JPS613758A - サ−マルヘツド - Google Patents
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- JPS613758A JPS613758A JP59123684A JP12368484A JPS613758A JP S613758 A JPS613758 A JP S613758A JP 59123684 A JP59123684 A JP 59123684A JP 12368484 A JP12368484 A JP 12368484A JP S613758 A JPS613758 A JP S613758A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 23
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 25
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 20
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 5
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 241001483078 Phyto Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 240000004808 Saccharomyces cerevisiae Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N [P].[Ni].[Cu] Chemical compound [P].[Ni].[Cu] JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWOZJZDNRDLJMG-UHFFFAOYSA-N [Si].O=C=O Chemical compound [Si].O=C=O MWOZJZDNRDLJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- -1 silicon carboxylate Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はサーマルグリンタ等に用いられるサーマルヘ
ッドに関する。
ッドに関する。
(従来の技術)
近年、厚膜印刷技術を用いた低コストなサーマルヘッド
についての提案がある。しかし印刷技術を用いた場合、
高密度な発熱体を有するサーマルヘッドの製造が不可能
であり、また為スト的にも給電体に金イーストを使用す
るため大幅なコストダウンは望めないものであった。こ
れを克服し。
についての提案がある。しかし印刷技術を用いた場合、
高密度な発熱体を有するサーマルヘッドの製造が不可能
であり、また為スト的にも給電体に金イーストを使用す
るため大幅なコストダウンは望めないものであった。こ
れを克服し。
低コストでかつ高精細なサーマルヘッドを開発するため
に量産性に優れためっき技術を用いたサーマルヘッドの
検討が行なわれ、且つコスト低減の目的から従来常識と
されていたグレーズドアルミナセラミック基板の代わり
にポリイミドのような耐熱性有機樹脂フィルムをベース
基板とする検討が行なわれてきた。
に量産性に優れためっき技術を用いたサーマルヘッドの
検討が行なわれ、且つコスト低減の目的から従来常識と
されていたグレーズドアルミナセラミック基板の代わり
にポリイミドのような耐熱性有機樹脂フィルムをベース
基板とする検討が行なわれてきた。
このような従来技術として特開昭57−185171号
公報に開示される技術がある。この従来技術はまずIリ
イミドフィルム等の耐熱性有機樹脂フィルムの蓄熱層上
に無電解めっき又は電解めっきによって発熱抵抗層にニ
ッケル系合金)及び給電体を形成する。
公報に開示される技術がある。この従来技術はまずIリ
イミドフィルム等の耐熱性有機樹脂フィルムの蓄熱層上
に無電解めっき又は電解めっきによって発熱抵抗層にニ
