JPS6136112A - 多結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法 - Google Patents
多結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法Info
- Publication number
- JPS6136112A JPS6136112A JP59156658A JP15665884A JPS6136112A JP S6136112 A JPS6136112 A JP S6136112A JP 59156658 A JP59156658 A JP 59156658A JP 15665884 A JP15665884 A JP 15665884A JP S6136112 A JPS6136112 A JP S6136112A
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- JP
- Japan
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- diamond
- whetstone
- particles
- granule
- substrate
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、研削特性に優れる多結晶のダイヤモンド砥粒
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
ダイヤモンド砥粒には天然もしくは人工合成のダイヤモ
ンドが使われているが、通常、これらはいずれもその１
つ１つが単結晶の粒子によって構成されている。
ンドが使われているが、通常、これらはいずれもその１
つ１つが単結晶の粒子によって構成されている。
［発明が解決しようとする問題点］
ダイヤモンドの単結晶粒子は、その角が鋭（尖っており
砥粒としては好適なのであるが、応力や衝撃に対して弱
く破壊されやすいという難点も併せ持っている。その意
味において多結晶粒子は破壊強痩が高い。したがって、
クリープフィード研削等の重研削に対しては特に好適な
のであるが、しかしながら多結晶粒子は天然にはほとん
ど産出されることがなく、また、人工合成においても従
来技術では生成することができない。
砥粒としては好適なのであるが、応力や衝撃に対して弱
く破壊されやすいという難点も併せ持っている。その意
味において多結晶粒子は破壊強痩が高い。したがって、
クリープフィード研削等の重研削に対しては特に好適な
のであるが、しかしながら多結晶粒子は天然にはほとん
ど産出されることがなく、また、人工合成においても従
来技術では生成することができない。
従来技術におけるダイヤモンドの多結晶粒子を合成する
可能性としては、多結晶の粒子を焼結してこれを粉砕す
れば得ることも可能であるが、超高圧下での焼結、粉砕
さらに分級と１つ１つの工程が高い費用を必要とし、工
業的な実用は回動であると思われる。
可能性としては、多結晶の粒子を焼結してこれを粉砕す
れば得ることも可能であるが、超高圧下での焼結、粉砕
さらに分級と１つ１つの工程が高い費用を必要とし、工
業的な実用は回動であると思われる。
この発明は、上述のような事情に鑑みその３１：うな問
題点を解決すべく創案されたものである。１ノたがって
、その目的とするところは、ダイ１７モンドの多結晶粒
子（砥粒として応用可能な）の工業的に実現可能な製造
方法を提案することにある。
題点を解決すべく創案されたものである。１ノたがって
、その目的とするところは、ダイ１７モンドの多結晶粒
子（砥粒として応用可能な）の工業的に実現可能な製造
方法を提案することにある。
ｃ問題点を解決するだめの手段コ
本発明を実現するには気相からダイヤモンド粒子を析出
させる必要がある。ダイヤモンドの気相合成法は古くか
ら細穴が行なわれてぎたが、最近、ＣＶＤやプラズマＣ
ＶＤで合成する方法が確立されている。この方法では、
膜状もしくはｌｌｉ結晶の粒子状ダイヤモンドの成形が
認められている。
させる必要がある。ダイヤモンドの気相合成法は古くか
ら細穴が行なわれてぎたが、最近、ＣＶＤやプラズマＣ
ＶＤで合成する方法が確立されている。この方法では、
膜状もしくはｌｌｉ結晶の粒子状ダイヤモンドの成形が
認められている。
発明者等はこれらの手法を検問するうちに多結晶の粒子
を得ることが可能であるとの知見を得、砥粒としての応
用に考え至ったものである。
を得ることが可能であるとの知見を得、砥粒としての応
用に考え至ったものである。
本発明は次の工程よりなる。
■ 基Ｈの表面を所定の面粗度とする工程。
■ 気相からダイヤモンド粒子を合成する工程。
■ 合成されたダイヤモンド粒子を基材から１１脱させ
る工程。
る工程。
■の工程は、気相合成におけるダイヤモンドの生成する
核の数を制御するものである。あまり多くの核が発生す
ると容易に膜状となるために、目的とする粒子の径に合
わせて核が発生するにうに傷をつける必要がある。一般
に気相から固体が析出するには、基材の表面形状がその
析出地点を決定することはよく知られており、ダイヤモ
ンドの気相合成においてもこの現象がある。方形の溝を
ピッチを定めて正確に掘ることによって核の発生は完全
にコントロールできるが、溝を掘ること自体に費用を要
し経済的には好ましくない。便宜的には、一定形状の砥
粒で擦ったり、仕上げ面精度を制御することによって概
ね所定の粒径と覆ることが可能である。
核の数を制御するものである。あまり多くの核が発生す
ると容易に膜状となるために、目的とする粒子の径に合
わせて核が発生するにうに傷をつける必要がある。一般
に気相から固体が析出するには、基材の表面形状がその
析出地点を決定することはよく知られており、ダイヤモ
ンドの気相合成においてもこの現象がある。方形の溝を
ピッチを定めて正確に掘ることによって核の発生は完全
にコントロールできるが、溝を掘ること自体に費用を要
し経済的には好ましくない。便宜的には、一定形状の砥
粒で擦ったり、仕上げ面精度を制御することによって概
ね所定の粒径と覆ることが可能である。
■の工程は気相合成法であればいかなる方法においても
可能であり、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＩＢＤ法（
イオンビーム蒸着法）等のすべての手法が本発明に用い
ることができる。１ノかし、ダイヤモンドの粒子が生成
する温度はＣＶＤ法やプラズマＣＶ Ｄ法では５００℃
以上とされており、基材の選択には考慮が払われる必要
がある。また、レーザや電子ビームを熱源あるいは反応
の励起源として用いることによって局所的にダイヤモン
ドを合成することも可能であり、このような方法が好適
な場合もある。
可能であり、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＩＢＤ法（
イオンビーム蒸着法）等のすべての手法が本発明に用い
ることができる。１ノかし、ダイヤモンドの粒子が生成
する温度はＣＶＤ法やプラズマＣＶ Ｄ法では５００℃
以上とされており、基材の選択には考慮が払われる必要
がある。また、レーザや電子ビームを熱源あるいは反応
の励起源として用いることによって局所的にダイヤモン
ドを合成することも可能であり、このような方法が好適
な場合もある。
■の工程では、ｌ ｌｚｌとダイヤモンドとが分離覆る
ための手法として、機械的に落としたり、基材を溶解す
る等が考えられる。得られた粒子の形状を損なわないた
めには化学的な手法が適当と考えられる。
ための手法として、機械的に落としたり、基材を溶解す
る等が考えられる。得られた粒子の形状を損なわないた
めには化学的な手法が適当と考えられる。
以上のようにして製造されたダイヤモンド砥粒は、単に
多結晶であるのみならず粒径が極めて精度良く揃ってい
るという特徴がある。
多結晶であるのみならず粒径が極めて精度良く揃ってい
るという特徴がある。
［実施例１
以下に本発明の実施例について説明する。
実施例１
基材としてＮ＋板を用い、その表面を３０００番のダイ
ヤモンド砥粒でラッピング１）た後、さらに１２００番
の仙磨紙で一方向に傷をつけた。この基板に、マイクロ
波プラズマＣＶ Ｄ法によって、２％のＣＨ４を含んだ
水素ガスからダイヤモンドを合成（）た。このとき、基
板は約８００℃に加熱されていた。でき上がった粒子を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、１０〜１５μｍの
粒子であり、それぞれの粒子は７〜１５個の結晶粒から
なっていることがｍａされた。
ヤモンド砥粒でラッピング１）た後、さらに１２００番
