留応力がある
場合には、印加電圧に対する偏向の感度および
直線性が劣化し、熱硬化型接着剤と常温硬化型
接着剤（紫外線硬化型接着剤）とでは、後者の
方が約10％高い感度を示した。また後者の方が
直線性も優れていた。
第１図は本考案の１実施例を示す斜視図、第２
図は同動作説明のための側断面図である。 ２，３，４……リード線、５，６，７……電極
膜、１０……絶縁板、１１……磁気ヘツド。
図は同動作説明のための側断面図である。 ２，３，４……リード線、５，６，７……電極
膜、１０……絶縁板、１１……磁気ヘツド。
Claims (1)
- 表面の電極膜が形成された圧電セラミツク板の
一端部を回転軸に支持し、その圧電セラミツク板
の他端部の前記電極膜上に紫外線吸収率の小さい
ガラス材よりなる絶縁層を紫外線硬化型接着剤に
より接合し、前記絶縁層上に磁気ヘツドを固着せ
しめた磁気ヘツド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979004521U JPS6138096Y2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979004521U JPS6138096Y2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55108550U JPS55108550U (ja) | 1980-07-30 |
| JPS6138096Y2 true JPS6138096Y2 (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=28809538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979004521U Expired JPS6138096Y2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6138096Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492084A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Sony Corp | Driving circuit of electrostrictive converter |
-
1979
- 1979-01-17 JP JP1979004521U patent/JPS6138096Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492084A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Sony Corp | Driving circuit of electrostrictive converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55108550U (ja) | 1980-07-30 |
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