ッケル系合金)及び給電体を形成する。
このようにして得られたフィルム状体を冷却基板に接着
した後、発熱抵抗層及び給電体上に有機樹脂或は無機系
材料からなる波−ストを塗布して。
した後、発熱抵抗層及び給電体上に有機樹脂或は無機系
材料からなる波−ストを塗布して。
これを熱硬化させ絶縁層を形成する。
次いで絶縁層上に発熱抵抗体と同様のニッケル系合金を
無電解めっきして耐摩耗層を形成する。
無電解めっきして耐摩耗層を形成する。
このようにしてサーマルヘッドを形成したものである。
(発明が解決しようとする問題点)
このようなサーマルヘッドでは絶縁層と無電解めっきに
よる析出金属の密着性が問題となっていた。すなわち、
絶縁層上例ただ単に無電解めっきによる耐摩耗層を形成
した場合両者の間に十分な密着力が得られず、密着力を
向上させるためには “密着面の表面積を増加させる
ために化学研磨やサンドブラストによる密着面の粗面化
を行う必要があった。この場合、表面粗度と密着力の関
係はリニアでなくめっきの種類と被めっき物によシ差は
あるが2〜4μmの凸凹の粗面化が適当であった。
よる析出金属の密着性が問題となっていた。すなわち、
絶縁層上例ただ単に無電解めっきによる耐摩耗層を形成
した場合両者の間に十分な密着力が得られず、密着力を
向上させるためには “密着面の表面積を増加させる
ために化学研磨やサンドブラストによる密着面の粗面化
を行う必要があった。この場合、表面粗度と密着力の関
係はリニアでなくめっきの種類と被めっき物によシ差は
あるが2〜4μmの凸凹の粗面化が適当であった。
このように耐摩耗層を無電解めっきで形成する場合には
、耐摩耗性の他に剥離が問題となるため絶縁層との密着
は強固にする必要があシ、従って絶縁層の表面を2〜4
μmの凹凸によシ粗面化する必要があった。
、耐摩耗性の他に剥離が問題となるため絶縁層との密着
は強固にする必要があシ、従って絶縁層の表面を2〜4
μmの凹凸によシ粗面化する必要があった。
また耐摩耗層として要求される事項には耐摩耗性の他に
平滑性の問題がある。平滑性の悪い耐摩耗層ではサーマ
ル紙の印字カス付着が問題とな多連続使用における印字
品質の低下を招く結果となる口通常印字品質の点から耐
摩耗層の無電解めっきの厚さは3〜5μmが適当である
が、無電解めっきによシ3〜5μmの耐摩耗層を形成し
た場合絶縁層の凹凸が耐摩耗層の表面に露出し、平滑な
表面が得られなかった。−力無電解めっきを10μm以
上の厚いめっきとすると平滑性は向上するが発熱体の熱
エネルギーが2次元的に拡散し印字品質の低下の原因と
なっていた。
平滑性の問題がある。平滑性の悪い耐摩耗層ではサーマ
ル紙の印字カス付着が問題とな多連続使用における印字
品質の低下を招く結果となる口通常印字品質の点から耐
摩耗層の無電解めっきの厚さは3〜5μmが適当である
が、無電解めっきによシ3〜5μmの耐摩耗層を形成し
た場合絶縁層の凹凸が耐摩耗層の表面に露出し、平滑な
表面が得られなかった。−力無電解めっきを10μm以
上の厚いめっきとすると平滑性は向上するが発熱体の熱
エネルギーが2次元的に拡散し印字品質の低下の原因と
なっていた。
本発明はこれらの問題点を解決し、発熱抵抗層と耐摩耗
層との密着を改善するとともに、耐摩耗性にすぐれ、良
好な印字品質を期待できるサーマルヘッドを提供するも
のであυ、以下詳細に説明する。
層との密着を改善するとともに、耐摩耗性にすぐれ、良
好な印字品質を期待できるサーマルヘッドを提供するも
のであυ、以下詳細に説明する。
(問題点を解決するだめの手段)
本発明は、耐熱性有機樹脂フィルム基板と、当該耐熱性
有機樹脂フィルム基板の一方の面に選択的に被着形成さ
れる発熱抵抗層と、当該発熱抵抗層上に選択的に被着形
成される給電体と、少なくとも前記発熱抵抗層の発熱部
および当該発熱部に隣接する給電体の端部近傍を被う如
く被着形成される保護膜と、前記耐熱性有機樹脂フィル
ム基板の他方の面に接着される放熱板とを有するサーマ
ルヘッドにおいて、前記保護膜として、耐熱性有機樹脂
もしくはフィラー含有耐熱性有機樹脂からなる密着層と
、当該密着層上に’r’a2o5. StC。
有機樹脂フィルム基板の一方の面に選択的に被着形成さ