の仙磨紙で一方向に傷をつけた。この基板に、マイクロ
波プラズマＣＶ Ｄ法によって、２％のＣＨ４を含んだ
水素ガスからダイヤモンドを合成（）た。このとき、基
板は約８００℃に加熱されていた。でき上がった粒子を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、１０〜１５μｍの
粒子であり、それぞれの粒子は７〜１５個の結晶粒から
なっていることがｍａされた。
この基板を王水によって溶解した残渣としてダイヤモン
ド粒子が回収され、走査型電子顕微鏡で観察したところ
、基板上で観察された粒子が確認された。
ド粒子が回収され、走査型電子顕微鏡で観察したところ
、基板上で観察された粒子が確認された。
［発明の効果］
以−ヒの説明より明らかなように本発明によれば次のご
とき優れた効果が発揮される。
とき優れた効果が発揮される。
すなわち、多結晶のダイヤモンド粒子を安価に製造する
ことができ、特に研削特性に優れた多結晶のダイヤモン
ド砥粒を工業的に製造づることができる。
ことができ、特に研削特性に優れた多結晶のダイヤモン
ド砥粒を工業的に製造づることができる。
Claims (2)
- （１）気相から合成されるダイヤモンドの生成床となる
基材の表面を、ダイヤモンドの析出開始地点が複数箇所
となるべく所定の面粗度に形成する工程と、 気相からダイヤモンド粒子を合成する工程と、前記ダイ
ヤモンド粒子を前記基材から離脱させる工程とからなる
ことを特徴とする多結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。 - （２）前記基材の表面を所定の面粗度に形成する工程は
、該基材の表面を滑らかにした後に傷を付ける工程であ
る特許請求の範囲第１項記載の多結晶ダイヤモンド砥粒
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59156658A JPS6136112A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 多結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59156658A JPS6136112A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 多結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136112A true JPS6136112A (ja) | 1986-02-20 |
| JPH0253396B2 JPH0253396B2 (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=15632467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59156658A Granted JPS6136112A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 多結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136112A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185579A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-08-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨テ−プ |
| JPH01242490A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-27 | Mitsubishi Metal Corp | 粗粒の人工ダイヤモンド結晶の製造法 |
| JPH04141372A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-14 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド砥石 |
| US5180571A (en) * | 1990-05-30 | 1993-01-19 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Process for the preparation of diamond |
| US5330802A (en) * | 1987-07-13 | 1994-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD of carbonaceous films on substrate having reduced metal on its surface |
| KR20160060745A (ko) * | 2013-09-30 | 2016-05-30 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 형상화 연마입자 및 이의 형성 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107914A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド粉末の製造法 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59156658A patent/JPS6136112A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107914A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド粉末の製造法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185579A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-08-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨テ−プ |
| US5330802A (en) * | 1987-07-13 | 1994-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD of carbonaceous films on substrate having reduced metal on its surface |
| JPH01242490A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-27 | Mitsubishi Metal Corp | 粗粒の人工ダイヤモンド結晶の製造法 |
| JP2625840B2 (ja) * | 1988-03-22 | 1997-07-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 粗粒の人工ダイヤモンド結晶の製造法 |
| US5180571A (en) * | 1990-05-30 | 1993-01-19 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Process for the preparation of diamond |
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| JP2016538149A (ja) * | 2013-09-30 | 2016-12-08 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 形状化研磨粒子及び形状化研磨粒子を形成する方法 |
| US10563106B2 (en) | 2013-09-30 | 2020-02-18 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Shaped abrasive particles and methods of forming same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0253396B2 (ja) | 1990-11-16 |
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