れる発熱抵抗層と、当該発熱抵抗層上に選択的に被着形
成される給電体と、少なくとも前記発熱抵抗層の発熱部
および当該発熱部に隣接する給電体の端部近傍を被う如
く被着形成される保護膜と、前記耐熱性有機樹脂フィル
ム基板の他方の面に接着される放熱板とを有するサーマ
ルヘッドにおいて、前記保護膜として、耐熱性有機樹脂
もしくはフィラー含有耐熱性有機樹脂からなる密着層と
、当該密着層上に’r’a2o5. StC。
S i 、N4のうちのいずれかをスノヤツタもしくは
蒸着して形成した耐摩耗層との2層構成としたものであ
シ、密着層としては、ポリイミド樹脂、ポリイミド誘電
体、もしくはエポキシ樹脂の各耐熱性有機樹脂のうちの
いずれかを用い、また、フィラー含有とする場合には、
フィラーとしてSiC,Ta205゜At203.5i
n2. Y2O3の各微粉末のうちの少なくとも1種類
を用いるようにしたものである。
蒸着して形成した耐摩耗層との2層構成としたものであ
シ、密着層としては、ポリイミド樹脂、ポリイミド誘電
体、もしくはエポキシ樹脂の各耐熱性有機樹脂のうちの
いずれかを用い、また、フィラー含有とする場合には、
フィラーとしてSiC,Ta205゜At203.5i
n2. Y2O3の各微粉末のうちの少なくとも1種類
を用いるようにしたものである。
(作用)
本発明は、以上の如き構成となっているので、密着層を
介在させて発熱抵抗層とスパッタあるいは蒸着により形
成される耐摩耗層との密着を強固なものとしてサーマル
ヘッドの長寿命化を図ることができ、またこの密着層を
フィラー人シのものとすることKより、発熱抵抗層から
1表面の耐摩耗層への熱伝導を良くすることができる。
介在させて発熱抵抗層とスパッタあるいは蒸着により形
成される耐摩耗層との密着を強固なものとしてサーマル
ヘッドの長寿命化を図ることができ、またこの密着層を
フィラー人シのものとすることKより、発熱抵抗層から
1表面の耐摩耗層への熱伝導を良くすることができる。
(実施例)
以下、本発明の1実施例を第1図に基き説明する。
第1図において、1け蓄熱層として機能とする厚さ25
〜100μmのポリイミドフィルムの如き耐熱性有機樹
脂フィルム基板であり、本実施例では、厚さ75μmの
ポリイミドフィルムを用いている。
〜100μmのポリイミドフィルムの如き耐熱性有機樹
脂フィルム基板であり、本実施例では、厚さ75μmの
ポリイミドフィルムを用いている。
2は前記耐熱性有機樹脂フィルム基板上に無電解合金め
っき、蒸着あるいはス・母ツタにより形成される発熱抵
抗層であシ、ニッケルータングステン−リン(Nj−W
−P ) 、ニッケルーリン(Ni−P)。
っき、蒸着あるいはス・母ツタにより形成される発熱抵
抗層であシ、ニッケルータングステン−リン(Nj−W
−P ) 、ニッケルーリン(Ni−P)。
ニッケルーホウ素(Ni−B)、ニッケルー銅−リン(
Ni−Cu−P)等の合金で形成されるが、本実施例で
は厚さ03μmのN1−W−Pの発熱抵抗層を形成して
いる。3は給電体であシ、ニッケル(Ni)、銅(Cu
) 、金(Au )等が漬当であシ、本実施例では銅め
っきの上に金めっきで厚付けしたものを形成している。
Ni−Cu−P)等の合金で形成されるが、本実施例で
は厚さ03μmのN1−W−Pの発熱抵抗層を形成して
いる。3は給電体であシ、ニッケル(Ni)、銅(Cu
) 、金(Au )等が漬当であシ、本実施例では銅め
っきの上に金めっきで厚付けしたものを形成している。
4は発熱抵抗層2と後述する耐摩耗層5と密着向上を図
るための密着層で、ポリイミド樹脂、ポリイミド誘導体
、耐熱エポキシ樹脂等の耐熱性有機樹脂、あるいは、こ
の耐熱性有機樹脂にシリコンカーバイト(SiC)、ア
ルミナ(At20.)、シリカ(8102) を五酸化
タンタル(’ra2o5) 、酸化イツトリウム(Y2
O2)などの微粉末をフィラーとして混合したものが適
当である。
るための密着層で、ポリイミド樹脂、ポリイミド誘導体
、耐熱エポキシ樹脂等の耐熱性有機樹脂、あるいは、こ
の耐熱性有機樹脂にシリコンカーバイト(SiC)、ア
ルミナ(At20.)、シリカ(8102) を五酸化
タンタル(’ra2o5) 、酸化イツトリウム(Y2
O2)などの微粉末をフィラーとして混合したものが適
当である。
本実施例ではポリイミド樹脂を厚さ1〜3μmに形成し
ている。
ている。
5は密着層4上に形成される耐摩耗層で、五酸化タンタ
ル(Ta203) 、シリコWンカー・フィト(SiC
)、窒化シリコン(Si3N4)等が適当であシ、本実
施例ではTa205を3μmの厚さに形成している。
ル(Ta203) 、シリコWンカー・フィト(SiC
)、窒化シリコン(Si3N4)等が適当であシ、本実
施例ではTa205を3μmの厚さに形成している。
6は耐熱性有機樹脂フィルム基板1を接着して支持し且
つ放熱の機能を果す放熱板であシ、本実施例では厚さ3
mの放熱板を用いている。
つ放熱の機能を果す放熱板であシ、本実施例では厚さ3
mの放熱板を用いている。
7は上述の各部からなるサーマルヘッド部を示す。
8はサーマルヘッド駆動するだめのICCタッグあり、
サーマルヘッド部7と同一基板上に搭載したものを示し
ているが、場合によっては他の基板に搭載してもよい。
サーマルヘッド部7と同一基板上に搭載したものを示し
ているが、場合によっては他の基板に搭載してもよい。
9はICチッf8を保護するためのrc保護用樹脂であ
る。
る。
このような本発明によるサーマルヘッドは具体的には第
2図に示す如くして製造される。
2図に示す如くして製造される。
まず第2図(a)のように、ポリイミドのような耐熱性
有機樹脂フィルム基板1に無電解めっき反応の核となる
金属101例えばパラジウムのような金属を数X形成す
る。このパラノウムノθは、真空蒸着あるいは錫溶液と
・ぐラジウム溶液に浸漬して得ることが可能である。
有機樹脂フィルム基板1に無電解めっき反応の核となる
金属101例えばパラジウムのような金属を数X形成す
る。このパラノウムノθは、真空蒸着あるいは錫溶液と
・ぐラジウム溶液に浸漬して得ることが可能である。
次に第2図(b)で示すようにパラジウム1oの表面の
非めっき部分にフォトレジストを用いてめっきレノスト
1ノを7オトリソにより形成する。つまり回路となる部
分の・やラジウム1oは表面に露出させ回路以外の部分
はめっきレジスト11で・母ラジウム10をめっき液か
ら遮断するわけである。
非めっき部分にフォトレジストを用いてめっきレノスト
1ノを7オトリソにより形成する。つまり回路となる部
分の・やラジウム1oは表面に露出させ回路以外の部分
はめっきレジスト11で・母ラジウム10をめっき液か
ら遮断するわけである。
そしてこの−1ま無電解’−ツケル合金めっき液に浸漬
すると周知のように・ぐラジウム10を核として無電解
反応が開始しNi合金2が・ぐラジウム10の露出部分
のみに析出する。又この発熱体形成は基板に直接抵抗体
金属を蒸着あるいはスパッタしフォトリンで回路を形成
してもよい。
すると周知のように・ぐラジウム10を核として無電解
反応が開始しNi合金2が・ぐラジウム10の露出部分
のみに析出する。又この発熱体形成は基板に直接抵抗体
金属を蒸着あるいはスパッタしフォトリンで回路を形成
してもよい。
次罠第2図(c)に示すようにめっきレジスト11を除
去しNi合金皮膜2の発熱体部分となるところをめっき
レジスト12を用いてマスクする。その後電気銅めっき
や電気金めっきを用いて給電体3を3〜4μm形成する
。
去しNi合金皮膜2の発熱体部分となるところをめっき
レジスト12を用いてマスクする。その後電気銅めっき
や電気金めっきを用いて給電体3を3〜4μm形成する
。
次に第2図(d)で示すように発熱部のめっきレジスト
12を除去し密着層4としてポリイミド樹脂をシルク印
刷かスピンコードにより1〜3μm塗布する。
12を除去し密着層4としてポリイミド樹脂をシルク印
刷かスピンコードにより1〜3μm塗布する。
このときポリイミド樹脂にアルミナ(At203)、シ
リコンカーハイ) (SiC)、 ’yリカ(5I02
)、五酸化タンタル(Ta205)、酸化イツトリウ
ム(Y2O2)などの微粉末をフィラーとして入れると
熱伝導の点でよシ効果的となる。またポリイミドの代わ
りにポリイミドの変成物例えばポリアミド、他にはトリ
アノン樹脂とビスマレイミドとを基本成分とした商品名
BTレジン(三菱ガス化学製造)なども密着改善に有効
である。これらの樹脂を所定の温度でイミド化あるいは
硬化させた後密着層4上に耐摩耗層5を形成する耐摩耗
層5として五酸化タンタル(Ta205)、シリコンカ
ーツクイト(SiC) 、窒化シリコン(S13N4)
などが適当で。
リコンカーハイ) (SiC)、 ’yリカ(5I02
)、五酸化タンタル(Ta205)、酸化イツトリウ
ム(Y2O2)などの微粉末をフィラーとして入れると
熱伝導の点でよシ効果的となる。またポリイミドの代わ
りにポリイミドの変成物例えばポリアミド、他にはトリ
アノン樹脂とビスマレイミドとを基本成分とした商品名
BTレジン(三菱ガス化学製造)なども密着改善に有効
である。これらの樹脂を所定の温度でイミド化あるいは
硬化させた後密着層4上に耐摩耗層5を形成する耐摩耗
層5として五酸化タンタル(Ta205)、シリコンカ
ーツクイト(SiC) 、窒化シリコン(S13N4)
などが適当で。
ス・fツタあるいは真空蒸着によ多形成する。その厚さ
は3〜5μmが適当であり、本実施例ではTa205を
用いている。
は3〜5μmが適当であり、本実施例ではTa205を
用いている。
次に第2図(e)に示すようにアルミ(AZ)aどの放
熱板6を基板1の裏側に接着しICCドライバーチラグ
をワイヤボンディング又はTABボンディングしチッゾ
保護樹脂9をコーティングして完成となる。
熱板6を基板1の裏側に接着しICCドライバーチラグ
をワイヤボンディング又はTABボンディングしチッゾ
保護樹脂9をコーティングして完成となる。
この工程において耐熱性有機樹脂フィルム基層Iを放熱
板6にあらかじめ接着しない理由としてポリイミド樹脂
4をイミド化させるときの温度が250°〜300℃と
高いため耐熱性有機樹脂フィルム基板1と放熱板6との
間に剥離を生じるためである。また耐摩耗N5のスパッ
タリングにおいて耐熱性有機樹脂フィルム基板1と放熱
板6との間にわずかな気泡があった場合ふくれを生じる
からである。
板6にあらかじめ接着しない理由としてポリイミド樹脂
4をイミド化させるときの温度が250°〜300℃と
高いため耐熱性有機樹脂フィルム基板1と放熱板6との
間に剥離を生じるためである。また耐摩耗N5のスパッ
タリングにおいて耐熱性有機樹脂フィルム基板1と放熱
板6との間にわずかな気泡があった場合ふくれを生じる
からである。
このようにしてサーマルヘッドが構成されるが、ここで
各層間の密着性について述べる。まず密着層4と耐摩耗
層5との密着性については、耐摩耗層5がス・やツタリ
ングあるいは真空蒸着によ多形成されておシ、とのス・
やツタリングあるいは真空蒸着による付着エネルギーは
無電解めっきの析出による付着よりも高いエネルギーで
ポリイミド等の密着層に付着するため強固な密着力を得
ることができる。まだ発熱抵抗層2とポリイミド等の密
着層4との密着性、給電体3とポリイミド等の密着層4
との密着性、及び耐熱性有機樹脂フィルム基板1とポリ
イミド等の密着層4との密着性はそれぞれ良いものであ
る。
各層間の密着性について述べる。まず密着層4と耐摩耗
層5との密着性については、耐摩耗層5がス・やツタリ
ングあるいは真空蒸着によ多形成されておシ、とのス・
やツタリングあるいは真空蒸着による付着エネルギーは
無電解めっきの析出による付着よりも高いエネルギーで
ポリイミド等の密着層に付着するため強固な密着力を得
ることができる。まだ発熱抵抗層2とポリイミド等の密
着層4との密着性、給電体3とポリイミド等の密着層4
との密着性、及び耐熱性有機樹脂フィルム基板1とポリ
イミド等の密着層4との密着性はそれぞれ良いものであ
る。
なお、耐熱性有機樹脂フィルム基板1と発熱抵
□抗層2あるいは給電体3との密着はあまり強いもので
はないが、実用上十分なものであシ、また摩擦等の外的
な力は直接発熱抵抗層には加わらず、剥離等の問題は生
じない。
□抗層2あるいは給電体3との密着はあまり強いもので
はないが、実用上十分なものであシ、また摩擦等の外的
な力は直接発熱抵抗層には加わらず、剥離等の問題は生
じない。
上記実施例では密着層4を発熱部近傍のみに形成する場
合を示したが、この密着層で外部接続端子を除く基板全
面を被うようにすれば発熱抵抗層、給電体等の剥離防止
に更に有効に働くものである。
合を示したが、この密着層で外部接続端子を除く基板全
面を被うようにすれば発熱抵抗層、給電体等の剥離防止
に更に有効に働くものである。
(発明の効果)
次に本発明による効果を第3図〜第6図を用いて説明す
る。まず、第3図は放熱板6に接着する前の基板を丸棒
13に巻きつけてスパッタリングちるいは蒸着によυ形
成された耐摩耗層5の密着を調べたものである。丸棒1
3の直径をRとし、このRの値が小さい場合においても
耐摩耗層5が剥離しない方が密着が優れていると言える
。
る。まず、第3図は放熱板6に接着する前の基板を丸棒
13に巻きつけてスパッタリングちるいは蒸着によυ形
成された耐摩耗層5の密着を調べたものである。丸棒1
3の直径をRとし、このRの値が小さい場合においても
耐摩耗層5が剥離しない方が密着が優れていると言える
。
第3図に示すような巻きつけ試験を密着層4を形成した
ものと抵抗層2に直接耐摩耗層5を形成したものとの2
種類ICついて行った。その結果を第1表に示す。
ものと抵抗層2に直接耐摩耗層5を形成したものとの2
種類ICついて行った。その結果を第1表に示す。
表−10剥離なし ×剥離
なお、耐摩耗層として3μmのTa 20 s、密着層
として2μmのポリイミドを用いた場合を示した。表−
Iから明らかなように密着層としてポリイミド2μmを
コーティングすることにより発熱抵抗層2と耐摩耗層5
との密着は著しく向上し強い曲げを与えても剥離すると
とがなく製造時の歩留りを大幅に向上させることができ
る。
として2μmのポリイミドを用いた場合を示した。表−
Iから明らかなように密着層としてポリイミド2μmを
コーティングすることにより発熱抵抗層2と耐摩耗層5
との密着は著しく向上し強い曲げを与えても剥離すると
とがなく製造時の歩留りを大幅に向上させることができ
る。
一方密着層4のないものは耐摩耗層5が発熱抵抗層2上
から剥離し丸棒12の直径Rが5mでは亀裂を生じてく
る。
から剥離し丸棒12の直径Rが5mでは亀裂を生じてく
る。
密着層4の代わl)K従来のサーマルヘッドの発熱体保
護膜として一般的に用いられている5102を直接発熱
抵抗層2上に形成し耐摩耗層5をつけたものも同様に密
着が悪かった。このように密着層4は発熱抵抗層2と耐
摩耗層5との密着力を向上させることができ、且つサー
マルヘッドの長寿命化にも貢献している。このことは、
ステツノストレス試験や連続印字寿命試験の結果からも
明確である。
護膜として一般的に用いられている5102を直接発熱
抵抗層2上に形成し耐摩耗層5をつけたものも同様に密
着が悪かった。このように密着層4は発熱抵抗層2と耐
摩耗層5との密着力を向上させることができ、且つサー
マルヘッドの長寿命化にも貢献している。このことは、
ステツノストレス試験や連続印字寿命試験の結果からも
明確である。
第4図は、エージングを行つ前のサーマルヘッドについ
て、密着層4の有無によるステップストレス試験結果を
示したものである。第4図において横軸は印加電力を示
したて軸には発熱抵抗層の抵抗変化率を示している。本
試験では第1図に示す実施例の構成で発熱部密度を8
dota/w*とし8dotsに所定の電力で20,0
00・ぐルスを印加し抵抗変化を測定した。このとき初
期電力をQ、Q 5 w/do tとしステラグアラグ
電力を0.05 w/5tepとして測定した。
て、密着層4の有無によるステップストレス試験結果を
示したものである。第4図において横軸は印加電力を示
したて軸には発熱抵抗層の抵抗変化率を示している。本
試験では第1図に示す実施例の構成で発熱部密度を8
dota/w*とし8dotsに所定の電力で20,0
00・ぐルスを印加し抵抗変化を測定した。このとき初
期電力をQ、Q 5 w/do tとしステラグアラグ
電力を0.05 w/5tepとして測定した。
第4図においてIA、ICは密着層4有シを示しIB、
IDは密着層4なしを示している。又IA、IBt′i
印加条件としてzPルス幅2.5ms、(シ返し20r
ns、lC,IDはij /l/ ス幅2.5 ms、
くり返し10m5を示している。図中Xは破断を示して
いる。
IDは密着層4なしを示している。又IA、IBt′i
印加条件としてzPルス幅2.5ms、(シ返し20r
ns、lC,IDはij /l/ ス幅2.5 ms、
くり返し10m5を示している。図中Xは破断を示して
いる。
この図よシ明らかなようにくシ返し10m5.20mB
において密着層4を形成しだIA、ICが形成しないI
B、10よシ耐電力が優れている。
において密着層4を形成しだIA、ICが形成しないI
B、10よシ耐電力が優れている。
この結果を数値でまとめると第2表のようになる。
第2表において、Plは印字濃度(0pticalDe
nsity ) 1.2を得る電力、P2は破断電力を
示す(濃度12は通常の印字で用いられる濃度である)
。
nsity ) 1.2を得る電力、P2は破断電力を
示す(濃度12は通常の印字で用いられる濃度である)
。
第2表
第2表でP2/PIは余裕率を示すものでこの値が大き
いほど耐電力に余裕があるといえる。この表から明らか
なように密着層4を形成したIA。
いほど耐電力に余裕があるといえる。この表から明らか
なように密着層4を形成したIA。
ICはIB、IDに比べてかなり余裕率が高いといえる
。
。
第5図は密着層4の有無による印字電力と印字濃度との
関係を示しだもので図中2A 、 2B 。
関係を示しだもので図中2A 、 2B 。
20.2Dは第4図、のIA、IB、IC,10と対応
するものである。
するものである。
第5図よシ明らかなように密着層4の有無に関係なく印
字特性がほとんど変化ないことを示している。
字特性がほとんど変化ないことを示している。
第6図は密着層4の有無によ、る連続印字寿命試験にお
ける印字・eルス数と抵抗変化の関係を示したものであ
る。
ける印字・eルス数と抵抗変化の関係を示したものであ
る。
で図中3A 、3B 、3C,3Dは第4図のIA。
IB、IC,LDと対応する。第6図よシ密着層4のな
いものは3B 、3Dで示すように印字くシ返し/ek
X I Q 、 20 ms においても約2.5 X
10’ /#ルスで破断する。一方密着層4をつけた
3A 、 3Cはいずれも約4 X 10’・ぐルスの
印字寿命をもつことがわかる。
いものは3B 、3Dで示すように印字くシ返し/ek
X I Q 、 20 ms においても約2.5 X
10’ /#ルスで破断する。一方密着層4をつけた
3A 、 3Cはいずれも約4 X 10’・ぐルスの
印字寿命をもつことがわかる。
以上説明したように密着層4は発熱抵抗層2と耐摩耗層
5との密着を改善するばかシでなく印字特性に悪影響を
与えることなく耐電力性、連続印字寿命を向上させる利
点がある。
5との密着を改善するばかシでなく印字特性に悪影響を
与えることなく耐電力性、連続印字寿命を向上させる利
点がある。
このように本発明によるサーマルヘッドは密着層を用い
て発熱抵抗層と耐摩耗層との密着性を改善し安価で長寿
命なものであり、サーマルヘッド部、ファクシミリ装置
等に利用できる。
て発熱抵抗層と耐摩耗層との密着性を改善し安価で長寿
命なものであり、サーマルヘッド部、ファクシミリ装置
等に利用できる。
第1図は本発明の1実施例の断面図、第2図(、)〜(
e)は本発明の1実施例の製造工程図、第3図は折シ曲
げ試験構成図、第4図はステツノストレス試験結果図、
第5図は印字特性試験結果図、第6図は連続印字寿命試
験結果図である。 l;・・耐熱性有機樹脂フィルム基板、2・・・発熱抵
抗層、3・・・給電体、4・・・密着層、5・・・耐摩
耗層。 6・・・放熱板、7・・・サーマルヘッド部、8・・・
ICCチラノ9・・・IC保護用樹脂、10・・・金属
(・ぐラジラム)、11.)2・・めっきレジスト、1
3・・・丸棒。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第1図 第4図 電力(W/dot) 第5図 に
e)は本発明の1実施例の製造工程図、第3図は折シ曲
げ試験構成図、第4図はステツノストレス試験結果図、
第5図は印字特性試験結果図、第6図は連続印字寿命試
験結果図である。 l;・・耐熱性有機樹脂フィルム基板、2・・・発熱抵
抗層、3・・・給電体、4・・・密着層、5・・・耐摩
耗層。 6・・・放熱板、7・・・サーマルヘッド部、8・・・
ICCチラノ9・・・IC保護用樹脂、10・・・金属
(・ぐラジラム)、11.)2・・めっきレジスト、1
3・・・丸棒。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第1図 第4図 電力(W/dot) 第5図 に
Claims (3)
- (1)耐熱性有機樹脂フィルム基板と、当該耐熱性有機
樹脂フィルム基板の一方の面に選択的に被着形成される
発熱抵抗層と、当該発熱抵抗層上に選択的に被着形成さ
れる給電体と、少なくとも前記発熱抵抗層の発熱部およ
び当該発熱部に隣接する給電体の端部近傍を被う如く被
着形成される保護膜と、前記耐熱性有機樹脂フィルム基
板の他方の面に接着される放熱板とを有するサーマルヘ
ッドにおいて、前記保護膜が、耐熱性有機樹脂もしくは
フィラー含有耐熱性有機樹脂からなる密着層と、当該密
着層上にTa_2O_5、SiC、Si_3N_4のう
ちのいずれかをスパッタもしくは蒸着して形成した耐摩
耗層との2層から構成されることを特徴とするサーマル
ヘッド。 - (2)密着層がポリイミド樹脂、ポリイミド誘電体、も
しくは耐熱エポキシ樹脂の各耐熱性有機樹脂のうちのい
ずれかであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のサーマルヘッド。 - (3)フィラーとしてSiC、Ta_2O_5、Al_
2O_3、SiO_2、Y_2O_3の各微粉末のうち
の少なくとも1種類を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第1項、または第2項記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59123684A JPS613758A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59123684A JPS613758A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS613758A true JPS613758A (ja) | 1986-01-09 |
JPH0318834B2 JPH0318834B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=14866755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59123684A Granted JPS613758A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS613758A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175902A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59123684A patent/JPS613758A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175902A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 |
US8141250B2 (en) | 2005-12-27 | 2012-03-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing a droplet discharging head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0318834B2 (ja) | 1991-03-13 |
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